JPH0228560B2 - Tanketsushoshirikonmakukeiseiho - Google Patents
TanketsushoshirikonmakukeiseihoInfo
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- JPH0228560B2 JPH0228560B2 JP7400283A JP7400283A JPH0228560B2 JP H0228560 B2 JPH0228560 B2 JP H0228560B2 JP 7400283 A JP7400283 A JP 7400283A JP 7400283 A JP7400283 A JP 7400283A JP H0228560 B2 JPH0228560 B2 JP H0228560B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質絶縁体基板上のシリコン膜をレ
ーザアニールにより単結晶化する方法に関するも
のである。
ーザアニールにより単結晶化する方法に関するも
のである。
非晶質絶縁体上に単結晶化シリコン膜を形成す
る方法は低消費電力、高速化デバイスの形成を目
的とし、SOS（Silicon on Sapphire）の代替や三
次元化デバイスなどから注目されている。このよ
うな形成法として、グラフオエピタキシー（M.
W.Geis，D.C.Flanders and Henry I.Smith，
Appl.Phys.Lett.35，71（1979）．）を利用した成長
法やシリコン基板の一部を種子結晶として利用
し、非晶質絶縁体膜上に横方向に成長させる方法
（M.Tamura，H.Tamura and T.Tokuyama，
Jpn.J.Appl.Phys.19，123（1980）．）が知られてい
る。
る方法は低消費電力、高速化デバイスの形成を目
的とし、SOS（Silicon on Sapphire）の代替や三
次元化デバイスなどから注目されている。このよ
うな形成法として、グラフオエピタキシー（M.
W.Geis，D.C.Flanders and Henry I.Smith，
Appl.Phys.Lett.35，71（1979）．）を利用した成長
法やシリコン基板の一部を種子結晶として利用
し、非晶質絶縁体膜上に横方向に成長させる方法
（M.Tamura，H.Tamura and T.Tokuyama，
Jpn.J.Appl.Phys.19，123（1980）．）が知られてい
る。
このようなSOI（Silicon on Insulator）形成技
術の目標は均一性よく大きなグレインサイズを有
する単結晶シリコン膜を形成することで、さら
に、単結晶シリコン膜の結晶学的方位を制御する
ことにある。三次元的デバイスを考えた場合、前
記の種子結晶を用いる成長法は常に単結晶シリコ
ン面を露出させておかねばならず、多層化に対し
ては困難な点が多い。反対に、種子結晶を用いな
いSOI形成法は、多層化に対して、種子結晶が不
必要であるという利点はあるが、レーザビームの
ような加熱源により、シリコン膜を加熱し、再結
晶化させるだけでは、単に大きなグレインサイズ
の単結晶シリコン膜が形成されることは可能で
も、そのデバイス特性の均一性を良くするために
必要な単結晶の結晶学的方位の制御は容易でな
い。前記のグラフオエピタキーは種子結晶を用い
ずに、再結晶化シリコン膜の結晶学的方位の制御
を行おうとするものであるが、本発明者らが、検
討した結果、グラフオエピタキーでさえもその適
用限界があることを見い出した。グラフオエピタ
キーは非晶質絶縁体基板表面に溝を加工し、その
溝形状により、基板表面に堆積させたシリコン膜
がレーザビーム等の加熱手段により、アニールさ
れ、再結晶化する際に結晶学的方位の制御を行な
うものであるが、例えば、溝幅が1μm程度以下の
ものでなければ効果がないとか、レーザビームを
溝に対して、垂直に走査するか、平行に走査する
かによつて、得られる結果は異なつている。例え
ば、レーザビームを溝に平行に走査すると配向性
が悪くなる。また、種子結晶を用いずに大きなグ
レインサイズを有する単結晶シリコン膜を得るた
めに、再結晶化させるシリコン膜を島状に分離さ
せる方法も必要である。
術の目標は均一性よく大きなグレインサイズを有
する単結晶シリコン膜を形成することで、さら
