JPH02376A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02376A JPH02376A JP63045139A JP4513988A JPH02376A JP H02376 A JPH02376 A JP H02376A JP 63045139 A JP63045139 A JP 63045139A JP 4513988 A JP4513988 A JP 4513988A JP H02376 A JPH02376 A JP H02376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- region
- insulating film
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置、特に光入力用半導体集
積回路装置のボンディングパッド部分の構造に関するも
のである。
積回路装置のボンディングパッド部分の構造に関するも
のである。
第３図は従来の光入力用半導体集積回路装置の断面図で
あり、第４図は第３図のボンディングパッド部の断面図
である。両図において、１はＰ型半導体基板（以下「Ｐ
型基板」という）であり、このＰ型基板１の上層部に受
光素子形成用の素子領域としてｎ型エピタギシＡ・ル６
２ ａと、受光素子以外の周辺回路形成用の素子領域と
してｎを１ピタキシャル層２ｂ〜２ｅが一定間隔をあけ
て複数形成される。ｎ型エピタキシＶル）ｆｆ１２ａの
上層部にはＰ°拡散層３が形成されて、受光素子を構成
している。また、ｎ型エピタキシャル層２ｂの上層部に
はＰ＋拡散層４が形成される一方、ｎをエピタキシャル
層２Ｃの上層部にはｒ１＋拡散層５とＰ＋拡散層６とが
一定間隔をあけて形成され、さらに、このＰ＋拡散層６
の上層部にｒ）＋拡散層７が形成される。上記のように
して上層部に各種拡散層が形成されたＰ型基板１上には
、コンタクトホール９，１１，１２．１３．１５を有す
る第１絶縁層１６が形成され、第１金属配＄１８がコン
タクトホール９を介してＰ＋拡散層４の一方端と接続さ
れる。また、第２金属配線１０がコンタクトホール１１
を介してＰ＋拡散層４の使方端と接続されるととらに、
コンタクトホール１２を介してｎ＋拡散層５と接続され
、さらにコンタクトホール１３を介してＰ＋拡散層６と
接続される。さらに、第３金屈配線１４がコンタクトホ
ール１５を介してｎ＋拡散層７と接続される。こうして
、ｎ型エピタキシャル層２ｂ、２Ｇを利用して周辺回路
部が形成され、同様な方法でｎ型エピタキシャル層２ｅ
にも周辺回路部が形成される。さらに、第１絶縁膜１６
上には、ｎ型エピタキシャル層２ｄに対応する領域にワ
イヤボンド用のアルミパッド１７が積層して形成され、
このアルミパッド１７が上記周辺回路部の適当な部位と
電気的に接続される。そして、このアルミパッド１７の
外周領域に連続するにうにして、第１ないし第３金属配
線８．１０．１４と第１絶縁膜１６上に第２絶縁膜１８
が積層して形成される。また第２絶縁膜１８上には、周
辺回路素子領域であるｎ型エピタキシャル１１２ｂ、２
ｃ、２ｅに対応させて遮光用金属層１９が形成され、こ
の遮光用金属層１９により外部からの光が周辺回路部内
へ浸入するのを阻止している。そして、半導体装置の表
面を保護する為のトップコート２０が、アルミパッド１
７の外周領域に重なるようにして第２絶縁膜１８および
遮光用金属層１９上に形成される。
あり、第４図は第３図のボンディングパッド部の断面図
である。両図において、１はＰ型半導体基板（以下「Ｐ
型基板」という）であり、このＰ型基板１の上層部に受
光素子形成用の素子領域としてｎ型エピタギシＡ・ル６
２ ａと、受光素子以外の周辺回路形成用の素子領域と
してｎを１ピタキシャル層２ｂ〜２ｅが一定間隔をあけ
て複数形成される。ｎ型エピタキシＶル）ｆｆ１２ａの
上層部にはＰ°拡散層３が形成されて、受光素子を構成
している。また、ｎ型エピタキシャル層２ｂの上層部に
はＰ＋拡散層４が形成される一方、ｎをエピタキシャル
層２Ｃの上層部にはｒ１＋拡散層５とＰ＋拡散層６とが
一定間隔をあけて形成され、さらに、このＰ＋拡散層６
の上層部にｒ）＋拡散層７が形成される。上記のように
して上層部に各種拡散層が形成されたＰ型基板１上には
、コンタクトホール９，１１，１２．１３．１５を有す
る第１絶縁層１６が形成され、第１金属配＄１８がコン
タクトホール９を介してＰ＋拡散層４の一方端と接続さ
れる。また、第２金属配線１０がコンタクトホール１１
を介してＰ＋拡散層４の使方端と接続されるととらに、
コンタクトホール１２を介してｎ＋拡散層５と接続され
、さらにコンタクトホール１３を介してＰ＋拡散層６と
接続される。さらに、第３金屈配線１４がコンタクトホ
ール１５を介してｎ＋拡散層７と接続される。こうして
、ｎ型エピタキシャル層２ｂ、２Ｇを利用して周辺回路
