JP2002299497A - セラミック基材と導体ピンとの接合構造 - Google Patents
セラミック基材と導体ピンとの接合構造Info
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- JP2002299497A JP2002299497A JP2001100385A JP2001100385A JP2002299497A JP 2002299497 A JP2002299497 A JP 2002299497A JP 2001100385 A JP2001100385 A JP 2001100385A JP 2001100385 A JP2001100385 A JP 2001100385A JP 2002299497 A JP2002299497 A JP 2002299497A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体ピンがセラミック基材から剥れることの
ないセラミック基材と導体ピンの極めて強固な接合構造
を提供すること。 【解決手段】 対向する上下の主面を有するセラミック
基材１の主面間を貫通する貫通孔３に頭部２ａが大径化
された柱状の導体ピン２を上側主面側より挿通し、頭部
２ａの下面を貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を
介して接合して成るセラミック基材１と導体ピン２との
接合構造であって、貫通孔３は上側開口部に上側主面に
対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部５が形成
されている。
ないセラミック基材と導体ピンの極めて強固な接合構造
を提供すること。 【解決手段】 対向する上下の主面を有するセラミック
基材１の主面間を貫通する貫通孔３に頭部２ａが大径化
された柱状の導体ピン２を上側主面側より挿通し、頭部
２ａの下面を貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を
介して接合して成るセラミック基材１と導体ピン２との
接合構造であって、貫通孔３は上側開口部に上側主面に
対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部５が形成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器、電子機
器等に使用されるセラミック基材と導体ピンとの接合構
造に関するものである。
器等に使用されるセラミック基材と導体ピンとの接合構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓ
ｉＯ2）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミック材料
は、電気絶縁性、耐熱性、化学的安定性等の諸特性に優
れることから、電気機器や電子機器用の絶縁材料として
使用されてきた。その一例として、図３および図４に示
すように、略平板状のセラミック基材１１に柱状の導体
ピン１２を低融点ガラス１４によって接合固定して成る
セラミック基材１１と導体ピン１２との接合構造が、電
気機器や電子機器等に用いられている。
ｉＯ2）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミック材料
は、電気絶縁性、耐熱性、化学的安定性等の諸特性に優
れることから、電気機器や電子機器用の絶縁材料として
使用されてきた。その一例として、図３および図４に示
すように、略平板状のセラミック基材１１に柱状の導体
ピン１２を低融点ガラス１４によって接合固定して成る
セラミック基材１１と導体ピン１２との接合構造が、電
気機器や電子機器等に用いられている。
【０００３】このセラミック基材１１と導体ピン１２と
の接合構造は、対向する上下の主面を有するセラミック
基材１１の上下の主面間を貫通する貫通孔１３に、頭部
１２ａが大径化された柱状の導体ピン１２を上側主面側
より挿通し、頭部１２ａの下面を貫通孔１３の上側開口
部に低融点ガラス１４を介して接合したものである。そ
して、この導体ピン１２の下端は外部電気回路基板（図
示せず）の配線導体に半田等の導電性接合部材を介して
接合される。
の接合構造は、対向する上下の主面を有するセラミック
基材１１の上下の主面間を貫通する貫通孔１３に、頭部
１２ａが大径化された柱状の導体ピン１２を上側主面側
より挿通し、頭部１２ａの下面を貫通孔１３の上側開口
部に低融点ガラス１４を介して接合したものである。そ
して、この導体ピン１２の下端は外部電気回路基板（図
示せず）の配線導体に半田等の導電性接合部材を介して
接合される。
【０００４】なお、セラミック基材１１はフォルステラ
イトやアルミナ等のセラミックスとなる原材料粉末を、
所定のプレス金型内に充填するとともにプレス成型する
ことによって未焼成の生セラミック成形体を得、しかる
後、この生セラミック成形体を高温で焼成することによ
って製作されている。
イトやアルミナ等のセラミックスとなる原材料粉末を、
所定のプレス金型内に充填するとともにプレス成型する
ことによって未焼成の生セラミック成形体を得、しかる
後、この生セラミック成形体を高温で焼成することによ
って製作されている。
【０００５】また、セラミック基材１１の貫通孔１３内
