JPH0235491A - 表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえば容量性フラッ［・・マトリクスデイ
スプレィパネル（以下、薄膜ＥＬ表示装置と呼ぶ）など
の表示装置の駆動方法に関する。

従来の技術 第１２［Ｋは、薄膜ＥＬ表示装置におけろＥｌ−表示パ
オ・ルの基本的な構造を示す縦断面図である。

第１２図において、ガラス基板ＩＡの上にはＩ。

Ｔ　、０　、　（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）
などから成る帯状の透明電極２が複数互いに平行に設け
られ、この上ニハＳ　１　ｈＮ４．　Ｓ　ｉ　ｏ２．　
ＡＮ　ｒｏｓなどから成る誘電体層３Ａが積層され、さ
らにその上には発光層−Ｉ　Ａが積層されている。この
発光層４　Ａは、発光中心を形成する活性物質としてＭ
　ｎなどをドーグしたＺ　ｎ　Ｓから成る。この発光層
４Ａの上には上記と同じ材料から成る誘電体層５Ａが積
層され、その上に上記した透明電極２Ａと直交する方向
に延びるＡｅなどから成る帯状の背面電極６Ａが複数互
いに平行に設けられており、上記した透明型％２Ａ側が
表示側とされる。

第５図は、上記したＥＬ表示パネルを持つ一最的な薄膜
ＥＬ表示装置の概略的な構成を示す回路図である。第５
図におけるＥＬ表示バ木ル１０では、Ｘ方向電極をデー
タ側電極とし、Ｙ方向１陽を走査側電極として電極のみ
を示している。２０゜３０は、Ｙ方向’、ｉ　ｉの奇数
ラインと偶数ラインにそれぞれ対応する走査側Ｎ　−ｃ
　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣで、２１．３１は各ＩＣ中のシフ
トレジスタ等の論理回路である。−４０，５０は同走査
側Ｐ−ｃｈ　（ナヤンオ・ル）高耐圧金属酸化物半導体
集積回路（以下、ＭＯ３ＩＣと略称する）で、４１．５
１は各ＩＣ中のジフトレジスタ等の論理回路である。６
０はデータ側Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣで、６１は
ＩＣ中のシフト−レジスタ等の論理回路である。７０は
データ側のダイオードアレイを示し、これはデータ＠駆
動線の分離およびスインチング素子の逆バイアス保護を
する。８０は予備充電駆動回路、９０は引き上げ充電駆
動回路、１００は書込み駆動回路である。また、１１０
は走査側Ｎｃ　ｈ高耐圧Ｍｏ３ＩＣ２０および３０のソ
ース電位切換え回路で、通常はアース電位に保たれる。

第６図に各高耐圧ＭＯ３）−ランジスタおよび各駆動回
路、さらに電位切換え回路のオン・オフタイミングナヤ
ー［−を、第７図に第５図中の絵素ＡＢを代表例とする
印加電圧波形および発光波形をそれぞれ示す。

以下、第６図と第７図を９照して従来の駆動回路の動作
を説明する。なお、ここでは、ａ順次駆動で、絵素Ａを
含むＹｌと絵素Ｂを含むＹ２の走査側電極とが選択され
るものとする。また、後述のように、１ライン毎に絵素
に印加される電圧の極性を反転して駆動されるが、奇数
ライン上の桧翠に正の書込みパルスを印加するフィール
ドをＮＰフィールド、偶数ライン上の絵素に正の書込み
パルスを印加するフィールドをＰ−Ｎフィールドと呼ぶ
。

Ｎ−Ｐフィールド （＾）まず、絵素Ａを含む１ライン目（奇数ライン）の
駆動から説明する。

第１段階Ｔ１：予備充電期間〈奇数ライン）まず、ソー
ス電位切換え回路１１０をアース電位にして、走査側Ｎ
　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ２０。

３０中のすべてのＭＯ８Ｆ−ランジスタＮＴ、−ＮＴ、
をオン状態にする。同時に、予備充電駆動回路８０（電
圧１　、、／　２　Ｖ　Ｍ　＝　３０　Ｖ　）をオン状
態にし、データ側ダイオードアレイ７０を介してパネル
全面を充電する。このとき、データ側Ｎ　−ｃ　ｈ高耐
圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ６０内の全Ｍ　ＯＳ　ｔ、ランジス
タＮｔ１〜Ｎｔｌおよび走査（１１ＩＰ　−ｃ　ｌ−＋
高耐圧Ｍｏ５（Ｃ４ｒ）、５０内の全Ｍ　ＯＳ　トラン
ジスタＰＴ〜ＰＴ、はすべでオフ状態に保たれる。

第２段階Ｔ２　：放ＴＬ／引上げ充電期間（奇数ライ　
　ン　） 次に、走査Ｉ１１！Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍｏ３ＩＣ２０
３０内の全ＭＯ３）ランジスタＮＴＩ−ＮＴ、をオフ状
態にして、かつデータ側Ｎ　−ｃ　！’＋高耐圧ＭＯ３
ＩＣ６０内の選択されたデータ（！Ｗ駆動電！（たとえ
ばＸ２　）に接続されたＭＯＳトランジスタ（Ｎｉ２”
）のみオフ状態のまま（こし、他のデータ側駆動電（至
）に接続されたＭＯＳトランジスタＮｔ。

Ｎ　Ｌ　ｙ〜Ｎ　ｔ　Ｊをオン状態に切１負える。また
同時に、走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍｏ３ＩＣ４０，５
０内の全ｓｑ　ｏ　ｓ　ｔ−ランジスタＰＴ、〜ＰＴ、
をオフ状態にする。データ側の非選択電極（Ｘ、≠２）
の電荷は、オン状態のデータ側Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ
３ＩＣ６０内のＭＯＳトランジスタＮ　ｔ−＋′−Ｎ　
ｔ　、　（Ｎｉ２をのぞく）と、走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高
耐圧Ｍｏ５ＩＣ４０，５０内ｆ）全ＭＯ３）・ランジス
タＰＴ。

〜ＰＴ、および書込み駆動回路ｌｏｏ内のダイオード１
０１による接地ループ形成で放電する。

その後、引上げ充電駆動回路９０（電圧１／′２ＶＭ＝
３０Ｖ）をオン状態として、゛走査側電極をすべて３０
Ｖの電位に引上げる。このとき、走査側Ｎ−ｃ　ｈ高耐
圧Ｍｏ３ＩＣ２０，３０内の全ＭＯＳトランジスタＮｔ
、〜Ｎｔ、はオフ状態にしておく、この結果、走査＠電
極（Ｙ）を中心に考えると５選択されたデータ側電極（
Ｘ２）は＋３゜■、非ｉＭ　ｔＲデー９１ＴＮ　電１Ｋ
　（Ｘ　ｒ　＊　２　）は−３０Ｖの伏磐にある。

