JPH02306449A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザビームの強度変調のみにより（光変調
法による）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装
置に関する。

［従来の技術］ 光磁気メモリ装置は、現在のディスクメモリ装置の代表
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８８）　、等に示されている
光変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス
高さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バ
イアス磁界の向きを変えることなく直接オーバーライト
を実現することができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では記録膜に急峻な温度勾配を
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、光磁気ディスクの面振れやバイアス磁界印加手
段の経時変化等のためレーザビームスポット位置での磁
界の強さが変化し、収縮後の磁区の大きさが一定になら
ず消し残り力３発生する。このためピットエラーレート
やジッターが増大するという課題を有する。

そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、バイアス磁界強度とレーザビーム
スポット位置における光磁気ディスクお面振れを測定し
、レーザビームスポット位置のバイアス磁界強度を一定
に制御することにより、直接オーバーライト可能な高転
送レートの光磁気メモリ装置を提供するところにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気メモリ装置は、記録時と消去時にバイア
ス磁界の方向を変えることなく、レーザビームの強度変
調のみにより直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ
装置において、 （ａ）レーザビームスポット位置における光磁気ディス
クの面振れ量を測定する手段、（ｂ）バイアス磁界強度
を測定する手段、（ｃ）前記面振れ量から前記バイアス
磁界強度の目標値を生成し前記バイアス磁界強度を制御
量とした閉ループ制御を行なうバイアス磁界印加手段、 を有することを特徴とする。

［作用］ 本発明の上記の構成によれば、レーザビームスポット位
置において常に一定な強度のバイアス磁界が得られ、情
報の消去を正確に行なうことが可能となる。

［実施例コ 以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
バイアス磁界印加部の主要構成図である。

バイアス磁界印加手段であるコイル１によって光磁気デ
ィスク２に一方向の磁界を印加しながら、対物レンズ３
によって記録膜４上に集光されるレーザビーム５の変調
のみによって情報の記録・消去を行なう。コイルと光磁
気ディスクとの距離は光を用いた変位検出法で測定した
。半導体レーザ６より発せられたレーザビーム７は投光
レンズ８を通って光磁気ディスクで反射され受光レンズ
９で光位置検出素子（以下ＰＳＤと記す）１０上に集光
される。光磁気ディスクの面振れのためＰＳＤ上のスポ
ット位置が移動しこの移動量を電気信号に変換し、ＰＳ
Ｄ駆動回路１１を通ってコイルと光磁気ディスクとの距
離信号（Ｄ）として出力される。コイルにて印加される
磁界強度はホール素子１２にて検出されホール素子駆動
回路１３を通ってバイアス磁界信号（Ｂ）として出力さ
れる。

ＤとＢはバイアス磁界制御回路１４へ入力される。

第２図にバイアス磁界制御方法のブロック図を示す。距
離信号りより目標値（Ｒ）を生成しバイアス磁界（Ｈ）
を制御量として閉ループ制御を行なっている。次に目標
値Ｒの作り方を記す。まず予めコイル特性を測定する。

コイルからある距離前れた位置に基準の磁界（ここでは
１００６ｅ）を発生させたときのホール素子１２出力を
測定する。

このデータ゛を基に距離りからホニル素子出力換算のバ
イアス磁界目標値を生成する。このようにしてコイルと
光磁気ディスクの距離が変わっても記録膜上でのバイア
ス磁界が一定となる。またコイルの印加磁界を常に観測
しているためコイルの経時変化等による磁界変動にも対
応することができる。

この光磁気メモリ装置を用いて光変調法による直接オー
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜５
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のケいポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを直流磁界中で初期化して用いた。

まずはじめにバイアス磁界１０００ｅ、回転数３６００
ｒｐｍ、　　レーザ変調周波数３．７ＭＨｚ。

記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍＷで半
径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を行なった。差動
増幅器の出力再生信号の搬送浪対雑音比（ｃＮＲ）を、
スペクトラムアナライザを用いて分解能バンド幅３０ｋ
Ｈｚで測定したところ５８ｄＢを得た。引き続いて、こ
の３．７ＭＨｚの信号が記録された光磁気ディスクに回
転数３６０Ｏｒｐｍ、バイアス磁界１０００ｅの同条件
下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、繰り返し
周波数５　Ｍ　Ｈｚの記録パルスと記録パルスの間にパ
ルス幅２０　ｎ　ｓ、　　パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨ
ｚの消去パルスがくるように変調したレーザビームを半
径６０ｍｍの位置に照射した。再生信号をスペクトラム
アナライザで測定したところ３．７ＭＨｚの成分はノイ
ズレベルで５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲは５６ｄＢ
であった。更にパルス幅１３１ｎＳ、パルス高さ６ｍＷ
、　　繰り返し周波数３．７　ＭＨｚの記録パルスと記
録パルスの間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、
５０ＭＨｚの消去パルスがくるように変調したレーザビ
ームを半径６０ｍｍの位置に照射し３．７ＭＨｚの直接
オーバーライトを行なったところ、同じく良好な情報の
書換えができた。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、バイアス磁界強度と
レーザビームスポット位置における光磁気ディスクの面
振れを測定しバイアス磁界強度の目標値を生成し閉ルー
プ制御することにより、レーザビームスポット位置のバ
イアス磁界強度を一定にすることができ、直接オーバー
ライト、高転送レートを実現するという効果を有する。

本発明の光磁気メモリ装置は、コンピュータメモリ、光
デイスクファイルなどに応用することが可能で装置の高
性能化などの多大な効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
バイアス磁界印加部の主要構成図。 第２図はバイアス磁界制御方法のブロック図。 １・・・・・コイル ２・・・・・光磁気ディスク ４・・・・・記録膜 ６・・・・・半導体レーザ ８・・・・・投光レンズ ９・・・・・受光レンズ １０・・・・・ＰＳＤ １１・・・・・ＰＳＤ駆動回路 １２・・・・・ホール素子 １３・・・・・ホール素子駆動回路 １４・・・・・パイ灸ス磁界制御回路 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）記録時と消去時にバイアス磁界の方向を変えるこ
   となく、レーザビームの強度変調のみにより直接オーバ
   ーライトを行なう光磁気メモリ装置において、 （ａ）レーザビームスポット位置における光磁気ディス
   クの面振れ量を測定する手段、 （ｂ）バイアス磁界強度を測定する手段、 （ｃ）前記面振れ量から前記バイアス磁界強度の目標値
   を生成し前記バイアス磁界強度を制御量とした閉ループ
   制御を行なうバイアス磁界印加手段、 を有することを特徴とする光磁気メモリ装置。