JPH02290031A - 樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲートの除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は樹脂封止後の余剰樹脂であるカル及びゲートを
除去するための樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲ
ートの除去方法に関する。

［従来の技術コ 第６図（ａ）及び（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体集積
回路のカル及びゲートの除去方法を工程順に示す断面図
である。

先ず、第６図（ａ）に示すように、樹脂封止されたリー
ドフレーム５ｂをカル●ゲート除去装置に取り付けるが
、このときリードフレーム５ｂにはマルチプランジャ一
方式により半導体チップが樹脂封止された複数個のパッ
ケージ６が搭載されている。そして、第７図に示すよう
にパッケージ６の端部にはゲート４ｂが接続されている
。また、２本のリードフレーム５ｂが同時に樹脂封止さ
れるため、この２本のリードフレーム５ｂは樹脂封止時
に形成される余剰樹脂であるゲート４ｂ及びカル３を介
して相互に接続されている。

一方、カル●ゲート除去装置は樹脂封止後のリードフレ
ーム５ｂをカル３部で支持するための上カル押さえブロ
ック３１、下ゲート挾持ブロック３２及びカル支持棒３
６等と、リードフレーム５ｂを挾持するための上りード
フレームクランパー３４及び下りードフレームクランパ
−３５等により構成されている、この上カル押さえブロ
ック３工及び下ゲート挾持ブロック３２は駆動装置（図
享せず）により個別的に上下方向に移動できるようにな
っている。また、上りードフレームクランパー３４も上
下に移動できるようになっており、更に、上りードフレ
ームクランパー３４及び下りードフレームクランパ−３
５は回転軸３３を中心軸として所定の角度範囲を回転で
きるようになっている。

上述の如く構成されたカル●ゲート除去装置においては
、先ず、下りードフレームクランパ−３５上にリードフ
レーム５ｂを載置した後、上りードフレームクランパ−
３４を下降させて、この上リードフレームクランパー３
４と下リードフレームクランパー３５との間でリードフ
レーム５ｂを挾持する。その後、上カル押さえブロック
３１をカル３の上面に接触する位置まで下降させる。そ
して、下ゲート挾持ブロック３２を上昇させて、上カル
押さえブロック３１とカル支持棒３６との間でカル３を
挾持する。この場合、カル支持棒３６の下方にはスプリ
ング３７が配設されているため、複数個のカル３に夫々
厚さのバラッキがあっても、各カル３を適度の圧力で挾
持することができる。

次いで、第６図（ｂ）に示すように、上りードフレーム
クランパー３４と下リードフレームクランパ−３５との
間でリードフレーム５ａを挾持シたまま、回転軸３３を
中心軸として上リードフレームクランパー３４及び下り
ードフレームクランパ−３５を上方に約１５°回転させ
る。このとき、パッケージ６と接続しているゲート４ｂ
は、その細い部分に応力が集中してクラックが発生し、
続いてリードフレーム５ｂから引き剥がされるようして
切断される。

その後、上りードフレームクランパ−３４及び下リード
フレームクランパ−３５を水平位置に戻し、上リードフ
レームクランパ−３４及び上カル押さえブロック３１を
上昇させる。また、下ゲート挾持ブロック３２を下降さ
せて半導体集積回路を取り出す。

従来、このようにしてリードフレームに接続しているカ
ル及びゲートを切断除去している。

［発明が解決しようとする課題コ しかしながら、近時、樹脂封止型半導体集積回路は、高
密度実装の要求に伴って、半導体チップの寸法に比較し
てパッケージをより一層小型化することが促進されてい
る。このため、半導体集積回路のパッケージ幅は狭く、
厚さは薄くなる傾向があり、半導体チップを被覆する樹
脂の量は少なくなっている。

また、耐湿性の劣化を防止して半導体集積回路の信顆性
及び特性を長期に亘って維持するために、樹脂にも改良
がなされている。つまり、リードフレームとの密着性が
高い樹脂により半導体チップを封止することにより、吊
りリード及びリードとパッケージとの間からの水分の侵
入を抑制している。この樹脂の改良の結果、樹脂封止後
から樹脂が硬化するまでの時間が改良以前の樹脂に比し
て長くなっている。

このように，パッケージの小型化が促進され、また、改
良された樹脂により封止された半導体集積回路のカル及
びゲートを除去する場合、例えば、リードフレームの幅
が大きく、パッケージの長さが短い半導体集積回路にお
いては、常にゲート先端の最も細い部分にクラックが発
生するとは限らず、パッケージから離れたゲート部分に
クラックが発生することがある。これは、このような半
導体集積回路はゲートの長さが長いと共に、ゲートとリ
ードフレームとの接着面積が太く、ゲートとリードフレ
ームとの間の接着強度が高いためである。

