JP2797476B2 - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光磁気ディスク装置等の光磁気効果を用い
た情報記憶装置に関し、特に限界変調を用いた光磁気メ
モリ装置に関する。

従来の技術 近年、大容量の情報の蓄積に光ディスクを用いた情報
記憶装置が用いられ始めており、特に最近は、光磁気記
録膜を用いた、情報の消去書換え可能な光記憶装置の開
発が活発に行われている。

光磁気記憶媒体は媒体寿命や再生信号特性の点で優れ
た記憶媒体であり、また、最近、磁気ディスク等で実現
されている情報の重ね書きによるオーバーライトを実現
するいくつかの方法が提案され、一部実用化もされるよ
うになってきている。光磁気メモリ装置でオーバーライ
トを実現する最も確実な方法は、光磁気膜への印加磁界
を情報信号で変調する磁界変調方式である。

磁界変調方式を用いた光磁気膜の情報の記録の仕組み
を、図を用いて説明する。第３図は磁界変調を用いた光
磁気ディスク装置の従来の構成を示した図であり、第４
図は信号記録時の磁界の変化と照射する光の強度の変
化、及び形成される情報記録領域（以下情報ピットと呼
ぶ）の形状を示した図である。

第３図に示すように、従来用いられている磁界変調を
用いた光磁気メモリ装置では、情報の記録時に集光レン
ズ３で光源からの光を光磁気膜２上へ集光して光磁気膜
の温度を信号記録可能な所定の臨界温度以上に上昇さ
せ、この間に磁界発生源18の発生磁界の方向を記録する
情報信号６で変調させることにより、以前に記録された
信号の状態に関わらず、新しい信号の記録が行なわれ
る。

この時に光磁気膜上に形成される情報ピットの形状を
第４図を用いて説明する。第４図で磁界発生源から発生
される磁界は情報信号で変調されている。この時、光記
録膜上に照射される光の強度は、膜の温度が記録に必要
な臨界温度以上に維持されるように比較的強い強度で一
定の強度に維持される。従って、光記録膜上の温度分布
は光記録膜上の光スポットの形状で決まる分布となり、
形成される記録膜上の情報ピットの形状は光スポットの
形状を反映した砲弾型の情報ピット20となる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような従来の磁界変調方式では、
記録された情報ピットの形状が光スポットの形状を反映
したものになり、特に高い記録密度で信号を記録した場
合には、情報ピットの先端部で形状が急激に細くなり、
信号の再生振幅の低下が著しくなる。

再生される信号振幅は情報ピットの大きさ，形状，再
生時の光スポットの形状等で決まるが、情報ピットの大
きさは、記録密度が上昇した場合に相対的にピット先端
部の幅の狭い部分が増加する。この幅の狭い部分の磁化
反転領域は、幅の広い部分に比べ磁化が安定に存在しに
くく、この部分より得られる再生信号振幅は低下が著し
くなる。

このように従来の磁界変調を用いた光磁気記録膜のオ
ーバーライトは情報の記録密度を上げた場合、十分な再
生信号振幅が得られないという問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、磁界変調を用いた光磁気
記録膜のオーバライト方式において、情報の記録密度を
上げた場合でも十分な再生信号振幅を得られる光磁気メ
モリを提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の光磁気メモリ装
置では、光源と、光磁気記録膜を有する情報記録担体
と、情報記録担体上に光源から出た光を集光する光学系
と、情報記録担体上の情報記録位置に所定の方向の磁界
を発生する磁界発生源とを備え、磁界発生源によって前
記情報記録担体上の情報記録位置に作成される記録磁界
の分布形状が信号の記録方法に狭く、信号記録方向と垂
直方向に幅広く形成され、同時に、情報記録時に信号記
録方向に長軸方向を有する略楕円形状の光スポットを前
記情報記録位置に照射する事により、信号記録位置周辺
の温度が、信号の記録可能な臨界温度以上に維持される
ような構成にしている。

また、本発明の光磁気メモリ装置は、略楕円形状の光
スポットとして、磁界発生源が発生する記録に必要な磁
界の発生範囲以上のスポット径を信号記録方向に有し、
信号記録方向と垂直方向に回折限界のスポット径を有す
るものを使用する構成としている。

作用 本発明は、上記構成によって、光磁気記録膜上の情報
の記録領域（情報ピット）が光スポットの形状ではな
く、磁界で決定される形状となり、高密度に情報を記録
した場合でも、光スポットで決定される場合の形状と比
べて情報ピットの幅を一様に形成でき、高密度記録に適
した記録装置が提供できる。

実 施 例 以下、本発明の光磁気メモリ装置の一実施例につい
て、図を参照しながら説明する。第１図は本発明の光磁
気メモリ装置の一実施例の構成を示した図である。

第１図で、基板１に作成された光磁気記録膜２上にレ
ンズ３で集光された略楕円形状の光スポット４が情報記
録トラック５に沿って信号記録方向に長軸方向を有する
ように照射され、光磁気記録膜２の温度を情報が記録で
きる臨界温度以上に保っている。光磁気記録膜２に記録
される情報信号６は磁界発生源変調駆動回路７を介して
磁界発生源８に加えられ、情報信号６によって方向が変
化する記録磁界９を前記光スポット４の照射位置と中心
を略同一にして照射されている。この時、記録磁界９の
照射される範囲は光スポット４の長軸方向の長さよりも
信号方向に短く、トラック方向に幅広くなっている。