に、単結晶シリコン膜の結晶学的方位を制御する
ことにある。三次元的デバイスを考えた場合、前
記の種子結晶を用いる成長法は常に単結晶シリコ
ン面を露出させておかねばならず、多層化に対し
ては困難な点が多い。反対に、種子結晶を用いな
いSOI形成法は、多層化に対して、種子結晶が不
必要であるという利点はあるが、レーザビームの
ような加熱源により、シリコン膜を加熱し、再結
晶化させるだけでは、単に大きなグレインサイズ
の単結晶シリコン膜が形成されることは可能で
も、そのデバイス特性の均一性を良くするために
必要な単結晶の結晶学的方位の制御は容易でな
い。前記のグラフオエピタキーは種子結晶を用い
ずに、再結晶化シリコン膜の結晶学的方位の制御
を行おうとするものであるが、本発明者らが、検
討した結果、グラフオエピタキーでさえもその適
用限界があることを見い出した。グラフオエピタ
キーは非晶質絶縁体基板表面に溝を加工し、その
溝形状により、基板表面に堆積させたシリコン膜
がレーザビーム等の加熱手段により、アニールさ
れ、再結晶化する際に結晶学的方位の制御を行な
うものであるが、例えば、溝幅が1μm程度以下の
ものでなければ効果がないとか、レーザビームを
溝に対して、垂直に走査するか、平行に走査する
かによつて、得られる結果は異なつている。例え
ば、レーザビームを溝に平行に走査すると配向性
が悪くなる。また、種子結晶を用いずに大きなグ
レインサイズを有する単結晶シリコン膜を得るた
めに、再結晶化させるシリコン膜を島状に分離さ
せる方法も必要である。
本発明はシリコン基板を種子結晶として用いず
に、新らたに非晶質絶縁体基板上に結晶学的方位
を制御する種子結晶領域を形成し、次いで、結晶
学的方位を維持しつつ、大きなグレインサイズを
有する単結晶シリコン膜を形成することを特徴と
するもので、三次元デバイス形成に必要なSOI結
晶を提供することにある。
に、新らたに非晶質絶縁体基板上に結晶学的方位
を制御する種子結晶領域を形成し、次いで、結晶
学的方位を維持しつつ、大きなグレインサイズを
有する単結晶シリコン膜を形成することを特徴と
するもので、三次元デバイス形成に必要なSOI結
晶を提供することにある。
以下、一実施例を示し、図面を用いて本発明を
詳細に説明する。本発明で用いたレーザアニール
前の基板構造の一例の模式図を第１図に示す。第
１図は直径75mm、板厚600μmの石英ガラス１表面
に本発明に用いる溝を加工した平面図である。２
は種子結晶形成領域である。３は島状単結晶シリ
コン膜形成領域である。２，３を含む溝加工を施
した領域の大きさは６×10mm2である。第２図は第
１図の破線で囲んだ２，３を含む溝加工を施した
領域を拡大した平面図である。先ず、島状単結晶
シリコン膜を形成する領域３に溝幅W1の帯状の
平行溝４を加工した。溝加工はUV光を用いたリ
ソグラフイ技術、ドライエツチング技術により行
つた。帯状の平行溝４は少くとも４つの溝壁に囲
まれるように形成した。次いで、種子結晶形成領
域２となる平行溝４の底面の一部に溝幅W2（W1
＞W2）の帯状の平行溝５を加工した。平行溝４
の溝幅W1の値は10，20，40μmの３種類を作つ
た。溝の深さは0.6μmである平行溝５の溝幅W2
の値は1μmの一定とした。溝の深さは0.1μmであ
る。帯状の平行溝５は４つの溝壁が底面に対して
垂直になるように加工した。また、平行溝５の長
さｌは50μmとした。
詳細に説明する。本発明で用いたレーザアニール
前の基板構造の一例の模式図を第１図に示す。第
１図は直径75mm、板厚600μmの石英ガラス１表面
に本発明に用いる溝を加工した平面図である。２
は種子結晶形成領域である。３は島状単結晶シリ
コン膜形成領域である。２，３を含む溝加工を施
した領域の大きさは６×10mm2である。第２図は第
１図の破線で囲んだ２，３を含む溝加工を施した
領域を拡大した平面図である。先ず、島状単結晶
シリコン膜を形成する領域３に溝幅W1の帯状の
平行溝４を加工した。溝加工はUV光を用いたリ
ソグラフイ技術、ドライエツチング技術により行
つた。帯状の平行溝４は少くとも４つの溝壁に囲
まれるように形成した。次いで、種子結晶形成領
域２となる平行溝４の底面の一部に溝幅W2（W1
＞W2）の帯状の平行溝５を加工した。平行溝４
の溝幅W1の値は10，20，40μmの３種類を作つ
た。溝の深さは0.6μmである平行溝５の溝幅W2
