JPH02265062A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents
光磁気メモリ装置Info
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- JPH02265062A JPH02265062A JP8741689A JP8741689A JPH02265062A JP H02265062 A JPH02265062 A JP H02265062A JP 8741689 A JP8741689 A JP 8741689A JP 8741689 A JP8741689 A JP 8741689A JP H02265062 A JPH02265062 A JP H02265062A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レーザビームの変調のみにより（光変調法に
よる）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置に
関する。
よる）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置に
関する。
［従来の技術］
光磁気メモリ装置は、現在のディスクメモリ装置の代表
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくっがの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８Ｂ）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくっがの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ
ｔ、５２．１５３７（１９８Ｂ）、等に示されている光
変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパルス高
さを情報の記録時と消去時で変えることによって、バイ
アス磁界の向きならびに大きさを変えることなく直接オ
ーバーライトを実現することができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では記録膜に急峻な温度勾配を
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
困難で、パルス発振の立ち上がり、立ち下がりにおける
時間遅れやオーバーシュートが発生しやすいため、消し
残りやジッタの発生などによる信号劣化が起こり易いと
いう課題を有する。また、一般に半導体レーザ（以下Ｌ
Ｄと記す）の出射パワー制御はＬＤ内蔵のホトダイオー
ド（以下ＰＤと記す）を用いて行なわれるが、応答速度
が遅い、戻り光の影響で正確な出射パワーが測定できな
い等により消去用レーザビームの制御はかなり困難であ
る。一方、データを高速で転送するためには、ディスク
を高速で回転させる必要があるが、この場合には上述の
課題が更に重大になる。
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、消去用レーザビームとして時間幅の短い、繰り
返し周波数の高いパルス発振を記録膜に照射することが
困難で、パルス発振の立ち上がり、立ち下がりにおける
時間遅れやオーバーシュートが発生しやすいため、消し
残りやジッタの発生などによる信号劣化が起こり易いと
いう課題を有する。また、一般に半導体レーザ（以下Ｌ
Ｄと記す）の出射パワー制御はＬＤ内蔵のホトダイオー
ド（以下ＰＤと記す）を用いて行なわれるが、応答速度
が遅い、戻り光の影響で正確な出射パワーが測定できな
い等により消去用レーザビームの制御はかなり困難であ
る。一方、データを高速で転送するためには、ディスク
を高速で回転させる必要があるが、この場合には上述の
課題が更に重大になる。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離しＬＤ
を固定部に設置し、更にＬＤから出射されるレーザビー
ムの光量を固定部に設置された応答速度の速い外部ＰＤ
で常にモニタすることにより、所望の正確な消去用のパ
ルス発振を容易にし、直接オーバーライト可能な高転送
レートの光磁気メモリ装置を提供するところにある。
目的とするところは、光学ヘッドの光学系を分離しＬＤ
を固定部に設置し、更にＬＤから出射されるレーザビー
ムの光量を固定部に設置された応答速度の速い外部ＰＤ
で常にモニタすることにより、所望の正確な消去用のパ
ルス発振を容易にし、直接オーバーライト可能な高転送
レートの光磁気メモリ装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光磁気メモリ装置は、記録時と消去時にバイア
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの変調のみにより直接オーバーライトを行なう光
磁気メモリ装置において、シャーシベースに固定されて
、ＬＤの出射ビームを平行ビームに整形する光学系、光
磁気ディスクから反射されたレーザビームより光磁気信
号とサーボ信号等を検出する光学系及び前記半導体レー
ザの出射ビームパワーをモニタする光学系からなる固定
光学系と、前記光磁気ディスクの内周から外周にわたっ
て移動するアクセス手段に搭載されて、前記固定光学系
から出射されたレーザビームを前記光磁気ディスクの記
録膜上べ集光させる対物レンズ等の移動光学系から構成
される光学ヘッドを備えたことを特徴とする。
ス磁界の方向ならびに大きさを変えることなく、レーザ
ビームの変調のみにより直接オーバーライトを行なう光
磁気メモリ装置において、シャーシベースに固定されて
、ＬＤの出射ビームを平行ビームに整形する光学系、光
磁気ディスクから反射されたレーザビームより光磁気信
号とサーボ信号等を検出する光学系及び前記半導体レー
ザの出射ビームパワーをモニタする光学系からなる固定
光学系と、前記光磁気ディスクの内周から外周にわたっ
