JPH02277062A - 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、耐熱性、電気的及び機械的性質に優れ、多層
配線板や半導体素子の層間絶縁膜または表面保護膜など
に好適な感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレ
メントに関する。

（従来の技術） 従来、ポリイミドて代表される耐熱性高分子は。

耐熱性、電気的および機械的特性に優れているため、半
導体素子の層間絶縁膜やパッシベーション膜、バッファ
ーコート膜などの表面保護膜として用いられており、ま
た、配線板の分野においても多層配線板の眉間絶縁膜な
どとして広く用いられてきている。

半導体工業においては、従来９層間絶縁膜や表面保護膜
に無機材料が用いられていたが、近年。

主にポリイミドなどのように耐熱性に優れた有機物が、
その特性を生かして使用されてきている。

ところで、半導体素子や多層配線板の表面保護膜や眉間
絶縁膜のパターン形成は、基材表面へのレジスト材の造
膜、所定箇所への露光、エツチング等による不要箇所の
除去、基材表面の清浄作業等繁雑で多岐に亘る工程を経
てパターン形成が行なわれることから、ＩＸ光、現像に
よってパターン形成後も必要な部分のレジスト材料を、
絶縁材料としてそのまま残して用いることができる耐熱
性感光材料の開発が望まれている。

しかして、これらの材料として１例えば感光性ポリイミ
ド、環化ポリブタジェン等をペースポリマとして耐熱感
光材料が提案されており、特に。

感光性ポリイミドは、その耐熱性が優れていることや不
純物の排除が容易であることなどの点から特に注目され
ている。

このような感光性ポリイミドとしては９例えば。

特開昭５８−１２０６３６号公報によりポリイミド前駆
体に感光基をエステル結合で導入した感光性ポリイミド
前駆体が提案されているが、この材料は、中間体に酸ク
ロリド誘導体を用いジアミンと反応させるため最終的に
膜に塩化物が残存しやす〈、残存塩化物は、金属配線（
Ａ／等）を腐触させ、短絡または断線等の不都合を生ず
る。

また、特開昭６０−１００１４３号公報により。

ポリアミド酸にインシアナート化合物を用いることによ
り感光基を付与させる方法が提案されているが、ポリア
ミド酸の光透過性が低く、厚膜形成することが困難であ
る。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、溶解性にｆ！Ｉｔ”Ｌるととも罠、基
材表面において最終硬化膜として形成した際に、耐熱性
及び可撓性を合せ待った膜を形成でき、しかも、塩化物
の残存がなく、光透過性が良好で厚膜形成ができる感光
性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメントを提供
するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、（Ａ）一般式（Ｉ） Ｈυυ（、’　　（、：ＯＯＨ （但し９式中、Ｒ鳳は４価の芳香族テトラカルボン酸残
基であり、Ｒ諺は２価の芳香族ジアミン残基であり、　
　ＦＬＩ及びＦＬｓの少なくとも一方がフッ素原子を有
する） で表される繰り返し単位を有する重合体（ａ）とエチレ
ン性不飽和基を有するインシアナート化合物（ｂ）とを
反応させて得られる感光性付加物 及び （Ｂｌ　　光開始剤 を含有する感光性樹脂組成物に関する。

また０本発明は、上記感光性樹脂組成物を基体上に積層
してなる感光性エレメントに関する。

本発明における前記重合体（ａ）／ｒｉ、所定の芳香族
テトラカルボ／酸二無水物と所定の芳香族ジアミンとを
出発原料として、公知の製造法により得ることができる
。

すなわち１重合体ｔａ＞Ｖｉ。

（１）　　フッ素原子を有する芳香族テトラカルボン酸
二無水物を含有する芳香族テトラカルボン酸二無水物と
フッ素原子を有しない芳香族ジアミン（１１）　　フッ
素原子を有しない芳香族テトラカルボ／酸二無水物とフ
ッ素原子を有する芳香族ジアミンを含有する芳香族ジア
ミン １ｉ＋１　　フッ素原子を有する芳香族テトラカルボン
酸二無水物を含有する芳香族テトラカルボン酸とフッ素
原子を有する芳香族ジアミ／を含有する芳香族ジアミン の場合分けの出発原料の組み合わせがあり、この組み合
わせの出発原料を用い、公知の製造法により得ることが
できる。