に固定される導体ピン１２は、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ
（ニッケル）合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ（コバルト）合金
等から成る柱状であり、断面が円形の線材に切断加工お
よびプレス加工を施すことによって、一端側に大径の頭
部１２ａを有する柱状に製作される。
に固定される導体ピン１２は、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ
（ニッケル）合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ（コバルト）合金
等から成る柱状であり、断面が円形の線材に切断加工お
よびプレス加工を施すことによって、一端側に大径の頭
部１２ａを有する柱状に製作される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のセラミック基材１１と導体ピン１２との接合構造で
は、導体ピン１２の下端を外部電気回路基板の配線導体
へ半田等の導電性接合部材にて接合する際に、導体ピン
１２へ導体ピン１２をセラミック基材１１の上側主面側
へ押し上げようとする大きな力が働くこととなる。その
ため、セラミック基材１１の上側主面に低融点ガラス１
４で接合された導体ピン１２の大径化された頭部１２ａ
が、セラミック基材１１の上側主面から剥れてしまうと
いう問題点を有していた。
来のセラミック基材１１と導体ピン１２との接合構造で
は、導体ピン１２の下端を外部電気回路基板の配線導体
へ半田等の導電性接合部材にて接合する際に、導体ピン
１２へ導体ピン１２をセラミック基材１１の上側主面側
へ押し上げようとする大きな力が働くこととなる。その
ため、セラミック基材１１の上側主面に低融点ガラス１
４で接合された導体ピン１２の大径化された頭部１２ａ
が、セラミック基材１１の上側主面から剥れてしまうと
いう問題点を有していた。
【０００７】従って、本発明はかかる従来の問題点に鑑
み完成されたものであり、その目的は、導体ピンがセラ
ミック基材から剥れることのないセラミック基材と導体
ピンとの強固な接合構造を提供することにある。
み完成されたものであり、その目的は、導体ピンがセラ
ミック基材から剥れることのないセラミック基材と導体
ピンとの強固な接合構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミック基材
と導体ピンとの接合構造は、対向する上下の主面を有す
るセラミック基材の前記主面間を貫通する貫通孔に頭部
が大径化された柱状の導体ピンを上側主面側より挿通
し、前記頭部の下面を前記貫通孔の上側開口部に低融点
ガラスを介して接合して成るセラミック基材と導体ピン
との接合構造であって、前記貫通孔は前記上側開口部に
前記上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面
取り部が形成されていることを特徴とする。
と導体ピンとの接合構造は、対向する上下の主面を有す
るセラミック基材の前記主面間を貫通する貫通孔に頭部
が大径化された柱状の導体ピンを上側主面側より挿通
し、前記頭部の下面を前記貫通孔の上側開口部に低融点
ガラスを介して接合して成るセラミック基材と導体ピン
との接合構造であって、前記貫通孔は前記上側開口部に
前記上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面
取り部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】本発明のセラミック基材と導体ピンとの接
合構造によれば、対向する上下の主面を有するセラミッ
ク基材の主面間を貫通する貫通孔の上側開口部に上側主
面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部が形
成されていることから、この面取り部と導体ピンの頭部
の下面との間に低融点ガラスの溜りが形成されることと
なり、セラミック基材と導体ピンの接合を極めて強固な
ものとすることが可能となる。また、貫通孔の平面状の
面取り部における低融点ガラスの接合界面には、導体ピ
ンを下から突き上げるような外力によってせん断力より
も接合界面に略垂直な力が加わることになり、低融点ガ
ラスの接合力が高まることになる。従って、セラミック
基材と導体ピンの接合が強固なものとなる。
合構造によれば、対向する上下の主面を有するセラミッ
ク基材の主面間を貫通する貫通孔の上側開口部に上側主
面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部が形
成されていることから、この面取り部と導体ピンの頭部
の下面との間に低融点ガラスの溜りが形成されることと
なり、セラミック基材と導体ピンの接合を極めて強固な
ものとすることが可能となる。また、貫通孔の平面状の
面取り部における低融点ガラスの接合界面には、導体ピ
ンを下から突き上げるような外力によってせん断力より
も接合界面に略垂直な力が加わることになり、低融点ガ
ラスの接合力が高まることになる。従って、セラミック
基材と導体ピンの接合が強固なものとなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のセラミック基材と導体ピ
ンとの接合構造を添付の図面に基づき以下に詳細に説明
する。図１は、本発明のセラミック基材と導体ピンとの
