JPH02265056A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents
光磁気メモリ装置Info
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- JPH02265056A JPH02265056A JP8592089A JP8592089A JPH02265056A JP H02265056 A JPH02265056 A JP H02265056A JP 8592089 A JP8592089 A JP 8592089A JP 8592089 A JP8592089 A JP 8592089A JP H02265056 A JPH02265056 A JP H02265056A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レーザビームの強度変調のみにより（光変調
法による）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装
置に関する。
法による）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装
置に関する。
［従来の技術］
光磁気メモリ装置は、現在のディスクメモリ装置の代表
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８８）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８８）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では記録膜に急峻な温度勾配を
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
困難で、パルス発振の立ち上がり、立ち下がりにおける
時間遅れやオーバーシュートが発生しやすいため、消し
残りやジッタの発生などによる信号劣化が起こり易いと
いう課題を有する。一方、データを高速で転送するため
には、ディスクを高速で回転させる必要があるが、この
場合には上述の課題が更に重大になる。
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
困難で、パルス発振の立ち上がり、立ち下がりにおける
時間遅れやオーバーシュートが発生しやすいため、消し
残りやジッタの発生などによる信号劣化が起こり易いと
いう課題を有する。一方、データを高速で転送するため
には、ディスクを高速で回転させる必要があるが、この
場合には上述の課題が更に重大になる。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離し半導
体レーザ（以下ＬＤと記す）を固定部に設置することに
より、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし、直
接オーバーライト可能な高転送レートの光磁気メモリ装
置を提供するところにある。
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離し半導
体レーザ（以下ＬＤと記す）を固定部に設置することに
より、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし、直
接オーバーライト可能な高転送レートの光磁気メモリ装
置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光磁気メモリ装置は、記録時と消去時にバイア
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの強度変調のみにより直接オーバーライトを行な
う光磁気メモリ装置において、 シャーシベースに固定されて、ＬＤの出射ビームを平行
ビームに整形する光学系及び光磁気ディスクから反射さ
れたレーザビームより光磁気信号とサーボ信号等を検出
する光学系からなる固定光学系と、前記光磁気ディスク
の内周から外周にわたって移動するアクセス手段に搭載
されて、前記固定光学系から出射されたレーザビームを
前記光磁気ディスクの記録膜上べ集光させる対物レンズ
等の移動光学系から構成される光学ヘッドを備えたこと
を特徴とする。
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの強度変調のみにより直接オーバーライトを行な
う光磁気メモリ装置において、 シャーシベースに固定されて、ＬＤの出射ビームを平行
ビームに整形する光学系及び光磁気ディスクから反射さ
れたレーザビームより光磁気信号とサーボ信号等を検出
する光学系からなる固定光学系と、前記光磁気ディスク
の内周から外周にわたって移動するアクセス手段に搭載
されて、前記固定光学系から出射されたレーザビームを
前記光磁気ディスクの記録膜上べ集光させる対物レンズ
等の移動光学系から構成される光学ヘッドを備えたこと
を特徴とする。
［作用］
本発明の上記の構成によれば、ＬＤ駆動回路のドライブ
段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続できるため、立
ち上がり時間及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュ
ートの少ないレーザ発（辰が容易に得られ、情報の消去
を正確に行なうことが可能となる。
段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続できるため、立
ち上がり時間及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュ
ートの少ないレーザ発（辰が容易に得られ、情報の消去
を正確に行なうことが可能となる。
［実施例コ
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
１が固定光学系である。第２図に固定光学系における光
学素子の構成図を示す。シャーシベース２に取り付けら
れているＬＤ３はＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に
直接接続され、レーザ変調信号に従って立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
高速なパルス変調も容易に得ることができる。ＬＤから
出射されたレーザビームは、コリメートレンズ４、整形
プリズム５、ビームスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を
通過してガルバノミラ−（以下ＧＭと記す）７へ入射す
る。ＧＭに入射したレーザビームは光路を曲げられ固定
光学系より出射される。固定光学系より出射されたレー
ザビームは移動光学系８のミラー９で光路変換された後
、対物レンズ１０を通って光磁気ディスク１１の記録膜
１２上に集光されビームスポットを形成する。移動光学
系は、磁石とヨークからなる磁気回路１３とコイル（図
示せず）とによって構成されているいわゆるボイスコイ
ルモータ（以下ＶＣＭと記す）に搭載され、ガイドレー
ル１４．１５上を矢印Ｂのように光磁気デ・ｆスフ記録
領域の最内周１６から最外周１７の間で移動することが
できる。光磁気ディスクから反射され情報を含んだレー
ザビームは対物レンズ、ミラー ＧＭを経てＢＳ６で光
路を曲げられＢ５１８を通過し一方は偏光ビームスプリ
ッタ１９で分けられレンズ２０．２１によりホトダイオ
ード（以下ＰＤと記す）２２．２３上に集光され電気信
号に変換される。この二つの出力を差動増幅器２４で差
をとることにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に
入力される。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザ
ビームはＢ５２６を通りレンズ２７、円筒レンズ２８に
よりＰＤ２９上に集光され電気信号に変換される。この
出力をフォーカシングザーホ回路３０で処理し、レンズ
フォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記す）３
１を駆動する。そして、Ｂ５２６で分けられたもう一方
のレーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され、トラ
ッキングサーホ回路３３で処理されＧＭ、Ｖ ＣＭを駆
動する。
学素子の構成図を示す。シャーシベース２に取り付けら
れているＬＤ３はＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に
直接接続され、レーザ変調信号に従って立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
高速なパルス変調も容易に得ることができる。ＬＤから
出射されたレーザビームは、コリメートレンズ４、整形
プリズム５、ビームスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を
通過してガルバノミラ−（以下ＧＭと記す）７へ入射す
る。ＧＭに入射したレーザビームは光路を曲げられ固定
光学系より出射される。固定光学系より出射されたレー
ザビームは移動光学系８のミラー９で光路変換された後
、対物レンズ１０を通って光磁気ディスク１１の記録膜
１２上に集光されビームスポットを形成する。移動光学
系は、磁石とヨークからなる磁気回路１３とコイル（図
示せず）とによって構成されているいわゆるボイスコイ
ルモータ（以下ＶＣＭと記す）に搭載され、ガイドレー
ル１４．１５上を矢印Ｂのように光磁気デ・ｆスフ記録
領域の最内周１６から最外周１７の間で移動することが
できる。光磁気ディスクから反射され情報を含んだレー
ザビームは対物レンズ、ミラー ＧＭを経てＢＳ６で光
路を曲げられＢ５１８を通過し一方は偏光ビームスプリ
ッタ１９で分けられレンズ２０．２１によりホトダイオ
ード（以下ＰＤと記す）２２．２３上に集光され電気信
号に変換される。この二つの出力を差動増幅器２４で差
をとることにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に
入力される。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザ
ビームはＢ５２６を通りレンズ２７、円筒レンズ２８に
よりＰＤ２９上に集光され電気信号に変換される。この
出力をフォーカシングザーホ回路３０で処理し、レンズ
フォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記す）３
１を駆動する。そして、Ｂ５２６で分けられたもう一方
のレーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され、トラ
ッキングサーホ回路３３で処理されＧＭ、Ｖ ＣＭを駆
動する。
次に、トラッキング及びフォーカシングの機構を説明す
る。まずＧ、Ｍは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能
となっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少
に振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビーム
の光軸を傾はビームスポットを動かし、 ドラッギング
を行なう。一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載された
ＬＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位
させて行なう。
る。まずＧ、Ｍは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能
となっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少
に振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビーム
の光軸を傾はビームスポットを動かし、 ドラッギング
を行なう。一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載された
ＬＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位
させて行なう。
この光磁気メモリ装置を用いて光変調法による直接オー
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝例きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜３
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを２０ｋＯｅの直流磁場で初期化して
用いた。
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝例きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜３
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを２０ｋＯｅの直流磁場で初期化して
用いた。
まずはじめに固定永久磁石によるバイアス磁場２０００
ｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．７Ｍ
Ｈｚ、記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍ
Ｗで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を行なった
。差動増幅器の出力再生信号をスペクトラムアナライザ
を用いて搬送波対雑音比（ＣＮＲ）を分解能バンド幅３
０ｋＨｚで測定したところ５５ｄＢを得た。引き続いて
、この３．７ＭＨｚの信号が記録された光磁気ディスク
に同じく回転数３６０Ｏｒｐｍ、バイアス磁場２０００
ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、
繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録パルスの間
にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨｚの
消去パルスがくるように変調したレーザビームを半径６
０ｍｍの位置に照射した。再生信号をスペクトラムアナ
ライザで測定したところ３．７ＭＨｚの成分はノイズレ
ベルで５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲは５３．ｄＢで
あった。更にパルス幅１３１ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、
繰り返し周波数３．７ＭＨｚの記録パルスと記録パルス
の間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５０ Ｍ
Ｈｚの消去パルスがくるように変調したレーザビーム
を半径６０ｍｍの位置に照射し３．７ＭＨｚの直接オー
