JPH02297742A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents
光磁気メモリ装置Info
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- JPH02297742A JPH02297742A JP11971689A JP11971689A JPH02297742A JP H02297742 A JPH02297742 A JP H02297742A JP 11971689 A JP11971689 A JP 11971689A JP 11971689 A JP11971689 A JP 11971689A JP H02297742 A JPH02297742 A JP H02297742A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザビームの強度変調のみにより（光変調
法による）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装
置に関する。
法による）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装
置に関する。
［従来の技術］
光磁気メモリ装置は、現在のディスクメモリ装置の代表
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で倒えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８８）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で倒えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８８）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では記録膜に急峻な温度勾配を
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
必要で、パルス発振の立ち上がり及び立ち下がりにおけ
る時間遅れやオーバーシュートが発生し易いため、消し
残りやジッダの発生などによる信号劣化が起こるという
課題を有する。また半導体レーザ（以下ＬＤと記す）を
高周波または高出力で駆動した場合、ＬＤが発熱し発振
波長や発振開始電流などが変化し、更に経時変化を早め
発振開始電流及び微分効率などが変化する。このため後
述する直接オーバーライト時のＬＤ駆動を長時間行なう
ような場合には特に発熱の影響が顕著になり、発振波長
の変動により色収差が発生し、また発振開始電流及び微
分効率の変化によりパルス高さの制御が困難になる。
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
必要で、パルス発振の立ち上がり及び立ち下がりにおけ
る時間遅れやオーバーシュートが発生し易いため、消し
残りやジッダの発生などによる信号劣化が起こるという
課題を有する。また半導体レーザ（以下ＬＤと記す）を
高周波または高出力で駆動した場合、ＬＤが発熱し発振
波長や発振開始電流などが変化し、更に経時変化を早め
発振開始電流及び微分効率などが変化する。このため後
述する直接オーバーライト時のＬＤ駆動を長時間行なう
ような場合には特に発熱の影響が顕著になり、発振波長
の変動により色収差が発生し、また発振開始電流及び微
分効率の変化によりパルス高さの制御が困難になる。
このＬＤの発熱によっても情報の消去特性の悪化が起こ
るという課題を有する。一方、データを高速で転送する
ためには、ディスクを高速で回転させる必要があるが、
この場合には上述の課題が更に重大になる。
るという課題を有する。一方、データを高速で転送する
ためには、ディスクを高速で回転させる必要があるが、
この場合には上述の課題が更に重大になる。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離しＬＤ
を固定部に設置し、更にＬＤを温度コントロールするこ
とにより、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし
、直接オーバーライト可能な高転送レートの光磁気メモ
リ装置を提供するところにある。
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離しＬＤ
を固定部に設置し、更にＬＤを温度コントロールするこ
とにより、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし
、直接オーバーライト可能な高転送レートの光磁気メモ
リ装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光磁気メモリ装置は、記録時と消去時にバイア
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの強度変調のみにより直接オーバーライトを行な
う光磁気メモリ装置において、 シャーシベースに固定されて、温度コントロール部を具
備したＬＤ、該ＬＤの出射ビームを平行ビームに整形す
る光学系及び光磁気ディスクから反射されたレーザビー
ムより光磁気信号とサーボ信号等を検出する光学系から
なる固定光学系と、前記光磁気ディスクの内周から外周
にわたって移動するアクセス手段に搭載されて、前記固
定光学系から出射されたレーザビームを前記光磁気ディ
スクの記録膜上へ集光させる対物レンズ等の移動光学系
から構成される光学ヘッドを備えたことを特徴とする。
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの強度変調のみにより直接オーバーライトを行な
う光磁気メモリ装置において、 シャーシベースに固定されて、温度コントロール部を具
備したＬＤ、該ＬＤの出射ビームを平行ビームに整形す
る光学系及び光磁気ディスクから反射されたレーザビー
ムより光磁気信号とサーボ信号等を検出する光学系から
なる固定光学系と、前記光磁気ディスクの内周から外周
にわたって移動するアクセス手段に搭載されて、前記固
定光学系から出射されたレーザビームを前記光磁気ディ
スクの記録膜上へ集光させる対物レンズ等の移動光学系
から構成される光学ヘッドを備えたことを特徴とする。
［作用］
本発明の上記の構成によれば、ＬＤが固定部に存在する