本発明におけるフッ素原子を有する芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物としては６例えば、グルー７’（７）　；
　２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキ
サフルオロプロパンニ無水物、２．２−ビスＣ４−（３
，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕へキサフル
オロプロパンニ無水物、２．２−ヒス［４−（２，３−
ジカルボキシフェノキシ）フェニル］へキサフルオロプ
ロパンニ無水物等及ヒクループ（イ）；（トリフルオロ
メチル）ピロメリット酸二無水物、ビス（トリフルオロ
メチル）ピロメリット酸二無水物、＆３′−ビス（トリ
フルオロメチル）　−４，４′、ｓ、　ｓ’−テトラカ
ルボキシビフェニル二無水物、２．、ｒ、瓜ｓ’−テト
ラキス（トリフルオロメチル）−１３′、４．４′−テ
トラカルボキシビフェニル二無水物、３．３’−ビス（
トリフルオロメチル）−４，４：　ｓ、　ｓ’−テトラ
カルボキシビフェニルエーテルニ無水物、２．２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４’、　５．５’−テ
トラカルポキシピフェニルエーテルニ無水物、３．３’
−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’、　５．５’
−テトラカルポキシペンゾフエノンニ無水物、２．２’
−ビス（トリフルオロメチル）−４゜４’、５．５’−
テトラカルボキシペンゾフエノンニ無水物、１．４−ビ
ス（３−（トリフルオロメチル）−４，５−ジカルボキ
シフェノキシ〕ベンゼンニ無水物、１．４−ビスＣ２−
（トリフルオロメチル）−４，５−ジカルボキシフェノ
キシ〕ベンゼンニ無水物、４．４’−ビス（３−（）リ
フルオロメチル）−４，５−ジカルボキシフェノキシ〕
ビフェニルニ無水物、１−トリフルオロメチル−２，５
−ビス〔３−（トリフルオロメチル）　−４，５−ジカ
ルボキシフェノキシ〕ペンゼン二無水物、１．１’−ビ
ス（トリフルオロメチル）　−３，３’−ビス〔３−（
トリフルオロメチル）　−４，５−ジカルボキシフェノ
キシ〕ビフェニルニ無水物、４．４’−ビス［３−（）
リフルオロメチル）　−４，５−ジカルボキシフェノキ
シ〕ビフェニルエーテルニ無水物、１−トリフルオロメ
チル−３，５−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
ヘンゼンニ無水物、１．４−ビス（トリフルオロメチル
）−３５−ビス（λ４−ジカルボキシフェニル）ペンゼ
ンニ無水物、１，２，４．６−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−３，５−ビス（λ４−ジカルボキシフェニ
ル）ベンゼン二ｍ水物、　　ｔ、ｔ’−ビス（トリフル
オロメチル）−人３’−（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）ビフェニルニｍ水物。

１、１．’　４．４’−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）３゜３’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ビ
フェニルニ無水物、λ２−ビス〔４−（２，３−ジカル
ボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕へキサフルオｏ７
’ロパンニ無水物、　２．２−ビス〔３−メチル−４−
（２，３−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フエニル〕
へキサフルオロ、７’　（ｌ　ハン二無水物、　　２．
２−ビスｒ４−（２−）リフルオロメチル−３，４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕へキサフルオ
ロプロパンニ無水物、１．５−ビス〔４−（３，４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕デカフルオロ
ペンタンニ無水物、１．３−ビス（４−（３，４−ジカ
ルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕へキサフルオロ
プロパン二ｍ水物、　　１゜６−ビス［４−（＆４−ジ
カルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕ドデカフルオ
ロヘキサンニ無水物、２，２−ビス〔１５−ジメチル−
４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕へ
キサフルオロプロパンニ無水物、２．２−ビス［４−１
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕オクタフルオ
ロプタンニ無水物、　Ｚ２−ヒスｃ　４−　（２−トリ
フルオロメチル−３，４−ジカルボキシ）フェニル〕へ
キサフルオロプロパンニ無水物、　　１．３−ビス［４
−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕へキ
サフルオロプロパン二ｍ水物、　　１゜５−ビス［４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕テカフ
ルオロペ／タンニ無水物、１．６−ビス〔４−（３，４
−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ドデカフルオロ
グロパ／二無水物等が挙げられる。

