JPS58190899A - 単結晶シリコン膜形成法 - Google Patents
単結晶シリコン膜形成法Info
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- JPS58190899A JPS58190899A JP7310182A JP7310182A JPS58190899A JP S58190899 A JPS58190899 A JP S58190899A JP 7310182 A JP7310182 A JP 7310182A JP 7310182 A JP7310182 A JP 7310182A JP S58190899 A JPS58190899 A JP S58190899A
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- crystal silicon
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Thermal Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
非品質絶縁体上に単結晶シリコン膜を形成下る方法に、
デバイスの高速化や三次元化などから注目さnている−
このような形成法としてグラフナエビタキシー業利用し
た成長法(第1図)や基板の一部を種子結晶として利用
し.非品質絶縁体上に横方向成長させる方法(第2図)
が著名である一グラフォエピタキシーを利用した方法で
は、第1〔2〕 図に示すごとく1石英ガラス基板2表面に幅2μm。
デバイスの高速化や三次元化などから注目さnている−
このような形成法としてグラフナエビタキシー業利用し
た成長法(第1図)や基板の一部を種子結晶として利用
し.非品質絶縁体上に横方向成長させる方法(第2図)
が著名である一グラフォエピタキシーを利用した方法で
は、第1〔2〕 図に示すごとく1石英ガラス基板2表面に幅2μm。
深さ0.1μ閘 程度の周期的な溝3ヶ形成しておき。
この上に1例えば、多結晶シリコン膜lγ堆積し、レー
ザビーム照射により、このシリコン膜lt単結晶化する
。グラフオエピタキシーを用いた方法に、種子結晶を用
いずとも単結晶化できるという利点がおる反面、シリコ
ン膜厚が薄くなるにつれて絶縁体基板表面に形成式n、
た溝の凹凸の為・デバイス特性例えばモビリティ−の劣
化等が無視できなくなる。又、広い面積の単結晶w4す
るのも容易でない、種子結晶デ利用した方法で汀、第2
図に示すどとく、例えれr県結晶シIIコン5上Vcに
酸化ンリコン(S、02)膜4會形成し、その一部を帯
状に除去して学績晶シリコン面r露出し、さらに、その
上に多結晶シリコン1漠1r堆積させる。
ザビーム照射により、このシリコン膜lt単結晶化する
。グラフオエピタキシーを用いた方法に、種子結晶を用
いずとも単結晶化できるという利点がおる反面、シリコ
ン膜厚が薄くなるにつれて絶縁体基板表面に形成式n、
た溝の凹凸の為・デバイス特性例えばモビリティ−の劣
化等が無視できなくなる。又、広い面積の単結晶w4す
るのも容易でない、種子結晶デ利用した方法で汀、第2
図に示すどとく、例えれr県結晶シIIコン5上Vcに
酸化ンリコン(S、02)膜4會形成し、その一部を帯
状に除去して学績晶シリコン面r露出し、さらに、その
上に多結晶シリコン1漠1r堆積させる。
そして例えばアルゴンレーザビームの照射にエリ、単&
L1%シ11コン上のシリコン膜りエビタキン丁ル成長
ケ利用して、二酸化シリコン膜4上に単結晶シリコン5
と同じ結晶方位の単結晶シリコン膜を成長させるもので
ある。この方法では種子r用い(3) ているため、単結晶化さ扛たシリコン膜の結晶方位は非
常に良くそろっているという利点7有する反面、三次元
LSI等への応用を目的とした単結晶シリコン膜の多層
化に対しては、常に単結晶シリコン面全露出しておかね
ばならないというわずられしさが存在する。このように
、従来の方法は、そ几ぞn−長一短を有し、いずnも十