第１段階Ｔ、：＠込み駆動期間（奇数ライン）今、線順
次駆動で選択された走査側電極はＹであるので、走査側
Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳＩＣ２０内のＹ、に接続され
たＭｏＳトランジスタＮＴのみをオフ状態に切換え、ま
た奇数ライン側のＰｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳＩＣ４０内の全
ＭＯ８＋−−７７ジスタＰＴ、〜Ｐ　Ｔ　＋−＋をオフ
状形にする。このとき、対向する偶数ライン側のＰ　−
ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳＩＣ５０内の全Ｍ　ＯＳ　）−ラン
ジスタＰＴ、〜ＰＴ１はオン状態にある。そして同時に
、書込み駆動回路１００（こ、：、では電圧ＶＷ＝１９
０Ｖ）をオン状態にする事により、偶数ライン側Ｐ　−
ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳＩＣ５０内の全ＭＯＳトランジスタ
ＰＴ、〜ＰＴ、を介してすべての偶数番目走査制電瘉を
１９０Ｖに引上げる。これによって、容量結きの性質か
らデータ側選択電極は、ＶＷ４−１／２Ｖ　Ｍ　＝　２
２０　Ｖに引き上げられ、データ側非選択電極Ｖ　Ｗ　
　１　／　２　Ｖ　Ｍ　＝　１６０　Ｖに引き上げられ
る。

（１））次に絵素Ｂを含む２ライン目（偶数ライン）の
駆動を説明する。

第４段階Ｔ、：予備充電期間（偶数ライン）この予備充
電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に行う
。

第５段階Ｔｇ　：放電／引上げ充電期間（偶数ライ　　
ン　） 次に、走査＠　Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ２
０３０内の全ＭＯ３）ランジスタＮＴ、〜ＮＴ、をオフ
状１にして、かつデータ側Ｎ　−Ｃｂ高耐圧ＭＯＳＩＣ
６０内では、選択されたデータ側駆動電極に接続された
ＭＯＳトランジスタ（たとえばＮｔ、）のみオフ状態に
し、他のデータ側駆動電極に接続されたＭ　ＯＳ　）−
ランジスタＮ　ｔ　＋〜Ｎｔ、（Ｎｔ２を除く）をオフ
状態にする。また同時に、走査側Ｐ　−ｃ　ｂ　高耐圧
ＭＯ８ＩＣ４０，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、
−ＰＴ、をオン状態にする。

データ側の選択電極の電荷は、オフ状態のデータ側Ｎ　
−ｃ　ｈ高耐圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ６０内のＭＯＳトラン
ジスタＮｔ、と走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ４
０，５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、〜ＰＴ、およ
び書込み駆動回路１００内のダイオード１０１による接
地ループ形成で放電する。

そして次に、引上げ充電駆動回路９０をオン状すにして
、走査（Ｉｌｌ電瘉（Ｙ）をすべて１／２ＶＭ＝３０■
の電位に引上げる。このとき、走査ｌ１１１１Ｎｃ　ｈ
高耐圧ＭＯ３ＩＣ２０；３０内の全ＭＯ８Ｆ・ランジス
タＮＴ、〜ＮＴ、はオフ状態にしておく。

二の結果、走査（！ｌ電ＦＭｔ（Ｙ）を中心に考えると
、選択されたデータ制電１（Ｘ２＞は−３０Ｖ、非選択
１僅（×、≠２）は＋３０Ｖとなる。

第６段階Ｔ６：書込み期間（偶数ライン）選択された走
査電極がＹ２であるとすると、走査側Ｐｃｈ高耐圧Ｉ　
Ｃ５０内のＹ２に接続されたＭＯＳトランジスタＰＴ、
のみをオン状態のままとして、他をオフ状態に切換える
。また、偶数ライン側の走査１１１１　Ｎ　−ｃ　ｈ高
耐圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ３０内の全ＭｏＳトランジスタＮ
Ｔ２〜ＮＴ、をオフ状すに保ち、対向する奇数ライン側
の走査側Ｎ−Ｃ１１高耐圧Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃ２０内の全
Ｍｏ５ｔ・ランジスタＮＴ、〜Ｎ　Ｔ　、−、をオン状
野に切換える。そして、書込み駆動回路１００（電圧Ｖ
Ｗ＝１（１）ＯＶと１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）をオン状
態にして、オフ状態のＭｏＳトランジスタＰＴ２を介し
て走査側電極Ｙ２に２２０■の電圧を供給する。一方、
このときソース電位切換え回路１１０は１／２ＶＭ＝３
０■の電圧に切換えられ、奇数ライン・側のＮｃ　ｈ高
耐圧ＭＯＳＩＣ２０内のソース電位を３０Ｖとして、奇
数側の走査側電極を＋３０Ｖに引上げる。これによって
、容量結きの性質がら選択されたデータ側駆動電極Ｘ２
は一２２０Ｖに引下げられ、非選択のデータ側電極Ｘ、
≠２は一１６０■に引下げられる。

以上の第１段階Ｔ、がち第３段階Ｔ、迄を奇数ラインに
、第４段Ｎ　Ｔ　＜がら第６段ＲＩＴ６迄を偶数ライン
に順次行うことにより、Ｎ−Ｐフィールドの駆動を完了
する。

Ｐ−Ｎフィールド 〈＾）次にＰ−Ｎフィールドの駆動を、絵素Ａを含む１
ライン目（奇数ライン）の駆動がら行う。

第１段階Ｔ、′　：予備充電期間（奇数ライン）この予
備充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に
行う。

第２段階Ｔ２′　：放電／引上げ充電期間（奇数ライン
） この放電／引上げ充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第５段
階と全く同様に行う。

第３段階Ｔ、′　：書込み駆動期ＣＩ（奇数ライン・）
選択された走査側電極がＹ、であるとすると、走査（ｉ
ｌｌ　Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ４０内のＹ、に接
続されたＭｏ３）ランジスタＰＴ、のみをオン状態のま
まとして、他をオフ状りに切換える。また奇数ライン側
の走査側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ２０内の全ＭｏＳト
ランジスタＮ　Ｔ　、　〜、　Ｎ　Ｔ　。