フッ素原子を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物は
、純度の高いものが商業的に入手容易であり、純度が高
いので重合体（ａ）を容易に高分子量とすることができ
耐熱性を向上できる点から次の一般式（■′）で表され
るものが好ましい。

この一般式（■′）で表されるフッ素原子を有する芳香
族テトラカルボン酸は１重合体（ａｌにおいて一般式（
ＩＦ）で表される４価の芳香族テトラカルボン酸残基を
与える。

一般式（「′）で表されるフッ素原子を有する芳香族テ
トラカルボン酸二無水物としては１例えば。

前記グループ−に示したものが挙げられる。これらのウ
チ、　　２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）へキサフルオロプロパンニ無水物がより好ましい。こ
のものは、セントラル硝子社等から入手可能である。

本発明においてフッ素原子を有しない芳香族テトラカル
ボン酸二無水物としては０例えば、ピロメリット酸二無
水物、　＆　３’、　４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、　　＆　３’、４．４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物１ｍ−ターフェニル−３
，３’、４．４’−テトラカルボン酸二無水物、ｐ−タ
ーフェニル−３，３’、４．　（−テトラカルボン酸二
無水物、２．＆６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、　ヒス（亀４−ジカルボキシフェニル）エーテ
ル二無水物。２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）プロパンニ無水物等が挙げられる。

本発明においてフッ素原子を有する芳香族アミンとして
は１例えば、グ→−プ（つｌ；　２，２−ビス（４−ア
ミノフェニル）へキサフルオロプロパン。

λ２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）へキサ
フルオロプロパン、２．２−ビス（３−メチル−４−ア
ミノフェニル）へキサフルオロプロパン、ス２−ビス（
３，５−ジメチル−４−アミノフェニル）へキサフルオ
ロプロパン等及びグループ（１）；４２−ビスＣ４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロ
パン、２＋２−ビスＣ４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕へキサフルオロプロパン、２．２−ビスＣ４−
Ｃ２−７ミノフエノキシ）フェニル〕へキサフルオロプ
ロパン、２．２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパン
、１．４−ビス〔２−（トリフルオロメチル）−４−ア
ミノフェノキシ〕ぺ／セン。４．４’−ビス［２−（）
リフルオロメチル）−４−アミノフェノキシ〕ビフェニ
ル、４．４’−ビス（２−（）リフルオロメチル）−４
−アミノフェノキシクジフェニルスルホン、４．４’−
ビスＣ４−（４−アミノフェニルチオ）−フェニル〕ビ
フェニル、２．２’−ヒス（４−（４−７ミノフエニル
チオ）−フェニル〕へキサフルオロプロパン、２．２’
−ビス（４−（２−トリフルオロメチル−４−アミノフ
ェノキシ）フエニル〕へキサフルオロプロパン等が挙ケ
ラれる。

フッ素原子を有する芳香族ジアミ／は、純度の高いもの
が商業的に入手容易であり、純度が高いので重合体（ａ
）を容易に高分子量化することができ耐熱性を向上でき
る改から１次の一般式（■′）で表されるものが好まし
い。

パン、２．２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル
）へキサフルオロプロパンがよす好ましい。

これらは、セントラル硝子社等から入手可能である。

また、フッ素原子を有する芳香族ジアミンは。

前述したのと同じ薇から９次の一般式（■′）で表され
るものが好ましい。

（但し１式中、　Ｘｔ　、　Ｘｓ　、　Ｘｓ　及びＸ４
は一般式（Ｉｌｉ＞におけると同意義である） この、一般式（ＩＦ）で表されるフッ素原子を有する芳
香族ジアミンは１重合体（ａ）において一般式（ＩＩＩ
）で表される２価の芳香族ジアミン残基を与える。

一般式（■′）で表されるフッ素原子を有する芳香族ジ
アミンとしては９例えば、前記グループ（つ）に示した
ものが挙げられる。これらのうち、λ２−ビス（４−ア
ミノフェニル）へキサフルオロプロエ４ （但し０式中ｅ　Ｙｏ　＃　Ｙｌ　＃　Ｙｌ　＊　Ｙｌ
及びＹ４は、一般式（ＩＶ）におけると同意義である） この、一般式（■′）で表されるフッ素原子を有する芳
香族ジアミンＪｆｉ、重合体（ａ）ＩＣおいて一般式（
財）で表される２価の芳香族ジアミン残基を与える。