分とにいえない一 本発明は、このような従来の方法1c見らlrLる長所
tと9入ルて、従来とは異なる新しい単結晶シリコン膜
形成法を提供するもので、基板としてはガラス又はガラ
ス上に非晶質絶縁体膜全被覆したような非晶質絶縁体基
板音用い、基板表面の一部に溝加工金施しておき、グラ
フオエピタキシーを利用して、この溝加工を施した領域
上に、1ずレーザビームにより導結晶シリコン膜を形成
しておき、つぎVClこの単結晶シリコン膜を種子結晶
にしてフリット状のビームを用いたアニールにより、平
担な非晶質絶縁体基板表面上に単結晶シリコン膜全成長
させる事を特徴さする嘱のである−(4) 不発明で汀、単結晶シリコン會基板に用いておらず、基
板全面か非晶質絶縁体であって本巣結晶シ11=ffン
膜の形成が可能で、しかもグラフオエピタキシーにエリ
万位配列した単結晶シリコン會種子に用いることにエリ
、凹凸のない平担な非晶質絶縁体表面上に単結晶シリコ
ンを形成できるtいう利点7有する。名らに、種子上用
いた成長時でのアニール手段として、スリット状のビー
ムを用いることにより、短時間で広い面′N′?tアニ
ールすることができる。
L1%シ11コン上のシリコン膜りエビタキン丁ル成長
ケ利用して、二酸化シリコン膜4上に単結晶シリコン5
と同じ結晶方位の単結晶シリコン膜を成長させるもので
ある。この方法では種子r用い(3) ているため、単結晶化さ扛たシリコン膜の結晶方位は非
常に良くそろっているという利点7有する反面、三次元
LSI等への応用を目的とした単結晶シリコン膜の多層
化に対しては、常に単結晶シリコン面全露出しておかね
ばならないというわずられしさが存在する。このように
、従来の方法は、そ几ぞn−長一短を有し、いずnも十
分とにいえない一 本発明は、このような従来の方法1c見らlrLる長所
tと9入ルて、従来とは異なる新しい単結晶シリコン膜
形成法を提供するもので、基板としてはガラス又はガラ
ス上に非晶質絶縁体膜全被覆したような非晶質絶縁体基
板音用い、基板表面の一部に溝加工金施しておき、グラ
フオエピタキシーを利用して、この溝加工を施した領域
上に、1ずレーザビームにより導結晶シリコン膜を形成
しておき、つぎVClこの単結晶シリコン膜を種子結晶
にしてフリット状のビームを用いたアニールにより、平
担な非晶質絶縁体基板表面上に単結晶シリコン膜全成長
させる事を特徴さする嘱のである−(4) 不発明で汀、単結晶シリコン會基板に用いておらず、基
板全面か非晶質絶縁体であって本巣結晶シ11=ffン
膜の形成が可能で、しかもグラフオエピタキシーにエリ
万位配列した単結晶シリコン會種子に用いることにエリ
、凹凸のない平担な非晶質絶縁体表面上に単結晶シリコ
ンを形成できるtいう利点7有する。名らに、種子上用
いた成長時でのアニール手段として、スリット状のビー
ムを用いることにより、短時間で広い面′N′?tアニ
ールすることができる。
以下、実施例を用いて不発明の詳細な説明する。
本発明で用いたアニール前の基板構造の一例ケ第3図に
示す一基板として石英ガラス2盆用い、基板表面に、1
μm間隔で5幅1μ渦、長さ4mm。
示す一基板として石英ガラス2盆用い、基板表面に、1
μm間隔で5幅1μ渦、長さ4mm。
深さ0.1μmfJm3が複数個周期的に形成された溝
加工領域上IC)0μ崗お含に設けた一溝は、石英ガラ
ス表面に垂直で、かつ隣り合う面が互に直交する4′)
の平面と、基板表面に平行な1つの平面で囲まれている
、溝加工には通常のレジスト膜のパターニング及びドラ
イエツチング技術音用いた。
加工領域上IC)0μ崗お含に設けた一溝は、石英ガラ
ス表面に垂直で、かつ隣り合う面が互に直交する4′)
の平面と、基板表面に平行な1つの平面で囲まれている
、溝加工には通常のレジスト膜のパターニング及びドラ
イエツチング技術音用いた。
(5)
このような基板の上に化学気相堆積(CVD)法により
多結晶シリコン膜I Q 0.6μm堆積した。
多結晶シリコン膜I Q 0.6μm堆積した。
次に、直径50μm8度のスポット状の連続発振ネオジ
ムヤグ(Nd:YAG)レーザにより、溝加エフ施した