ゲートがパッケージとの接続部で切断できない場合、パ
ッケージ側のゲートはゲートバリとしてパッケージに付
着したままの状態きなる。そうすると、自動封入機の収
納部の搬送系が詰まりを起こす原因となり、装置の稼働
率が低下する。また、後工程のリード成型工程において
、リード成型装置の搬送系の詰まりの原因となり、この
リード成型装置の稼働率が低下することもある。更に、
リード成形時にゲートバリの一部がリードに付着して樹
脂打痕が発生し、製品歩留りの低下を招来する。

このような欠点を回避するために、パッケージと接続し
ているゲートの先端部以外の部分を太くして補強する方
法もあるが、この場合、樹脂の使用効率が低下するとい
う新たな問題点が発生する。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
ゲートとパッケージとを接続部から確実に分離すること
ができる樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲートの
除去方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段コ 本発明にかかる樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲ
ートの除去方法は、パッケージとカル及びゲートとが接
続されている樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲー
トの除去方法において、前記樹脂封止型半導体集積回路
のリードフレームを上リードフレームクランパー及び下
りードフレームクランパーにより挾持する工程と、前記
リードフレームの所定領域に設けられた開口部又は切り
欠き部において前記ゲートを上ゲート挾持ブロック及び
下ゲート挾持ブロックにより挾持する工程と、前記上リ
ードフレームクランパー及び下リードフレームクランパ
ーを一軸を中心軸として回転させて前記パッケージとゲ
ートとを切断することを特徴とする。

［作用］ 本発明においては、リードフレームの所定領域に開口部
又は切り欠き部が設けられており、ゲートはこの開口部
又は切り欠き部において上ゲート挾持ブロック及び下ゲ
ート挾持ブロックにより挾持される。次に、リードフレ
ームを挾持している上リードフレームクランパー及び下
リードフレームクランパーを一軸を中心軸として回転さ
せる。

このように、リードフレームの所定領域に開口部が設け
られていることにより、リードフレームとゲートとの接
着面積が小さく、従って接着強度が低い。また、ゲート
を直接挾持しているため、リードフレームを回転させた
ときに発生する曲げ応力はゲートの先端部に集中する。

これにより、クラックの発生する部分がゲート先端部に
限定されるため、常にこのゲート先端部においてゲート
とパッケージとを切断できる。従って、ゲートバリの発
生が防止される。

［実施例コ 次に、本発明の実施例について説明する。

第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を工程
順に示す断面図である。

第１図（ａ）に示すように、本実施例において使用する
カル●ゲート除去装置の上ゲート挾持ブロック１１はカ
ル３の上面に接触すると共に、縁部に下向きに設けられ
た凸部によりゲート４の先端部の上面と接触するように
なっている。下ゲート挾持ブロック１２はその中心部に
カル支持棒１６及びスプリング１７が設けられており、
このカル支持棒１８が上ゲート挾持ブロック１１と対に
なってカル３を挾持する。また、この下ゲート挾持ブロ
ックは、その上総部にゲート４の下面と同一の角度の傾
斜平面を有しており、上ゲート挾持ブロック１１の前記
凸部と共にゲート３を上下から挾持するようになってい
る。この上ゲート挾持ブロック１１及び下ゲート挾持ブ
ロック１２は駆動装置（図示せず）により夫々個別に上
下に移動する。

上りードフレームクランパ−１４及び下リードフレーム
クランパー１５は従来と同様の構造であり、両者の間で
リードフレーム５を挾持する。

第２図は、このカル番ゲート除去装置の平面図である。

第１図（ａ）に示した機能部はこの第２図のＩ−Ｉ線に
よる断面図である。この装置には第１図（ａ）に示す機
能部が複数組設けられている。

一方、リードフレーム５は、第３図に示すように、パッ
ケージ６とゲート４との接続部の近傍に切り欠き部７が
設けられており、ゲート４の上面が露出している。この
切り欠き部７において、前一９ー ー１０一 述の如く、上ゲート挾持ブロック１１はゲート３と接触
する。

本実施例においては、先ず、第１図（ａ）に示すように
、樹脂封止されたリードフレーム５を下リードフレーム
クランパー１５上に載置する。そして、上りードフレー
ムクランパ−１４を下降させて、リードフレーム５を上
リードフレームクラ７パ−１４（！：下リードフレーム
クランパ−１５との間で挾持する。

次に、上ゲート挟持ブロック１１を下降させて、カル３
の」二面及びリードフレーム５の切り欠き部７において
露出しているゲート４の上面と接触させる。そして、下
ゲート挾持ブロック１２を、その上部の傾斜平面がゲー
ト４の下面に接触する位置まで上昇させる。これにより
、カル３は上ゲート挟持ブロック１１とカル支持棒１６
との間に挾持されて固定される。この場合、カル支持棒
１６はスプリング１７により支持されているため、カル
３の厚さのバラツキに影響されず、一定の圧力でカル３
を挾持する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、リードフレーム５を
挾持したまま、回転軸１３を中心軸として、上リードフ
レームクランパー１４及び下りードフレームクランパ−
１５を上方に約１５°回転させる。