一般式（ＩＶ’）で表されるフッ素原子を有する芳香族
ジアミンとしては０例えば、前記グループ（１）に示し
たものが挙げられる。これらのうち、ス２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプ
ロパンがより好ましい。これは。

セントラル硝子社等から入手可能である。

本発明において、フッ素原子を有しない芳香族ジアミン
としては９例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フ二
二しンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルメタン
、４．４’−ジアミノジフェニルエタン、ベンジジン、
４．４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４．４’−
ジアミノジフェニルスルホン。

４．４′−ジアミノジフェニルエーテル、３．３’−ジ
アミノベンゾフェノン、４．４’−ジアミノベンゾフェ
ノン、１．５−ジアミノナフタレン、３．３’−ジメチ
ル−４，４′−ジアミノビフェニル、浅４−ジアミノジ
フェニルエーテル、λ２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン、ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）スルホン、３．４’−シアＳノベ／ズアニリド９
ｍ−キシリレンシアＳ／、ｐ−キシリレンジアミン等が
挙げられる。

フッ素原子を有しない芳香族ジアミンとしてジアミノア
ミド化合物及び／又はジアミノジアミド化合物を用いる
こともできる。

ジアミノアミド化合物としては１例えば、４．４’−ジ
アミノジフェニルエーテル−３−スルホンアミド、＆４
′−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホ／アミド
、λ４′−ジアミノジフェニルエーテル−３′−スルホ
ンアミド、＆３′−ジアミノジフェニルエーテル−４−
スルホンアミ）’、　４．４’−ジアミノジフェニルメ
タン−３−スルホンアミド。

３．４′−ジアミノジフェニルメタン−４−スルホンア
ミド、３．４’−ジアミノジフェニルメタン−３′−ス
ルホンアミド、３．３−ジアミノジフェニルメタン−４
−スルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルスル
ホン−３−スルホンアミ）’、３．４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン−４−スルホンアミド。

３．４′−ジアミノジフェニルスルホン−３′−スルホ
ンアミド、３．３’−ジアミノジフェニルスルホン−４
−スルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルサル
ファイド−３−スルホンアミド、３．４’−ジアミノジ
フェニルサルファイド−４−スルホンアミド、＆３′−
ジアミノジフェニルプルファイド−４−スルホンアミド
、λ４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−ス
ルホンアミド、１．４−ジアミノベンゼン−２−スルホ
ンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３
−カルボンアミド、＆４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−４−カルボンアミド、：ｌ（，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−３′−カルボンアミド、１３′−ジア
ミノジフェニルエーテル−４−カルボンアミド、４４′
−ジアミノジフェニルメタン−３−カルボンアミド、３
．４’−ジアミノジフェニルメタン−４−カルボンアミ
ド。

λ４′−ジアミノジフェニルメタン−３′−カルボンア
ミド、３．３’−ジアミノジフェニルメタン−４−カル
ボ／アミド、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン−
３−カルボンアミド、３．４’−ジアミノジフェニルス
ルホン−４−カルボ／アミド、３．４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３′−カルボンアミド。

ジアミノジフェニルスルホン−４−カルボンアミド、４
．４’−ジアミノジフェニルサルファイド−３−カルボ
ンアミド、３．４’−ジアミノジフェニルサルファイド
−４−カルボンアミド、λ３′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド。

３．４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−ス
ルホンアミド、１．４−ジアミノベンゼン−２−カルボ
ンアミド等が挙げられる。

ジアミノジアミド化合物としては９例えば、４゜４′−
ジアミノジフェニルエーテル−３，３′−スルホンアミ
ド、３．４’−ジアミノジフェニルエーテル−４，５′
−カルボ／アミド、）３′−ジアミノジフェニルエーテ
ル−４，４′−スルホンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン−λ３′−カルボンアミド。

＆４′−ジアミノジフェニルメタン−４，５’−スルホ
ンアミド等が挙げられる。

また０重合体（ａ）の接着性を改善するためにシロキサ
ン骨格を有するテトラカルボン酸二無水物を併用するこ
とができる。シロキサン骨格を有するテトラカルボン酸
二無水物としては１例えば。

