JPH02308456A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents
光磁気メモリ装置Info
- Publication number
- JPH02308456A JPH02308456A JP12810689A JP12810689A JPH02308456A JP H02308456 A JPH02308456 A JP H02308456A JP 12810689 A JP12810689 A JP 12810689A JP 12810689 A JP12810689 A JP 12810689A JP H02308456 A JPH02308456 A JP H02308456A
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- Japan
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- objective lens
- magneto
- magnetic field
- movable magnet
- coil
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザビームの変調のみにより（光変調法に
よる）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置に
関する。
よる）直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置に
関する。
［従来の技術］
光磁気メモリ装置は、現在のディスクメモリ装置の代表
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、５２ 、１５３７ （１９８８）、等に示されて
いる光変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパ
ルス高さを情報の記録時と消去時で変えることによって
、バイアス磁界の向きを変えることなく直接オーバーラ
イトを実現することができる。
的なものである固定磁気ディスクメモリ装置に比べて容
量やディスクの可換性で優れているが、アクセスが遅い
、直接オーバーライトができないなどの欠点がある。そ
こで従来いくつかの直接オーバーライト方式が提案され
ている。その中で例えば、Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、５２ 、１５３７ （１９８８）、等に示されて
いる光変調法によれば、レーザビームのパルス幅及びパ
ルス高さを情報の記録時と消去時で変えることによって
、バイアス磁界の向きを変えることなく直接オーバーラ
イトを実現することができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では記録膜に急峻な温度勾配を
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、光磁気ディスクの面振れのためレーザビームス
ポット位置での磁界の強さが変化し、収縮後の磁区の大
きさが一定にならす消し残りが発生する。このためピッ
トエラーレートやジッターが増大するという課題を有す
る。
形成することにより磁区を収縮させて消去を行なうので
あるが、光磁気ディスクの面振れのためレーザビームス
ポット位置での磁界の強さが変化し、収縮後の磁区の大
きさが一定にならす消し残りが発生する。このためピッ
トエラーレートやジッターが増大するという課題を有す
る。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、光磁気ディスクの面振れに追従し
て駆動されている対物レンズの移動量を測定し、レーザ
ビームスポット位置のバイアス磁界強度を一定に制御す
ることにより、直接オーバーライト可能な高転送レート
の光磁気メモリ装置を提供するところにある。
目的とするところは、光磁気ディスクの面振れに追従し
て駆動されている対物レンズの移動量を測定し、レーザ
ビームスポット位置のバイアス磁界強度を一定に制御す
ることにより、直接オーバーライト可能な高転送レート
の光磁気メモリ装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光磁気メモリ装置は、記録時と消去時にバイア
ス磁界の方向を変えることなく、レーザビームの変調の
みにより直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置
において、 対物レンズに固定された円筒形の可動磁石、前記可動磁
石の周りに一定距離離れ固定設置されたコイルとヨーク
、及び前記対物レンズの移動量を測定する手段を有する
光学ヘッドを具備したことを特徴とする。
ス磁界の方向を変えることなく、レーザビームの変調の
みにより直接オーバーライトを行なう光磁気メモリ装置
において、 対物レンズに固定された円筒形の可動磁石、前記可動磁
石の周りに一定距離離れ固定設置されたコイルとヨーク
、及び前記対物レンズの移動量を測定する手段を有する
光学ヘッドを具備したことを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば、レーザビームスポット位
置において常に一定な強度のバイアス磁界が得られ、情
報の消去を正確に行なうことが可能となる。
置において常に一定な強度のバイアス磁界が得られ、情
報の消去を正確に行なうことが可能となる。
［実施例］
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
レンズフォーカシングアクチュエータ部の主要構成図で
ある。円筒形の磁石１はリング状の補助磁極２．３及び