接合構造について実施の形態の一例を示す断面図であ
り、１はセラミック基材、２は導体ピン、３は貫通孔、
４は低融点ガラスであり、これらでセラミック基材１と
導体ピン２との接合構造を構成する。
ンとの接合構造を添付の図面に基づき以下に詳細に説明
する。図１は、本発明のセラミック基材と導体ピンとの
接合構造について実施の形態の一例を示す断面図であ
り、１はセラミック基材、２は導体ピン、３は貫通孔、
４は低融点ガラスであり、これらでセラミック基材１と
導体ピン２との接合構造を構成する。
【００１１】本発明のセラミック基材１はフォルステラ
イトやアルミナ等の電気絶縁性、耐熱性、化学的安定性
等の諸特性に優れたセラミック材料から成る略平板状の
ものであり、その上下の主面を貫通する貫通孔３が形成
されており、貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を
介して導体ピン２が接合されている。このセラミック基
材１は、フォルステライトやアルミナ等のセラミックス
となる原材料粉末を所定のプレス金型内に充填するとと
もにプレス成型することによって未焼成の生セラミック
成形体を得、しかる後、この生セラミック成形体を高温
で焼成することによって製作される。
イトやアルミナ等の電気絶縁性、耐熱性、化学的安定性
等の諸特性に優れたセラミック材料から成る略平板状の
ものであり、その上下の主面を貫通する貫通孔３が形成
されており、貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を
介して導体ピン２が接合されている。このセラミック基
材１は、フォルステライトやアルミナ等のセラミックス
となる原材料粉末を所定のプレス金型内に充填するとと
もにプレス成型することによって未焼成の生セラミック
成形体を得、しかる後、この生セラミック成形体を高温
で焼成することによって製作される。
【００１２】そして、セラミック基材１は対向する上下
の主面間を貫通する貫通孔３に、頭部２ａが大径化され
た柱状の導体ピン２を上側主面側より挿通され、頭部２
ａの下面を貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を介
して接合している。
の主面間を貫通する貫通孔３に、頭部２ａが大径化され
た柱状の導体ピン２を上側主面側より挿通され、頭部２
ａの下面を貫通孔３の上側開口部に低融点ガラス４を介
して接合している。
【００１３】また、セラミック基材１の貫通孔３内に固
定される導体ピン２は、例えばＦｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る柱状であり、その一端側に大
径化された頭部２ａを有している。そして、この頭部２
ａの他端側がセラミック基材１の下側主面から突出する
ようにして貫通孔３内に挿通され、導体ピン２の頭部２
ａ側を低融点ガラス４を介してセラミック基材１の上側
主面に接合する。
定される導体ピン２は、例えばＦｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る柱状であり、その一端側に大
径化された頭部２ａを有している。そして、この頭部２
ａの他端側がセラミック基材１の下側主面から突出する
ようにして貫通孔３内に挿通され、導体ピン２の頭部２
ａ側を低融点ガラス４を介してセラミック基材１の上側
主面に接合する。
【００１４】この導体ピン２は、フォトダイオード等の
受光素子の電極と、ボンディグワイヤを介して外部電気
回路基板の配線導体とを電気的に接続するための外部端
子として機能するものである。例えば、導体ピン２の他
端側が半田等の導電性接合部材を介して外部電気回路基
板の配線導体に接合され、セラミック基材１の上側主面
から突出した導体ピン２の頭部２ａとフォトダイオード
等の受光素子の電極とが、ボンディングワイヤを介して
電気的に接続される。なお、このような導体ピン２は、
Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る断面
が円形の線材に、切断加工およびプレス加工を施すこと
によって、一端側に大径化された頭部２ａを有する円柱
状等の柱状に製作される。導体ピン２の断面形状は円
形、多角形等であり、従って導体ピン２の形状は円柱
状、多角柱状等とし得る。
受光素子の電極と、ボンディグワイヤを介して外部電気
回路基板の配線導体とを電気的に接続するための外部端
子として機能するものである。例えば、導体ピン２の他
端側が半田等の導電性接合部材を介して外部電気回路基
板の配線導体に接合され、セラミック基材１の上側主面
から突出した導体ピン２の頭部２ａとフォトダイオード
等の受光素子の電極とが、ボンディングワイヤを介して
電気的に接続される。なお、このような導体ピン２は、
Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る断面
が円形の線材に、切断加工およびプレス加工を施すこと
によって、一端側に大径化された頭部２ａを有する円柱
状等の柱状に製作される。導体ピン２の断面形状は円
形、多角形等であり、従って導体ピン２の形状は円柱
状、多角柱状等とし得る。
【００１５】また、セラミック基材１に導体ピン２を接
合する低融点ガラス４は、例えば軟化点が６００〜７５
０℃程度の硼珪酸系ガラスから成る。なお、セラミック
基材１と導体ピン２とを低融点ガラス４を介して接合す
