JPH02303147A - 半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置 - Google Patents
半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発Ｆ！Ａは半導体素子搭載１用配線板及びその製造法
並びに該配線板を用いた半導体装置洗関する。
並びに該配線板を用いた半導体装置洗関する。
（従来の技術）
従来、半導体素子をプリント配線板上に搭載するには、
セラミック製のチップキャリアもしくはセラミック製の
パッケージを介して搭載する方法が一般的であった。
セラミック製のチップキャリアもしくはセラミック製の
パッケージを介して搭載する方法が一般的であった。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら一般的に使用されている高アルミナ質セラ
ミック（以下セラミックとする）は、誘電率が約９と高
くこのため近年の演算速度の超高速化においては信号遅
れが大きいため好ましい材料ではなかった。一方ガラス
エポキシ配線板は誘電率が５程度で配線の浮遊容量によ
る信号波形のくずれはセラミックより少ないもののセラ
ミックに比較し耐熱性が低く、また熱伝導率も０．０７
Ｗ／ｍ−にと低く、実装の高密度化には限界があった
。
ミック（以下セラミックとする）は、誘電率が約９と高
くこのため近年の演算速度の超高速化においては信号遅
れが大きいため好ましい材料ではなかった。一方ガラス
エポキシ配線板は誘電率が５程度で配線の浮遊容量によ
る信号波形のくずれはセラミックより少ないもののセラ
ミックに比較し耐熱性が低く、また熱伝導率も０．０７
Ｗ／ｍ−にと低く、実装の高密度化には限界があった
。
一方シリコンチップ（半導体素子）をプリント配線板上
に直接搭載する方法も試みられているが。
に直接搭載する方法も試みられているが。
チップキャリアを介したものが殆んどであシ入出力の端
子数が多いものはピングリッドアレイ型パッケージとな
り前述のセラミックに起因する欠点はさけられない。
子数が多いものはピングリッドアレイ型パッケージとな
り前述のセラミックに起因する欠点はさけられない。
これらの改良として特開昭６１−１３６８６号公報に示
す半導体素子搭載用配線板があるが、しかしこのものは
金属板の露出してｂる部分が少ないため放熱効果が十分
でなく、パッケージ化した場合、気密封止の際の接着性
に問題が生じる。
す半導体素子搭載用配線板があるが、しかしこのものは
金属板の露出してｂる部分が少ないため放熱効果が十分
でなく、パッケージ化した場合、気密封止の際の接着性
に問題が生じる。
またセラミック製のパッケージにピンを略垂直に立てる
場合、メタライズ面上に一方の端部をくぎの頭上に加工
したピンをろう材で接合するのが一般的である。しかし
ろう材だけの接合では接合強度が弱く、気密性に問題が
生ずる。
場合、メタライズ面上に一方の端部をくぎの頭上に加工
したピンをろう材で接合するのが一般的である。しかし
ろう材だけの接合では接合強度が弱く、気密性に問題が
生ずる。
前記の問題を解消する方法として特開昭６１−２３２５
８８号公報に示すようにガラスエポキシ基板に小貫通孔
を設は小貫通孔に一方の端部をくぎの顆状に加工し、か
つ途中に凸部を形成したピンを挿入し、凸部の部分でが
ん合せしめて接合する方法も試みられているが、この方
法ではピンの接合強度がばらつく。これは小貫通孔内に
導体層をめっき技術によυ形成し、この導体層に前述の
ピンの途中に形成した凸部をがん合させるため。
８８号公報に示すようにガラスエポキシ基板に小貫通孔
を設は小貫通孔に一方の端部をくぎの顆状に加工し、か
つ途中に凸部を形成したピンを挿入し、凸部の部分でが
ん合せしめて接合する方法も試みられているが、この方
法ではピンの接合強度がばらつく。これは小貫通孔内に
導体層をめっき技術によυ形成し、この導体層に前述の
ピンの途中に形成した凸部をがん合させるため。
小貫通孔の内径のばらつきによりがん合の強度がばらつ
くためである。接合強度を常に一定以上に保つのはかな
シ困難な技術である。
くためである。接合強度を常に一定以上に保つのはかな
