JPS58190899A - 単結晶シリコン膜形成法 - Google Patents
単結晶シリコン膜形成法Info
- Publication number
- JPS58190899A JPS58190899A JP7310182A JP7310182A JPS58190899A JP S58190899 A JPS58190899 A JP S58190899A JP 7310182 A JP7310182 A JP 7310182A JP 7310182 A JP7310182 A JP 7310182A JP S58190899 A JPS58190899 A JP S58190899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- substrate
- single crystal
- crystal silicon
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
非品質絶縁体上に単結晶シリコン膜を形成下る方法に、
デバイスの高速化や三次元化などから注目さｎている−
このような形成法としてグラフナエビタキシー業利用し
た成長法（第１図）や基板の一部を種子結晶として利用
し．非品質絶縁体上に横方向成長させる方法（第２図）
が著名である一グラフォエピタキシーを利用した方法で
は、第１〔２〕 図に示すごとく１石英ガラス基板２表面に幅２μｍ。
デバイスの高速化や三次元化などから注目さｎている−
このような形成法としてグラフナエビタキシー業利用し
た成長法（第１図）や基板の一部を種子結晶として利用
し．非品質絶縁体上に横方向成長させる方法（第２図）
が著名である一グラフォエピタキシーを利用した方法で
は、第１〔２〕 図に示すごとく１石英ガラス基板２表面に幅２μｍ。
深さ０．１μ閘 程度の周期的な溝３ヶ形成しておき。
この上に１例えば、多結晶シリコン膜ｌγ堆積し、レー
ザビーム照射により、このシリコン膜ｌｔ単結晶化する
。グラフオエピタキシーを用いた方法に、種子結晶を用
いずとも単結晶化できるという利点がおる反面、シリコ
ン膜厚が薄くなるにつれて絶縁体基板表面に形成式ｎ、
た溝の凹凸の為・デバイス特性例えばモビリティ−の劣
化等が無視できなくなる。又、広い面積の単結晶ｗ４す
るのも容易でない、種子結晶デ利用した方法で汀、第２
図に示すどとく、例えれｒ県結晶シＩＩコン５上Ｖｃに
酸化ンリコン（Ｓ、０２）膜４會形成し、その一部を帯
状に除去して学績晶シリコン面ｒ露出し、さらに、その
上に多結晶シリコン１漠１ｒ堆積させる。
ザビーム照射により、このシリコン膜ｌｔ単結晶化する
。グラフオエピタキシーを用いた方法に、種子結晶を用
いずとも単結晶化できるという利点がおる反面、シリコ
ン膜厚が薄くなるにつれて絶縁体基板表面に形成式ｎ、
た溝の凹凸の為・デバイス特性例えばモビリティ−の劣
化等が無視できなくなる。又、広い面積の単結晶ｗ４す
るのも容易でない、種子結晶デ利用した方法で汀、第２
図に示すどとく、例えれｒ県結晶シＩＩコン５上Ｖｃに
酸化ンリコン（Ｓ、０２）膜４會形成し、その一部を帯
状に除去して学績晶シリコン面ｒ露出し、さらに、その
上に多結晶シリコン１漠１ｒ堆積させる。
そして例えばアルゴンレーザビームの照射にエリ、単＆
Ｌ１％シ１１コン上のシリコン膜りエビタキン丁ル成長
ケ利用して、二酸化シリコン膜４上に単結晶シリコン５
と同じ結晶方位の単結晶シリコン膜を成長させるもので
ある。この方法では種子ｒ用い（３） ているため、単結晶化さ扛たシリコン膜の結晶方位は非
常に良くそろっているという利点７有する反面、三次元
ＬＳＩ等への応用を目的とした単結晶シリコン膜の多層
化に対しては、常に単結晶シリコン面全露出しておかね
ばならないというわずられしさが存在する。このように
、従来の方法は、そ几ぞｎ−長一短を有し、いずｎも十
分とにいえない一 本発明は、このような従来の方法１ｃ見らｌｒＬる長所
ｔと９入ルて、従来とは異なる新しい単結晶シリコン膜
形成法を提供するもので、基板としてはガラス又はガラ
ス上に非晶質絶縁体膜全被覆したような非晶質絶縁体基
板音用い、基板表面の一部に溝加工金施しておき、グラ
フオエピタキシーを利用して、この溝加工を施した領域
上に、１ずレーザビームにより導結晶シリコン膜を形成
しておき、つぎＶＣｌこの単結晶シリコン膜を種子結晶
にしてフリット状のビームを用いたアニールにより、平
担な非晶質絶縁体基板表面上に単結晶シリコン膜全成長