バーライトを行なったところ、同じく良好な情報の書換
えができた。
ｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．７Ｍ
Ｈｚ、記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍ
Ｗで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を行なった
。差動増幅器の出力再生信号をスペクトラムアナライザ
を用いて搬送波対雑音比（ＣＮＲ）を分解能バンド幅３
０ｋＨｚで測定したところ５５ｄＢを得た。引き続いて
、この３．７ＭＨｚの信号が記録された光磁気ディスク
に同じく回転数３６０Ｏｒｐｍ、バイアス磁場２０００
ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、
繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録パルスの間
にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨｚの
消去パルスがくるように変調したレーザビームを半径６
０ｍｍの位置に照射した。再生信号をスペクトラムアナ
ライザで測定したところ３．７ＭＨｚの成分はノイズレ
ベルで５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲは５３．ｄＢで
あった。更にパルス幅１３１ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、
繰り返し周波数３．７ＭＨｚの記録パルスと記録パルス
の間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５０ Ｍ
Ｈｚの消去パルスがくるように変調したレーザビーム
を半径６０ｍｍの位置に照射し３．７ＭＨｚの直接オー
バーライトを行なったところ、同じく良好な情報の書換
えができた。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、光学ヘッドの光学系
を分離しＬＤを固定部に設置することにより、所望の正
確な消去用のパルス発振を容易にし、直接オーバーライ
ト、高転送レートを実現するという効果を有する。本発
明の光磁気メモリ装置は、コンピュータメモ１尺 光デ
イスクファイルなどに応用することが可能で装置の高性
能化などの多大な効果を有するものである。
を分離しＬＤを固定部に設置することにより、所望の正
確な消去用のパルス発振を容易にし、直接オーバーライ
ト、高転送レートを実現するという効果を有する。本発
明の光磁気メモリ装置は、コンピュータメモ１尺 光デ
イスクファイルなどに応用することが可能で装置の高性
能化などの多大な効果を有するものである。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ｔ・ラド部の主要構成図で、 （ａ、）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 １・・・・・・・・固定光学系 ２・・・・・・・・シャーシベース ３・・・・・・・・ＬＤ ４・・・・・・・・コリメートレンズ ５・・・・・・・・整形プリズム ６．１８．２６・・・ＢＳ ７・・・・・・・・ＧＭ ８・・・・・・・・移動光学系 ９・・・・・・・・ζツー １０・・・・・・・対物レンズ １１・・・・・・・光磁気ディスク １２・・・・・・・記録膜 １３・・・・・・・磁気回路 １４．１５ ・・・・ガイドレール １６・・・・・・・記録領域最内周 １７・・・・・・・記録領域最外周 １９・・・・・・・偏光ビームスプリッタ２０．２１．
２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２・・・ＰＤ ２８・・・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・ＧＭ ３７・・・・・・・ＬＦＡ ３８・・・・・・・ＶＣＭ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 他１名
光学ｔ・ラド部の主要構成図で、 （ａ、）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 １・・・・・・・・固定光学系 ２・・・・・・・・シャーシベース ３・・・・・・・・ＬＤ ４・・・・・・・・コリメートレンズ ５・・・・・・・・整形プリズム ６．１８．２６・・・ＢＳ ７・・・・・・・・ＧＭ ８・・・・・・・・移動光学系 ９・・・・・・・・ζツー １０・・・・・・・対物レンズ １１・・・・・・・光磁気ディスク １２・・・・・・・記録膜 １３・・・・・・・磁気回路 １４．１５ ・・・・ガイドレール １６・・・・・・・記録領域最内周 １７・・・・・・・記録領域最外周 １９・・・・・・・偏光ビームスプリッタ２０．２１．
２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２・・・ＰＤ ２８・・・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・ＧＭ ３７・・・・・・・ＬＦＡ ３８・・・・・・・ＶＣＭ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 他１名
Claims (1)
- （１）記録時と消去時にバイアス磁界の方向ならびに大
きさを変えることなく、レーザビームの強度変調のみに
より直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置にお
いて、 シャーシベースに固定されて、半導体レーザの出射ビー
ムを平行ビームに整形する光学系及び光磁気ディスクか
ら反射されたレーザビームより光磁気信号とサーボ信号
等を検出する光学系からなる固定光学系と、前記光磁気
ディスクの内周から外周にわたって移動するアクセス手
段に搭載されて、前記固定光学系から出射されたレーザ
ビームを前記光磁気ディスクの記録膜上へ集光させる対
物レンズ等の移動光学系から構成される光学ヘッドを備
えたことを特徴とする光磁気メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8592089A JPH02265056A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8592089A JPH02265056A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265056A true JPH02265056A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13872222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8592089A Pending JPH02265056A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 光磁気メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265056A (ja) |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP8592089A patent/JPH02265056A/ja active Pending
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