領域上のシリコン膜のみアニールして単結晶化した7こ
の様子會@4図、5図に示す。第4図、5図は、第3図
の構造を基板面に垂直方向からみた基板表面の一部で、
多結晶シリコン膜は省いである。第4図、5図で、破線
の円6はスポット状のレーザビーム上水す・矢印に基板
に対するレーザビームの走査方向葡示す。第4図は基板
左端部の溝加工領域上の多結晶シリコン膜のみアニール
する場合、第5図は、すべての溝加工領域上の多結晶シ
リコン膜tアニールする場合7示す・このようにして、
溝加工を施した領域上の多結晶シリコンMUグラフオエ
ピタキシーにエリ単結晶化され、基板面に垂直方向お工
び溝の長さ方向に(100> 配向した単結晶シリコ
ン膜が得ら扛た。
ムヤグ(Nd:YAG)レーザにより、溝加エフ施した
領域上のシリコン膜のみアニールして単結晶化した7こ
の様子會@4図、5図に示す。第4図、5図は、第3図
の構造を基板面に垂直方向からみた基板表面の一部で、
多結晶シリコン膜は省いである。第4図、5図で、破線
の円6はスポット状のレーザビーム上水す・矢印に基板
に対するレーザビームの走査方向葡示す。第4図は基板
左端部の溝加工領域上の多結晶シリコン膜のみアニール
する場合、第5図は、すべての溝加工領域上の多結晶シ
リコン膜tアニールする場合7示す・このようにして、
溝加工を施した領域上の多結晶シリコンMUグラフオエ
ピタキシーにエリ単結晶化され、基板面に垂直方向お工
び溝の長さ方向に(100> 配向した単結晶シリコ
ン膜が得ら扛た。
溝加工領域上のシリコン膜のアニールは、ネオジム、ヤ
グレーザ以外Vc1 アルゴン(Ar)レ−fk(6) 用いても良い。
グレーザ以外Vc1 アルゴン(Ar)レ−fk(6) 用いても良い。
次VC,スリット状のビームを用いて残りの多結晶’/
’IコアMtY了ニールする・この様子を第6図に示す
。ここでは高出力連続発振ネオジム、ヤグレーザを用い
た場合を例にとり説明する。レーザ出力として、マルチ
モードで10(’lW?用い、レンズ系に工0長さ19
mm%幅20μ帛柑歴のX lット状ビームに変換して
アニールに用い1ζ、この場合。
’IコアMtY了ニールする・この様子を第6図に示す
。ここでは高出力連続発振ネオジム、ヤグレーザを用い
た場合を例にとり説明する。レーザ出力として、マルチ
モードで10(’lW?用い、レンズ系に工0長さ19
mm%幅20μ帛柑歴のX lット状ビームに変換して
アニールに用い1ζ、この場合。
スリット状のレーザビーム7 QJ長さ方向を溝3の長
さ方向に一致させ、溝の長さ方向Vこ垂直に17−ザビ
ームが走食さn/)、アニール条件として例えば基板加
熱温度500°C1走査速度1 (l m+m/see
か用いられた。高出力レーザ食用いてビーム形状デスリ
ット状に丁ゐことによ0、従来のスポット状のレーザビ
ームを用いる場合に比べて短時間でウェーハを処理する
ことかでさる。例えば、第7図に示す、c9に、溝30
畏さ4 mm 程度の溝カロエ領域を石英ガラス基板上
に多数形成してお1!、#石英ガラス基板上に堆積する
多結晶シリコン膜lも、溝(の長さに合わせて分割して
おく、セして500W(7〕 程度の高出力ネオジム、ヤグレーザ食用い、N、tは長
さ5 Q mm、幅20μ噂程度のスリット状ビーム7
にエリ直径2インチ程度の犬きさの基板全数秒でアニー
ルすることができる、このようにしてアニールされ1ζ
ソリコン嘆け、X@クロッングカーブお工び化学液I7
−よる腐触像の頒微堵観察から、基板面に垂直方向が(
100>でかつ溝の長さ方向に平行方向が(100>の
単結晶であることが確認さt′した^ 以上の実施例でげ、基板として石英ガラス金量いたが、
高融点ガラス盆二酸化シリコン(Si02)膜や窒化シ
リコン(Si2H4) R等の非晶質絶縁体膜で被覆し
たものケ基板として用して4工い。
さ方向に一致させ、溝の長さ方向Vこ垂直に17−ザビ
ームが走食さn/)、アニール条件として例えば基板加
熱温度500°C1走査速度1 (l m+m/see
か用いられた。高出力レーザ食用いてビーム形状デスリ
