JPH0235717A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0235717A JPH0235717A JP18595988A JP18595988A JPH0235717A JP H0235717 A JPH0235717 A JP H0235717A JP 18595988 A JP18595988 A JP 18595988A JP 18595988 A JP18595988 A JP 18595988A JP H0235717 A JPH0235717 A JP H0235717A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度、高速半導体集積回路の製造方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
従来のポリサイドゲートは不純物を活性化したポリシリ
コンの上にチタンシリサイド等のシリサイドを形成して
いた。この時ポリシリコンはＮ形不純物を含まないポリ
シリコンを形成した後、熱拡散法により、リンをドーピ
ングするのが一般的である。こうして形成したポリシリ
コンの上にシリサイドを形成していた。
コンの上にチタンシリサイド等のシリサイドを形成して
いた。この時ポリシリコンはＮ形不純物を含まないポリ
シリコンを形成した後、熱拡散法により、リンをドーピ
ングするのが一般的である。こうして形成したポリシリ
コンの上にシリサイドを形成していた。
発明が解決しようとする課題
従来の技術においてはポリシリコンのグレインの成長が
少なく安定化した状態ではない。従って次にシリサイド
を堆積した後、熱処理を通すと、シリコン原子、リン原
子が安定な状態へと移行していく。この時、同時にシリ
サイドもそれぞれ結晶成長してゆくためシリサイドとポ
リシリコンの相互拡散が激しい状態となる。この様な状
態では十分にポリシリコンの膜厚が厚（ないとゲート耐
圧が劣化するという問題点をもっていた。
少なく安定化した状態ではない。従って次にシリサイド
を堆積した後、熱処理を通すと、シリコン原子、リン原
子が安定な状態へと移行していく。この時、同時にシリ
サイドもそれぞれ結晶成長してゆくためシリサイドとポ
リシリコンの相互拡散が激しい状態となる。この様な状
態では十分にポリシリコンの膜厚が厚（ないとゲート耐
圧が劣化するという問題点をもっていた。
課題を解決するための手段
本発明では従来の技術における課題を解決するためにシ
リサイド堆積前にポリシリコンを熱処理しポリシリコン
のグレインを成長させ、十分安定な状態にする。そのの
ちにシリサイドを堆積し、シリサイド堆積後の熱処理に
対して十分安定なポリサイドを形成するものである。
リサイド堆積前にポリシリコンを熱処理しポリシリコン
のグレインを成長させ、十分安定な状態にする。そのの
ちにシリサイドを堆積し、シリサイド堆積後の熱処理に
対して十分安定なポリサイドを形成するものである。
作用
本発明により比較的ポリシリコンが薄くても、シリサイ
ドとポリシリコンの相互拡散がほとんどなく、安定した
ポリサイドを形成でき、ゲート耐圧の劣化を防ぐことが
できる。
ドとポリシリコンの相互拡散がほとんどなく、安定した
ポリサイドを形成でき、ゲート耐圧の劣化を防ぐことが
できる。
実施例
第１図に本発明の一実施例の断面プロセスフローを示す
。
。
半導体基板１上に選択的に厚いシリコン酸化膜２を形成
し素子分離領域を形成する。熱酸化法によって能動領域
上にゲート酸化膜となるシリコン酸化膜３を形成する。
し素子分離領域を形成する。熱酸化法によって能動領域
上にゲート酸化膜となるシリコン酸化膜３を形成する。
次に全面に減圧化学気相成長法によってリンを含んだ多
結晶シリコン膜４を１５０ナノメーターの厚さで形成す
る（第１図（Ａ））。次に９００度の熱処理を３０分間
行うことによって多結晶シリコン膜のグレインを成長さ
せ、安定化させる（第１図（Ｂ））。
結晶シリコン膜４を１５０ナノメーターの厚さで形成す
る（第１図（Ａ））。次に９００度の熱処理を３０分間
行うことによって多結晶シリコン膜のグレインを成長さ
せ、安定化させる（第１図（Ｂ））。
次にスパッタ法によってチタンシリサイド膜６を堆積す
る（第１図（Ｃ））。
る（第１図（Ｃ））。
次に熱処理を通すことによりシリサイドの比抵抗を低下
させ、低抵抗とする。その後、前記、多結晶シリコン膜
およびチタンシリサイド膜を選択的にエツチングしポリ
サイド配線を形成する。
させ、低抵抗とする。その後、前記、多結晶シリコン膜
およびチタンシリサイド膜を選択的にエツチングしポリ
サイド配線を形成する。
第２図に本方法によって形成したポリサイド構造のゲー
ト耐圧（Ａ）と従来のように熱処理無しでシリサイドを
堆積した後に熱処理しポリサイド構造のゲート耐圧（Ｂ
）を示したグラフを示す。従来の方法では全てが耐圧が
低いのに対して、本方法によれば耐圧が高（、十分高い
歩留まりが得られている。
ト耐圧（Ａ）と従来のように熱処理無しでシリサイドを
堆積した後に熱処理しポリサイド構造のゲート耐圧（Ｂ
）を示したグラフを示す。従来の方法では全てが耐圧が
低いのに対して、本方法によれば耐圧が高（、十分高い
歩留まりが得られている。
また、この時、シリサイド堆積前に行った熱処理は７０
０ＪｊＦＣ程度の温度なら長時間行うことで同じ効果が
得られる。又ランプアニール法によれば高温短時間で同
じ様な効果が得られる。なお、この効果はシリサイド堆
積後の熱処理に比べて、シリサイド堆積前の熱処理が温
度が高（時間が長くなるほど、シリサイドと多結晶シリ
コンの相互拡散が少なく、従ってゲート耐圧の改善効果
も大きい。
０ＪｊＦＣ程度の温度なら長時間行うことで同じ効果が
得られる。又ランプアニール法によれば高温短時間で同
じ様な効果が得られる。なお、この効果はシリサイド堆
積後の熱処理に比べて、シリサイド堆積前の熱処理が温
度が高（時間が長くなるほど、シリサイドと多結晶シリ