させる事を特徴さする嘱のである−（４） 不発明で汀、単結晶シリコン會基板に用いておらず、基
板全面か非晶質絶縁体であって本巣結晶シ１１＝ｆｆン
膜の形成が可能で、しかもグラフオエピタキシーにエリ
万位配列した単結晶シリコン會種子に用いることにエリ
、凹凸のない平担な非晶質絶縁体表面上に単結晶シリコ
ンを形成できるｔいう利点７有する。名らに、種子上用
いた成長時でのアニール手段として、スリット状のビー
ムを用いることにより、短時間で広い面′Ｎ′？ｔアニ
ールすることができる。
Ｌ１％シ１１コン上のシリコン膜りエビタキン丁ル成長
ケ利用して、二酸化シリコン膜４上に単結晶シリコン５
と同じ結晶方位の単結晶シリコン膜を成長させるもので
ある。この方法では種子ｒ用い（３） ているため、単結晶化さ扛たシリコン膜の結晶方位は非
常に良くそろっているという利点７有する反面、三次元
ＬＳＩ等への応用を目的とした単結晶シリコン膜の多層
化に対しては、常に単結晶シリコン面全露出しておかね
ばならないというわずられしさが存在する。このように
、従来の方法は、そ几ぞｎ−長一短を有し、いずｎも十
分とにいえない一 本発明は、このような従来の方法１ｃ見らｌｒＬる長所
ｔと９入ルて、従来とは異なる新しい単結晶シリコン膜
形成法を提供するもので、基板としてはガラス又はガラ
ス上に非晶質絶縁体膜全被覆したような非晶質絶縁体基
板音用い、基板表面の一部に溝加工金施しておき、グラ
フオエピタキシーを利用して、この溝加工を施した領域
上に、１ずレーザビームにより導結晶シリコン膜を形成
しておき、つぎＶＣｌこの単結晶シリコン膜を種子結晶
にしてフリット状のビームを用いたアニールにより、平
担な非晶質絶縁体基板表面上に単結晶シリコン膜全成長
させる事を特徴さする嘱のである−（４） 不発明で汀、単結晶シリコン會基板に用いておらず、基
板全面か非晶質絶縁体であって本巣結晶シ１１＝ｆｆン
膜の形成が可能で、しかもグラフオエピタキシーにエリ
万位配列した単結晶シリコン會種子に用いることにエリ
、凹凸のない平担な非晶質絶縁体表面上に単結晶シリコ
ンを形成できるｔいう利点７有する。名らに、種子上用
いた成長時でのアニール手段として、スリット状のビー
ムを用いることにより、短時間で広い面′Ｎ′？ｔアニ
ールすることができる。
以下、実施例を用いて不発明の詳細な説明する。
本発明で用いたアニール前の基板構造の一例ケ第３図に
示す一基板として石英ガラス２盆用い、基板表面に、１
μｍ間隔で５幅１μ渦、長さ４ｍｍ。
示す一基板として石英ガラス２盆用い、基板表面に、１
μｍ間隔で５幅１μ渦、長さ４ｍｍ。
深さ０．１μｍｆＪｍ３が複数個周期的に形成された溝
加工領域上ＩＣ）０μ崗お含に設けた一溝は、石英ガラ
ス表面に垂直で、かつ隣り合う面が互に直交する４′）
の平面と、基板表面に平行な１つの平面で囲まれている
、溝加工には通常のレジスト膜のパターニング及びドラ
イエツチング技術音用いた。
加工領域上ＩＣ）０μ崗お含に設けた一溝は、石英ガラ
ス表面に垂直で、かつ隣り合う面が互に直交する４′）
の平面と、基板表面に平行な１つの平面で囲まれている
、溝加工には通常のレジスト膜のパターニング及びドラ
イエツチング技術音用いた。
（５）
このような基板の上に化学気相堆積（ＣＶＤ）法により
多結晶シリコン膜Ｉ Ｑ ０．６μｍ堆積した。
多結晶シリコン膜Ｉ Ｑ ０．６μｍ堆積した。
次に、直径５０μｍ８度のスポット状の連続発振ネオジ
ムヤグ（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザにより、溝加エフ施した
領域上のシリコン膜のみアニールして単結晶化した７こ
の様子會＠４図、５図に示す。第４図、５図は、第３図
の構造を基板面に垂直方向からみた基板表面の一部で、
多結晶シリコン膜は省いである。第４図、５図で、破線
の円６はスポット状のレーザビーム上水す・矢印に基板
に対するレーザビームの走査方向葡示す。第４図は基板
左端部の溝加工領域上の多結晶シリコン膜のみアニール
する場合、第５図は、すべての溝加工領域上の多結晶シ
リコン膜ｔアニールする場合７示す・このようにして、
溝加工を施した領域上の多結晶シリコンＭＵグラフオエ
ピタキシーにエリ単結晶化され、基板面に垂直方向お工
び溝の長さ方向に（１００＞ 配向した単結晶シリコ
ン膜が得ら扛た。
ムヤグ（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザにより、溝加エフ施した
領域上のシリコン膜のみアニールして単結晶化した７こ