ット状に丁ゐことによ0、従来のスポット状のレーザビ
ームを用いる場合に比べて短時間でウェーハを処理する
ことかでさる。例えば、第7図に示す、c9に、溝30
畏さ4 mm 程度の溝カロエ領域を石英ガラス基板上
に多数形成してお1!、#石英ガラス基板上に堆積する
多結晶シリコン膜lも、溝(の長さに合わせて分割して
おく、セして500W(7〕 程度の高出力ネオジム、ヤグレーザ食用い、N、tは長
さ5 Q mm、幅20μ噂程度のスリット状ビーム7
にエリ直径2インチ程度の犬きさの基板全数秒でアニー
ルすることができる、このようにしてアニールされ1ζ
ソリコン嘆け、X@クロッングカーブお工び化学液I7
−よる腐触像の頒微堵観察から、基板面に垂直方向が(
100>でかつ溝の長さ方向に平行方向が(100>の
単結晶であることが確認さt′した^ 以上の実施例でげ、基板として石英ガラス金量いたが、
高融点ガラス盆二酸化シリコン(Si02)膜や窒化シ
リコン(Si2H4) R等の非晶質絶縁体膜で被覆し
たものケ基板として用して4工い。
又、不実悔例では、非晶質絶縁体表面が平担な領域上の
シリコン膜tアニ〜ルするのにスリット状のレーザビー
ム盆用いたが、スリット状の電子ビームを用いても不発
明は有効である。
シリコン膜tアニ〜ルするのにスリット状のレーザビー
ム盆用いたが、スリット状の電子ビームを用いても不発
明は有効である。
以上述べた工うに1本発明は、基板としてガラス又はガ
ラス上に非晶質絶縁体NkM覆したような非晶質絶縁体
基板を用い、基板表面の一部に溝(8) 加工を施してお′@、グラフオエピタキシー全利用して
、この溝加工を施した領域上IC′fずレーザビームに
エリ曝結晶シリコン膜會形成してお′@1次にこの単結
晶7リコン膜?種子結晶にしてスリット状のビーム音用
いてアニールすることにエリ、平担な非晶質絶縁体基板
上に単結晶シリコン膜盆成長させることt特徴とするも
ので1平担な基板表面上ニ(、広い面積の単結晶シリコ
ン膜を形成することが可能で、しかもアニール手段とし
てスリット状のビーム【用いることにLす、短時間で広
い面ffff1アニールできるという利点を有丁ゐ−こ
のため1例えばLSIデバイスの三次元化を考えた場合
、基板として単結晶シリコンウェーハを用いて、その表
面q)一部を種子にして成長させる方法に比べて、種子
となる単結晶シリコン面會常に露出しておく必要がなく
、デバイス作成上のわずられしてから解放式fL、本発
明にTj 8 I qノ三次元化に多大な効果奮発押下
るものである・(9)
ラス上に非晶質絶縁体NkM覆したような非晶質絶縁体
基板を用い、基板表面の一部に溝(8) 加工を施してお′@、グラフオエピタキシー全利用して
、この溝加工を施した領域上IC′fずレーザビームに
エリ曝結晶シリコン膜會形成してお′@1次にこの単結
晶7リコン膜?種子結晶にしてスリット状のビーム音用
いてアニールすることにエリ、平担な非晶質絶縁体基板
上に単結晶シリコン膜盆成長させることt特徴とするも
ので1平担な基板表面上ニ(、広い面積の単結晶シリコ
ン膜を形成することが可能で、しかもアニール手段とし
てスリット状のビーム【用いることにLす、短時間で広
い面ffff1アニールできるという利点を有丁ゐ−こ
のため1例えばLSIデバイスの三次元化を考えた場合
、基板として単結晶シリコンウェーハを用いて、その表
面q)一部を種子にして成長させる方法に比べて、種子
となる単結晶シリコン面會常に露出しておく必要がなく
、デバイス作成上のわずられしてから解放式fL、本発
明にTj 8 I qノ三次元化に多大な効果奮発押下
るものである・(9)
第1図は、グラフオエピタキシー〒利用して石英ガラス
上に単結晶シリコン膜を形成する従来の方法の一例を示
す基板断面図である。 第2図μ、基板に用いた単結晶/リコンウエーハの単結
晶面位種子にして、非晶質絶縁膜上に学績晶り+) コ
ンMに形成する方法の一例を示すビームアニール前の基
板断面図であめ。 第3図は、不発明の一例を示す基板断面1図である畠 第4図は、不発明の−fl示す基板平面図で、矩形状の