ため高速アクセス性を損なわずにＬＤ駆動回路のドライ
ブ段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続でき、また温
度コントロールを容易に行なえる。それ故、立ち上がり
時間及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少
ない所望の光量のレーザ発振が容易に得られ、情報の消
去を正確に行なうことが可能となる。
ため高速アクセス性を損なわずにＬＤ駆動回路のドライ
ブ段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続でき、また温
度コントロールを容易に行なえる。それ故、立ち上がり
時間及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少
ない所望の光量のレーザ発振が容易に得られ、情報の消
去を正確に行なうことが可能となる。
［実施例］
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
１が固定光学系である。第２図に固定光学系における光
学素子の構成図を示す、また第３図はＬＤ３の周辺を示
した図で、温度コントロール部３６及びＬＤ駆動部であ
る。ＬＤはシャーシベース２に取り付けられヒートシン
ク３７に囲まれている。
学素子の構成図を示す、また第３図はＬＤ３の周辺を示
した図で、温度コントロール部３６及びＬＤ駆動部であ
る。ＬＤはシャーシベース２に取り付けられヒートシン
ク３７に囲まれている。
ＬＤの温度は温度センサ３８で測定され、温度制御回路
３９で処理されペルチェ素子４０を制御してＬＤの温度
を一定に保ち、光量制御を容易にしている。またＬＤは
ＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に直接接続され、レ
ーザ変調信号に従って立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短く、オーバーシュートの少ない高速なパルス変調
も容易に得ることができる。ＬＤから出射されたレーザ
ビームは、コリメートレンズ４、整形プリズム５、ビー
ムスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を通過してガルバノ
ミラ−（以下ＧＭと記す）７へ入射する。レーザビーム
はＧＭによって反射され固定光学系より出射される。固
定光学系より出射されたレーザビームは移動光学系８の
ミラー９で光路を曲げられた後、対物レンズ１０を通っ
て光磁気ディスク１１の記録膜１２上に集光されビーム
スポットを形成する。移動光学系は、磁石とヨークから
なる磁気回路１３とコイル（図示せず）とによって構成
されるボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと記す）に搭載
され、ガイドレール１４．１５上を矢印Ｂのように光磁
気ディスク記録領域の最内周１６から最外周１７の間で
移動することができる。
３９で処理されペルチェ素子４０を制御してＬＤの温度
を一定に保ち、光量制御を容易にしている。またＬＤは
ＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に直接接続され、レ
ーザ変調信号に従って立ち上がり時間及び立ち下がり時
間が短く、オーバーシュートの少ない高速なパルス変調
も容易に得ることができる。ＬＤから出射されたレーザ
ビームは、コリメートレンズ４、整形プリズム５、ビー
ムスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を通過してガルバノ
ミラ−（以下ＧＭと記す）７へ入射する。レーザビーム
はＧＭによって反射され固定光学系より出射される。固
定光学系より出射されたレーザビームは移動光学系８の
ミラー９で光路を曲げられた後、対物レンズ１０を通っ
て光磁気ディスク１１の記録膜１２上に集光されビーム
スポットを形成する。移動光学系は、磁石とヨークから
なる磁気回路１３とコイル（図示せず）とによって構成
されるボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと記す）に搭載
され、ガイドレール１４．１５上を矢印Ｂのように光磁
気ディスク記録領域の最内周１６から最外周１７の間で
移動することができる。
光磁気ディスクから反射され情報を含んだレーザビーム
は対物レンズ、ミラー、ＧＭを経てＢＳ６で光路を曲げ
られＢ５１８を通過し一方は偏光ビームスプリッタ１９
で分けられレンズ２０．２１によりホトダイオード（以
下ＰＤと記す）２２．２３上に集光され電気信号に変換
される。この二つの出力を差動増幅器２４で差をとるこ
とにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に入力され
る。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザビームは
Ｂ５２６を通りレンズ２７、円筒レンズ２８によりＰＤ
２９上に集光され電気信号に変換される。
は対物レンズ、ミラー、ＧＭを経てＢＳ６で光路を曲げ
られＢ５１８を通過し一方は偏光ビームスプリッタ１９
で分けられレンズ２０．２１によりホトダイオード（以
下ＰＤと記す）２２．２３上に集光され電気信号に変換
される。この二つの出力を差動増幅器２４で差をとるこ
とにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に入力され
る。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザビームは
Ｂ５２６を通りレンズ２７、円筒レンズ２８によりＰＤ
２９上に集光され電気信号に変換される。
この出力をフォーカシングサーボ回路３０で処理し、レ
ンズフォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記す
）３１を駆動する。Ｂ５２６で分けられたもう一方のレ
ーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され、トラッキ
ングサーボ回路３３で処理されＧＭ、ｖＣＭを駆動する
。
ンズフォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記す
）３１を駆動する。Ｂ５２６で分けられたもう一方のレ
ーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され、トラッキ
ングサーボ回路３３で処理されＧＭ、ｖＣＭを駆動する
。
次に、トラッキング及びフォーカシングの機構を説明す
る。まずＧＭは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能と
なっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少に
振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビームの
光軸を傾はビームスポットを動かし、 トラッキングを
行なう、一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載されたＬ
ＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位さ
せて行なう。
る。まずＧＭは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能と
なっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少に
振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビームの
光軸を傾はビームスポットを動かし、 トラッキングを
行なう、一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載されたＬ
ＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位さ
せて行なう。
この光磁気メモリ装置を用いて光変調法による直接オー
バーライトを試みた０本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜８０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜５
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを直流磁場中で初期化して用いた。
バーライトを試みた０本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜８０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜５
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを直流磁場中で初期化して用いた。
まず初めに固定永久磁石４１によるバイアス磁場１ ｏ
ｏｏｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．
７ＭＨｚ、 記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパ
ワー１ｍＷで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を
行なった。差動増幅器の出力再生信号の搬送波対雑音比
（ＣＮＲ）を、スペクトラムアナライザを用いて分解能
バンド幅３０ｋＨｚで測定したところ５５．６ｄＢを得
た。引き続いて、この３．７ＭＨｚの信号が記録された
光磁気ディスクに同じく回転数３６００ｒｐｍ、バイア
ス磁場１０００ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パル
ス高さ６ｍＷ、繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと
記録パルスの間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ
、５０ＭＨｚの消去パルスがくるように変調したレーザ
ビームを半径６０ｍｍの位置に照射した。再生信号を同
様にスペクトラムアナライザで測定したところ３．７
ＭＨｚの成分はノイズレベルで５ＭＨｚにピークが見ら
れＣＮＲは５４．１ｄＢであった。更にパルス幅１３１
ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、繰り返し周波数３．７ＭＨｚ
の記録パルスと記録パルスの間にパルス幅２０ ｎ ｓ
。
ｏｏｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．
７ＭＨｚ、 記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパ
ワー１ｍＷで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を
行なった。差動増幅器の出力再生信号の搬送波対雑音比
（ＣＮＲ）を、スペクトラムアナライザを用いて分解能
バンド幅３０ｋＨｚで測定したところ５５．６ｄＢを得
た。引き続いて、この３．７ＭＨｚの信号が記録された
光磁気ディスクに同じく回転数３６００ｒｐｍ、バイア
ス磁場１０００ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パル
ス高さ６ｍＷ、繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと
記録パルスの間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ
、５０ＭＨｚの消去パルスがくるように変調したレーザ
ビームを半径６０ｍｍの位置に照射した。再生信号を同
様にスペクトラムアナライザで測定したところ３．７
ＭＨｚの成分はノイズレベルで５ＭＨｚにピークが見ら
れＣＮＲは５４．１ｄＢであった。更にパルス幅１３１
ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、繰り返し周波数３．７ＭＨｚ
の記録パルスと記録パルスの間にパルス幅２０ ｎ ｓ
。
パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨｚの消去パルスがくるよう
に変調したレーザビームを半径ｆ３０ｍｍの位置に照射
し３．７ＭＨｚの直接オーバーライトを行なったところ
、同じく良好な情報の書換えができた。
に変調したレーザビームを半径ｆ３０ｍｍの位置に照射
し３．７ＭＨｚの直接オーバーライトを行なったところ