の値は1μmの一定とした。溝の深さは0.1μmであ
る。帯状の平行溝５は４つの溝壁が底面に対して
垂直になるように加工した。また、平行溝５の長
さｌは50μmとした。
このような溝加工が施された基板表面に、低圧
化学気相成長法により、単結晶シリコン膜を堆積
させた。原料ガスとしてシランガス（SiH4）を
用い、成長温度700℃、圧力1Torrで膜厚0.7μmの
シリコン膜を成長させた。
化学気相成長法により、単結晶シリコン膜を堆積
させた。原料ガスとしてシランガス（SiH4）を
用い、成長温度700℃、圧力1Torrで膜厚0.7μmの
シリコン膜を成長させた。
次いで、本発明において、島状シリコン膜形成
に不必要な平行溝４，５に埋め込まれていないシ
リコン膜をケミカル―メカニカルポリシングによ
り取りのぞいた。
に不必要な平行溝４，５に埋め込まれていないシ
リコン膜をケミカル―メカニカルポリシングによ
り取りのぞいた。
以上のごとく、平行溝４，５に埋め込まれた島
状シリコン膜を形成し、次にレーザアニールを施
した。レーザアニールは帯状の平行溝４，５の長
手方向をＹ、その垂直方向をＸとしたとき、先
ず、波長1.06μmのネオジウムドープヤグ（Nd：
YAG）レーザを溝５に対して垂直方向Ｘに走査
した。走査領域は溝５を含む、溝加工を施した領
域の端である。レージ出力6.5W、ビームサイズ
200μmφ、走査速度10mm／sec.，基板加熱温度350
℃の条件で１回だけアニールを施した。本レーザ
アニールでは種子結晶形成領域２に埋め込まれた
シリコン膜を再結晶化した。このプロセスで得ら
れたシリコンのグレインサイズは比較的小さく、
〜10μm程度で、基板垂直方向の＜100＞配向量と
レーザパワーとの相関を第３図に示す。最良の＜
100＞配向量を得るためにはレーザパワーに最適
値が存在することが分かつた。レーザパワーを増
加させるとシリコンのグレインサイズは増加する
傾向にあるが、種子結晶として用いるのに必要な
＜100＞配向量は逆に減少してしまう。
状シリコン膜を形成し、次にレーザアニールを施
した。レーザアニールは帯状の平行溝４，５の長
手方向をＹ、その垂直方向をＸとしたとき、先
ず、波長1.06μmのネオジウムドープヤグ（Nd：
YAG）レーザを溝５に対して垂直方向Ｘに走査
した。走査領域は溝５を含む、溝加工を施した領
域の端である。レージ出力6.5W、ビームサイズ
200μmφ、走査速度10mm／sec.，基板加熱温度350
℃の条件で１回だけアニールを施した。本レーザ
アニールでは種子結晶形成領域２に埋め込まれた
シリコン膜を再結晶化した。このプロセスで得ら
れたシリコンのグレインサイズは比較的小さく、
〜10μm程度で、基板垂直方向の＜100＞配向量と
レーザパワーとの相関を第３図に示す。最良の＜
100＞配向量を得るためにはレーザパワーに最適
値が存在することが分かつた。レーザパワーを増
加させるとシリコンのグレインサイズは増加する
傾向にあるが、種子結晶として用いるのに必要な
＜100＞配向量は逆に減少してしまう。
第３図に比較のために、種子結晶を用いないレ
ーザアニールで、レーザとしてアルゴンを用いた
場合の結果を示す。アルゴンレーザを用いても、
レーザパワーに最適値が存在することがわかつた
が、その最良値での＜100＞配向量はネオジウム
ドープヤグレーザを用いた時に比べ約５分の１程
度のものであつた。
ーザアニールで、レーザとしてアルゴンを用いた
場合の結果を示す。アルゴンレーザを用いても、
レーザパワーに最適値が存在することがわかつた
が、その最良値での＜100＞配向量はネオジウム
ドープヤグレーザを用いた時に比べ約５分の１程
度のものであつた。
次いで、上記のごとく、種子結晶形成領域２に
得た＜100＞配向した単結晶シリコングレインを
含み、第１の溝４に埋め込んだシリコン膜をアル
ゴンレーザアニールにより、再結晶化させた。ア
ルゴンレーザは種子結晶形成領域２を出発点とし
て第２図に示す溝４と平行方向Ｙに走査した。レ
ーザアニール条件はレーザ出力4W、ビーム径
150μmφ、走査速度10mm／sec.、基板加熱温度350
℃である。
得た＜100＞配向した単結晶シリコングレインを
含み、第１の溝４に埋め込んだシリコン膜をアル
ゴンレーザアニールにより、再結晶化させた。ア
ルゴンレーザは種子結晶形成領域２を出発点とし