溝が形成さルた領域上の一部のシリコン膜tレーザビー
ムで単結晶化丁ゐ様子を示したものである。破線の円は
、レーザビームの形状ケ表わし、溝の長さ方向(矢印の
方向)にレーデビームが走査さn−るー i%5図は、不発明の一例τ示す基板平面向で、矩形状
の溝が形成さ7’Lに領域上の下べての711コン膜t
レーザビームで単結晶化する様子を示す7矢印にレーザ
ビームの走食方向r示す・〔lO〕 第6図は、不発明の一例を示す基板平面図で。 レーザビームで形成てれたは結晶シリコンllkm子に
して、ス11ット状のレーザビームにエリ表面が平担な
基板上のシリコン膜に単結晶化する様子全示す一破線の
形はスリット状のビーム7表わし、矢印はビームの走
査方向r示す一 第7図に、第6図と同じく、スリット状ビームに工0表
面が平担な基板上のシリコン膜を単結晶化する方法を示
す基板平面図で、ビーム了ニールが施さnるシリコン膜
が溝の長さに応じてあらかじめ帯状rC分割てれている
。破線に、ス11ット状のビーム【示す− 1゛°゛・・・多結晶シリコン膜 2・・・・・・石莢ガラス 3・・・・・・溝 4・・・・・・二酸化シリコン膜 5・・・・・・単結晶シリコンウェーハ6・・・・・・
スポット状レーザビーム7・・・・・・スリット状ビー
ム 代理人弁理士内原 晋 (11) 第 5 図 第 6 記
上に単結晶シリコン膜を形成する従来の方法の一例を示
す基板断面図である。 第2図μ、基板に用いた単結晶/リコンウエーハの単結
晶面位種子にして、非晶質絶縁膜上に学績晶り+) コ
ンMに形成する方法の一例を示すビームアニール前の基
板断面図であめ。 第3図は、不発明の一例を示す基板断面1図である畠 第4図は、不発明の−fl示す基板平面図で、矩形状の
溝が形成さルた領域上の一部のシリコン膜tレーザビー
ムで単結晶化丁ゐ様子を示したものである。破線の円は
、レーザビームの形状ケ表わし、溝の長さ方向(矢印の
方向)にレーデビームが走査さn−るー i%5図は、不発明の一例τ示す基板平面向で、矩形状
の溝が形成さ7’Lに領域上の下べての711コン膜t
レーザビームで単結晶化する様子を示す7矢印にレーザ
ビームの走食方向r示す・〔lO〕 第6図は、不発明の一例を示す基板平面図で。 レーザビームで形成てれたは結晶シリコンllkm子に
して、ス11ット状のレーザビームにエリ表面が平担な
基板上のシリコン膜に単結晶化する様子全示す一破線の
形はスリット状のビーム7表わし、矢印はビームの走
査方向r示す一 第7図に、第6図と同じく、スリット状ビームに工0表
面が平担な基板上のシリコン膜を単結晶化する方法を示
す基板平面図で、ビーム了ニールが施さnるシリコン膜
が溝の長さに応じてあらかじめ帯状rC分割てれている
。破線に、ス11ット状のビーム【示す− 1゛°゛・・・多結晶シリコン膜 2・・・・・・石莢ガラス 3・・・・・・溝 4・・・・・・二酸化シリコン膜 5・・・・・・単結晶シリコンウェーハ6・・・・・・
スポット状レーザビーム7・・・・・・スリット状ビー
ム 代理人弁理士内原 晋 (11) 第 5 図 第 6 記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ガラス又はガラス上に非晶質絶縁体膜を被覆した
ものからなる非晶質絶縁体基板上にシリコン膜w堆積し
、ビームアニールによって該非晶質−絶縁体基板上に単
結晶シリコン膜全形成下る方法において、基板表面に複
数個の互に平行な矩形状の溝が形成さnた領域が、平担
な表面を肩する領域a交互に存在する工うな非晶質絶縁
体基板食用い、まずレーザビームによって該矩形状の溝
領域上の一部又は丁べてのシリコン膜を単結晶化し、つ
づいて該単結晶化したシリコン膜會種子にしてビームア
ニールにより前記非晶質絶縁体基板の平担な表面領域上
のシリコン[k単結晶に変換することll?徴とする単
結晶シリコン膜形成性。 2、 前記矩形状の溝は、非晶質絶縁体基板表面に垂直
で、かつ隣り合う面が互に直交する4つの(1) 平面と、基板表面に平行な1つの平面で囲まれている事