シ困難な技術である。
またガラスエポキシ配線板は１曲げ弾性率の低いガラス
エポキシ複合材料などの有機系材料を基板に用いるため
配線板がわずかに変形することがあり９例えば１０ｎｍ
当り５０μｍ程度の反りが起こりうる。また半田柱で半
導体素子を配線板表面に接合させる方法で、半導体素子
をディストリビューション配線板、マザーチップ等に接
合させたものは、２〜３μｍの歪によって半田接合部に
破断が発生するという欠点が生じる。
エポキシ複合材料などの有機系材料を基板に用いるため
配線板がわずかに変形することがあり９例えば１０ｎｍ
当り５０μｍ程度の反りが起こりうる。また半田柱で半
導体素子を配線板表面に接合させる方法で、半導体素子
をディストリビューション配線板、マザーチップ等に接
合させたものは、２〜３μｍの歪によって半田接合部に
破断が発生するという欠点が生じる。
本発明はこれらの欠点のない半導体素子搭載用配線板及
びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は感光性ガラス基板又は誘電率が８以下のセラミ
ック基板のほぼ中央部の半導体素子が搭載される部分に
形成された底面が凹部、凹部を除重た基板上面の内側の
部分に形成されたワイヤーボンディング部、ワイヤーボ
ンディング部と接して形成された導通回路、導通回路及
び基板を貫通して形成された貫通孔９貫通孔内に挿入固
着されたピンとからなる半導体素子搭載用配線板及び感
光性ガラス基板又は誘電率が８以下のセラミック基板の
ほぼ中央部に底面が平担な凹部を形成し。
ック基板のほぼ中央部の半導体素子が搭載される部分に
形成された底面が凹部、凹部を除重た基板上面の内側の
部分に形成されたワイヤーボンディング部、ワイヤーボ
ンディング部と接して形成された導通回路、導通回路及
び基板を貫通して形成された貫通孔９貫通孔内に挿入固
着されたピンとからなる半導体素子搭載用配線板及び感
光性ガラス基板又は誘電率が８以下のセラミック基板の
ほぼ中央部に底面が平担な凹部を形成し。
その他の任意の個所に貫通孔を形成した後、基板の表面
を化学的た粗化し９次いでめっき法により金属被膜を形
成し、さらにその上面にレジスト膜を形成し、エツチン
グ法で金属被膜の必要な部分のみを残して導通回路及び
ワイヤーボンディング部を形成し、しかる後貫通孔内に
ピンを挿入して固着する半導体素子搭載用配線板の製造
法並びに該配線板の凹部に半導体素子が搭載され、かつ
半導体素子とワイヤーボンディング部とがワイヤーで接
続され、さらに半導体素子及びワイヤーと接することな
く、半導体素子及びワイヤーを覆い封止するための蓋を
導通回路及びピンの上部に絶縁材を介して接合してなる
半導体装置に関する。
を化学的た粗化し９次いでめっき法により金属被膜を形
成し、さらにその上面にレジスト膜を形成し、エツチン
グ法で金属被膜の必要な部分のみを残して導通回路及び
ワイヤーボンディング部を形成し、しかる後貫通孔内に
ピンを挿入して固着する半導体素子搭載用配線板の製造
法並びに該配線板の凹部に半導体素子が搭載され、かつ
半導体素子とワイヤーボンディング部とがワイヤーで接
続され、さらに半導体素子及びワイヤーと接することな
く、半導体素子及びワイヤーを覆い封止するための蓋を
導通回路及びピンの上部に絶縁材を介して接合してなる
半導体装置に関する。
本発明において用いられるセラミック基板としては、誘
電率が８以下であれば特に制限はなく。
電率が８以下であれば特に制限はなく。
例えばムライト質のセラミック基板を用いることが好ま
しい。基板としては、上記のような誘電率が８以下のセ
ラミック基板の他に感光性ガラス基板を用いることもで
きるが、感光性ガラス基板を用いる場合は熱処理して結
晶化した後粗化することが好ましｂｏ 本発明における粗化法については特に制限はなく１例え
ばＮＨ４Ｆ ＋ （ＮＨ４）２８０４ 、濃Ｈｚ８０
＜−ＨｚＯ等の混合溶液からなるフッ化物混合物中に浸
漬するか又は加熱したＮａＯＨ，ＫＯＨ等の融液中に浸
漬することによシ粗化することができる。
しい。基板としては、上記のような誘電率が８以下のセ
ラミック基板の他に感光性ガラス基板を用いることもで
きるが、感光性ガラス基板を用いる場合は熱処理して結