て移動するアクセス手段に搭載されて、前記固定光学系
から出射されたレーザビームを前記光磁気ディスクの記
録膜上べ集光させる対物レンズ等の移動光学系から構成
される光学ヘッドを備えたことを特徴とする。
［作用］
本発明の上記の構成によれば、ＬＤ駆動回路のドライブ
段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続でき、またＬＤ
出射パワーが正確にモニタできるため、立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
レーザ発振が容易に得られ、情報の消去を正確に行なう
ことが可能となる。
段出力とＬＤを配線を介さずに直接接続でき、またＬＤ
出射パワーが正確にモニタできるため、立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
レーザ発振が容易に得られ、情報の消去を正確に行なう
ことが可能となる。
［実施例］
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
’ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
’ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図である。
１が固定光学系である。第２図に固定光学系における光
学素子の構成図を示す。シャーシベース２に取り付けら
れているＬＤ３はＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に
直接接続され、レーザ変調信号に従って立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
高速なパルス変調も容易に得ることができる。ＬＤから
出射されたレーザビームは、コリメートレンズ４、整形
プリズム５、ビームスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を
通過する。ＢＳ６から第２図において左に反射されたレ
ーザビームを外部モニタ用ＰＤ３６で受光することによ
りＬＤ出射パワーを測定する。
学素子の構成図を示す。シャーシベース２に取り付けら
れているＬＤ３はＬＤ駆動回路３４のドライブ段３５に
直接接続され、レーザ変調信号に従って立ち上がり時間
及び立ち下がり時間が短く、オーバーシュートの少ない
高速なパルス変調も容易に得ることができる。ＬＤから
出射されたレーザビームは、コリメートレンズ４、整形
プリズム５、ビームスプリッタ（以下ＢＳと記す）６を
通過する。ＢＳ６から第２図において左に反射されたレ
ーザビームを外部モニタ用ＰＤ３６で受光することによ
りＬＤ出射パワーを測定する。
ＰＤ３６は応答性の優れたものを用い、その出力をＬＤ
駆動回路の自動パワー制御に用いることにより後述の消
去用の高速パルス変調も精度良く行なうことができる。
駆動回路の自動パワー制御に用いることにより後述の消
去用の高速パルス変調も精度良く行なうことができる。
また、ガルバノミラ−（以下ＧＭと記す）７へ入射した
レーザビームは光路を曲げられ固定光学系より出射され
る。固定光学系より出射されたレーザビームは移動光学
系８のミラー９で光路変換された後、対物レンズ１０を
通って光磁気ディスク１１の記録膜１２上に集光されビ
ームスポットを形成する。移動光学系は、磁石とヨーク
からなる磁気回路１３とコイル（図示せず）とによって
構成されているいわゆるボイスコイルモータ（以下ＶＣ
Ｍと記す）に搭載され、ガイドレール１４．１５上を矢
印Ｂのように光磁気ディスク記録領域の最内周１６から
最外周１７の間で移動することができる。光磁気ディス
クから反射され情報を含んだレーザビームは対物レンズ
、ミラー ＧＭを経てＢＳ６で光路を曲げられＢ５１８
を通り一方は偏光ビームスプリッタ１９で分けられレン
ズ２０．２１によりＰＤ２２．２３上に集光され電気信
号に変換される。この二つの出力を差動増幅器２４で差
をとることにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に
入力される。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザ
ビームはＢ５２６を通過しレンズ２７、円筒レンズ２８
によりＰＤ２９上に集光され電気信号に変換される。こ
のＰＤ比出力フォーカシングサーボ回路３０で処理し、
レンズフォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記
す）３１を駆動する。そして、Ｂ５２６で分けられたも
う一方のレーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され
、トラッキングサーボ回路３３で処理されＧＭ、ＶＣＭ
を駆動する。
レーザビームは光路を曲げられ固定光学系より出射され
る。固定光学系より出射されたレーザビームは移動光学
系８のミラー９で光路変換された後、対物レンズ１０を
通って光磁気ディスク１１の記録膜１２上に集光されビ
ームスポットを形成する。移動光学系は、磁石とヨーク
からなる磁気回路１３とコイル（図示せず）とによって
構成されているいわゆるボイスコイルモータ（以下ＶＣ
Ｍと記す）に搭載され、ガイドレール１４．１５上を矢
印Ｂのように光磁気ディスク記録領域の最内周１６から
最外周１７の間で移動することができる。光磁気ディス
クから反射され情報を含んだレーザビームは対物レンズ
、ミラー ＧＭを経てＢＳ６で光路を曲げられＢ５１８
を通り一方は偏光ビームスプリッタ１９で分けられレン
ズ２０．２１によりＰＤ２２．２３上に集光され電気信
号に変換される。この二つの出力を差動増幅器２４で差
をとることにより光磁気信号が得られ信号処理系２５に
入力される。また、Ｂ５１８を通ったもう一方のレーザ
ビームはＢ５２６を通過しレンズ２７、円筒レンズ２８
によりＰＤ２９上に集光され電気信号に変換される。こ
のＰＤ比出力フォーカシングサーボ回路３０で処理し、