て第２図に示す溝４と平行方向Ｙに走査した。レ
ーザアニール条件はレーザ出力4W、ビーム径
150μmφ、走査速度10mm／sec.、基板加熱温度350
℃である。
第４図、第５図に本発明により得られた島状単
結晶シリコン膜を含む、基板断面の模式図を示
す。第４図は第２図における′方向の断面図
で、種子結晶形成領域２である。該領域２の溝
４，５に埋め込まれ、再結晶化した島状単結晶シ
リコン膜６の結晶学的方位を電子チヤンネルパタ
ーン法で調べたところ、グラフオエピタキーの効
果で、溝と垂直方向Ｘ、平行方向Ｙに＜100＞配
向していることがわかつた。該領域２のグレイン
サイズは前記のごとく10μm程度と比較的小さい。
第５図は第２図における′方向の断面図で、島
状単結晶シリコン膜形成領域３である。該領域３
の溝４に埋め込まれた再結晶化した島状単結晶シ
リコン膜７のグレインサイズをエツチング法で調
べたところ、粒界がほとんど見られなかつた。こ
れは溝４と平行方向Ｙに単一の結晶が形成された
ことを示すものである。また、該島状単結晶シリ
コン膜の結晶学的方位を同様に電子チヤンネルパ
ターン法で調べたところ、基板垂直方向が＜100
＞方位、溝と垂直方向Ｘ、平行方向Ｙも＜100＞
方位であることがわかつた。該領域３のグレイン
サイズは、第１の溝４の溝幅W1が10，20，40μm
のいずれの場合も、溝パターンの形成されている
長さ６mmに渡つていることもわかつた。上記の島
状シリコンを成長させるアニールプロセスにおい
てはシリコンに対して、吸収係数が小さく、均一
加熱域が形成しにくいネオジドープヤグレーザを
用いて第１図の平行溝４の長手方向Ｙに良好なシ
リコン膜を形成することは非常に困難である。以
上のことは、先ず、ネオジウムドープヤグ
（Nd：YAG）レーザで種子結晶形成領域に形成
した＜100＞配向した再結晶化シリコン膜を種子
として、次いで、アルゴンレーザで形成した再結
晶化シリコン膜が、結晶学的方位を維持しつつ成
長したものであることを示すものである。
結晶シリコン膜を含む、基板断面の模式図を示
す。第４図は第２図における′方向の断面図
で、種子結晶形成領域２である。該領域２の溝
４，５に埋め込まれ、再結晶化した島状単結晶シ
リコン膜６の結晶学的方位を電子チヤンネルパタ
ーン法で調べたところ、グラフオエピタキーの効
果で、溝と垂直方向Ｘ、平行方向Ｙに＜100＞配
向していることがわかつた。該領域２のグレイン
サイズは前記のごとく10μm程度と比較的小さい。
第５図は第２図における′方向の断面図で、島
状単結晶シリコン膜形成領域３である。該領域３
の溝４に埋め込まれた再結晶化した島状単結晶シ
リコン膜７のグレインサイズをエツチング法で調
べたところ、粒界がほとんど見られなかつた。こ
れは溝４と平行方向Ｙに単一の結晶が形成された
ことを示すものである。また、該島状単結晶シリ
コン膜の結晶学的方位を同様に電子チヤンネルパ
ターン法で調べたところ、基板垂直方向が＜100
＞方位、溝と垂直方向Ｘ、平行方向Ｙも＜100＞
方位であることがわかつた。該領域３のグレイン
サイズは、第１の溝４の溝幅W1が10，20，40μm
のいずれの場合も、溝パターンの形成されている
長さ６mmに渡つていることもわかつた。上記の島
状シリコンを成長させるアニールプロセスにおい
てはシリコンに対して、吸収係数が小さく、均一
加熱域が形成しにくいネオジドープヤグレーザを
用いて第１図の平行溝４の長手方向Ｙに良好なシ
リコン膜を形成することは非常に困難である。以
上のことは、先ず、ネオジウムドープヤグ
（Nd：YAG）レーザで種子結晶形成領域に形成
した＜100＞配向した再結晶化シリコン膜を種子
として、次いで、アルゴンレーザで形成した再結
晶化シリコン膜が、結晶学的方位を維持しつつ成
長したものであることを示すものである。
以上の実施例では基板として石英ガラスを用い
たが、石英ガラス基板上に多結晶シリコン膜を形
成し、さらにSiO2膜を形成した基板（特願昭57
―227588（特開昭59―121823号））や、単結晶シリ
コン基板を熱酸化してSiO2膜を形成した基板、
さらに、セラミツク基板表面を非晶質絶縁体膜で
被覆したものを用いても良い。島状シリコン膜を
埋め込むために用いた第１の平行溝は必ずしも長
方形に限られたものでなく、溝の平面図を見て、
溝壁が少くとも４つ以上からなつているものでも