晶化した後粗化することが好ましｂｏ 本発明における粗化法については特に制限はなく１例え
ばＮＨ４Ｆ ＋ （ＮＨ４）２８０４ 、濃Ｈｚ８０
＜−ＨｚＯ等の混合溶液からなるフッ化物混合物中に浸
漬するか又は加熱したＮａＯＨ，ＫＯＨ等の融液中に浸
漬することによシ粗化することができる。
金属被膜の形成に用いられるめっきの金属としては、ニ
ッケル、ニッケル合金、銅合金、金等が用いられる。め
っき法については特に制限はないが無電解めっき法で行
うことが好ましい。
ッケル、ニッケル合金、銅合金、金等が用いられる。め
っき法については特に制限はないが無電解めっき法で行
うことが好ましい。
レジスト膜は、熱硬化性のレジストを金属被膜の上面に
スクリーン印刷し、加熱、硬化して形成してもよく、感
光性レジストフィルムを金属被膜上に貼付してもよく特
に制限はない。
スクリーン印刷し、加熱、硬化して形成してもよく、感
光性レジストフィルムを金属被膜上に貼付してもよく特
に制限はない。
エツチング法は、レジスト膜の形成方法により適宜選定
するものとし特に制限はない。
するものとし特に制限はない。
ビンの材質は、特に制限はないが、コパール。
４２合金、５２合金等のＮｉ系合金、銅、銅合金などが
使用できる。ビンの長さは挿入して固着する導通回路を
形成する基板よシ突出させるため導通回路を形成する基
板よシ長いものを用いることが好ましく、突出長さは２
ｍ１ｌ１以上あることが好ましい。このビンと導通回路
との固着は、半田、銀ろう、熱硬化性樹脂、耐熱性熱可
塑性樹脂等が用いられる。
使用できる。ビンの長さは挿入して固着する導通回路を
形成する基板よシ突出させるため導通回路を形成する基
板よシ長いものを用いることが好ましく、突出長さは２
ｍ１ｌ１以上あることが好ましい。このビンと導通回路
との固着は、半田、銀ろう、熱硬化性樹脂、耐熱性熱可
塑性樹脂等が用いられる。
蓋と導通回路及びビンとの間に介在させる絶縁材として
は９合成樹脂を用いることが好ましい。
は９合成樹脂を用いることが好ましい。
合成樹脂は熱硬化性樹脂であっても、熱可塑性樹脂であ
っても差しつかえない。例えばエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
とその硬化剤、添加剤又は飽和ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂等の熱可塑性樹脂とその硬化剤、添加剤が用
途、使用条件において選択され用いられる。なお本発明
では必要に応じ合成樹脂中に溶融石英粉、アルミナ粉、
ボロンナイトライド粉、アルミニウムナイトライド粉等
の無機質充填材、ガラス繊維のような補強材などが添加
される。合成樹脂中に上記のような無機質充填材を添加
すれば得られる半導体素子搭載用配線板の熱伝導率が高
くなり放熱性に優れるので好ましい。
っても差しつかえない。例えばエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
とその硬化剤、添加剤又は飽和ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂等の熱可塑性樹脂とその硬化剤、添加剤が用
途、使用条件において選択され用いられる。なお本発明
では必要に応じ合成樹脂中に溶融石英粉、アルミナ粉、
ボロンナイトライド粉、アルミニウムナイトライド粉等
の無機質充填材、ガラス繊維のような補強材などが添加
される。合成樹脂中に上記のような無機質充填材を添加
すれば得られる半導体素子搭載用配線板の熱伝導率が高
くなり放熱性に優れるので好ましい。
絶縁材は、半導体素子搭載用配線板の凹部以外の上部全
面を被覆することなく、ワイヤーが接続されるワイヤー
ボンディング部を除いた導通回路及びビンの上部に被覆
しなければならない。
面を被覆することなく、ワイヤーが接続されるワイヤー
ボンディング部を除いた導通回路及びビンの上部に被覆
しなければならない。
蓋の材質は、セラミックス又は銅、銅合金等熱伝導性に
優れた金属を用いれば放熱性に優れるので好ましい。ま
た蓋を接合するための材料としては１例えばシリコン樹
脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等耐熱性に優れた熱
硬化性樹脂が用いられる。
優れた金属を用いれば放熱性に優れるので好ましい。ま
た蓋を接合するための材料としては１例えばシリコン樹
脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等耐熱性に優れた熱
硬化性樹脂が用いられる。
（実施例）
以下本発明の詳細な説明する。
実施例１
フォトフオームガラス板（コーニング社製９寸法４５Ｘ
４５Ｘ厚さＺ ５ ａｍ ）のほぼ中央部の半導体素子
が搭載される部分に第１図に示すように底面が平坦な凹
部１１を形成し、その外側に２５４＝間隔で直径０．８
ｍｍ［φ）の点を２０８個形成したマスクを密着し、
ついで露光し、６００℃で熱処理した後再露光し、さら
に濃度１０チのフッ酸溶液中に浸漬して直径０．８ ａ
ｎの貫通孔（スルーホール）２を設けた。
４５Ｘ厚さＺ ５ ａｍ ）のほぼ中央部の半導体素子
が搭載される部分に第１図に示すように底面が平坦な凹
部１１を形成し、その外側に２５４＝間隔で直径０．８
ｍｍ［φ）の点を２０８個形成したマスクを密着し、
ついで露光し、６００℃で熱処理した後再露光し、さら
に濃度１０チのフッ酸溶液中に浸漬して直径０．８ ａ
ｎの貫通孔（スルーホール）２を設けた。
次に上記の貫通孔２を設けたフォトフオームガラス板を
８５０℃の温度で熱処理して結晶化ガラス板１を得、つ
いでこの結晶化ガラス板１をＮＨ４ＦＮＨ４Ｆ１Ｏ，５
重量％）、 （ＮＨ４）２ＳＯ４１Ｇ（４，１重量％
）、濃Ｈ２ＳＯ４２艷（１４，９重量％）及びＨ，０１
０ｒ１１ｔ（４０，５重量％）の混合溶液（液温４０℃
）中に２０分間浸漬して粗化を行った。この後流水中で
十分に水洗し、濃度３０％のＨＣ１！溶液中に２分間浸
漬し、さらに増感剤（１日立化成工業製、商品名Ｈ８−
１０１Ｂ）に５分間浸漬し。
８５０℃の温度で熱処理して結晶化ガラス板１を得、つ
いでこの結晶化ガラス板１をＮＨ４ＦＮＨ４Ｆ１Ｏ，５
重量％）、 （ＮＨ４）２ＳＯ４１Ｇ（４，１重量％
）、濃Ｈ２ＳＯ４２艷（１４，９重量％）及びＨ，０１
０ｒ１１ｔ（４０，５重量％）の混合溶液（液温４０℃
）中に２０分間浸漬して粗化を行った。この後流水中で
十分に水洗し、濃度３０％のＨＣ１！溶液中に２分間浸
漬し、さらに増感剤（１日立化成工業製、商品名Ｈ８−
１０１Ｂ）に５分間浸漬し。
水洗後、促進剤（日立化成工業製、商品名ＡＤＰ−２０
１）に５分間浸漬し、水洗後、７０℃に加熱した無電解
鋼めっき液（日立化成工業製、商品名Ｌ−５９）中に５
分間浸漬して、結晶化ガラス板１の表面及び貫通孔２内
に厚さ５μｍの銅の被膜を形成した。
１）に５分間浸漬し、水洗後、７０℃に加熱した無電解
鋼めっき液（日立化成工業製、商品名Ｌ−５９）中に５
分間浸漬して、結晶化ガラス板１の表面及び貫通孔２内
に厚さ５μｍの銅の被膜を形成した。
ついで感光性レジストフィルム（日立化成工業製、商品
名ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４０）を前記鋼の被膜上全面に
貼付し、さらにその上面に、得られる導通回路と同形状
に透明な部分を形成したネガフィルムを貼付し、露光し
てネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光性レ
ジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィルムを取
）除キ。
名ＰＨＴ−８６２ＡＦ−４０）を前記鋼の被膜上全面に
貼付し、さらにその上面に、得られる導通回路と同形状
に透明な部分を形成したネガフィルムを貼付し、露光し
てネガフィルムの透明な部分の下面に配設した感光性レ
ジストフィルムを硬化させた。ついでネガフィルムを取
）除キ。
さらに現像して硬化していない部分、詳しくは露光して
いない部分の感光性レジストフィルムを除去し、塩化銅
エツチング液でエツチングを行い導体回路として不必要
な部分の銅の被膜を除去した。
いない部分の感光性レジストフィルムを除去し、塩化銅
エツチング液でエツチングを行い導体回路として不必要
な部分の銅の被膜を除去した。