などが挙げられる。

また１重合体（ａ）の接着性を改善するためにシロキサ
ン骨格を有するアミン化合物を併用することができる。

シロキサン骨格を有するアミン化合物としては９例えば
。

などが挙げられる。

重合体（ａ）を製造するための芳香族テトラカルボン酸
二無水物と芳香族シアはンとの反応は、公知であるが、
不活性な有機溶媒中で０〜１００℃の温度で行うことが
好ましく、１０〜８０℃の温度で行なうことがより好ま
しい。これらの酸成分とアミン成分は、酸成分／アミン
成分が０．８　／　１〜１．２／１（モル比）の割合で
使用するのが好ましく、はぼ等モルで使用するのがより
好ましい。

また１反応に用いる有機溶媒としては、生成する重合体
（ａｌを完全に溶解する極性溶媒が一般に好ましく１例
えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素
、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ｒ−ブチロラクトン
、　Ｎ、Ｎ−ジメチルプロピレンウレア。

Ｎ、Ｎ−ジメチルプロレンウレア等が挙げられる。

その他、この極性溶媒以外に、一般的有機溶媒であるケ
トン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲ
ン化炭化水素類、炭化水素類例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シェラ酸ジ
エチル、マロン酸ジエチル、Ｔ−ブチ、ａラクトン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル
。

ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジクロロメタン、１．２−ジクロルエタン、１
．４−ジクロルブタン、トリクロルエタン、クロルベン
ゼン、Ｏ−ジクロルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等も使用するこ
とができる。

重合体（ａｌを完全に溶解させるためには、これらの一
般的有機溶媒は前記の極性溶媒と混合して用いることが
望ましく、この有機溶媒の使用量は。

重合体（ａ）１００重量部に対して、９０〜１９００重
量部であることが好ましく、１５０〜５００重量部であ
ることがより好ましい。

本発明においては９重合体（ａ）にエチレン性不飽和基
を有するインシアナート化合物（ｂ）を反応させること
により（Ａ）感光性付加物を得る。

本発明における重合体（ａ）とエチレン性不飽和基を有
するインシアナート化合物（ｂ）との反応は、公知の方
法により行うことができるが、上記重合体（ａ）の合成
に用いた有機溶媒中で、０〜１００℃の温度で行う仁と
が好ましく、２０〜７０℃の温度で行うことがより好ま
しい。エチレン性不飽和基を有するインシアナート化合
物（ｂ）の重合体（ａ）に対する割合は、感光性樹脂組
成物の感度および塗膜の耐熱性の県から１重合体（ａｌ
中のカルボキシル基の１当量に対して、Ｏ，ＯＳ〜０．
ｇ当量であることが好ましく、０．１〜０．８当量であ
ることがより好ましい。

さらに、エチレン性不飽和基を有するインシアナート化
合物（ｂｌと重合体（ａ）との反応は、トリエチルアミ
ン、１．４−ジアゾビシクロ〔λλ２〕オクタン等のア
ミン、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジアセ
テート等のスズ化合物等を触媒的に用いると容易となる
。

これらは０通常インシアナート化合物に対して約０．０
１〜５重ｌｉｄの範囲で用いることができる。

エチレン性不飽和基を有するインシアナート化合物（ｂ
ｌとしては１例えば、アクリロイルイソシアナート、イ
ンシアナートエチルアクリレート、インシアナートプロ
ピルアクリレート、インシアナートブチルアクリレート
、イソシアナートベンチルアクリレート、インシアナー
トへキシルアクリレート、インシアナートオクチルアク
リレート。

インシアナートデシルアクリレート、インシアナートオ
ノタデシルアクリレート、メタクリロイルイソシアナー
ト、インシアナートエチルメタクリレート、インシアナ
ートプロピルメタクリレート。

インシアナートブチルアクリレート、インシアナートベ
ンチャメタクリレート、インシアナートへキシルメタク
リレート、インシアナートオクチルアクリレ−ト、イン
シアナートエチルメタクリレート、イソシアナートオク
タデシルメタクリレート、インシアナートエチルクロト
ネニト、インシアナートプロピルクロトネート、インシ
アナートへキシルクロトネート等が挙げられる。インシ
アナートエチルメタクリレートは、−ゲラケミカル社、
昭和ロープイア化学社等から、（メタ）アクリロイルイ
ンクアナートは日本ペイント社等から入手できる。

また、エチレン性不飽和基を有するインシアナート化合
物（ｂ）は、少なくとも１つのエチレン性不飽和基を有
するヒドロキシ化合物と、ジイソシアナート化合物を出
発原料として次式に示した反厄により合成することもで
きる。