の様子會＠４図、５図に示す。第４図、５図は、第３図
の構造を基板面に垂直方向からみた基板表面の一部で、
多結晶シリコン膜は省いである。第４図、５図で、破線
の円６はスポット状のレーザビーム上水す・矢印に基板
に対するレーザビームの走査方向葡示す。第４図は基板
左端部の溝加工領域上の多結晶シリコン膜のみアニール
する場合、第５図は、すべての溝加工領域上の多結晶シ
リコン膜ｔアニールする場合７示す・このようにして、
溝加工を施した領域上の多結晶シリコンＭＵグラフオエ
ピタキシーにエリ単結晶化され、基板面に垂直方向お工
び溝の長さ方向に（１００＞ 配向した単結晶シリコ
ン膜が得ら扛た。
溝加工領域上のシリコン膜のアニールは、ネオジム、ヤ
グレーザ以外Ｖｃ１ アルゴン（Ａｒ）レ−ｆｋ（６） 用いても良い。
グレーザ以外Ｖｃ１ アルゴン（Ａｒ）レ−ｆｋ（６） 用いても良い。
次ＶＣ，スリット状のビームを用いて残りの多結晶’／
’ＩコアＭｔＹ了ニールする・この様子を第６図に示す
。ここでは高出力連続発振ネオジム、ヤグレーザを用い
た場合を例にとり説明する。レーザ出力として、マルチ
モードで１０（’ｌＷ？用い、レンズ系に工０長さ１９
ｍｍ％幅２０μ帛柑歴のＸ ｌット状ビームに変換して
アニールに用い１ζ、この場合。
’ＩコアＭｔＹ了ニールする・この様子を第６図に示す
。ここでは高出力連続発振ネオジム、ヤグレーザを用い
た場合を例にとり説明する。レーザ出力として、マルチ
モードで１０（’ｌＷ？用い、レンズ系に工０長さ１９
ｍｍ％幅２０μ帛柑歴のＸ ｌット状ビームに変換して
アニールに用い１ζ、この場合。
スリット状のレーザビーム７ ＱＪ長さ方向を溝３の長
さ方向に一致させ、溝の長さ方向Ｖこ垂直に１７−ザビ
ームが走食さｎ／）、アニール条件として例えば基板加
熱温度５００°Ｃ１走査速度１ （ｌ ｍ＋ｍ／ｓｅｅ
か用いられた。高出力レーザ食用いてビーム形状デスリ
ット状に丁ゐことによ０、従来のスポット状のレーザビ
ームを用いる場合に比べて短時間でウェーハを処理する
ことかでさる。例えば、第７図に示す、ｃ９に、溝３０
畏さ４ ｍｍ 程度の溝カロエ領域を石英ガラス基板上
に多数形成してお１！、＃石英ガラス基板上に堆積する
多結晶シリコン膜ｌも、溝（の長さに合わせて分割して
おく、セして５００Ｗ（７〕 程度の高出力ネオジム、ヤグレーザ食用い、Ｎ、ｔは長
さ５ Ｑ ｍｍ、幅２０μ噂程度のスリット状ビーム７
にエリ直径２インチ程度の犬きさの基板全数秒でアニー
ルすることができる、このようにしてアニールされ１ζ
ソリコン嘆け、Ｘ＠クロッングカーブお工び化学液Ｉ７
−よる腐触像の頒微堵観察から、基板面に垂直方向が（
１００＞でかつ溝の長さ方向に平行方向が（１００＞の
単結晶であることが確認さｔ′した＾ 以上の実施例でげ、基板として石英ガラス金量いたが、
高融点ガラス盆二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜や窒化シ
リコン（Ｓｉ２Ｈ４） Ｒ等の非晶質絶縁体膜で被覆し
たものケ基板として用して４工い。
さ方向に一致させ、溝の長さ方向Ｖこ垂直に１７−ザビ
ームが走食さｎ／）、アニール条件として例えば基板加
熱温度５００°Ｃ１走査速度１ （ｌ ｍ＋ｍ／ｓｅｅ
か用いられた。高出力レーザ食用いてビーム形状デスリ
ット状に丁ゐことによ０、従来のスポット状のレーザビ
ームを用いる場合に比べて短時間でウェーハを処理する
ことかでさる。例えば、第７図に示す、ｃ９に、溝３０
畏さ４ ｍｍ 程度の溝カロエ領域を石英ガラス基板上
に多数形成してお１！、＃石英ガラス基板上に堆積する
多結晶シリコン膜ｌも、溝（の長さに合わせて分割して
おく、セして５００Ｗ（７〕 程度の高出力ネオジム、ヤグレーザ食用い、Ｎ、ｔは長
さ５ Ｑ ｍｍ、幅２０μ噂程度のスリット状ビーム７
にエリ直径２インチ程度の犬きさの基板全数秒でアニー
ルすることができる、このようにしてアニールされ１ζ
ソリコン嘆け、Ｘ＠クロッングカーブお工び化学液Ｉ７
−よる腐触像の頒微堵観察から、基板面に垂直方向が（
１００＞でかつ溝の長さ方向に平行方向が（１００＞の
単結晶であることが確認さｔ′した＾ 以上の実施例でげ、基板として石英ガラス金量いたが、
高融点ガラス盆二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜や窒化シ
リコン（Ｓｉ２Ｈ４） Ｒ等の非晶質絶縁体膜で被覆し
たものケ基板として用して４工い。
又、不実悔例では、非晶質絶縁体表面が平担な領域上の