レンズフォーカシングアクチュエータ（以下ＬＦＡと記
す）３１を駆動する。そして、Ｂ５２６で分けられたも
う一方のレーザビームはＰＤ３２で電気信号に変換され
、トラッキングサーボ回路３３で処理されＧＭ、ＶＣＭ
を駆動する。
次に、トラッキング及びフォーカシングの機構を説明す
る。まずＧＭは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能と
なっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少に
振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビームの
光軸を傾はビームスポットを動かし、 トラッキングを
行なう。一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載されたＬ
ＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位さ
せて行なう。
る。まずＧＭは、矢印Ｃのように軸の回りに回転可能と
なっている。ミラー面に入射したレーザビームを微少に
振ることにより対物レンズへ入射させるレーザビームの
光軸を傾はビームスポットを動かし、 トラッキングを
行なう。一方、フォーカシングはＶＣＭに搭載されたＬ
ＦＡにより対物レンズを第１図の矢印りのように変位さ
せて行なう。
この光磁気メモリ装置を用いて光変調法による直接オー
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、ＡＩ反射膜３
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを２０ｋＯｅの直流磁場で初期化して
用いた。
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、ＡＩ反射膜３
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを２０ｋＯｅの直流磁場で初期化して
用いた。
まずはじめに固定永久磁石によるバイアス磁場２０００
ｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．７Ｍ
Ｈｚ、記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍ
Ｗで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を行なった
。差動増幅器の出力再生信号をスペクトラムアナライザ
を用いて搬送波対雑音比（ＣＮＲ）を分解能バンド幅３
０ｋＨｚで測定したところ５５．４ｄＢを得た。引き続
いて、この３．７ＭＨｚの信号が記録された光磁気ディ
スクに回転数３６ Ｑ Ｏｒ ｐ ｍ、 バイアス磁
場２０００ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高
さ６ｍＷ、繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録
パルスの間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５
０ＭＨｚの消去パルスがくるように変調したレーザビー
ムを半径６０ｍｍの位置に照射した。スペクトラムアナ
ライザで再生信号を測定したところ、３．７ＭＨｚの成
分はノイズレベルで、５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲ
は５３．７ｄＢであった。更にパルス幅１３１ｎｓ、
パルス高さ６ｍ Ｗ、 繰り返し周波数３．７ Ｍ
ＨＺの記録パルスと記録パルスの間にパルス幅２０ｎｓ
、パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨｚの消去パルスがくるよ
うに変調したレーザビームを半径６０ｍｍの位置に照射
し３．７ＭＨｚの直接オーバーライトを行なったところ
、同じく良好な情報の書換えができた。
ｅ、回転数３６０Ｏｒｐｍ、レーザ変調周波数３．７Ｍ
Ｈｚ、記録レーザパワー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍ
Ｗで半径６０ｍｍの位置に信号の記録・再生を行なった
。差動増幅器の出力再生信号をスペクトラムアナライザ
を用いて搬送波対雑音比（ＣＮＲ）を分解能バンド幅３
０ｋＨｚで測定したところ５５．４ｄＢを得た。引き続
いて、この３．７ＭＨｚの信号が記録された光磁気ディ
スクに回転数３６ Ｑ Ｏｒ ｐ ｍ、 バイアス磁
場２０００ｅの条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高
さ６ｍＷ、繰り返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録
パルスの間にパルス幅２０ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、５
０ＭＨｚの消去パルスがくるように変調したレーザビー
ムを半径６０ｍｍの位置に照射した。スペクトラムアナ
ライザで再生信号を測定したところ、３．７ＭＨｚの成
分はノイズレベルで、５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲ
は５３．７ｄＢであった。更にパルス幅１３１ｎｓ、
パルス高さ６ｍ Ｗ、 繰り返し周波数３．７ Ｍ
ＨＺの記録パルスと記録パルスの間にパルス幅２０ｎｓ
、パルス高さ８ｍＷ、５０ＭＨｚの消去パルスがくるよ
うに変調したレーザビームを半径６０ｍｍの位置に照射
し３．７ＭＨｚの直接オーバーライトを行なったところ
、同じく良好な情報の書換えができた。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、光磁気メモリ装置の
光学ヘッドの光学系を分離しＬＤを固定部に設置し、ま
たＬＤから出射されるレーザビームの光量を固定部に設