Ｒｓ　−ＯＨ＋ＯＣＮ　　ＦＬａ　　Ｎｅｏ　　−ＪＰ
ＯＣＮ−Ｒ４ＮＨＣＯＲｓ （但し１式中、Ｒ３は１価のエチレン性不飽和基を有す
るアルキル基であり、Ｒ１４は２価のアルキル基である
） 少なくとも１つのエチレン性不飽和基を有するヒドロキ
シ化合物としては１例えば、トリメチロールプロパンジ
アクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレー
ト、トリメチロールエタンジアクリレート、トリメチロ
ールエタンジメタクリレート、ペンタエリスリトールト
リアクリレート、ペンタエリスリトールト１１メタクリ
レート。

２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエ
チルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレ
ート１．２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−
ヒドロキシ−３−フェノキジブａビルアクリレート、２
−ヒドロキシ−３−フェノキシプロビルメタクリレート
、アリルアルコール、グリセリンジアリルエーテル、ト
リメチロールプロパンジアリルエーテル、トリメチロー
ルエタンジアリルエーテル、ペンタエリスリトールジア
リルエーテル、エチレンクリコールモノアリルエーテル
、ジエチレングリコールモノアリルエーテル、ジクリセ
ロールトリアリルエーテル。

クロチルアルコール、ビニルフェノール、シンナミルア
ルコール、アリルフェノール、０−シンナミルフェノー
ル。

（ｎは２〜３０の整数、ＦＬはｌ（またはＣＨａである
）。

（ｎは３〜３０の整数、ＲはＨまたＦｉ　ＣＨｓである
）。

（Ｒ＃ｉＨまたはＣＨ３である）。

（ｎは１〜３０の整数、ＲｏけＨまたけＣＨｓである）
。

（ＲはＨまた＃：ｔ　ＣＨｓである）。

等が挙げられる。

これらのエチレン性不飽和基を有するヒドロキシ化合物
は、単独でも２２１ｉ類以上を組み合わせても使用する
ことができる。

また、エチレン性不飽和基を有するジイソシアナート化
合物としては、・例えば、４．４’−ジフェニルメタン
ジイソシアナート、ジアニシジンイ′ノシアナート、ト
リデンジインシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ート、λ４−トリレンジイソシアナート、２．６−ドリ
レンジイソシアナート。

メタキ７リレンジイソシアナート、１，５−ナフタレン
ジイソシアナート、トランスビニレンジインシアナート
、　　２，２．４−）ジエチルへキサメチレンジイソシ
アナート、２，４．４−トリメチルへキサメチレンジイ
ソシアナート、３−インシアナートメチル−３５，５−
）ジエチル−シクロヘキシルインシアナート 等が挙げられる。

さらに、これらのジイソシアナート化合物は。

単独でも２種類以上を組み合わせても使用することがで
きる。

少なくとも１つのエチレン性不飽和基を有するヒドロキ
シ化合物とジインシアナート化合物との反応は、無溶媒
あるいは不活性な有機溶媒中で。

通常θ〜１００℃の温度で行うことが好ましく。

２０〜７０℃の温度で行うことがより好ましい。

また、その配合は前者／後者が０．８　／　１〜１．２
／１（モル比）の割合とするのが好ましく、はぼ等モル
で使用するのがより好ましい。

少なくとも１つのエチレン性不飽和基を有するヒドロキ
シ化合物とジインシアナート化合物との反応は、トリエ
チルアミン、１，４−ジアゾビシクロ［２，２，２）オ
クタンのようなアミンまたはジブチルスズジラウレート
、あるいはジブチルスズジアセテートのようなスズ化合
物を触媒的に用いると容易となる。