この後濃度５％のＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レ
ジストフィルム金剥離し、第２図に示すような導通回路
３を形成した。
ジストフィルム金剥離し、第２図に示すような導通回路
３を形成した。
次に導通回路３のランド部となる部分と、その先端部分
を除いた部分に耐めっきレジスト（アサヒ化学研究所製
、商品名ＣＣＲ５０６）を塗布した後、ランド部となる
部分とその先端部分の銅の被膜上にワット浴で３ ＋：
、０μｍの厚さにニッケルめっきを施し、さらにその上
面に１±ａｓの厚さに金めつき〔日本エレクトロプレイ
テイングエンジニャーズ（ＥＥＪＡ）、Ｗ、商品名テン
ペレックス４０１〕を施してランド部（図面せず）とワ
イヤーボンディング部４とを形成した。
を除いた部分に耐めっきレジスト（アサヒ化学研究所製
、商品名ＣＣＲ５０６）を塗布した後、ランド部となる
部分とその先端部分の銅の被膜上にワット浴で３ ＋：
、０μｍの厚さにニッケルめっきを施し、さらにその上
面に１±ａｓの厚さに金めつき〔日本エレクトロプレイ
テイングエンジニャーズ（ＥＥＪＡ）、Ｗ、商品名テン
ペレックス４０１〕を施してランド部（図面せず）とワ
イヤーボンディング部４とを形成した。
ついで第３図に示すように貫通孔２内に、トリクロール
エチレンの蒸気で洗浄後、アルカリ脱脂を行い、ワット
浴でニッケルめっきを２±１０μｍの厚さに施した直径
が０．５ ｍｍで、一方の端部をくぎの顆状に加工し１
頭頂部の厚さが０．２ｍｍ、頭頂部の直径が０．８ＩＩ
Ｉｍ及び長さが７ｍｍの５２合金のネールへラドビン５
を挿入し、他の一方の端部（端子）を下面に露出させた
後Ｓｎ：Ｐｂ＝２０：８０の半田によりネールヘッドビ
ン５を固着し、かつ貫通孔２内を気密封止した半導体素
子搭載用配線板を得た。
エチレンの蒸気で洗浄後、アルカリ脱脂を行い、ワット
浴でニッケルめっきを２±１０μｍの厚さに施した直径
が０．５ ｍｍで、一方の端部をくぎの顆状に加工し１
頭頂部の厚さが０．２ｍｍ、頭頂部の直径が０．８ＩＩ
Ｉｍ及び長さが７ｍｍの５２合金のネールへラドビン５
を挿入し、他の一方の端部（端子）を下面に露出させた
後Ｓｎ：Ｐｂ＝２０：８０の半田によりネールヘッドビ
ン５を固着し、かつ貫通孔２内を気密封止した半導体素
子搭載用配線板を得た。
一方９寸法が６． ｓ ｘ Ｍ、 ５薗で厚さが０．３
胴のシリコン単結晶の片面に所望の配線パターンを形成
したシリコンチップを得た。この後第４図に示すように
シリコンチップ６をシリコーンゴム組成物７を用いて接
着した。シリコーンゴム組成物は。
胴のシリコン単結晶の片面に所望の配線パターンを形成
したシリコンチップを得た。この後第４図に示すように
シリコンチップ６をシリコーンゴム組成物７を用いて接
着した。シリコーンゴム組成物は。
シリコーンゴム（信越化学工業製、商品名ＫＥ４５Ｗ）
５０重量部とボロンナイトライド粉（電気化学工業製、
商品名ＧＰ）５０重量部とをよく混合したものを用いた
。
５０重量部とボロンナイトライド粉（電気化学工業製、
商品名ＧＰ）５０重量部とをよく混合したものを用いた
。
ついでシリコンチップ６と前記のワイヤーボンディング
部４との間を直径が５０μｍの珪素を１重量％含むアル
ミニウムワイヤー８を用い超音波接合した。この後導通
回路３及びピン５の上部をエポキシ樹脂組成物（自社配
合品）１２で被覆し。
部４との間を直径が５０μｍの珪素を１重量％含むアル
ミニウムワイヤー８を用い超音波接合した。この後導通
回路３及びピン５の上部をエポキシ樹脂組成物（自社配
合品）１２で被覆し。
さらに第５図に示す外径寸法が４５Ｘ４５−で外周部の
４１１ｍｍの部分が高さ２１１］！１１で、中央部２３
×２３−の部分に深さ２１ｆｆｍの凹部１３を形成した
蓋９を前記と同じフォトフオームガラス板を用いて製作
した後、蓋９の外周部をシリコンチップ６を搭載した半
導体素子搭載用配線板の上面の外周部分に合わせ、エポ
キシ樹脂接着剤（自社配合品）１０を用いて蓋９とシリ
コンチップ６を搭載した半導体素子搭載用配線板とを接
着して半導体装置を得た。
４１１ｍｍの部分が高さ２１１］！１１で、中央部２３
×２３−の部分に深さ２１ｆｆｍの凹部１３を形成した