置された応答速度の速い外部ＰＤで常にモニタすること
により、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし、
直接オーバーライト、高転送レートを実現するという効
果を有する。本発明の光磁気メモリ装置は、コンピュー
タメモリ、光デイスクファイルなどに応用することが可
能で装置の高性能化などの多大な効果を有するものであ
る。
光学ヘッドの光学系を分離しＬＤを固定部に設置し、ま
たＬＤから出射されるレーザビームの光量を固定部に設
置された応答速度の速い外部ＰＤで常にモニタすること
により、所望の正確な消去用のパルス発振を容易にし、
直接オーバーライト、高転送レートを実現するという効
果を有する。本発明の光磁気メモリ装置は、コンピュー
タメモリ、光デイスクファイルなどに応用することが可
能で装置の高性能化などの多大な効果を有するものであ
る。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 １ ・ ・ ・ ・ ２ ・ ・ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ・ ・ ６．１８．２６ ・ ７ ・ ・ ・ ・ ・ ８ ・ ９ ・ ・ １０ ・ ・ ・ ・ １１ ・ ・ ・ １２ ・ ・ ・ １３ ・ １４．１５ １６ ・ ・ ・ ・ １７ ・ ・ ・ ・ １９ ・ ・固定光学系 ・シャーシベース ・ＬＤ ・コリメートレンズ ・整形プリズム ・ＢＳ ・ＧＭ ・移動光学系 °ミツ− ・対物レンズ ・光磁気ディスク ・記録膜 ・磁気回路 ・ガイドレール ・記録領域最内周 ・記録領域最外周 ・偏光ビームスプリッタ ２０．２１．２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２ ・ ・ ・ ＰＤ２８・・
・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・外部モニタ用ＰＤ ３７・・・・・・・ＧＭ ３８・・・・・・・ＬＦＡ ３９・・・・・・・ＶＣＭ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 何１名
光学ヘッド部の主要構成図で、 （ａ）は平面図、 （
ｂ）は（ａ）のＡＡ’断面図。 第２図は固定光学系における光学素子の構成図。 １ ・ ・ ・ ・ ２ ・ ・ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ・ ・ ６．１８．２６ ・ ７ ・ ・ ・ ・ ・ ８ ・ ９ ・ ・ １０ ・ ・ ・ ・ １１ ・ ・ ・ １２ ・ ・ ・ １３ ・ １４．１５ １６ ・ ・ ・ ・ １７ ・ ・ ・ ・ １９ ・ ・固定光学系 ・シャーシベース ・ＬＤ ・コリメートレンズ ・整形プリズム ・ＢＳ ・ＧＭ ・移動光学系 °ミツ− ・対物レンズ ・光磁気ディスク ・記録膜 ・磁気回路 ・ガイドレール ・記録領域最内周 ・記録領域最外周 ・偏光ビームスプリッタ ２０．２１．２７・・レンズ ２２．２３，２９．３２ ・ ・ ・ ＰＤ２８・・
・・・・・円筒レンズ ３１・・・・・・・ＬＦＡ ３４・・・・・・・ＬＤ駆動回路 ３５・・・・・・・ドライブ段 ３６・・・・・・・外部モニタ用ＰＤ ３７・・・・・・・ＧＭ ３８・・・・・・・ＬＦＡ ３９・・・・・・・ＶＣＭ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部 何１名
Claims (1)
- （１）記録時と消去時にバイアス磁界の方向ならびに大
きさを変えることなく、レーザビームの変調のみにより
直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置において
、 シャーシベースに固定されて、半導体レーザの出射ビー
ムを平行ビームに整形する光学系、光磁気ディスクから
反射されたレーザビームより光磁気信号とサーボ信号等
を検出する光学系及び前記半導体レーザの出射ビームパ
ワーをモニタする光学系からなる固定光学系と、前記光
磁気ディスクの内周から外周にわたって移動するアクセ
ス手段に搭載されて、前記固定光学系から出射されたレ
ーザビームを前記光磁気ディスクの記録膜上へ集光させ
る対物レンズ等の移動光学系から構成される光学ヘッド
を備えたことを特徴とする光磁気メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741689A JPH02265062A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光磁気メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741689A JPH02265062A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光磁気メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265062A true JPH02265062A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13914273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8741689A Pending JPH02265062A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光磁気メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265062A (ja) |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8741689A patent/JPH02265062A/ja active Pending
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