部が形成され、同様な方法でｎ型エピタキシャル層２ｅ
にも周辺回路部が形成される。さらに、第１絶縁膜１６
上には、ｎ型エピタキシャル層２ｄに対応する領域にワ
イヤボンド用のアルミパッド１７が積層して形成され、
このアルミパッド１７が上記周辺回路部の適当な部位と
電気的に接続される。そして、このアルミパッド１７の
外周領域に連続するにうにして、第１ないし第３金属配
線８．１０．１４と第１絶縁膜１６上に第２絶縁膜１８
が積層して形成される。また第２絶縁膜１８上には、周
辺回路素子領域であるｎ型エピタキシャル１１２ｂ、２
ｃ、２ｅに対応させて遮光用金属層１９が形成され、こ
の遮光用金属層１９により外部からの光が周辺回路部内
へ浸入するのを阻止している。そして、半導体装置の表
面を保護する為のトップコート２０が、アルミパッド１
７の外周領域に重なるようにして第２絶縁膜１８および
遮光用金属層１９上に形成される。
従来の半導体集積回路装置は以上のように構成されてお
り、ワイヤボンディング工程においてアルミパッド１７
とリードフレーム（図示省略）とが金線等のワイヤ（図
示省略）により電気的に接続されて、これらアルミパッ
ド１７．ワイヤおよびリードフレームを介して、外部と
信号等の授受が行なわれる。
り、ワイヤボンディング工程においてアルミパッド１７
とリードフレーム（図示省略）とが金線等のワイヤ（図
示省略）により電気的に接続されて、これらアルミパッ
ド１７．ワイヤおよびリードフレームを介して、外部と
信号等の授受が行なわれる。
しかしながら、従来の半導体集積回路装置では、アルミ
パッド１７が第１絶縁膜１６上に位置ずれして設けられ
る可能性があること等を考慮して、ワイヤと遮光用金属
層１９との電気的な接続を防止するために、遮光用金属
層１９の開口寸法２１をアルミパッド１７の寸法よりも
大きく設定しており、そのためアルミパッド１７と遮光
用金属層１９との間に光の侵入が可能な隙間領域２２が
形成される。したがって、周辺回路部に対応する領域に
外部より光が入射してぎた際、その光の大部分はアルミ
パッド１７と遮光用金属層１９とにより遮光されるもの
の、光の一部が隙間領域２２より周辺回路部内に侵入し
、侵入した光が周辺回路部内のＰ−Ｎ接合部等に到達す
ると、このＰ−Ｎ接合部において光電流が発生して誤動
作を引き起こすという問題があった。
パッド１７が第１絶縁膜１６上に位置ずれして設けられ
る可能性があること等を考慮して、ワイヤと遮光用金属
層１９との電気的な接続を防止するために、遮光用金属
層１９の開口寸法２１をアルミパッド１７の寸法よりも
大きく設定しており、そのためアルミパッド１７と遮光
用金属層１９との間に光の侵入が可能な隙間領域２２が
形成される。したがって、周辺回路部に対応する領域に
外部より光が入射してぎた際、その光の大部分はアルミ
パッド１７と遮光用金属層１９とにより遮光されるもの
の、光の一部が隙間領域２２より周辺回路部内に侵入し
、侵入した光が周辺回路部内のＰ−Ｎ接合部等に到達す
ると、このＰ−Ｎ接合部において光電流が発生して誤動
作を引き起こすという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボンディングパッド部近傍よりの光の侵入を
防止できる半導体集積回路装置を１ｑることを目的とす
る。
たもので、ボンディングパッド部近傍よりの光の侵入を
防止できる半導体集積回路装置を１ｑることを目的とす
る。
この発明は、半導体基板上に積層して形成された第１の
絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたボンディン
グパッドと、前記ボンディングパッドの外周領域に連続
するようにして前記第１の絶縁膜上に積層して形成され
た第２の絶縁膜と、前記ボンディングパッドの外周領域
から離隔するようにして前記第２の絶林膜上に形成され
た外部光線遮断層と、前記ボンディングパッドの外周領
域に重ね合わせるようにして前記第２の絶縁膜から前記
外部光線遮断層上にかけて積層して形成されたトップコ
ートとを備えた半導体集積回路装置において、前記トッ
プコートのうち、少なくとも前記ボンディングパッドと
前記外部光線遮断層との間に対応する前記第２の絶縁膜
上の領域に遮光性領域を形成している。
絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたボンディン
グパッドと、前記ボンディングパッドの外周領域に連続
するようにして前記第１の絶縁膜上に積層して形成され
た第２の絶縁膜と、前記ボンディングパッドの外周領域
から離隔するようにして前記第２の絶林膜上に形成され
た外部光線遮断層と、前記ボンディングパッドの外周領
域に重ね合わせるようにして前記第２の絶縁膜から前記
外部光線遮断層上にかけて積層して形成されたトップコ
ートとを備えた半導体集積回路装置において、前記トッ
プコートのうち、少なくとも前記ボンディングパッドと