対物レンズ４に接合されている。補助磁極はプラスチッ
クスリーブ５によって軸方向に直線運動するように支持
されている。プラスチックスリーブの外側には、コイル
６．７が配され、ヨーク８によって磁気回路を構成して
いる。
レンズフォーカシングアクチュエータ部の主要構成図で
ある。円筒形の磁石１はリング状の補助磁極２．３及び
対物レンズ４に接合されている。補助磁極はプラスチッ
クスリーブ５によって軸方向に直線運動するように支持
されている。プラスチックスリーブの外側には、コイル
６．７が配され、ヨーク８によって磁気回路を構成して
いる。
可動磁石は軸方向に着磁されており、このような磁石と
ヨークの構成により磁石は安定位置で中立保持され、可
動部の支持バネが不要となっている。
ヨークの構成により磁石は安定位置で中立保持され、可
動部の支持バネが不要となっている。
二つのコイルに各々逆向きの電流を流すことによって可
動磁石が中立点を中心に上下に動く構造になっている。
動磁石が中立点を中心に上下に動く構造になっている。
従って、コイルにフォーカス制御電流を流すことにより
、対物レンズを光磁気ディスクの面振れに追従させるこ
とができる。また、対物レンズの移動量は固定部に設置
されたホール素子９によって、可動磁石より発せられる
磁界の強度を測定して求めた。可動磁石とホール素子の
距離の変動に比例してホール素子位置での磁界強度も変
化する。これによって、間接的に光磁気ディスクの面振
れ量を観測でき、バイアス磁界印加用のコイル電流を制
御することにより記録膜上での印加磁界が一定に保たれ
た。本発明は可動磁石型のアクチュエータであるため対
物レンズの移動量測定が非常に小型で容易な手段によっ
て実現できた。
、対物レンズを光磁気ディスクの面振れに追従させるこ
とができる。また、対物レンズの移動量は固定部に設置
されたホール素子９によって、可動磁石より発せられる
磁界の強度を測定して求めた。可動磁石とホール素子の
距離の変動に比例してホール素子位置での磁界強度も変
化する。これによって、間接的に光磁気ディスクの面振
れ量を観測でき、バイアス磁界印加用のコイル電流を制
御することにより記録膜上での印加磁界が一定に保たれ
た。本発明は可動磁石型のアクチュエータであるため対
物レンズの移動量測定が非常に小型で容易な手段によっ
て実現できた。
この光磁気メモリ装置を用いて光変調法による直接オー
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜５
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを直流磁界中で初期化して用いた。
バーライトを試みた。本実施例で用いた光磁気ディスク
は、連続溝付きの５．２５インチ径のポリカーボネイト
ディスク基板上に、ＳｉＮの保護膜６０ｎｍ、ＴｂＦｅ
の補償組成付近の光磁気記録膜４０ｎｍ、Ａ１反射膜５
０ｎｍ、ＳｉＮの保護膜４０ｎｍをスパッタ法で成膜し
、更に紫外線硬化樹脂で溝のないポリカーボネイト基板
と貼合わせたものを直流磁界中で初期化して用いた。
はじめにバイアス磁界が記録膜上で１０００ｅになるよ
うにコイル電流を制御しながら、回転数３６０Ｏｒｐｍ
、 レーザ変調周波数３．７ＭＨｚ、記録レーザパワ
ー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍＷの条件で半径６０ｍ
ｍの位置に信号の記録・再生を行なった。差動増幅器の
出力再生信号の搬送波対雑音比（ＣＮＲ）をスペクトラ
ムアナライザを用いて、分解能バンド幅３０ｋＨｚで測
定したところ５７．３ｄＢを得た。引き続いてこの３．
７ＭＨｚの信号が記録された“光磁気ディスクに回転数
３６０Ｏｒｐｍ、記録膜上バイアス磁界１０００ｅの同
条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、繰り
返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録パルスの間にパ
ルス幅６ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、７５ＭＨｚの消去パ
ルスがくるように変調したレーザビームを半径６０ｍｍ
の位置に照射した。再生信号をスペクトラムアナライザ
で測定したところ３．７ＭＨｚの成分はノイズレベルで
５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲは５５．７ｄＢであっ
た。更に、パルス幅１３１ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、繰
り返し周波数３．７ ＭＨｚの記録パルスと記録パルス
の間にパルス幅６ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、７５ＭＨｚ
の消去パルスがくるように変調したレーザビームを半径
６０ｍｍの位置に照射し３．７ＭＨｚの直接オーバーラ
イトを行なったところ、同じく良好な情報の書換えがで
きた。比較例としてバイアス磁界印加用コイルの電流を
一定にしたまま同様のオーバーライトを試みた。３．７
ＭＨｚの信号が記録されているものへ５ＭＨｚの信号を
直接オーバーライトした。再生信号のスペクトル測定で
は３．７ＭＨ２の信号の消し残りが存在し、また５ＭＨ
ｚのＣＮＲも４７．３ｄＢと低いものであった。以上の
ように対物レンズの移動量を基にバイアス磁界を制御し
、記録膜に一定強度の磁界を印加することにより良好な
直接オーバーライト特性が得られた。
うにコイル電流を制御しながら、回転数３６０Ｏｒｐｍ
、 レーザ変調周波数３．７ＭＨｚ、記録レーザパワ
ー６ｍＷ、再生レーザパワー１ｍＷの条件で半径６０ｍ
ｍの位置に信号の記録・再生を行なった。差動増幅器の
出力再生信号の搬送波対雑音比（ＣＮＲ）をスペクトラ