、同じく良好な情報の書換えができた。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、光磁気メモリ装置の
光学ヘッドの光学系を分離しＬＤを固定部に設置し、ま
たＬＤを温度コントロールすることにより、所望の正確
な消去用のパルス発振を容易にし、直接オーバーライト
、高転送レートを実現するという効果を有する０本発明
の光磁気メモリ装置は、コンピュータメモリ、光デイス
クファイルなどに応用することが可能で装置の高性能化
などの多大な効果を有するものである。
光学ヘッドの光学系を分離しＬＤを固定部に設置し、ま
たＬＤを温度コントロールすることにより、所望の正確
な消去用のパルス発振を容易にし、直接オーバーライト
、高転送レートを実現するという効果を有する０本発明
の光磁気メモリ装置は、コンピュータメモリ、光デイス
クファイルなどに応用することが可能で装置の高性能化
などの多大な効果を有するものである。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ”断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 第３図はＬＤの周辺を示す図。 １・・・・・・・・固定光学系 ２・・・・・・・・シャーシベース ３・・・・・・・・ＬＤ ４・・・・・・・・コリメートレンズ ５・・・・・・・・整形プリズム ６．１８．２６・・・ＢＳ ７・・・・・・・・ＧＭ ８・・・・・・・・移動光学系 ９ＩＯ１１−〇虐ｊ：＋フー １０・・・・・・・対物レンズ １１・・・・・・・光磁気ディスク １２・・・・・・・記録膜 １３・・・・・・・磁気回路 １４．１５ ・・・・ガイドレール １６・・・・・・・記録領域最内周 １７・・・・・・・記録領域最外周 １９・・・・・・・偏光ビームスプリッタ２０．２１．
２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２・・・ＰＤ ２８・・・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・温度コントロール部３７・・・・・
・・ヒートシンク ３８・・・・・・・温度センサ ３９・・・・・・・温度制御回路 ４０・・・・・・・ペルチェ素子 ４１・・・・・・・永久磁石 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 他１名 第２図
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ”断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 第３図はＬＤの周辺を示す図。 １・・・・・・・・固定光学系 ２・・・・・・・・シャーシベース ３・・・・・・・・ＬＤ ４・・・・・・・・コリメートレンズ ５・・・・・・・・整形プリズム ６．１８．２６・・・ＢＳ ７・・・・・・・・ＧＭ ８・・・・・・・・移動光学系 ９ＩＯ１１−〇虐ｊ：＋フー １０・・・・・・・対物レンズ １１・・・・・・・光磁気ディスク １２・・・・・・・記録膜 １３・・・・・・・磁気回路 １４．１５ ・・・・ガイドレール １６・・・・・・・記録領域最内周 １７・・・・・・・記録領域最外周 １９・・・・・・・偏光ビームスプリッタ２０．２１．
２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２・・・ＰＤ ２８・・・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・温度コントロール部３７・・・・・
・・ヒートシンク ３８・・・・・・・温度センサ ３９・・・・・・・温度制御回路 ４０・・・・・・・ペルチェ素子 ４１・・・・・・・永久磁石 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 他１名 第２図
Claims (1)
- （１）記録時と消去時にバイアス磁界の方向ならびに大
きさを変えることなく、レーザビームの強度変調のみに
より直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置にお
いて、 シャーシベースに固定されて、温度コントロール部を具
備した半導体レーザ、該半導体レーザの出射ビームを平
行ビームに整形する光学系及び光磁気ディスクから反射
されたレーザビームより光磁気信号とサーボ信号等を検
出する光学系からなる固定光学系と、前記光磁気ディス
クの内周から外周にわたって移動するアクセス手段に搭
載されて、前記固定光学系から出射されたレーザビーム
を前記光磁気ディスクの記録膜上へ集光させる対物レン
ズ等の移動光学系から構成される光学ヘッドを備えたこ
とを特徴とする光磁気メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11971689A JPH02297742A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光磁気メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11971689A JPH02297742A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光磁気メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297742A true JPH02297742A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14768345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11971689A Pending JPH02297742A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光磁気メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297742A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11971689A patent/JPH02297742A/ja active Pending
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