蓋９を前記と同じフォトフオームガラス板を用いて製作
した後、蓋９の外周部をシリコンチップ６を搭載した半
導体素子搭載用配線板の上面の外周部分に合わせ、エポ
キシ樹脂接着剤（自社配合品）１０を用いて蓋９とシリ
コンチップ６を搭載した半導体素子搭載用配線板とを接
着して半導体装置を得た。
なおエポキシ樹脂接着剤１０は、厚さ０．５ ｔｍｎに
なるように計算し、算出量を秤量して蓋９の外周部にほ
ぼ均等になるように塗布し、１５０℃。
なるように計算し、算出量を秤量して蓋９の外周部にほ
ぼ均等になるように塗布し、１５０℃。
１０分で硬化させた。
得られた半導体装置を、プレッシャークツカー試験機で
１２１℃、２気圧（ゲージ圧）１００時間の条件で試験
を行ったが、アルミニウムワイヤーの腐食はみられなか
った。
１２１℃、２気圧（ゲージ圧）１００時間の条件で試験
を行ったが、アルミニウムワイヤーの腐食はみられなか
った。
また誘電率及び熱伝導率を測定したところ、誘電率は６
．０ （Ｉ ＭＨｚ、 ２５℃）で、熱伝導率は０．７
５Ｗ／ｍ４と良好な値を示した。
．０ （Ｉ ＭＨｚ、 ２５℃）で、熱伝導率は０．７
５Ｗ／ｍ４と良好な値を示した。
実施例２
実施例１で用いたフォトフオームガラス製の基板及び蓋
に変えてムライト質のセラミック製（秩父セメント製、
商品名ＭＰ−２０）の基板及び蓋を用いた以外は、実施
例１と同様の工程を経て。
に変えてムライト質のセラミック製（秩父セメント製、
商品名ＭＰ−２０）の基板及び蓋を用いた以外は、実施
例１と同様の工程を経て。
半導体素子搭載用配線板及び半導体装置を得た。
得られた半導体装置を、プレッシャークツカー試験機で
実施例１と同様の試験を行ったが、アルミニウムワイヤ
ーの腐食はみられ々かった。
実施例１と同様の試験を行ったが、アルミニウムワイヤ
ーの腐食はみられ々かった。
また誘電率は７．２で、熱伝導率は５Ｗ／ｍ−にと良好
な値を示した。
な値を示した。
比較例１
実施例１で用いたフォトフオームガラス製の基板及び蓋
に変えて純度９６％以上の高アルミナ質のセラミック與
の基板及び蓋を用いた以外は、実施例１と同様の工程を
経て、半導体素子搭載用配線板及び半導体装置を得た。
に変えて純度９６％以上の高アルミナ質のセラミック與
の基板及び蓋を用いた以外は、実施例１と同様の工程を
経て、半導体素子搭載用配線板及び半導体装置を得た。
得られた半導体装置を、プレッシャークツカー試験機で
実施例１と同様の試験を行ったが、アルミニウムワイヤ
ーの腐食はみられず、また熱伝導率は２０Ｗ／ｍ−にと
良好であったが、誘電率は９．５と高い値を示した。
実施例１と同様の試験を行ったが、アルミニウムワイヤ
ーの腐食はみられず、また熱伝導率は２０Ｗ／ｍ−にと
良好であったが、誘電率は９．５と高い値を示した。
（発明の効果）
本発明になる半導体素子搭載用配線板は、気密封止の際
の接着性及び気密性において何ら問題はなく、また半導
体素子搭載用配線板を用いた半導体装置は、誘電率及び
熱伝導率に優れ、蓋を接合する際の接着性においても問
題がないなどの効果を奏する半導体装置である。
の接着性及び気密性において何ら問題はなく、また半導
体素子搭載用配線板を用いた半導体装置は、誘電率及び
熱伝導率に優れ、蓋を接合する際の接着性においても問
題がないなどの効果を奏する半導体装置である。
第１図、第２図及び第３図は９本発明の実施例における
半導体素子搭載用配線板の製造作業状態を示す一部省略
断面図並びに第４図及び第５図は。 本発明の実施例における半導体装置の製造作業状態を示
す一部省略断面図である。 符号の説明 １・・・結晶化ガラス板 ２・・・貫通孔３・・・
導通回路 ４・・・ワイヤーポンディング部 ５・・・ネールへラドビン ６・・・シリコンチッ
プ７・・・シリコーンゴム組成物 ８・・・アルミニウムワイヤー９・・・蓋１０・・・エ
ポキシ樹脂接着剤 １１・・・凹部１２・・・エポキシ
樹脂組成物 １３・・・凹部、〆・１１′ 代理人 弁理士 若 林 邦 彦り’ＬＬ ’ゝ′ｌζ 第３０ 手続補正書（自発） ＝普 １年 ７ 月 ４ 日
半導体素子搭載用配線板の製造作業状態を示す一部省略
断面図並びに第４図及び第５図は。 本発明の実施例における半導体装置の製造作業状態を示