ムアナライザを用いて、分解能バンド幅３０ｋＨｚで測
定したところ５７．３ｄＢを得た。引き続いてこの３．
７ＭＨｚの信号が記録された“光磁気ディスクに回転数
３６０Ｏｒｐｍ、記録膜上バイアス磁界１０００ｅの同
条件下でパルス幅１００ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、繰り
返し周波数５ＭＨｚの記録パルスと記録パルスの間にパ
ルス幅６ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、７５ＭＨｚの消去パ
ルスがくるように変調したレーザビームを半径６０ｍｍ
の位置に照射した。再生信号をスペクトラムアナライザ
で測定したところ３．７ＭＨｚの成分はノイズレベルで
５ＭＨｚにピークが見られＣＮＲは５５．７ｄＢであっ
た。更に、パルス幅１３１ｎｓ、パルス高さ６ｍＷ、繰
り返し周波数３．７ ＭＨｚの記録パルスと記録パルス
の間にパルス幅６ｎｓ、パルス高さ８ｍＷ、７５ＭＨｚ
の消去パルスがくるように変調したレーザビームを半径
６０ｍｍの位置に照射し３．７ＭＨｚの直接オーバーラ
イトを行なったところ、同じく良好な情報の書換えがで
きた。比較例としてバイアス磁界印加用コイルの電流を
一定にしたまま同様のオーバーライトを試みた。３．７
ＭＨｚの信号が記録されているものへ５ＭＨｚの信号を
直接オーバーライトした。再生信号のスペクトル測定で
は３．７ＭＨ２の信号の消し残りが存在し、また５ＭＨ
ｚのＣＮＲも４７．３ｄＢと低いものであった。以上の
ように対物レンズの移動量を基にバイアス磁界を制御し
、記録膜に一定強度の磁界を印加することにより良好な
直接オーバーライト特性が得られた。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、レンズフォーカシン
グアクチュエータを磁石可動型として、光磁気ディスク
の面振れに追従して駆動される対物レンズの移動量を小
型・容易な手段で測定し、バイアス磁界を制御すること
により、レーザビームスポット位置のバイアス磁界強度
を一定にすることができ、直接オーバーライト、高転送
レートを実現するという効果を有する。本発明の光磁気
メモリ装置は、コンピュータメモリ、光デイスクファイ
ルなどに応用することが可能で装置の高性能化などの多
大な効果を有するものである。
グアクチュエータを磁石可動型として、光磁気ディスク
の面振れに追従して駆動される対物レンズの移動量を小
型・容易な手段で測定し、バイアス磁界を制御すること
により、レーザビームスポット位置のバイアス磁界強度
を一定にすることができ、直接オーバーライト、高転送
レートを実現するという効果を有する。本発明の光磁気
メモリ装置は、コンピュータメモリ、光デイスクファイ
ルなどに応用することが可能で装置の高性能化などの多
大な効果を有するものである。
第１図は本発明の光磁気メモリ装置の一実施例における
レンズフォーカシングアクチュエータ部の主要構成図。 １・・・・・可動磁石 ２．３・・・・補助磁極 ４・・・・・対物レンズ ６．７・・・・コイル ８・・・・・ヨーク ９・・・・・ホール素子 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 銘木喜三部 化１名 ２ 第１図
レンズフォーカシングアクチュエータ部の主要構成図。 １・・・・・可動磁石 ２．３・・・・補助磁極 ４・・・・・対物レンズ ６．７・・・・コイル ８・・・・・ヨーク ９・・・・・ホール素子 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 銘木喜三部 化１名 ２ 第１図
Claims (1)
- （１）記録時と消去時にバイアス磁界の方向を変えるこ
となく、レーザビームの変調のみにより直接オーバーラ
イトを行なう光磁気メモリ装置において、 対物レンズに固定された円筒形の可動磁石、前記可動磁
石の周りに一定距離離れ固定設置されたコイルとヨーク
、及び前記対物レンズの移動量を測定する手段を有する
光学ヘッドを具備したことを特徴とする光磁気メモリ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12810689A JPH02308456A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光磁気メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12810689A JPH02308456A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光磁気メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308456A true JPH02308456A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14976540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12810689A Pending JPH02308456A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光磁気メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308456A (ja) |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12810689A patent/JPH02308456A/ja active Pending
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