シリコン膜ｔアニ〜ルするのにスリット状のレーザビー
ム盆用いたが、スリット状の電子ビームを用いても不発
明は有効である。
シリコン膜ｔアニ〜ルするのにスリット状のレーザビー
ム盆用いたが、スリット状の電子ビームを用いても不発
明は有効である。
以上述べた工うに１本発明は、基板としてガラス又はガ
ラス上に非晶質絶縁体ＮｋＭ覆したような非晶質絶縁体
基板を用い、基板表面の一部に溝（８） 加工を施してお′＠、グラフオエピタキシー全利用して
、この溝加工を施した領域上ＩＣ′ｆずレーザビームに
エリ曝結晶シリコン膜會形成してお′＠１次にこの単結
晶７リコン膜？種子結晶にしてスリット状のビーム音用
いてアニールすることにエリ、平担な非晶質絶縁体基板
上に単結晶シリコン膜盆成長させることｔ特徴とするも
ので１平担な基板表面上ニ（、広い面積の単結晶シリコ
ン膜を形成することが可能で、しかもアニール手段とし
てスリット状のビーム【用いることにＬす、短時間で広
い面ｆｆｆｆ１アニールできるという利点を有丁ゐ−こ
のため１例えばＬＳＩデバイスの三次元化を考えた場合
、基板として単結晶シリコンウェーハを用いて、その表
面ｑ）一部を種子にして成長させる方法に比べて、種子
となる単結晶シリコン面會常に露出しておく必要がなく
、デバイス作成上のわずられしてから解放式ｆＬ、本発
明にＴｊ ８ Ｉ ｑノ三次元化に多大な効果奮発押下
るものである・（９）
ラス上に非晶質絶縁体ＮｋＭ覆したような非晶質絶縁体
基板を用い、基板表面の一部に溝（８） 加工を施してお′＠、グラフオエピタキシー全利用して
、この溝加工を施した領域上ＩＣ′ｆずレーザビームに
エリ曝結晶シリコン膜會形成してお′＠１次にこの単結
晶７リコン膜？種子結晶にしてスリット状のビーム音用
いてアニールすることにエリ、平担な非晶質絶縁体基板
上に単結晶シリコン膜盆成長させることｔ特徴とするも
ので１平担な基板表面上ニ（、広い面積の単結晶シリコ
ン膜を形成することが可能で、しかもアニール手段とし
てスリット状のビーム【用いることにＬす、短時間で広
い面ｆｆｆｆ１アニールできるという利点を有丁ゐ−こ
のため１例えばＬＳＩデバイスの三次元化を考えた場合
、基板として単結晶シリコンウェーハを用いて、その表
面ｑ）一部を種子にして成長させる方法に比べて、種子
となる単結晶シリコン面會常に露出しておく必要がなく
、デバイス作成上のわずられしてから解放式ｆＬ、本発
明にＴｊ ８ Ｉ ｑノ三次元化に多大な効果奮発押下
るものである・（９）
第１図は、グラフオエピタキシー〒利用して石英ガラス
上に単結晶シリコン膜を形成する従来の方法の一例を示
す基板断面図である。 第２図μ、基板に用いた単結晶／リコンウエーハの単結
晶面位種子にして、非晶質絶縁膜上に学績晶り＋） コ
ンＭに形成する方法の一例を示すビームアニール前の基
板断面図であめ。 第３図は、不発明の一例を示す基板断面１図である畠 第４図は、不発明の−ｆｌ示す基板平面図で、矩形状の
溝が形成さルた領域上の一部のシリコン膜ｔレーザビー
ムで単結晶化丁ゐ様子を示したものである。破線の円は
、レーザビームの形状ケ表わし、溝の長さ方向（矢印の
方向）にレーデビームが走査さｎ−るー ｉ％５図は、不発明の一例τ示す基板平面向で、矩形状
の溝が形成さ７’Ｌに領域上の下べての７１１コン膜ｔ
レーザビームで単結晶化する様子を示す７矢印にレーザ
ビームの走食方向ｒ示す・〔ｌＯ〕 第６図は、不発明の一例を示す基板平面図で。 レーザビームで形成てれたは結晶シリコンｌｌｋｍ子に
して、ス１１ット状のレーザビームにエリ表面が平担な
基板上のシリコン膜に単結晶化する様子全示す一破線の
形はスリット状のビーム７表わし、矢印はビームの走
査方向ｒ示す一 第７図に、第６図と同じく、スリット状ビームに工０表
面が平担な基板上のシリコン膜を単結晶化する方法を示
す基板平面図で、ビーム了ニールが施さｎるシリコン膜
が溝の長さに応じてあらかじめ帯状ｒＣ分割てれている
。破線に、ス１１ット状のビーム【示す− １゛°゛・・・多結晶シリコン膜 ２・・・・・・石莢ガラス ３・・・・・・溝 ４・・・・・・二酸化シリコン膜 ５・・・・・・単結晶シリコンウェーハ６・・・・・・
スポット状レーザビーム７・・・・・・スリット状ビー
ム 代理人弁理士内原 晋 （１１） 第 ５ 図 第 ６ 記
上に単結晶シリコン膜を形成する従来の方法の一例を示
す基板断面図である。 第２図μ、基板に用いた単結晶／リコンウエーハの単結
晶面位種子にして、非晶質絶縁膜上に学績晶り＋） コ
ンＭに形成する方法の一例を示すビームアニール前の基
