JPH02283058A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02283058A JPH02283058A JP10533889A JP10533889A JPH02283058A JP H02283058 A JPH02283058 A JP H02283058A JP 10533889 A JP10533889 A JP 10533889A JP 10533889 A JP10533889 A JP 10533889A JP H02283058 A JPH02283058 A JP H02283058A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に抵抗素子を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来、半導体装置における抵抗素子は、半導体基板上に
形成された絶縁膜の上に多結晶シリコン膜を形成し、抵
抗の形状にエツチングによって加工した後、多結晶シリ
コン膜にホウ素等の不純物をドーピングする方法で製造
していた。
形成された絶縁膜の上に多結晶シリコン膜を形成し、抵
抗の形状にエツチングによって加工した後、多結晶シリ
コン膜にホウ素等の不純物をドーピングする方法で製造
していた。
この抵抗素子は、多結晶シリコン膜の下が厚い酸化シリ
コン膜なので電流が流れることによって発生するジュー
ル熱が逃げにくいという問題がある。そこで、多結晶シ
リコン膜の下の酸化シリコン膜の厚さを薄くして熱を逃
げやすくするということが考え出された。
コン膜なので電流が流れることによって発生するジュー
ル熱が逃げにくいという問題がある。そこで、多結晶シ
リコン膜の下の酸化シリコン膜の厚さを薄くして熱を逃
げやすくするということが考え出された。
第３図は従来の半導体抵抗の一例の断面図である。
シリコン基板１に厚い酸化シリコン膜２と薄い酸化シリ
コン膜３とを設け、薄い酸化シリコン膜３の上に多結晶
シリコンの抵抗５を設ける。酸化シリコン膜４で表面を
覆い抵抗５の両端に開口部を設け、Ａβ配線７を接続す
る。
コン膜３とを設け、薄い酸化シリコン膜３の上に多結晶
シリコンの抵抗５を設ける。酸化シリコン膜４で表面を
覆い抵抗５の両端に開口部を設け、Ａβ配線７を接続す
る。
このように、抵抗５の下の酸化シリコン膜３を薄くする
と熱が逃げやすくなる。
と熱が逃げやすくなる。
しかしながら、抵抗５を形成している材料である多結晶
シリコン膜の抵抗率が小さく、多量の電流が流れるとき
には、発熱量が放熱量を上廻り、多結晶シリコン膜の温
度が上昇する。ホウ素等の不純物をドーピングした多結
晶シリコン膜は抵抗率の温度係数が負であるため、抵抗
率が下がり、安定した抵抗値が得られないという欠点が
ある。
シリコン膜の抵抗率が小さく、多量の電流が流れるとき
には、発熱量が放熱量を上廻り、多結晶シリコン膜の温
度が上昇する。ホウ素等の不純物をドーピングした多結
晶シリコン膜は抵抗率の温度係数が負であるため、抵抗
率が下がり、安定した抵抗値が得られないという欠点が
ある。
また、温度上昇は抵抗率低下と電流量増大を引き起こす
ので、温度上昇と電流増大が続き、抵抗素子が断線して
しまうという欠点もある。
ので、温度上昇と電流増大が続き、抵抗素子が断線して
しまうという欠点もある。
本発明は、半導体基板の絶縁膜の上に形成された多結晶
シリコンから成る抵抗を有する半導体装置において、前
記抵抗の少くとも一端が前記絶縁膜に設けられた開口部
を通る多結晶シリコン膜で前記半導体基板に接続してい
ることを特徴とする。
シリコンから成る抵抗を有する半導体装置において、前
記抵抗の少くとも一端が前記絶縁膜に設けられた開口部
を通る多結晶シリコン膜で前記半導体基板に接続してい
ることを特徴とする。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
シリコン基板１に厚い酸化シリコン膜２と薄い酸化シリ
コン膜３とを設け、薄い酸化シリコン膜に開口部を設け
る。多結晶シリコンｊ摸をＣＶＤ法で堆積し、選択エッ
チして抵抗５の形状にする。
コン膜３とを設け、薄い酸化シリコン膜に開口部を設け
る。多結晶シリコンｊ摸をＣＶＤ法で堆積し、選択エッ
チして抵抗５の形状にする。
酸化シリコンＷＡ４で覆い、抵抗５の両端に窓あけし、
ＡＩ！配線７を形成する。
ＡＩ！配線７を形成する。
この実施例においては、抵抗５を形成する元の材料であ
る多結晶シリコン膜が酸化シリコンＨ，３の開口部を通
ってシリコン基板１に接触している。
る多結晶シリコン膜が酸化シリコンＨ，３の開口部を通
ってシリコン基板１に接触している。
このような構成にすると、抵抗５から発生した熱は酸化
シリコン膜３を通って放熱されるのみならず、多結晶シ
リコン膜を通ってシリコン基板１へ逃げるので、放熱効
果が大きくなる。これは、シリコン基板１を構成してい
る単結晶シリコンは酸化シリコンに比べて熱伝導率が１
桁高いこと、単結晶シリコンは赤外線領域に吸収帯がな
く、輻射熱を通しやすいという性質を利用している。
シリコン膜３を通って放熱されるのみならず、多結晶シ
リコン膜を通ってシリコン基板１へ逃げるので、放熱効
果が大きくなる。これは、シリコン基板１を構成してい
る単結晶シリコンは酸化シリコンに比べて熱伝導率が１
桁高いこと、単結晶シリコンは赤外線領域に吸収帯がな
く、輻射熱を通しやすいという性質を利用している。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この実施例では、多結晶シリコンの抵抗５の両端の酸化
シリコン膜３に開口部を設け、ノンドープの多結晶シリ
コン膜６で抵抗５の端部とシリコン基板１との間をつな
いでいる。
シリコン膜３に開口部を設け、ノンドープの多結晶シリ
コン膜６で抵抗５の端部とシリコン基板１との間をつな
いでいる。
第１の実施例では、抵抗５の一端がシリコン基板１に電
気的に接続しているので、この条件で抵抗が使用される
場合しか適用できなかったが、第２の実施例では、高抵
抗のノンドープ多結晶シリコン膜６で抵抗５の両端とシ
リコン基板１とをつないでいるので、電気的には切り離
なされた状態に近く、熱的にはシリコン基板とつながっ
ている形となるので、回路条件の制限なしで抵抗５を抵