をオフ状形に保ち、対向する偶数ライン側の走査側Ｎ−
ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ３０内の全ＭＯＳトランジスタＮ
Ｔ２〜ＮＴ、をオン状態に切換える。

そして書込み駆動回路１００（を圧ＶＷ＝　１９０■と
１／２ＶＭ＝３０Ｖの和）をオン状筈にして、オン状態
のＭＯＳトランジスタＰＴ、を介して走査側電極Ｙ、に
２２０■の電圧を供給する。一方、このときソース電位
切換え回路１１０は１／２■Ｍ＝３０Ｖの電圧に切換え
られ、偶数ライン側のＮ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ３
０内のソース電位を３０Ｖとして、偶数側の走査電極を
＋３０Ｖに弓下げる。これによって、容呈結きの性質か
ら選択されたデータ側駆動電極Ｘ！は一２２０■に引下
げられ、非選択のデータ電極Ｘ、（、≠２）は−１６０
■に引下げられる。

（Ｂ）次に、絵素Ｂを含む２ライン目（偶数ライン〉の
駆動を説明する。

第４段階Ｔ、′　：予備充電期間（偶数ライン）この予
備充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第１段階と全く同様に
行う。

第５段階Ｔ、′　：放電／引上げ充電期ｒＷＩ（偶数ラ
イン） この放電／引上げ充電期間は、Ｎ−Ｐフィールド第２段
階と全く同様に行う。

第６段階Ｔ６′　：書込み駆動期１ｍ（偶数ライン）今
、線順次駆動で選択された走査側電子はＹ２であルノテ
、走査ｒ！ｓＮ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ３０内のＹ
２に接続されたＭｏ３）ランジスタＮ　Ｔ　２のみをオ
ン状態に切換え、また偶数ライン側のＰ−ｃ　ｈ高耐圧
ＭＯ３ＴＣ５０内の全ＭｏＳトランジスタＰＴ、〜ＰＴ
、をオフ状舊にする。このとき、対向する奇数ライン側
のＰｃｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ４０内の全ＭＯＳトランジス
タＰＴ、〜ＰＴ。

はオン状層にある。そして同時に、書込み駆動回路１０
０（ここでは電圧ＶＷ＝１９０Ｖ）をオン状態にするこ
とにより、奇数ラインｖｓＰ　　ａｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ
４０内の全Ｍ　ＯＳ　）−ランジスタＰＴ＋’−ＰＴ＋
−１を介してすべてのｔｒ数番目走査ｒ！！！電極を１
９０■に引上げる。これによって、容量活きの性質から
、データ＋＋！１選択駆動電極はＶ　Ｗ　−１−１／２
ＶＭ＝２２０Ｖに引上げられ、データ側非選択電極はＶ
Ｗ　　１／２ＶＭ＝１６０Ｖに引上げられる。

以上の第１段階Ｔ１′から第３段階Ｔ、′迄を奇数ライ
ンに、第４段階７４　′から第６段階Ｔ　ｓ　′迄を偶
数ラインに順次行うことにより、Ｐ−Ｎフィールドの駆
動を完了する。

以上、説明したＮ−ＰフィールドとＰ−Ｎフィールドの
駆動を交互に繰り返すことにより、第６図のタイミング
チャートに明らかなように、選択交点絵素には、Ｎ−Ｐ
フィールドとＰ−Ｎフィールドとで極性の反転した、発
光に充分な書込み電圧ＶＷ＋１／２ＶＭ　（＝２２０Ｖ
）が加わる。つまり、Ｎ−ＰフィールドとＰ−Ｎフィー
ルドの２フイールドによって、薄膜ＥＬ表示装置に必要
とされる交流サイクルを■じる。非選択絵素にはＶＷ　
−１／　２　Ｖ　Ｍ　（＝　１６０　Ｖ　）が加わるが
、これは発光しきい値以下である。

さらに、１ライン毎に書込み電圧の正、負を反転させて
印加することによって、フィールド毎の発光強度の差を
なくすことができ（第７Ｉ２１に示す、絵素Ａの発光波
形に於けるＡイとＡＰ、および絵素Ｂの発光波形に於け
るＢＰとＢ。は、それぞれ発光量に差があるが、絵素Ａ
およびＢ発光量分波形に於ける（Ａ、モＢＰ）と（Ａ、
七Ｂ。）とは等しい発光量となる）、１フイールド毎に
正、負の書込み電圧を印加した場自に起こる１フイール
ド毎の発光強度の差が原因となるフリッカを低減および
防止できるものである。このとき、１ライン毎に発光強
度差は存在するが、視覚的には、平均化されてフリッカ
を感じない。

以上のように、走査側電極の駆動回路として、Ｎ　−ｃ
　ｈ高耐圧ＭＯＳドライバーとＰ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ
Ｓドライバーを備えたフィールド反転駆動において、１
ライン毎に絵素に加わる書込み波形の極性を変える事に
より、パオ・ルの印加電圧極性による発光強度のバラツ
キが平均化される事により、フリッカを低減でき、表示
品質上で良好な結果を与える有用な駆動装置が提供でき
る。

走査側電極の駆動回路として、ＮＣｈ高耐圧ＭＯＳドラ
イバーとＰ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳドライバーを備えた
第５図に示す回路を用いて、１ライン毎に絵素に印加さ
れる電圧の極性を反転させる駆動方法により、走査側選
択ライン上の絵素に負の書込みパルスを印加するタイミ
ングにおいて、選択された走査側電極がＹ８であるとす
ると、書込みのタイミングでは走査側Ｐ−ｃｈ高耐圧Ｍ
Ｏ３ＩＣ内のＹ８に接続されたＭＯＳトランジスタＰＴ
、のみをオン状形にする。このとき、書込み駆動回路１
００により供給される電圧は、ＭＯＳトランジスタＰＴ
、のオン抵抗による電圧降下のために、実際に薄膜ＥＬ
表示装置の電極に印加される電圧は低くなる。また、こ
の電圧降下は、１ラインの発光状Ｒ（表示データＤＡＴ
Ａ）により変動し、発光絵素が多いほど負荷電流が大き
くなりＭ　ＯＳ　）−ランジスタのオン抵抗による電圧
降下も大きくなる。このため、第５図のみの回路で第８
（２！のような表示をさせた堝き、−（同図において、
Ａ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′は各走査ラインの発光部分を示
し、ハッナング部分は非発光部分を示す）本来なら同輝
度であるべきＡ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′の部分が、実際の
輝度の関係は、Ａ′てＢ　′＝：　Ｃ’でＤ′となり、
ライン単位の変調がかかっている状君（以下、このよう
な現象をシャドーイング現象と呼ぶ）になって、表示と
して非常に見づらく、表示品質を損うものであった。な
お、Ｎ　　ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃはオン抵抗が低い
ので、それによる電圧降下も小さい。したがって、Ｎ　
−ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃにおける電圧降下およびそ
の値の変動の輝度への影響は、Ｐ　−ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ
　Ｉ　Ｃのオン抵抗によるものに比較すれば、きわめて
小さい。