第１図の構成の場合に光磁気記録膜上に記録される情
報ピッチの形状を第２図を用いて説明する。第２図は情
報信号の変化とそのときの記録磁界の変化、及び光スポ
ットの位置の変化から本発明によって形成される情報ピ
ットの形状を説明した図である。情報信号によって変調
された磁界は記録膜上での分布が情報の信号方向に狭く
信号記録方向と垂直方向に幅広く設定できるため、光磁
気記録膜２上に発生する磁界の形状は第２図に示したよ
うになり、一方前記記録膜２上に照射される光スポット
の形状は信号記録方向に長軸を有する略楕円形状をとる
ことができるため、同じく第２図に示したようになる。

従って、形成される情報ピットの形状は信号記録方向
の幅が発生磁界で決定され、トラック方向の幅が光スポ
ットで決定される形状となり、高密度記録時に於いても
ピット幅の一様な情報ピットを安定に形成することがで
き、再生される信号の劣化しない情報ピット形状とする
ことができる。

以上のように、本実施例によると、情報記録位置の内
で磁界発生源からの磁界で情報記録できる範囲の温度を
信号の記録可能な臨界温度以上に維持する手段として、
記録に必要な磁界の発生範囲以上のスポット径を信号記
録方向に有し、信号記録方向と垂直方向に回折限界のス
ポット径を有する略楕円形状の光スポットを情報記録時
に用い、光磁気記録膜上にできる記録磁界の分布形状が
信号の記録方向に狭く、信号記録方向と垂直方向に幅広
い磁界発生源を設けることにより、光磁気記録膜上の情
報の記録領域（情報ピット）が光スポットの形状ではな
く、磁界で決定される形状となり、高密度に情報を記録
した場合でも、光スポットで決定される場合の形状と比
べて、情報ピットの幅を一様に形成でき、高密度記録に
適した記録方式を実現することができる。

発明の効果 以上のように、本発明によれば、光源と、光磁気記録
膜を有する情報記録担体と、情報記録担体上に光源から
出た光を集光する光学系と、前記情報記録担体上の情報
記録位置に所定の方向の磁界を発生する磁界発生源とを
備え、その情報記録位置の内で、磁界発生源からの磁界
で情報記録できる範囲の温度を信号の記録可能な臨界温
度以上に維持する手段を設けたものであるので、光磁気
メモリ装置に於て、光磁気記録膜上の情報の記録領域
（情報ピット）が光スポットの形状ではなく、磁界で決
定される形状となり、高密度に情報を記録した場合、光
スポットで決定される場合の形状と比べて、情報ピット
の大きさを大きくでき、高密度記録に適した記録方式を
実現することができる。

更に、本発明は、前記光磁気記録膜の記録位置の温度
を臨界温度以上に維持する手段として、信号記録方向に
長軸方向を有する略楕円形状の光スポットを情報記録時
に用い、更に、前記略楕円形上の光スポットとして前記
磁界発生源が発生する記録に必要な磁界の発生範囲以上
のスポット径を信号記録方向に有し、信号記録方向と垂
直方向に回折限界のスポット径を有するスポットを使用
し、更に、光磁気記録膜上にできる記録磁界の分布形状
が信号の記録方向に狭く、信号記録方向と垂直方向に幅
広い磁界発生源を使用することにより、容易に、光磁気
メモリ装置において高密度記録に適した記録方式を実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光磁気メモリ装置を説明す
る斜視図、第２図は形成される情報ピットの形状を説明
する模式図、第３図は従来例の光磁気メモリ装置を示す
斜視図、第４図は従来例の情報ピットの形状を示す模式
図である。 １……情報記録担体の基板、２……光磁気記録膜、３…
…集光レンズ、４……光スポット、５……記録トラッ
ク、６……情報信号、７……磁界発生源変調駆動回路、
８……磁界発生源、９……記録磁界照射領域、10……情
報ピット。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光源と、光磁気記録膜を有する情報記録担
   体と、前記情報記録担体上に光源から出た光を集光する
   光学系と、前記情報記録担体上の情報記録位置に所定の
   方向の磁界を発生する磁界発生源とを備え、前記磁界発
   生源によって前記情報記録担体上の情報記録位置に作成
   される記録磁界の分布形状が信号の記録方法に狭く、信
   号記録方向と垂直方向に幅広く形成され、同時に、情報
   記録時に信号記録方向に長軸方向を有する略楕円形状の
   光スポットを前記情報記録位置に照射する事により、信
   号記録位置周辺の温度が、信号の記録可能な臨界温度以
   上に維持されるようにしたことを特徴とする光磁気メモ
   リ装置。
2. 【請求項２】略楕円形状の光スポットとして、磁界発生
   源が発生する記録に必要な磁界の発生範囲以上のスポッ
   ト径を信号記録方向に有し、信号記録方向と垂直方向に
   回折限界のスポット径を有するものを用いることを特徴
   とする請求項１記載の光磁気メモリ装置。