るには、セラミック基材１の上側開口部にリング状の低
融点ガラス４を置き、導体ピン２を挿通し、これを還元
雰囲気中、約９５０〜１２５０℃の温度に加熱して低融
点ガラス４を軟化溶融させる方法等が採用される。
合する低融点ガラス４は、例えば軟化点が６００〜７５
０℃程度の硼珪酸系ガラスから成る。なお、セラミック
基材１と導体ピン２とを低融点ガラス４を介して接合す
るには、セラミック基材１の上側開口部にリング状の低
融点ガラス４を置き、導体ピン２を挿通し、これを還元
雰囲気中、約９５０〜１２５０℃の温度に加熱して低融
点ガラス４を軟化溶融させる方法等が採用される。
【００１６】セラミック基材１に導体ピン２を接合する
のに低融点ガラス４を用いるのは、低融点ガラス４が絶
縁性のものであり導体ピン２同士の短絡を容易に防ぐこ
とができること、また硼珪酸系ガラスは低融点ガラスの
なかでも軟化点の高い方であり（３５０〜４５０℃程
度）、フォトダイオード、発生する熱量が大きい光電子
増倍管を用いた撮像装置等に接続するうえで耐熱性の点
で優れていることによる。また、従来のメタライズ層お
よびロウ材によって接合する場合、メタライズ層にメッ
キ層を被着する工程があり、製造工程が増加して製造の
手間がかかるのに対して、低融点ガラス４は製造の手間
が省ける点で有利である。
のに低融点ガラス４を用いるのは、低融点ガラス４が絶
縁性のものであり導体ピン２同士の短絡を容易に防ぐこ
とができること、また硼珪酸系ガラスは低融点ガラスの
なかでも軟化点の高い方であり（３５０〜４５０℃程
度）、フォトダイオード、発生する熱量が大きい光電子
増倍管を用いた撮像装置等に接続するうえで耐熱性の点
で優れていることによる。また、従来のメタライズ層お
よびロウ材によって接合する場合、メタライズ層にメッ
キ層を被着する工程があり、製造工程が増加して製造の
手間がかかるのに対して、低融点ガラス４は製造の手間
が省ける点で有利である。
【００１７】そして、本発明においては、図２に要部拡
大断面図で示すように、セラミック基材１の上下の主面
間を貫通する貫通孔３の上側開口部に上側主面に対して
２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部５が形成されて
いる。このように、上側主面に対して２０〜４５°傾斜
した平面状の面取り部５が形成されていることから、面
取り部５と導体ピン２の頭部２ａの下面との間に低融点
ガラス４の溜りが形成されることとなり、セラミック基
材１と導体ピン２との接合を極めて強固にできる。その
結果、導体ピン２を外部電気回路基板の配線導体に接合
する際に、導体ピン２の下端を外部電気回路基板に押し
つける際の押し上げ力や、導体ピン２を外部電気回路基
板の貫通孔等へ挿入するときの摩擦力による押し上げ力
等の大きな力が働いても、低融点ガラス４の溜りによっ
てセラミック基材１と導体ピン２の接合が極めて強固に
なっているため、セラミック基材１から導体ピン２が剥
れるという問題を有効に防止し得る。
大断面図で示すように、セラミック基材１の上下の主面
間を貫通する貫通孔３の上側開口部に上側主面に対して
２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部５が形成されて
いる。このように、上側主面に対して２０〜４５°傾斜
した平面状の面取り部５が形成されていることから、面
取り部５と導体ピン２の頭部２ａの下面との間に低融点
ガラス４の溜りが形成されることとなり、セラミック基
材１と導体ピン２との接合を極めて強固にできる。その
結果、導体ピン２を外部電気回路基板の配線導体に接合
する際に、導体ピン２の下端を外部電気回路基板に押し
つける際の押し上げ力や、導体ピン２を外部電気回路基
板の貫通孔等へ挿入するときの摩擦力による押し上げ力
等の大きな力が働いても、低融点ガラス４の溜りによっ
てセラミック基材１と導体ピン２の接合が極めて強固に
なっているため、セラミック基材１から導体ピン２が剥
れるという問題を有効に防止し得る。
【００１８】また、本発明では、貫通孔３が上側開口部
に上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取
り部５が形成されている。これにより、貫通孔３の平面
状の面取り部５における低融点ガラス４の接合界面に
は、導体ピン２を下から突き上げるような外力によって
せん断力よりも接合界面に略垂直な力が加わることにな
り、低融点ガラス４の接合力が高まることになる。その
結果、セラミック基材１と導体ピン２との接合が強固に
なる。
に上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取
り部５が形成されている。これにより、貫通孔３の平面
状の面取り部５における低融点ガラス４の接合界面に
は、導体ピン２を下から突き上げるような外力によって
せん断力よりも接合界面に略垂直な力が加わることにな
り、低融点ガラス４の接合力が高まることになる。その
結果、セラミック基材１と導体ピン２との接合が強固に
なる。
【００１９】面取り部５の上側主面に対する角度（θ）
が２０°未満の場合、セラミック基材１となる生セラミ
ック成形体を得る際に、面取り部５の貫通孔３側にセラ
ミックスのバリが発生し易くなり、そのバリに導体ピン
２の頭部２ａが乗り上げてしまう。すると、導体ピン２
の頭部２ａがセラミック基材１の上側主面から浮き上が
ったり、導体ピン２が傾くといった問題が生じる。ま