そこで、このような問題を解決するために、従来は、第
１０図や第１１図に示す駆動電圧補正制御！１回路を用
いることで、表示データに応じた負荷変動に関係なく、
薄膜ＥＬ表示装置の電極に一定ないしほぼ−＊ｆ）発光
電圧を印加する方法が採られている。以下に、これらの
駆動電圧補正制御回路の動ｆヤを説明するが、それに先
立ち、駆動タイミングについて次のような定義付けをし
ておく。

すなわち、走査Ｑ１選択電極に接続されているＮｃ　ｈ
高耐圧ＭＯＳ）ランジスタをオンし、その重陽ライン上
の絵素に正の書込みパルスを印加する１ラインの駆動タ
イミングをＮ　−ｃ　ｈ駆動タイミングと呼び、一方、
走査側選択電極に接続されているＰ　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍ
ＯＳトランジスタをオンし、そのｔｉライン上の絵素に
負の書込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミング
をＰ−ｃｈ駆動タイミングと呼ぶことにする。先ず、第
１０図の駆動電圧補正制御回路の説明に入る前に、この
回路と関連する第５図に示す論理回路６１について言及
する。

第９図は、上記した論理回路６１の内部構成を示すブロ
ック図である。この論理回路６１において、あるライン
の駆動が実行されている期間に、次のラインの表示デー
タＤＡＴＡ　（１：発光、０：非発光）と、信号Ｌ　Ｉ
　ＮＥＣとの排他的論理和出力が、順次、１ライン分の
記憶容量をもつシフトレジスタ６１１に入力される。こ
のシフトレジスタに入力された情報ＤＡＴＡ＋Ｌ　Ｉ　
ＮＥＣは、各駆動タイミング（Ｎ　−ｃ　ｈ　、　Ｐ　
−ｃ　ｈ駆動タイミング）の最初のタイミングでラッチ
回路６１２に取り込まれ、以後、その駆動タイミングの
終了時まで該ラッチ回路６１２において記憶される。

６１３は、ラッチ回路６１２の各出力を、それぞれ対応
するデータ側Ｎ　−ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ　トランジスタＮ
ｔ、−ＮｔＪのゲー１−に供給するが否かを制御するゲ
ート・回路であり、　Ｔ　ｔ、　Ｔ　ｓ、　−、Ｔ　２
′、　Ｔ　ｓ・・・の期間のみオンして、ラッチ回路６
１２の各出力を、それぞれ対応するＮ−ｃｈＭＯｓトラ
ンジスタのゲートに与える。その他の期間（Ｔ、、Ｔ。

Ｔ　＜、　Ｔ　ｓ、・・・）はオフ状努を保つ。

第１０図に示す駆動電圧補正制御回路において、Ｃ８は
補正電圧充電用コンデンサである。ＬＩＮＥＣ信号は、
Ｎ　−ｃ　ｈ　ｌ！駆動タイミング時１”となり、Ｐ　
−ｃ　ｈ駆動タイミング時“０”となる信号で、ＨＤ倍
信号データ有効期間信号）と表示データＤＡＴＡとの論
理積をとり、そのタイミングで、上記コンデンサＣＩＩ
に電源ＶＣから充電する。

ＶＣは補助電圧で、約３０■くらいである。Ｃ８に蓄え
られる電圧ＶＳは、ｍａｘ＝Ｖｃからｍ１ｒＩ＝　Ｑ　
Ｖまでと、ＤＡＴＡの“１″期間の幅（換言すれば、発
光絵素数）により変化する。そして、次のＰ　−ｃ　ｈ
駆動タイミングの書込み時にＰ　ｃ　ｈＵＰ信号がオン
となり、通常の書込み電圧ｖｗ’に、Ｃ，に充電された
補正電圧ＶＳを加えた電圧ＶＷが、書込み駆動回路１０
０に供給される。上記した駆動電圧補正制御回路では、
表示データＤＡＴＡで直接スイッチング・トランジスタ
１２３をオン・オフし、補正電圧充電用コンデンサＣ３
の充電制御を行っているが、スイッチング・ｌ・ランジ
スタが上記表示データＤＡＴＡの変化に追従し得る応答
特性をもたない場合は、第１１図に示すように、Ｎ進カ
ウンタ（Ｎは適宜設定する）１２１とワンショット・マ
ルチバイブレータ１２２とを設け、発光絵素数がＮに達
する毎に、ワンショット・マルチバイブレータ１２２か
ら所定幅のパルス信号を出力させ、この信号でスイッチ
ング・トランジスタ１２３のオン・オフを制御するよう
にした駆動電圧補正制御回路も用いている。

以上のように、上記した駆動電圧補正制御回路は、Ｎ　
−ｃ　ｈ駆動タイミングとＰ　−ｃ　ｈ　駆動タイミン
グとを交互に設ける薄ＩＩ！ＥＬ表示装置の駆動方法に
おいて、オン抵抗の大きいＰ　−ｃ　）ｌ　Ｍ　ＯＳＩ
Ｃ’′Ｃ″駆動するＰ−ｃ　ｈ　ｔ％ｌ動夕・ｆミンク
時の負荷電流によるＰ　−ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ　Ｉ　Ｃで
の電圧降下を考慮し、Ｎ　−ｃ　ｒｔ駆動タイミング時
に、発光絵素数に応じた補正電圧■ＳをコンデンサＣｓ
に充電しておき、次のＰｃｈ駆動タイミング時に、上記
補正電圧ＶＳを通常の書込み電圧■Ｗ′に加えて書込み
駆動回路１００に印加することで、電圧降下分を補正し
、薄膜ＥＬ表示装置の各電極にほぼ一定の電圧を印加す
るようにしたものであり、これによってオン抵抗の大き
い駆動回路を使用する薄膜ＥＬ表示装置において発光絵
素数が変化しても、その電極には一定の電圧を供給でき
、いわゆるシャドーイング現象による輝度むらをなくし
、表示品質を向上させることができるものである。