を特徴とする特許 載の単結晶シリコン膜形成法。 3 前記ビームアニールでは,レーザビーム又は電子ビ
ーム音用い、少くとも矩形状の溝の長さ工り本大きな長
さt有するスリット状のビームκ用い、矩形状の溝の長
さ方向tビーム形状の長さ方向に一致ざせ、溝の長さ方
向に対して垂[i方向にビーム又は基板全走査子る事を
特徴と丁る前記特許請求の範囲第1項記載の単結晶シリ
コン膜形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7310182A JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7310182A JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58190899A true JPS58190899A (ja) | 1983-11-07 |
Family
ID=13508590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7310182A Pending JPS58190899A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 単結晶シリコン膜形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58190899A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260492A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-23 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
JPS61186283A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-19 | Katsuhiro Yokota | 単結晶シリコン膜を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や窒素酸素化シリコン膜や石英ガラスの表面に堆積させる方法 |
JPS62176978A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-08-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 結晶成長用基板およびその製造方法 |
JPH07176499A (ja) * | 1994-06-21 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光照射装置 |
JP2002359195A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7310182A patent/JPS58190899A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260492A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-23 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
JPH0536394B2 (ja) * | 1984-06-05 | 1993-05-28 | Sony Corp | |
JPS61186283A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-19 | Katsuhiro Yokota | 単結晶シリコン膜を酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や窒素酸素化シリコン膜や石英ガラスの表面に堆積させる方法 |
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