これらは、ジインシア、ナート化合物に対して約０．０
１〜５重量係の範囲で通常用いることができる。

エチレン性不飽和基を有するインシアナート化合物（ｂ
）は、単独でも２種類以上を組み合わせても使用するこ
とができる。

本発明に用いられる（Ｂ）光開始剤としては０例えば、
ミヒラーズケトン、ペンシイ／、２−メチルベンゾイン
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、ペンゾインイソグロビルエーテル、ベンゾインブチ
ルエーテル、２−１−ブチルアントラキノン、１．２−
ベンゾ−９，１０−アントラキノン、アントラキノン、
メチルア／トラキノン、４．４’−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン
、チオキサントン、２．４−ジエチルチオキサントン、
１゜５−アセナフテン、２．２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロへキシルフ
ェニルケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェ
ニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ジアセチ
ル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジ
エチルケタール、ジフェニルジスルフィド、アントラセ
ン、フェナンスレンキノ／、リボフラビンテトラブチレ
ート、アクリルオレンジ、エリスロシ／、フェナンスレ
ンキノン、２−イソプロピルチオキサント／、＆３−カ
ルボニルービス（７−ジニチルアｓ））クマリ／、スロ
ービス（ｐ−ジエチルアミノベンジリデン）−４−メチ
ル−４−アザシクロヘキサノン。

６−ビス（ｐ−ジメチルアミノベンジリデン）−シクロ
ペンタノン、２．６−ビス（ｐ−ジエチルアミノベンジ
リデン）−４−フェニルシクロヘキサノン、下記の式で
表されるアミノスチリルケトン等を挙げることができる
。

これらの（Ｂ）光開始剤は、単独でもＺＮｉ類以上を組
み合わせても使用することができる。

これらの（Ｂｌ光開始剤に、光開始助剤であるアミン類
やアミノ酸を併用することもできる。

アミン類としては９例えば、ｐ−ジメチルアミノ安息香
酸エチル、ｐ−ジエチルアミノ安息香酸メチル、ｐ−ジ
エチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息
香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、
ｐ−ジメチルアミノベンゾニトリル、　Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアントラニル酸エチル等を挙げることができる。

アミノ酸としては１例えば、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ
−メチル−Ｎ−（ｐ−りａロフェニル）クリシン、Ｎ−
エチル−Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシン、Ｎ−（
ｎ−プロピル）−Ｎ−（ｐ−Ｖロロフェニル）グリシン
、Ｎ−メチル−Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グリシン、
Ｎ−エチル−Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グリシン、　
Ｎ−（ｐ−シアノフェニル）グリシン、Ｎ−（ｐ−クロ
ロフェニル）グリシン、Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グ
リシン等を挙げることができる。

これらの（Ｂ）光開始剤、光開始助剤であるアミン類お
よびアミノ酸の使用量は、感光性樹脂組成物の感度およ
び塗膜の耐熱性の点から、（Ａ）感光性付加物１００重
量部に対して１通常０．０１〜３０重量部、好ましくは
０．１〜１０重量部とされる。

また、これらの（Ｂ）光開始剤、光開始助剤であるアミ
ン類およびアミノ酸は、単独でも２種類以上を組み合わ
せても使用することができる。感光性樹脂組成物の熱的
な安定性を向上させるために、公知の熱重合禁止剤を共
存させることができる。

熱重合禁止剤としては９例えば、ｐ−メトキシフェノー
ル、ヒドロキノン、ｔ−ブチルカテコール、ビａガロー
ル、フェノチアジン、クロラニール、ナフチルアミン、
β−ナフトール、２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾ
ール、ピリジン、ニトロベンゼン、ｐ−トルイジン、メ
チレンブルーム２′−メチレ／ビス（４−メチル−６−
ｔ−ブチルフェノール）、４２′−メチレンビス（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）等が挙げられ。

その使用量は、　（Ａ）感光性付加物１００重量部に対
して０通常０．００１〜１０重量部とするのが好ましい
。

本発明だおいて必要に応じて（Ｃ）重合性不飽和化金物
を用いることができる。かかる（Ｃ）重合性不飽和化合
物としては、各種のものがあるがアクリル酸系化合物あ
るいはメタクリル酸系化合物等が実用的である。

具体的なアクリル酸系化合物としては９例えば。

アクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート
、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレー
ト、ｎ−ブチルアクリレート、インブチルアクリレート
、シクロへキシルアクリレート、ベンジルアクリレート
、カルピトールアクリレート、メトキシエチルアクリレ
ート、エトキシエチルアクリレート、ブトキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキ
シプロピルアクリレート、ブチレングリコールモノアク
リレート、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレー
ト、　　Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレート、
グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、ト
リメチロールプロパンモノアクリレート、アリルアクリ
レ−）、１．３−プロピレングリコールジアクリレート
、１．４−フチレンゲリコールジアクリレート、１．６
−ヘキサングリコールジアクリレート、ネオペンチルグ
リコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジア
クリレート、λ２−ビスー（４−アクリロキシジェトキ
シフェニル）プロパン、２．２−ビス（４−アクリロキ
シプロビルキシフェニル）プロパン、トリメチロールプ
ロパンジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、トリアクリルホ
ルマール、テトラメチロールメタンテトラアクリレート
、トリス（２−ヒドロキシエチル）インシアヌル酸のア
クリル酸エステル。