発明が解決しようとする課題 ところで、上記した従来の表示装置の駆動方法は、表示
データが１ビツトの場きつまり１つの絵素が発光または
非発光のいずれか一方となる表示装置の場きに、駆動回
路のオン抵抗に起因するシャドーイング現象を防ぐよう
にしたものであって、１つの画素を数段階の輝度で発光
させて階調表示を行うようにした表示装置についてシャ
ドーイング現象を防止する駆動方法は未だ（ｉｆ！発さ
れていない。

したがって、本発明の目的は、階調表示を行う表示装置
において、駆動回路のオン抵抗に起因するシャドーイン
グ現象を防止することのできる表示装置の駆動方法を提
供することである。

課題を解決するための手段 本発明は、互いに交差する方向に配列した複数の走査側
電極と複数のデータｔｍｔｉとの間に誘電層を介在させ
、データ側電極には数段階の階調を持−）階調表示デー
タに応じてデータ側駆動回路から出力される変調電圧を
印加する一方、走査側電極には走査側駆動回路から出力
される書込み電圧を順次的に印加して駆動し、走査側電
極とデータＩｉ！！電極が交差する部分の誘電層からな
る各画素の発光輝度に階調を持たせるようにした表示装
置の駆動方法において、 各走査側電極に含まれる複数の絵素がそれぞれ階調表示
データに応じて担う発光負荷の総和を求め、その総和の
大小に応じて対応する走査側電極に印加する書込み一電
圧を増減変化させるようにしたことを特徴とする表示装
置の駆動方法である。

１ヤ用 本発明に従えば、走査側電極に印加される書込み電圧は
、その走査側電極に含まれる複数の絵素がそれぞれ＋Ｖ
調表示データに応じて担う発光負荷の総和が大きいとき
には低く、またその総和が小さいときは高くなるように
増減変化するので、走査（Ｉｌｌ駆動回路のオン抵抗の
影響で発光負荷の総和量に応じて書込み電圧に生じる電
圧降下が補正され、発光負荷の総和量に関係なく一定の
書込み電圧が走査側電極に印加される。

実施例 第１図は本発明の一実施例である駆動方法に用いられる
駆動電圧補正制御回路２００を示す回路図であり、第２
図はその駆動方法が適用される階調表示機能を有する薄
膜ＥＬ表示装置の概略的な構成を示す回路図である。第
２図の薄膜ＥＬ表示装置において、上記した第５図の薄
膜ＥＬ表示装置と異なる点は、第５図におけるダイオー
ドアレイ７０に替えて、Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ
７を用いた点であり、これによってデータ（ｔ！ｌ電癒
に印加する変調パルスの電圧または印加時ｒｍ（パルス
幅）を調整し階調表示を行えるようにしている。

すなわち、第２図に示す薄膜ＥＬ表示装置において、Ｅ
Ｌ表示パオ・ル１にはデータ側電極となるＸ方向電極と
、走査側電極となるＹ方向電極のみが示されており、Ｙ
方向電極の奇数ラインと偶数ラインにはそれぞれ走査側
Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ２，３が接続され、各Ｉ
Ｃはシフトレジスタなどの論理回路２ａ、２ｂをそれぞ
れ有する。上記した各走査側Ｎ−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３Ｉ
Ｃ２，３には、走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ４
，５がそれぞｈ：接続され、それら各ＩＣもシフトレジ
スタなどの論理回路４ａ、５ａを有する。これら走査側
Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ２，３および走査側Ｐ　−ｃ
　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ４，５によって、走査側駆動回路
の一部が構成されている。また、Ｘ方向ＴＪｉ　Ｎ　Ｉ
ｒ：　ハチ−９１１１１Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧Ｍ　ＯＳ　
Ｉ　Ｃ６とデータ＠　Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ７
が接続されている。さらにこれらのＭＯＳ　Ｉ　Ｃを制
御し、階調データに応じて、変調パルスの電圧、または
印加時間を制御する論理回路６ａが接続されており、こ
れらによって、データ側駆動回路の一部が構成されてい
る。データ側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＴＣ７には予備
充電駆動回路８が接続され、走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧
ＭＯ８ＩＣ４，５には引上げ充電駆動回路９および書込
み駆動回路１８が接続されている。またソース電位切換
え回路１１は、走査側Ｎ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ２
，３のソース電位を切換えるための回路であり、通常は
アース電位に保たれる。

この薄膜ＥＬ表示装置では、ｌｖ調表示が行われる点が
第５図に示した薄膜ＥＬ表示装置の場合と動作を異にす
るが、そのほかの動作については同じである。したがっ
て、ここではその基本動作に−）いては説明を省略する
。

第１図に示す駆動電圧補正制御回路２００は、Ｙ方向電
極つまり走査１Ｉｔｌ電極に印加する書込み電圧Ｖ　Ｗ
　ｔ、補正するための回路であり、前記した書込み駆動
回路１８と書込み電圧の供給電源とを結ぶ電路の途中に
接続される。すなわち、書込み駆動回路１８と書込み電
圧供給電源との間にはダイオードＤ１．が接続され、そ
のダイオードＤＩ、のアノード側つまり書込み電圧供給
電源側にはＮＰＮトランジスタＱ、のコレクタが接続さ
れている。

このＮＰＮ）ランジスタＱ、は、Ｐｃｈ駆動タイミング
（走査側選択電極に接続されているＰｃ　ｈ高耐圧Ｍ　
ＯＳ　トランジスタをオンし、その電極ライン上の絵素
に負の書込みパルスを印加する１ラインの駆動タイミン
グ）の書込み時にオンとなるＰ　ｃ　ｈ　Ｕ　Ｐ信号を
ベースに受けてオン動（ヤするスイッチング素子であり
、そのエミッタは補正電圧充電用コンデンサＣ，４の一
端に接続されている。補正電圧充電用コンデンサＣ，，
の他端は、ダイオードＤ２□を介してダイオードＤ１ｊ
のカソード側つまり書込み駆動回路１８側に接続されて
いる。また、コンデンサＣ１，とダイオードＤ　２　ａ
との接続点にはダイオードＤ３ａを介して補助電圧電源
１２ａが接続されており、この補助電圧電源１２２ｔか
らコンデンサＣ，，に対してほぼ３０Ｖの補助電圧ＶＣ
が印加される。