た、４５°を超えると、面取り部５の低融点ガラス４の
接合界面に外力によって作用するせん断力が大きくな
り、面取り部５の傾斜に沿って低融点ガラス４が剥れ易
くなる。より好ましくは、角度θは２０〜３０°がよ
い。
が２０°未満の場合、セラミック基材１となる生セラミ
ック成形体を得る際に、面取り部５の貫通孔３側にセラ
ミックスのバリが発生し易くなり、そのバリに導体ピン
２の頭部２ａが乗り上げてしまう。すると、導体ピン２
の頭部２ａがセラミック基材１の上側主面から浮き上が
ったり、導体ピン２が傾くといった問題が生じる。ま
た、４５°を超えると、面取り部５の低融点ガラス４の
接合界面に外力によって作用するせん断力が大きくな
り、面取り部５の傾斜に沿って低融点ガラス４が剥れ易
くなる。より好ましくは、角度θは２０〜３０°がよ
い。
【００２０】また、セラミック基材１は、その上側主面
と貫通孔３の面取り部５との間の角部に曲率半径が０．
０５〜１ｍｍ程度のＲ面や、幅が０．０５〜１ｍｍ程度
で上側主面に対する角度が１０〜３０°程度のＣ面を形
成しておくのがよく、この角部で外部部材との接触等に
よる欠け等が発生するのを有効に防止するとともに、こ
の角部に加わる応力をＲ面やＣ面により分散し緩和する
ことができる。
と貫通孔３の面取り部５との間の角部に曲率半径が０．
０５〜１ｍｍ程度のＲ面や、幅が０．０５〜１ｍｍ程度
で上側主面に対する角度が１０〜３０°程度のＣ面を形
成しておくのがよく、この角部で外部部材との接触等に
よる欠け等が発生するのを有効に防止するとともに、こ
の角部に加わる応力をＲ面やＣ面により分散し緩和する
ことができる。
【００２１】さらに、セラミック基材１は、貫通孔３の
内面と貫通孔３の面取り部５との間の角部に曲率半径が
０．０５〜１ｍｍ程度のＲ面や、幅が０．０５〜１ｍｍ
程度で貫通孔３の内面に対する角度が３０〜６０°程度
のＣ面を形成しておくのがよく、この角部に加わる応力
をＲ面やＣ面により分散し緩和することができる。
内面と貫通孔３の面取り部５との間の角部に曲率半径が
０．０５〜１ｍｍ程度のＲ面や、幅が０．０５〜１ｍｍ
程度で貫通孔３の内面に対する角度が３０〜６０°程度
のＣ面を形成しておくのがよく、この角部に加わる応力
をＲ面やＣ面により分散し緩和することができる。
【００２２】かくして、本発明は、貫通孔３の面取り部
５と導体ピン２の頭部２ａの下面との間に低融点ガラス
４の溜りが形成され、セラミック基材１と導体ピン２と
の接合を極めて強固なものとすることが可能となり、導
体ピン２がセラミック基材１から剥れることのないセラ
ミック基材１と導体ピン２との接合構造を提供すること
ができる。
５と導体ピン２の頭部２ａの下面との間に低融点ガラス
４の溜りが形成され、セラミック基材１と導体ピン２と
の接合を極めて強固なものとすることが可能となり、導
体ピン２がセラミック基材１から剥れることのないセラ
ミック基材１と導体ピン２との接合構造を提供すること
ができる。
【００２３】なお、本発明は、上述の実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
あれば種々の変更は可能である。例えば、本発明では貫
通孔３の面取り部５は平面状となっているが、完全な平
面状でなくてもよく、導体ピン２と面取り部５で低融点
ガラス４の溜りが形成可能ななだらかな曲面状の凹凸を
有するものであってもよい。特に面取り部５がなだらか
な曲面状の凹状であるのがよく、低融点ガラス４の溜り
を形成し易くなる。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
あれば種々の変更は可能である。例えば、本発明では貫
通孔３の面取り部５は平面状となっているが、完全な平
面状でなくてもよく、導体ピン２と面取り部５で低融点
ガラス４の溜りが形成可能ななだらかな曲面状の凹凸を
有するものであってもよい。特に面取り部５がなだらか
な曲面状の凹状であるのがよく、低融点ガラス４の溜り
を形成し易くなる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、対向する上下の主面を有する
セラミック基材の主面間を貫通する貫通孔の上側開口部
に上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取
り部が形成されていることから、この面取り部と導体ピ
ンの頭部の下面との間に低融点ガラスの溜りが形成さ
れ、セラミック基材と導体ピンとの接合を極めて強固な
ものとし得る。その結果、導体ピンがセラミック基材か
ら剥れることのない極めて強固なセラミック基材と導体
ピンの接合構造を提供することができる。
セラミック基材の主面間を貫通する貫通孔の上側開口部
に上側主面に対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取
り部が形成されていることから、この面取り部と導体ピ
ンの頭部の下面との間に低融点ガラスの溜りが形成さ
れ、セラミック基材と導体ピンとの接合を極めて強固な
ものとし得る。その結果、導体ピンがセラミック基材か
ら剥れることのない極めて強固なセラミック基材と導体
ピンの接合構造を提供することができる。
【００２５】また、貫通孔の平面状の面取り部における
低融点ガラスの接合界面には、導体ピンを下から突き上
げるような外力によってせん断力よりも接合界面に略垂
直な力が加わることになり、低融点ガラスの接合力が高