この場合、リードフレーム５に切り欠き部７が設けられ
ており、リードフレーム５に対するゲート４の接着強度
が低いため、また、ゲート４の先端部を上ゲート挾持ブ
ロック１１及び下ゲート挾持ブロック１２により挾持し
ているため、パッケージ６とゲート４との接続部に曲げ
応力が集中する。そして、この接続部にクラックが発生
してゲート４とパッケージ６とが切断される。このよう
にして、リードフレーム５からゲート４を容易に分離す
ることができる。

次いで、上リードフレームクランパ−１４及び下リード
フレームクランパー１５を水平位置に戻し、上リードフ
レームクランパー１４及び上ゲート挟持ブロック１１を
上昇させる。そして、下ゲート挾持ブロック１２を下降
させた後、半導体集積回路を取り出す。下ゲート挾持ブ
ロック１５に残留したカル３及びゲート４はエアーブロ
ー等により除去する。

本実施例においては、上述の如くしてカル３及びゲート
４を除去するため、パッケージ６のゲートバリの発生を
確実に防止できる。

第４図は本発明の第２の実施例方法を示す断面図である
。

本実施例が第１の実施例と異なる点は、カル及びゲート
を除去すべき樹脂封止型半導体集積回路の構造が異なる
ことにあり、その他は基本的に第１の実施例と同様であ
るので、第４図において第１図（ａ）と同一物には同一
符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施例は樹脂封止型半導体集積回路が薄形パッケージ
の場合に適用される。薄形パッケージの樹脂封止型半導
体集積回路の場合は、樹脂封止の際に、パッケージ６ａ
の厚さ方向の中央部から樹脂を注入して封止することが
好ましい。このためには、第５図に示すように、リード
フレーム５ａに切り欠き部７ａを設けておき、この切り
欠き部７ａに対応する位置に凹部を脊する樹脂封止用金
型の上型を使用して樹脂封止を行う。このようにして、
樹脂封止された半導体集積回路は、第５図に示すように
、リードフレーム５ａの切り欠き部７ａからゲー｝４ａ
の一部が上方に突出している。

この場合、この突出部はリードフレーム５ａから０．３
ｍｍ程度上方に突出しており、切り欠き部７ａにおいて
、リードフレーム５ａの縁部との間に０．１＋ｎｍの間
隙があることが好ましい。

このような薄形パッケージの樹脂封止型半導体集積回路
のカル及びゲートを除去する場合、第４図に示すように
、リードフレーム５ａを上り一ドフレームクランパー１
４及び下りードフレームクランパ−１５で挾持した後、
上ゲート挟持ブロック１１の下面中央部がカル３の上面
と接触すると共に、下面縁部に設けられた凸部がゲー１
・４ａの突出部に接触する位置まで上ゲート挾持ブロッ
ク１１を下降させる。

次いで、第１の実施例と同様に、下ゲート挾持１４一 ブロック１２を上昇させてカル３及びゲー｝４ａを固定
した後、上りードフレームクランパ−１４及び下リード
フレームクランパー１５を上方に回転させことにより、
リードフレーム５ａからカル３及びゲート４ａを除去す
る。

上述の如く、本実施例により、薄形パッケージの樹脂封
止型半導体集積回路においても、ゲートバリがない半導
体集積回路を得ることができる。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、開口部又は切り欠
き部を有するリードフレームの開口部又は切り欠き部に
おいてゲートを挾持してリードフレームを回転させるか
ら、ゲートとパッケージとの接続部にクラックが集中し
、常にこの接続部においてリードフレームからカル及び
ゲートを分離できる。これにより、自動封入機及び後工
程で使用するリード成形機等の装置のゲートバリに起因
する搬送系の詰まりを回避できるため、装置の稼働率が
向上する。また、リードの樹脂打痕が回避できるため、
製品歩留りが向上する。更に、ゲートを太く又は深くす
る必要がないため樹脂の使用効率が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を工程
順に示す断面図、第２図は第１の実施例に使用するカル
●ゲート除去装置を示す平面図、第３図は第１の実施例
に使用するリードフレームを示す斜視図、第４図は本発
明の第２の実施例を示す断面図、第５図は第２の実施例
に使用するリードフレームを示す斜視図、第６図（ａ）
及び（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体集積回路装置のカ
ル及びゲートの除去方法を工程順に示す断面図、第７図
は従来のリードフレームを示す斜視図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）パッケージとカル及びゲートとが接続されている
   樹脂封止型半導体集積回路のカル及びゲートの除去方法
   において、前記樹脂封止型半導体集積回路のリードフレ
   ームを上リードフレームクランパー及び下リードフレー
   ムクランパーにより挟持する工程と、前記リードフレー
   ムの所定領域に設けられた開口部又は切り欠き部におい
   て前記ゲートを上ゲート挟持ブロック及び下ゲート挾持
   ブロックにより挾持する工程と、前記上リードフレーム
   クランパー及び下リードフレームクランパーを一軸を中
   心軸として回転させて前記パッケージとゲートとを切断
   することを特徴とする樹脂封止型半導体集積回路のカル
   及びゲートの除去方法。