一方、上記したＮ　Ｐ　Ｎ　）−ランジスタＱ、のエミ
ンタと補正電圧充電用コンデンサＣ０の接続点には、階
調表示データＣＤ、、Ｄ、、、・・・、　Ｄ　２．　Ｄ
＋）のピント数ｍに相当する数のスイッチング回路Ｕ−
１〜Ｕ　−ｍが並列に接続されている。階調表示データ
〔Ｄ□・・・、Ｄ、〕は、絵素の発光輝度を指定するた
めのデータであって、Ｄ、が最上位ビット、Ｄ、が最下
位ビットを示しており、各ビ・ントｉ（ｉ　＝　１〜ｍ
）のデータＤ１には２ト１の重み付けがされている。し
たがって、階調表示データ（Ｄ。

・・・、Ｄ、〕に対する階調度は、 Ｄ、：イ／）ａ−１モ・・・Ｄ、Ｘ２゜として表される
。各スイッチング回路Ｕ−１−Ｕ−ｒｎは、上記した階
調表示データ〔Ｄｌ、・・・、Ｄ、〕のうち対応するビ
ット・のデータを受けて、それに応じた回数だけ前記し
たＮＰＮ）ランジスタＱａのエミッタと補正電圧充電用
コンデンサＣ，，の接続点とをアース電位にクランプす
るための回路である。たとえば最上位ビットのデータＤ
、を受けるスイッチング回路Ｕ−ｍでは、データＤ１を
直接入力とするＮ０進（Ｎ、は適宜決定する）カウンタ
１３１−ｍと、このＮｏ進カウンタ１３１−　ｒｎのキ
ャリイを受けて出力動作するワンショット・マルチバイ
ブレータ１３２−　ｒｎと、このワンショット・マルチ
バイブレータ１３２−ｍの出力とＡＮＤゲート１４の出
力との論理積をとるＡＮＤゲート１３３−　ｒｎと、こ
のＡＮＤゲート１３３−ｒｎの出力をベース信号として
受はオン動ｆヤするＮＰＮトランジスタ１３４−ｍとを
有し、Ｎ　Ｆ’　Ｎ　）−ランジスタ１３４−　ｒｎの
コレクタはＮＰＮ）−ランジスタＱ、のエミッタと補正
電圧充電用コンデンサＣ１４の接続点に接続され、ＮＰ
Ｎ）ランジスタ１３４−ｍのエミッタ側は接地されてい
る。同様にして、−ｍにデータＤｉ　（ｉ＝１−１口）
を受けるスイッチング回路Ｕ−ｉでは、データＤｉを直
接入力とするＮ。ｘｗ’−’（ｗ≠１、Ｗは適宜決定す
る）進カウンタ１３１−ｉと、このＮ　ＯＸＷ　’″−
１進カウンタ１３１−ｉのキャリイを受けて出力動１ヤ
するワンショット・マルチバイブレータ１３２−ｉと、
このワンショット・マルチバイブレータ１３２１の出力
とＡＮＤゲート１４ａの出力との論理積をとるＡＮＤゲ
ート・１３３−ｉと、このＡＮＤゲー）・１３Ｂ−ｉの
出力をベース信号として受はオン動４１するＮＰＮ）ラ
ンジスタ１３４−ｉとを有する。各ワンショット・マル
チバイブレータ１３２−１〜１３２−ｍの出力パルスの
幅は同一である。ＡＮＤＮ−ゲートａ４ｉＬＩＮＥＣ信
号とＨＤ倍信号データ有効期間信号）との論理積をとる
回路であり、Ｌ　Ｉ　Ｎ　Ｅ　Ｃ信号はＮ　−ｃ　ｈ駆
動タイミング（走査側選択電極に接続されているＮ　−
ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳトランジスタをオンし、その電極ラ
イン上の絵素に正の書込みパルスを印加するラインの駆
動タイミング）時に“１″となり、Ｐ−ｃ１゛１駆動タ
イミング時に“Ｏｎとなる信号である。

次に上記した駆動電圧補正制御回路の動作を、ｍ−２，
Ｎｏ＝２．Ｗ＝２と設定した回路のｉ％会について説明
する。この場合、ＮｏｘＷ”−’進カウンタ１３１−１
は４進カウンタ、Ｎ、ＸＷ”−２カウンタ１３１−２は
２進カウンタとなり、スイッチング回路はＵ−１，Ｕ−
２の２つだけとなる。

データＤ、を受ける４進カウンタ１３１−１は、データ
Ｄ、を４つ計数してキャリイを出力し、これを受けてワ
ンショット・マルチバイブレータ１３２−１からワンシ
ョット・パルスが出力され、そのワンショット・パルス
の時間だけＮ　Ｐ　Ｎ　）−ランジスタ１３４−１がオ
ン動作して、補正電圧充電用コンデンサＣ０がアースさ
れるため、この間、補助電圧電源１２ａからコンデンサ
Ｃ５，に対して充電が行われる。

一方、データＤ２を受ける２進カウンタ１３１２は、デ
ータＤ２を２つ計数しただけでキャリイが出力されるの
で、この場合は、データＤ１の場きの２倍〈Ｗ倍）だけ
コンデンサＣ１，の充電に寄与する。つまり、補正電圧
充電用コンデンサＣ１゜への充電は、データＤ、とデー
タＤ２の２倍の総和量とが寄与することになる。この総
和量は階調表示データに応じて１つの走査側電極に含ま
れる全絵素がそれぞれ担う発光負荷の総和に相当してお
り、したがって補正電圧充電用コンデンサＣｔａに充電
される。このときの補正電圧は、発光負荷の総和に相当
した値となる。以上の動作は、ＡＮＤゲート１　／４　
ａの制御によって、Ｎ−ｃｈ駆動タイミング時に行われ
、次のｐ　−ｃ　ｈ駆動タイミングの書込み時にＰｃｈ
ＵＰ信号がオンとなり、ＮＰＮ　）−ランジスタＱ、が
オン動ｆｊ　して、通常の書込み電圧■Ｗ′に、補正電
圧充電用コンデンサＣ５゜に充電された補正電圧を加え
た電圧が、書込み電圧ＶＷとして書込み駆動回路１８に
供給される。

このようにして、第２図に示す薄１１ＸＥＬ表示装置に
おいて、走査側Ｐ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ４゜５の
ＭｏＳトランジスタくオン抵抗が大きい）がオン動作し
て行われるＦ’　−ｃ　ｈ駆動タイミングの際に、発光
負荷に応じたレベルだけ書込み電圧ＶＷの補正が行われ
るため、Ｍｏ３）−ランジスタのオン抵抗に起因するシ
ャドーイング環↑が防止される。