前記外部光線遮断層との間に対応する前記第２の絶縁膜
上の領域に遮光性領域を形成している。
この発明におＣプる半導体集積回路装置は、前記トップ
コートのうち、少なくとも前記ボンディングパッドと前
記外部光線遮断層との間に対応する前記第２の絶縁膜上
の領域に遮光性領域を形成しているので、外部より侵入
してきた光は前記ボンディングパッド、−前記外部光線
遮断層および前記遮光性領域により集積回路装置内への
侵入が阻止され、光による誤動作が防止される。
コートのうち、少なくとも前記ボンディングパッドと前
記外部光線遮断層との間に対応する前記第２の絶縁膜上
の領域に遮光性領域を形成しているので、外部より侵入
してきた光は前記ボンディングパッド、−前記外部光線
遮断層および前記遮光性領域により集積回路装置内への
侵入が阻止され、光による誤動作が防止される。
〔実施θ１〕
第１図はこの発明の一実施例である半導体集積回路装置
を示す断面図である。同図の半導体集積回路装置が第３
図の従来例と異なる点は、トップコート２０のうら、隙
間領域２２に対応する領域をポリイミド等の遮光性材料
により形成して遮光性領域２０ａに仕上げたことであり
、その他の構成は従来例と同様である。
を示す断面図である。同図の半導体集積回路装置が第３
図の従来例と異なる点は、トップコート２０のうら、隙
間領域２２に対応する領域をポリイミド等の遮光性材料
により形成して遮光性領域２０ａに仕上げたことであり
、その他の構成は従来例と同様である。
第１図に示す半導体集積回路装置によれば、アルミパッ
ド１７と遮光用台Ｉｉｉ層１９との間が遮光性領域２０
ａにより覆われるので、周辺回路部に対応する領域に外
部より入射した光はアルミパッド１７．！光用金属層１
９あるいは遮光性領ｂＩｉ２Ｑａにより遮光されて周辺
回路部内への光の侵入が阻止され、光による誤動作が防
止される。
ド１７と遮光用台Ｉｉｉ層１９との間が遮光性領域２０
ａにより覆われるので、周辺回路部に対応する領域に外
部より入射した光はアルミパッド１７．！光用金属層１
９あるいは遮光性領ｂＩｉ２Ｑａにより遮光されて周辺
回路部内への光の侵入が阻止され、光による誤動作が防
止される。
第２図はこの発明の他の実施例である半導体集積回路装
置を示す断面図である。同図の半導体集積回路装置が第
３図の従来例と異なる点は、半導体集積回路装置の表面
を保護する為のトップコートが、従来より設けられてい
るトップコート層２０と、隙間領域２２に対応してトッ
プコート層２０上に形成された遮光１ｉ１２０ｂにより
構成されていることである。なお、この遮光層２０ｔ）
は、遮光性領域２０ａ・と同様、例えばポリイミド等の
遮光性材料により形成する。その他の構成は従来例と同
様である。
置を示す断面図である。同図の半導体集積回路装置が第
３図の従来例と異なる点は、半導体集積回路装置の表面
を保護する為のトップコートが、従来より設けられてい
るトップコート層２０と、隙間領域２２に対応してトッ
プコート層２０上に形成された遮光１ｉ１２０ｂにより
構成されていることである。なお、この遮光層２０ｔ）
は、遮光性領域２０ａ・と同様、例えばポリイミド等の
遮光性材料により形成する。その他の構成は従来例と同
様である。
第２図に示す半導体集積回路、装置によれば、アルミパ
ッド１７と遮光用金属層１９との間がトップコートの一
部を構成する遮光ｆｆ１２０ｂにより覆われるので、周
辺回路部に対応する領域に外部より入射した光はアルミ
パッド１７．遮光用金属層１９あるいは遮光層２０ｂに
より遮光されて周辺回路部内への光の侵入が阻止され、
光による一誤動作が防止される。
ッド１７と遮光用金属層１９との間がトップコートの一
部を構成する遮光ｆｆ１２０ｂにより覆われるので、周
辺回路部に対応する領域に外部より入射した光はアルミ
パッド１７．遮光用金属層１９あるいは遮光層２０ｂに
より遮光されて周辺回路部内への光の侵入が阻止され、
光による一誤動作が防止される。
なお、第１図に示す実施例ではトップコート２０のうち
隙間領域２２に対応する領域のみに遮光性領域２０ａを
形成したが、トップコート２ｏの全領域を遮光性領域に
仕上げてもよい。
隙間領域２２に対応する領域のみに遮光性領域２０ａを
形成したが、トップコート２ｏの全領域を遮光性領域に
仕上げてもよい。
また、上記実施例では外部光線の周辺回路部内の侵入を
防止するために遮光用金属層１９を設けたものを示した
が、遮光用金属層１９の代りに顔料や染料により着色を
施すことにより遮光性をもたせた高分子膜を用いてもよ
い。
防止するために遮光用金属層１９を設けたものを示した
が、遮光用金属層１９の代りに顔料や染料により着色を
施すことにより遮光性をもたせた高分子膜を用いてもよ
い。
以上のように、この発明によれば、トップコートのうち
、少なくともボンディングパッドと外部光線遮断層との
間に対応する第２の絶縁膜上の領域に遮光性領域を形成