コンの相互拡散が少なく、従ってゲート耐圧の改善効果
も大きい。
発明の効果
本発明により低抵抗なゲート配線が高い歩留まりで形成
できるため高集積、高速半導体集積回路の歩留まりを飛
躍的に向上させることができる。
できるため高集積、高速半導体集積回路の歩留まりを飛
躍的に向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す製造工程断面図、第２
図は本発明の効果を示す耐圧分布の特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・分離酸化
膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・多結
晶シリコン、５・・・・・・熱処理後の多結晶シリコン
、６・・・・・・チタンシリサイド。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 ジ緒晶シソゴ〃戻 ＼ＩＳｉ基板 第 図 （Ａ）ネ斃ｊ艮汰１；よる面１瓜分市 （Ｂ）本茫朗の方り六１てよろ耐瓜分年叩四１改圧。 （ｘＬＥ＋刀２ 叩加覗瓦 （ＸＩＥすθＯ）
図は本発明の効果を示す耐圧分布の特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・分離酸化
膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・多結
晶シリコン、５・・・・・・熱処理後の多結晶シリコン
、６・・・・・・チタンシリサイド。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 ジ緒晶シソゴ〃戻 ＼ＩＳｉ基板 第 図 （Ａ）ネ斃ｊ艮汰１；よる面１瓜分市 （Ｂ）本茫朗の方り六１てよろ耐瓜分年叩四１改圧。 （ｘＬＥ＋刀２ 叩加覗瓦 （ＸＩＥすθＯ）
Claims (1)
- 半導体基板上にＮ形不純物を含むシリコン薄膜を形成し
、６００度Ｃ以上の熱処理を施した後に少なくとも１層
の低抵抗薄膜を堆積し、シリコン薄膜と低抵抗薄膜から
なる多層膜を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185959A JP2650972B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185959A JP2650972B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235717A true JPH0235717A (ja) | 1990-02-06 |
| JP2650972B2 JP2650972B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16179871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185959A Expired - Fee Related JP2650972B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2650972B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110276A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-21 | ||
| JPS5718702A (en) * | 1980-03-28 | 1982-01-30 | Technical Research Center Obu | Manufacture of regenerated cellulose article and recovery of solvent chemical drug |
| JPS6133253A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-17 | Toyota Motor Corp | ロボット用回転霧化静電塗装装置 |
| JPS6158973A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Fuji Heavy Ind Ltd | 内燃機関における点火時期制御装置 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63185959A patent/JP2650972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110276A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-21 | ||
| JPS5718702A (en) * | 1980-03-28 | 1982-01-30 | Technical Research Center Obu | Manufacture of regenerated cellulose article and recovery of solvent chemical drug |
| JPS6133253A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-17 | Toyota Motor Corp | ロボット用回転霧化静電塗装装置 |
| JPS6158973A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Fuji Heavy Ind Ltd | 内燃機関における点火時期制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2650972B2 (ja) | 1997-09-10 |
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