まることになり、セラミック基材と導体ピンの接合が強
固なものとなる。
低融点ガラスの接合界面には、導体ピンを下から突き上
げるような外力によってせん断力よりも接合界面に略垂
直な力が加わることになり、低融点ガラスの接合力が高
まることになり、セラミック基材と導体ピンの接合が強
固なものとなる。
【図１】本発明のセラミック基材と導体ピンとの接合構
造について実施の形態の例を示す断面図である。
造について実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】本発明のセラミック基材と導体ピンとの接合構
造の要部拡大断面図である。
造の要部拡大断面図である。
【図３】従来のセラミック基材と導体ピンとの接合構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】従来のセラミック基材と導体ピンとの接合構造
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
１：セラミック基材２：導体ピン ２ａ：頭部３：貫通孔 ４：低融点ガラス５：面取り部
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する上下の主面を有するセラミック
基材の前記主面間を貫通する貫通孔に頭部が大径化され
た柱状の導体ピンを上側主面側より挿通し、前記頭部の
下面を前記貫通孔の上側開口部に低融点ガラスを介して
接合して成るセラミック基材と導体ピンとの接合構造で
あって、前記貫通孔は前記上側開口部に前記上側主面に
対して２０〜４５°傾斜した平面状の面取り部が形成さ
れていることを特徴とするセラミック基材と導体ピンと
の接合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100385A JP4587590B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | セラミック基材と導体ピンとの接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100385A JP4587590B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | セラミック基材と導体ピンとの接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299497A true JP2002299497A (ja) | 2002-10-11 |
| JP4587590B2 JP4587590B2 (ja) | 2010-11-24 |
Family
ID=18953828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001100385A Expired - Fee Related JP4587590B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | セラミック基材と導体ピンとの接合構造 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4587590B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8324726B2 (en) | 2005-02-28 | 2012-12-04 | Octec, Inc. | Semiconductor device, electrode member and electrode member fabrication method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4992986U (ja) * | 1972-12-04 | 1974-08-12 | ||
| JPS63176276U (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-15 | ||
| JPH01239787A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-25 | Nec Kansai Ltd | ロウ付け方法 |
| JPH02303147A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用配線板及びその製造法並びに該配線板を用いた半導体装置 |
| JPH03280451A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子搭載用配線板及びその製造法 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001100385A patent/JP4587590B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9035453B2 (en) | 2005-02-28 | 2015-05-19 | Octec, Inc. | Semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4587590B2 (ja) | 2010-11-24 |
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