かまわない。また、本実施例では円状ビームのア
ルゴンレーザを用いて、島状シリコン膜のアニー
ルを行つたが、大出力で、スリツト状のビームに
整形したアルゴンレーザを用いて、溝加工を施し
た領域を一度に走査してアニールを行つても本発
明は有効である。また、アルゴンレーザの代わり
に電子ビームを用いてアニールを施しても同様な
結果が得られた。
たが、石英ガラス基板上に多結晶シリコン膜を形
成し、さらにSiO2膜を形成した基板（特願昭57
―227588（特開昭59―121823号））や、単結晶シリ
コン基板を熱酸化してSiO2膜を形成した基板、
さらに、セラミツク基板表面を非晶質絶縁体膜で
被覆したものを用いても良い。島状シリコン膜を
埋め込むために用いた第１の平行溝は必ずしも長
方形に限られたものでなく、溝の平面図を見て、
溝壁が少くとも４つ以上からなつているものでも
かまわない。また、本実施例では円状ビームのア
ルゴンレーザを用いて、島状シリコン膜のアニー
ルを行つたが、大出力で、スリツト状のビームに
整形したアルゴンレーザを用いて、溝加工を施し
た領域を一度に走査してアニールを行つても本発
明は有効である。また、アルゴンレーザの代わり
に電子ビームを用いてアニールを施しても同様な
結果が得られた。
以上、述べたように、本発明は、非晶質絶縁体
表面に溝幅W1の第１の溝を加工し、さらに、溝
幅W2（W1＞W2）の第２の溝を第１の溝の底面の
一部に加工し、該基板表面にポリシリコン膜を堆
積し、ポリシングにより溝の中に島状シリコン膜
を形成した後、ネオジウムドープヤグ（Nd：
YAG）レーザを第２の溝に対して垂直に走査し、
アニールを施し、＜100＞配向した種子結晶を形成
し、次いで、アルゴン（Ar）レーザを第１，第
２の溝に対して平行に走査し、アニールを施し、
溝に埋め込まれた大きさが数ミリメートルの＜
100＞配向した島状単結晶シリコン膜を形成させ
ることを特徴としたものである。このため、IC
（Integrated Circuit）の三次元化を考えた場合、
基板として単結晶シリコンウエーハを用いて、そ
の表面の一部を種子として成長させる方法に比
べ、種子となる単結晶シリコン面を常に露出して
おく必要がなく、デバイス作成上のわずらわしさ
から解放され、本発明はLSI（Large Scale
Integrated Circuit）の三次元化に多大な効果を
発揮するものである。
表面に溝幅W1の第１の溝を加工し、さらに、溝
幅W2（W1＞W2）の第２の溝を第１の溝の底面の
一部に加工し、該基板表面にポリシリコン膜を堆
積し、ポリシングにより溝の中に島状シリコン膜
を形成した後、ネオジウムドープヤグ（Nd：
YAG）レーザを第２の溝に対して垂直に走査し、
アニールを施し、＜100＞配向した種子結晶を形成
し、次いで、アルゴン（Ar）レーザを第１，第
２の溝に対して平行に走査し、アニールを施し、
溝に埋め込まれた大きさが数ミリメートルの＜
100＞配向した島状単結晶シリコン膜を形成させ
ることを特徴としたものである。このため、IC
（Integrated Circuit）の三次元化を考えた場合、
基板として単結晶シリコンウエーハを用いて、そ
の表面の一部を種子として成長させる方法に比
べ、種子となる単結晶シリコン面を常に露出して
おく必要がなく、デバイス作成上のわずらわしさ
から解放され、本発明はLSI（Large Scale
Integrated Circuit）の三次元化に多大な効果を
発揮するものである。
第１図は本発明を説明するために用いた溝加工
を施してある基板表面の模式図である。第２図は
本発明の絶縁体表面に加工した溝パターンの拡大
図である。第３図はネオジウムドープヤグ
（Nd：YAG）レーザを用いた効果を説明するた
めの結晶学配向量の説明図である。第４，第５図
は本発明で得られた島状単結晶シリコン膜を説明
するために用いた基板断面の模式図である。 １…石英ガラス基板、２…種子結晶形成領域、
３…島状単結晶シリコン膜形成領域、４，５…
溝、６…種子結晶、７…島状単結晶シリコン膜。
を施してある基板表面の模式図である。第２図は
本発明の絶縁体表面に加工した溝パターンの拡大
図である。第３図はネオジウムドープヤグ
（Nd：YAG）レーザを用いた効果を説明するた
めの結晶学配向量の説明図である。第４，第５図
は本発明で得られた島状単結晶シリコン膜を説明