抗として使用することができる。
気的に接続しているので、この条件で抵抗が使用される
場合しか適用できなかったが、第２の実施例では、高抵
抗のノンドープ多結晶シリコン膜６で抵抗５の両端とシ
リコン基板１とをつないでいるので、電気的には切り離
なされた状態に近く、熱的にはシリコン基板とつながっ
ている形となるので、回路条件の制限なしで抵抗５を抵
抗として使用することができる。
製造するときは、酸化シリコン膜３に窓あけした後、ノ
ンドープ多結晶シリコンを堆積し、抵抗となる部分にの
みソウ素等の不純物をイオン注入または拡散により形成
し、ホトリソグラフィー技術で所定の抵抗の形状にバタ
ーニングすれば良い 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、抵抗素子として動作す
る多結晶シリコン膜を単結晶のシリコン基板と接触させ
るようにしたので、放熱効果を上げ、温度上昇に伴なう
抵抗率低下による抵抗値の変動を防ぐことができ、また
、過剰に電流が流れて抵抗素子が断線するこを防ぐこと
ができるという効果がある。
ンドープ多結晶シリコンを堆積し、抵抗となる部分にの
みソウ素等の不純物をイオン注入または拡散により形成
し、ホトリソグラフィー技術で所定の抵抗の形状にバタ
ーニングすれば良い 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、抵抗素子として動作す
る多結晶シリコン膜を単結晶のシリコン基板と接触させ
るようにしたので、放熱効果を上げ、温度上昇に伴なう
抵抗率低下による抵抗値の変動を防ぐことができ、また
、過剰に電流が流れて抵抗素子が断線するこを防ぐこと
ができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の半導体抵抗
の一例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２．３．４・・・酸化シリコン
膜、５・・・抵抗、６・・・ノンドープ多結晶シリコン
膜、７・・・Ａｆｆｌ配線。
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の半導体抵抗
の一例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２．３．４・・・酸化シリコン
膜、５・・・抵抗、６・・・ノンドープ多結晶シリコン
膜、７・・・Ａｆｆｌ配線。
Claims (1)
- 半導体基板の絶縁膜の上に形成された多結晶シリコンか
ら成る抵抗を有する半導体装置において、前記抵抗の少
くとも一端が前記絶縁膜に設けられた開口部を通る多結
晶シリコン膜で前記半導体基板に接続していることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10533889A JPH02283058A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10533889A JPH02283058A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283058A true JPH02283058A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14404946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10533889A Pending JPH02283058A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283058A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510642A (en) * | 1993-12-16 | 1996-04-23 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| US7365397B2 (en) | 2003-07-31 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US8298904B2 (en) | 2011-01-18 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture |
| US8652922B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP10533889A patent/JPH02283058A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510642A (en) * | 1993-12-16 | 1996-04-23 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| US7365397B2 (en) | 2003-07-31 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US8298904B2 (en) | 2011-01-18 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture |
| US8541864B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-09-24 | International Business Machines Corporation | Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture |
| US8652922B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Compact thermally controlled thin film resistors utilizing substrate contacts and methods of manufacture |
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