したので、同領域からの外部光線の集積回路装置内への
浸入を防止でき、半導体集積回路装置の誤動作を防止し
て信頼性の高いものが得られる効果がある。
、少なくともボンディングパッドと外部光線遮断層との
間に対応する第２の絶縁膜上の領域に遮光性領域を形成
したので、同領域からの外部光線の集積回路装置内への
浸入を防止でき、半導体集積回路装置の誤動作を防止し
て信頼性の高いものが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である光入力用半導体集積
回路装置を示−す断面図、第２図はこの発明の他の実施
例である光入力用半導体集積回路装置を示す断面図、第
３図は従来の光入力用半導体集積回路装置を示す断面図
、第４図は第３図のアルミパッド部の拡大高面図である
。 図において、１はＰ型基板、２ｄはｎ型エピタキシャル
層、１６は第１絶縁躾、１７はアルミパッド、１８は第
２絶縁膜１，１９は遮光用金属層、２０はトップコート
、２０ａは遮光性領域、２０ｂは遮光層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 第 図 Ｐ型岑板 ２ｄ：ｎりξｒゴタ矢ンＹル層 第 因 第 図 ｚｏｂ：ｍ＊−層 手 続 補 正 書（自発） ５゜ 補正の対象 「図面」の第１図、 第２図および第３図 ６゜ 補正の内容 図面の第１図、 第２図および第３図を別 １、事件の表示 特願昭 ０４５１３９号 紙の通り補正する。 以」二 ２、発明の名称 半導体集積回路装置 ３、補正をする者 代表者 士 Ｉじ） 岐 守 哉 ２０ｂ、遮ん層 第 図 第 図 第 図
回路装置を示−す断面図、第２図はこの発明の他の実施
例である光入力用半導体集積回路装置を示す断面図、第
３図は従来の光入力用半導体集積回路装置を示す断面図
、第４図は第３図のアルミパッド部の拡大高面図である
。 図において、１はＰ型基板、２ｄはｎ型エピタキシャル
層、１６は第１絶縁躾、１７はアルミパッド、１８は第
２絶縁膜１，１９は遮光用金属層、２０はトップコート
、２０ａは遮光性領域、２０ｂは遮光層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 第 図 Ｐ型岑板 ２ｄ：ｎりξｒゴタ矢ンＹル層 第 因 第 図 ｚｏｂ：ｍ＊−層 手 続 補 正 書（自発） ５゜ 補正の対象 「図面」の第１図、 第２図および第３図 ６゜ 補正の内容 図面の第１図、 第２図および第３図を別 １、事件の表示 特願昭 ０４５１３９号 紙の通り補正する。 以」二 ２、発明の名称 半導体集積回路装置 ３、補正をする者 代表者 士 Ｉじ） 岐 守 哉 ２０ｂ、遮ん層 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- （１）半導体基板上に積層して形成された第１の絶縁膜
と、 前記第１の絶縁膜上に形成されたボンディングパッドと
、 前記ボンディングパッドの外周領域に連続するようにし
て前記第１の絶縁膜上に積層して形成された第２の絶縁
膜と、 前記ボンディングパッドの外周領域から離隔するように
して前記第２の絶縁膜上に形成された外部光線遮断層と
、 前記ボンディングパッドの外周領域に重ね合わせるよう
にして前記第２の絶縁膜から前記外部光線遮断層上にか
けて積層して形成されたトップコートとを備えた半導体
集積回路装置において、前記トップコートのうち、少な
くとち前記ボンディングパッドと前記外部光線遮断層と
の間に対応する前記第２の絶縁膜上の領域に遮光性領域
を形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045139A JPH02376A (ja) | 1987-11-02 | 1988-02-26 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-277967 | 1987-11-02 | ||
| JP27796787 | 1987-11-02 | ||
| JP63045139A JPH02376A (ja) | 1987-11-02 | 1988-02-26 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02376A true JPH02376A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26385096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045139A Pending JPH02376A (ja) | 1987-11-02 | 1988-02-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590598A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-06 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer |
| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045139A patent/JPH02376A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590598A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-06 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer |
| DE102007051752A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge |
| DE102007051752B4 (de) * | 2007-10-30 | 2010-01-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung |
| US8187908B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-05-29 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Light-blocking layer sequence having one or more metal layers for an integrated circuit and method for the production of the layer sequence |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0669040B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH05110049A (ja) | 赤外線固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR100208633B1 (ko) | 포토 다이오드 내장 반도체 장치 | |
| JPH02376A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| EP0590598A1 (en) | Semiconductor photodiode comprising a light shielding layer | |
| JP3342291B2 (ja) | ホトダイオード内蔵集積回路 | |
| JPH03280567A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPS62202556A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000200892A (ja) | ホトダイオード内蔵半導体装置 | |
| JP3172253B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS59134872A (ja) | フオトセンサ−用ｉｃ | |
| JP3157274B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2529248Y2 (ja) | 色センサ | |
| JPS59152662A (ja) | フオトセンサ−用ｉｃ | |
| JPH1050966A (ja) | 光半導体集積回路 | |
| JPH03229467A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3138057B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3724923B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10107242A (ja) | 光半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH04179168A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09321271A (ja) | ホトダイオード内蔵集積回路 | |
| JP3384690B2 (ja) | 光半導体集積回路 | |
| JPH1065134A (ja) | 光半導体集積回路 | |
| JPH0574765A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03286565A (ja) | 光センサ付ｉｃのボンデイングパツド |