するために用いた基板断面の模式図である。 １…石英ガラス基板、２…種子結晶形成領域、
３…島状単結晶シリコン膜形成領域、４，５…
溝、６…種子結晶、７…島状単結晶シリコン膜。
Claims (1)
- １ 少なくとも表面に非晶質絶縁体を備えた基板
の表面に形成した溝に埋め込まれた島状シリコン
膜をビームアニールによつて単結晶化させる方法
において、該基板表面に溝幅がW1であつて、少
くとも４つ以上の溝壁に囲まれた帯状の第１の溝
を形成し、さらに、第１の溝の底面の少なくとも
一部に溝幅がW2（W1＞W2）であつて、溝の底面
に垂直な４つの溝壁に囲まれた帯状の第２の溝を
形成し、該第１及び第２の溝にシリコン膜が埋め
込まれた基板を用い、先ず、波長が1.06μmのネ
オジウムドープヤグ（Nd：YAG）レーザを、帯
状の溝の長手方向をＹ、該方向に対して基板の面
内で垂直な方向をＸとした場合、該第２の溝が形
成されている領域について、Ｘ方向に走査するこ
とにより、該領域のシリコン膜を単結晶化して種
子結晶を形成し、次いで、アルゴン（Ar）レー
ザまたは電子ビームを該第２の溝が形成されてい
る領域を出発点として、Ｙ方向に走査することに
より、該溝に埋め込まれた島状シリコン膜を単結
晶化することを特徴とする単結晶シリコン膜形成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400283A JPH0228560B2 (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Tanketsushoshirikonmakukeiseiho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400283A JPH0228560B2 (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Tanketsushoshirikonmakukeiseiho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203791A JPS59203791A (ja) | 1984-11-17 |
| JPH0228560B2 true JPH0228560B2 (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=13534428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7400283A Expired - Lifetime JPH0228560B2 (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Tanketsushoshirikonmakukeiseiho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228560B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0337259U (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-11 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2580673B1 (fr) * | 1985-04-19 | 1987-09-25 | Haond Michel | Procede de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin oriente et a defauts localises |
| JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7400283A patent/JPH0228560B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0337259U (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59203791A (ja) | 1984-11-17 |
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