第３図は本発明の他の実施例である駆動方法に用いられ
る駆動電圧補正制御回路３００を示す回路図であり、そ
の駆動方法が第２図に示す薄膜ＥＬｉ示装置に対して適
用されることは先の実施例と同様である。第３図におい
て、書込み駆動回路１０と書込み電圧供給電源との間に
はダイオードＤ１ｂが接続され、そのダイオードＤ１．
．のアノード側−）まり書込み電圧供給電源側にはＮＰ
Ｎ）−ランジスタＱ、、のコレクタが接続されている。

このＮＰＮ）ランジスタＱ５は、Ｐ−ａｈ駆動タイミン
グの書込み時にオンとなるＰ　ｃ　ｈ　Ｕ　Ｐ信号をベ
ースに受けてオン動作するスイッチング素子であり、そ
のエミッタは補正電圧充電用コンデンサＣ、ｂの一端に
接続されている。コンデンサＣａｂの他端はダイオード
Ｄ　２　ｂを介してダイオードＤ１．。

のカソード側つまり書込み駆動回路１０側に接続されて
いる。また、コンデンサＣ，わとダイオードＤ　２　ｂ
との接続点にはダイオードＤ３．を介して補助電圧電源
１２ｂが接続されており、この補助電圧電源１２ｂから
コンデンサＣａｈに対してほぼ３０Ｖの補助電圧ＶＣが
印加される。上記したＮＰＮ　）−ランジスタＱ５のエ
ミッタと補正電圧充電用コンデンサＣ１゜の接続点には
ＮＰＮ）・ランジスタ１５のコレクタが接続され、その
ＮＰＮ）−ランジスタ１５のエミッタ側に接地されてい
る。このＮＰＮ）ランジスタ１５はＡＮＤゲート１６の
出力をベースに受けてオン動作するスイッチング素子て
・あり、ＡＮＤゲート１６は充放電回路１７の充電電圧
とＳＨＤ信号とを２人力としてこれらの論理積をとる回
路である。ＳＨＤ信号はＰ−Ｃ１−１駆動タイミングの
第１段階Ｔ、の期間に°゛１”となる信号であり、第３
図にその信号をけ記して示している。上記した充放電回
路１７は一端を接地し他端をＡＮＤゲート１６の１入力
端子に接続したコンデンサＣＰと、ＡＮＤゲート１６の
１入力端子に抵抗１７ａを介して接続したＮ　−ｃ　ｈ
　Ｍ　ＯＳ［・う〉ジスタ１７Ｌ＋を有し、トランジス
タ１７ｂのソースは接地されている。そのト・う〉・ジ
スタ１７し）のゲートは上記したＳ　ＨＤ信号が与えら
れる。

一方、」−記したコンデンサＣ，の一端には、階調表示
データ（Ｄ、、・・・、Ｄ、〕のビット数ｒ口に相当す
る数の給電回路Ｖ−１−Ｖ−０１が並列に接続されてい
る。ｌｖ調表示データ〔Ｄｌ、・・・、Ｄ１〕は先グ）
実施例の場会と同様である。各給電回路■１〜Ｖ　−ｒ
ｎは上記した階調表示データ〔Ｄｌ、・・・Ｄ、）のう
ち対応するピントのデータを受けて、それに応じた時間
だけコンデンサＣ９に電流を流すための回路である。た
とえば最上位ビン）・のデータＤ、を受ける給電回路Ｖ
−ｍでは、データＤ。

とＡＮＤゲー）−１４ｂの出力との論理積をとるＡＮＤ
ゲーＬ−１８１−ｍと、このＡ　Ｎ　Ｄゲート１８１−
ｒｎの出力を計数するＮ進カウンタ（Ｎは適宜決定する
＞１８２−ｒｎと、このＮ進カウンタｌ５２−ｍのキャ
リイを受けてＷ’−ＩＸ　ｔｗ（ｔｗ　、Ｗは適宜決定
する）のパルス幅を持′）ワンショットパルスを出力す
るワンショット・マルチバイブレータ１８３−　ｒｎと
、こび）ワンショット・マルチバイブレータ１８３−　
ｒｎの出力時間の間、コンデンサＣＰに電流を流す出力
部１８４−ｍとで構成されている。同様にして、−最に
データＤｉ　（ｉ＝１〜ｍ）を受ける給電回路Ｖｉでは
、データＤＩとＡＮＤゲート１４ｂの出力の論理積をと
るＡＮＤゲート１８１−ｉと、このＡＮＤゲート１８１
−ｉの出力を計数するＮ進カウンタ１８２−ｉと、この
Ｎ進カウンタ１８２−ｉのキャリイを受けてＷ　’−’
　Ｘ　ｔ　ｗのパルス幅を持つワンショット・パルスを
出力するワンショット・マルチバイブレータ１８３−ｉ
と、このワンショット−・マルチバイブレータ１８３−
ｔの出力時間の問、コンデンサＣＰに電流を流す出力部
１８４−ｉとで構成される。ＡＮＤゲート１４ｂは、Ｌ
　Ｉ　ＮＥＣ信号とＨＤ倍信号データ有効期間信号）の
論理積をとる回路である。

次に、上記した駆動電圧補正制御回路３００の動作を、
ｒｒ＋　＝　２　、　Ｗ　＝　２と設定した回路の渇き
に′）いて説明する。こグ）場き、ワンショット・・マ
ルチバイブレータ１８３−１から出力されるワンショッ
ト・・パルスのパルス幅はｔｗ、ワンショット・マルチ
バイブレータ１８Ｂ−２から出力されるワンショット・
パルスのパルス幅は２　Ｘ　ｔ　＠となり、給電回路は
Ｖ−１，Ｖ−２の２つだけとなる。

ＡＮＤゲート１８１−１を介してデータＤ１を受けるＮ
°進カウンタ１８２−１は、これをＮ個計数するごとに
キャリイを出力し、これを受けてワンショット・・マル
チバイブレーク１８３−１はパルス幅がｔｗのワンショ
ット・パルスを出力し、そのパルス幅の間だけ出力部１
８４−１を通してコンデンサＣＰに充電が行われる。