板断面図であめ。 第３図は、不発明の一例を示す基板断面１図である畠 第４図は、不発明の−ｆｌ示す基板平面図で、矩形状の
溝が形成さルた領域上の一部のシリコン膜ｔレーザビー
ムで単結晶化丁ゐ様子を示したものである。破線の円は
、レーザビームの形状ケ表わし、溝の長さ方向（矢印の
方向）にレーデビームが走査さｎ−るー ｉ％５図は、不発明の一例τ示す基板平面向で、矩形状
の溝が形成さ７’Ｌに領域上の下べての７１１コン膜ｔ
レーザビームで単結晶化する様子を示す７矢印にレーザ
ビームの走食方向ｒ示す・〔ｌＯ〕 第６図は、不発明の一例を示す基板平面図で。 レーザビームで形成てれたは結晶シリコンｌｌｋｍ子に
して、ス１１ット状のレーザビームにエリ表面が平担な
基板上のシリコン膜に単結晶化する様子全示す一破線の
形はスリット状のビーム７表わし、矢印はビームの走
査方向ｒ示す一 第７図に、第６図と同じく、スリット状ビームに工０表
面が平担な基板上のシリコン膜を単結晶化する方法を示
す基板平面図で、ビーム了ニールが施さｎるシリコン膜
が溝の長さに応じてあらかじめ帯状ｒＣ分割てれている
。破線に、ス１１ット状のビーム【示す− １゛°゛・・・多結晶シリコン膜 ２・・・・・・石莢ガラス ３・・・・・・溝 ４・・・・・・二酸化シリコン膜 ５・・・・・・単結晶シリコンウェーハ６・・・・・・
スポット状レーザビーム７・・・・・・スリット状ビー
ム 代理人弁理士内原 晋 （１１） 第 ５ 図 第 ６ 記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガラス又はガラス上に非晶質絶縁体膜を被覆した
ものからなる非晶質絶縁体基板上にシリコン膜ｗ堆積し
、ビームアニールによって該非晶質−絶縁体基板上に単
結晶シリコン膜全形成下る方法において、基板表面に複
数個の互に平行な矩形状の溝が形成さｎた領域が、平担
な表面を肩する領域ａ交互に存在する工うな非晶質絶縁
体基板食用い、まずレーザビームによって該矩形状の溝
領域上の一部又は丁べてのシリコン膜を単結晶化し、つ
づいて該単結晶化したシリコン膜會種子にしてビームア
ニールにより前記非晶質絶縁体基板の平担な表面領域上
のシリコン［ｋ単結晶に変換することｌｌ？徴とする単
結晶シリコン膜形成性。 ２、 前記矩形状の溝は、非晶質絶縁体基板表面に垂直
で、かつ隣り合う面が互に直交する４つの（１） 平面と、基板表面に平行な１つの平面で囲まれている事
を特徴とする特許 載の単結晶シリコン膜形成法。 ３ 前記ビームアニールでは，レーザビーム又は電子ビ
ーム音用い、少くとも矩形状の溝の長さ工り本大きな長
さｔ有するスリット状のビームκ用い、矩形状の溝の長
さ方向ｔビーム形状の長さ方向に一致ざせ、溝の長さ方
向に対して垂［ｉ方向にビーム又は基板全走査子る事を
特徴と丁る前記特許請求の範囲第１項記載の単結晶シリ
コン膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310182A JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310182A JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190899A true JPS58190899A (ja) | 1983-11-07 |
Family
ID=13508590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310182A Pending JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190899A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260492A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-23 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
| JPS61186283A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-19 | Katsuhiro Yokota | 単結晶シリコン膜を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や窒素酸素化シリコン膜や石英ガラスの表面に堆積させる方法 |
| JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
| JPH07176499A (ja) * | 1994-06-21 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光照射装置 |
| JP2002359195A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7310182A patent/JPS58190899A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260492A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-23 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
| JPH0536394B2 (ja) * | 1984-06-05 | 1993-05-28 | Sony Corp | |
| JPS61186283A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-19 | Katsuhiro Yokota | 単結晶シリコン膜を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や窒素酸素化シリコン膜や石英ガラスの表面に堆積させる方法 |
| JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
| JPH07176499A (ja) * | 1994-06-21 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光照射装置 |
| JP2002359195A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58159322A (ja) | マスク上に単結晶層を形成する方法 | |
| JP2660064B2 (ja) | 結晶物品及びその形成方法 | |
| JPS58190899A (ja) | 単結晶シリコン膜形成法 | |
| JPS58156591A (ja) | 半導体単結晶薄膜の形成法 | |
| JPS61241909A (ja) | Ｓｏｉ結晶形成法 | |
| JPS5886717A (ja) | 単結晶シリコン膜形成法 | |
| JPS59128292A (ja) | 薄膜の結晶化方法 | |
| JPS5886716A (ja) | 単結晶半導体膜形成法 | |
| JPH0228560B2 (ja) | Tanketsushoshirikonmakukeiseiho | |
| JPS5946021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60234312A (ja) | Ｓｏｉ膜形成方法 | |
| JPS59121823A (ja) | 単結晶シリコン膜形成法 | |
| JPS5893218A (ja) | 半導体薄膜構造の製造方法 | |
| JPS59184517A (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6362088B2 (ja) | ||
| JP2674751B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH0669024B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5856317A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS6362892B2 (ja) | ||
| JPS6219046B2 (ja) | ||
| JPS59171115A (ja) | 半導体装置基板の製造方法 | |
| JPS62297289A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS62176978A (ja) | 結晶成長用基板およびその製造方法 | |
| JPS6038810A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH0195513A (ja) | 半導体結晶膜の製造方法 |