す一部省略断面図である。 符号の説明 １・・・結晶化ガラス板 ２・・・貫通孔３・・・
導通回路 ４・・・ワイヤーポンディング部 ５・・・ネールへラドビン ６・・・シリコンチッ
プ７・・・シリコーンゴム組成物 ８・・・アルミニウムワイヤー９・・・蓋１０・・・エ
ポキシ樹脂接着剤 １１・・・凹部１２・・・エポキシ
樹脂組成物 １３・・・凹部、〆・１１′ 代理人 弁理士 若 林 邦 彦り’ＬＬ ’ゝ′ｌζ 第３０ 手続補正書（自発） ＝普 １年 ７ 月 ４ 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光性ガラス基板又は誘電率が８以下のセラミック
基板のほぼ中央部の半導体素子が搭載される部分に形成
された底面が平担な凹部、凹部を除いた基板上面の内側
の部分に形成されたワイヤーボンディング部、ワイヤー
ボンディング部と接して形成された導通回路、導通回路
及び基板を貫通して形成された貫通孔、貫通孔内に挿入
固着されたピンとからなる半導体素子搭載用配線板。 ２、感光性ガラス基板又は誘電率が８以下のセラミック
基板のほぼ中央部に底面が平担な凹部を形成し、その他
の任意の個所に貫通孔を形成した後、基板の表面を化学
的に粗化し、次いでめつき法により金属被膜を形成し、
さらにその上面にレジスト膜を形成し、エッチング法で
金属被膜の必要な部分のみを残して導通回路及びワイヤ
ーボンディング部を形成し、しかる後貫通孔内にピンを
挿入して固着することを特徴とする半導体素子搭載用配
線板の製造法。 ３、請求項１記載の半導体素子搭載用配線板の凹部に半
導体素子が搭載され、かつ半導体素子とワイヤーボンデ
ィング部とがワイヤーで接続され、さらに半導体素子及
びワイヤーと接することなく、半導体素子及びワイヤー
を覆い封止するための蓋を導通回路及びピンの上部に絶
縁材を介して接合してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124977A JPH02303147A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1124977A JPH02303147A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303147A true JPH02303147A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14898893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124977A Pending JPH02303147A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532876A (ja) * | 1998-12-07 | 2002-10-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子的な構成素子をケーシング封入する方法 |
| JP2002299497A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | セラミック基材と導体ピンとの接合構造 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1124977A patent/JPH02303147A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532876A (ja) * | 1998-12-07 | 2002-10-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子的な構成素子をケーシング封入する方法 |
| JP2002299497A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | セラミック基材と導体ピンとの接合構造 |
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