一方、ＡＮＤゲー）−１８１−２を介してデータＤ２を
受けるＮ進カウンタｌＢ２−２は、これをＮ個計数する
ごとにキャリイを出力し、これを受けてワンショット・
マルチバイブレーク１８３２はパルス幅が２ｘｔｗのワ
ンショット・パルスを出力し、そのパルス幅の間だけ出
力部１８４２を通してコンデンサＣＰに充電が行われる
。したか−）で、この場合は、データＤ１の場きの２倍
だけコンデンサＣＰの充電に寄与することになる。

つまり、コンデンサＣＰへの充電は、データＤ、とデー
タＤ２の２倍の総和量が寄与することになる。

この総和量は階調表示データに応じて１−）の走査側電
極に含まれる全絵素がそれぞれ担う発光負荷の総和に相
当している。このコンデンサＣ７への充電動作は、第４
０のタイミングチャートに示すようにＮ　−ｃ　ｈ駆動
タイミング時のＩ−Ｉ　Ｄ信号が“１パとなる期間、つ
まり次のＰ　−ｃ　ｈ駆動に対応する階調表示データに
ついて行われ、続（Ｐ’　−ｃ１１駆動タイミングぴ）
第４段階Ｔ、の期間にＳＨＤ信号がｌ′′となると、Ａ
ＮＤゲート１６を通してコンデンサＣ，の充電電圧がＮ
　Ｐ　Ｎ　トランジスタ１５のベースに入力され、ＮＰ
Ｎ）ランジスタ１５がオン動ｆｊ　して補正電圧充電用
コンデンサＣθへの充電が行われる。このときの充電時
間はコンデンサＣＰの充電電荷がＭ　ＯＳ　）−ランジ
スタ１７ｂを通して放電されＡＮＤゲート１６のしきい
値Ｌ：Ｊ、下になるまでの時間として定まる。コンデン
サＣＰへの充電電荷量は前述したように、１走査ｒｙＡ
電堅に含まれる全絵素がそれぞれ担う発光負荷の総和に
相当しているので、補正電圧充電用コンデ〉・すＣ０に
このとき充電される補正電圧も１走査側電極上の全絵素
が担う発光負荷に対応していることになり、先ｆ）実施
例と同様にしてシャドーイング現象が防止される。

なお、上記した各実施例では、階調表示データとして各
ピントごとに重みを設定した場きについて説明したが、
Ｅ　Ｍ　ｒ　（ＥｌｅｃＬｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｉｎ
Ｌｅｒｆｅｒｅｎｃｅ　）の対策などのために、重みを
Ｃ士けない複数ビットのデータとして、ｋ示データを駆
動電圧補正制御ｎ回路に入力する場合にも同様にして（
この場きは重みが１の場合と考えて）シャドーイング現
象を防止することができる。

発明の効果 以上のように、本発明の表示装置の駆動方法によれば、
走査側電極に含まれる複数の絵素がそれぞれ階調表示デ
ータに応じて担う発光負荷の総和に応じて、その走査側
電極に印加する書込み電圧を増減変化させるようにして
いるので、走査１ｉ１１１駆動回路のオン抵抗の影響で
発光負荷の総和量に応じて書込み電圧に生じる電圧降下
が補正され、発光負荷の総和量に関係なく一定の書込み
電圧が走査側電極に印加されて、シャドーＣフグ現象を
防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１Ｉ２！は本発明の一実施例でＬＰ、る駆動方法に用
いられる駆動電圧補正制御回路を示す回路図、第２図は
その駆動方法が適用される薄膜ＥＬ表示装置の機略の構
成を示す回路図、第３図は本発明の他の実施例である駆
動方法に用いられる駆動電圧補正制御回路を示す回路図
、第４［Ｊは第１１２Ｉおよび第３１２１示の１膜ＥＬ
表示装置グ）動ｆヤを示すタイミングチャート、第５図
は従来の駆動方法が適用される薄膜Ｅｌ！示装置の概略
の構成を示す回路図、第６Ｉ７Ｉはその薄膜ＥＬ表示装
置の動作を示すタイミ〉′グチヤード、第７図はそｆ）
薄膜ＥＬ表示装置の絵素に印加される電圧を示す波形図
、第８図はその薄膜ＥＬ表示装置におけるシャドーイン
グ現争を示す説明図、第９（２Ｉはその薄膜ＥＬ表示装
置におけるデータ（１１ＩＮ　−ｃ　ｈ高耐圧ＭＯＳ　
Ｉ　Ｃ中の論理回路の具体的構成を示すブロック図、第
１０（２１はそｆ）１膜ＥＬ！示装置の駆動に用いられ
る駆動電圧補正制（１回路の一例を示す回路図、第１１
図はその薄膜ＥＬ表示装置の駆動に用いられる駆動電圧
補正制御回路の他の一例を示す回路図、第１２Ｕ３は７
！［膜ＥＬ表示装置におけるＥＬ表示パネルの基本的な
構造を示すＭ１ｒ！Ｒ面図である。 １・・ＥＬ表示バネ・ル、２．３・・・走査側Ｎ　−ｃ
　ｈ高耐圧ＭＯ３ＩＣ１４，５−・・走査側Ｐ　−ｃ　
ｈ高耐圧ＭＯ８ＩＣ１６・・・データＩｌｌ　Ｎ　−ｃ
　ｈ高耐圧Ｍ　０３ＩＣ１７・・・データ四Ｐ　−ｃ　
ｈ高耐圧ＭＯＳ　Ｉ　Ｃ５８・・・予備充電駆動回路、
９・・・引上げ充電駆動回路、１８・・・書込み駆動回
路、１１・・・ソース電位切換え回路、２ｏｏ、３ｏｏ
・・・駆動電圧補正制御回路代理人　　弁理士　西教　
圭一部 ／ヘ ハＪ 図 第 図 第１ｏ図 第１１ 図 第１２ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 互いに交差する方向に配列した複数の走査側電極と複数
   のデータ側電極との間に誘電層を介在させ、データ側電
   極には数段階の階調を持つ階調表示データに応じてデー
   タ側駆動回路から出力される変調電圧を印加する一方、
   走査側電極には走査側駆動回路から出力される書込み電
   圧を順次的に印加して駆動し、走査側電極とデータ側電
   極とが交差する部分の誘電層からなる各画素の発光輝度
   に階調を持たせるようにした表示装置の駆動方法におい
   て、 各走査側電極に含まれる複数の絵素がそれぞれ階調表示
   データに応じて担う発光負荷の総和を求め、その総和の
   大小に応じて対応する走査側電極に印加する書込み電圧
   を増減変化させるようにしたことを特徴とする表示装置
   の駆動方法。