（ｎは１〜３０の整数である）。

しＨ３ （ｎ、ｍはｎ十ｍが２〜３０となる整数である）。

ＣＨｇＢｒ ０　　　　　　　　Ｂｒ　　Ｂｒ 等を挙げることができる。

また、メタクリル酸系化合物としては９例えば。

メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリ
レート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタク
リレート、ブチルメタクリレート。

イソブチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、オクチルメ、タクリレ
ート、エチルへキシルメタクリレート。

メトキシエチルメタクリレート、エトキシエチルメタク
リレート、ブトキシエチルメタクリレート。

ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピル
メタクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレート、ヒ
ドロキシペンチルメタクリレート。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノメタクリレート、　Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアミノメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン。

アリルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメ
タクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、１．３−ブチレングリコールジメタクリレート、１
．６−ヘキサンゲリコールジメタクリレート、ネオペン
チルグリコールジメタクリレート、Ｚ２−ビス−（４−
メタクリロキシジェトキシフェニル）フロパン、トリメ
チロールプロパンジメタクリレート、ペンタエリスリト
ールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート
、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、トリ
ス（２−ヒドロキシエチル）インシアヌル酸のメタクリ
ル酸エステル。

（ｎは１〜３０の整数である）。

（ｎ、ｍはｎ−４−ｍが１〜３０となる整数である）。

Ｃｌ−１２Ｂ「 等を挙げることができる。

これらの化合物は単独で使用しても２種類以上を併用し
ても良い。

本発明になる感光性樹脂組成物は、有機溶媒を含むこと
ができるが、この有機溶媒は前記の芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物と芳香族アミンの反応に用いた有機溶媒を
用いても良く、また１反応に用いた有機溶媒を前記され
た他の有機溶剤に変えても良い。

有機溶媒の使用量は、感光性樹脂組成物の粘度の県から
、（Ａ）感光性付加物１００重量部に対して。

９０〜１９００重量部用いることが好ましく。

１５０〜５００重量部用いることがより好ましい。

本発明になる感光性樹脂組成物は、各種の成分を含むが
、これらの混合順序、混合方法等には特に制限はなく、
浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、スピンナー塗
布法などによって銅貼り積層板、シリコンウェハー等の
基材に塗布、乾燥され、？！ｉ膜とされる。

まえ、感光性樹脂組成物を可撓性の基体フィルム、例え
ば、ポリエステルフィルム上に塗布・乾燥して積層し、
この上に必要に応じてボ１１エチレン等のカバーシート
を設けてサンドイッチ構造の感光性エレメントを予め作
成し、この感光性エレメントのカバーシートを剥がして
被覆すべき基材上に塗膜を形成することも可能である。

この塗膜上に、所望のパターンを描いたマスク上から活
性光線を照射することにより、照射部において重合が起
こり、この照射部は非照射部に対して現像液に対する溶
解性が大きく低下する。

上記活性光ｔｗＶｉ、通常紫外光が用いられるが。

場合により、電子線、放射線のような電離性放射線を照
射することによっても塗膜に対して同様の効果を与える
ことができる。

かくして上記のように処理された塗膜を、適当な現像液
で処理すれば、高い溶解性を保持している非照射部は現
像除去されるとともに、活性光線の照射により溶解性が
低下せしめられた照射部は残り、所望の樹脂パターンを
得ることができる。

現像液としては、非照射部を適当な時間内に完全に溶解
除去し得るものが好ましく１例えば、Ｎ−メチルピロリ
ドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、　　Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、　　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホリッ
クトリアミド、γ−ブチロラクトン等の極性溶媒を使用
することができる。

あるいは、これらに例えば、メタノール、エタノール、
インプロパツール等のアルコール類、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素化合物、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
シクロペン２フフ等ノケトン類、酢酸エチル、プロピオ
ン酸メチル等のエステル類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のエーテル等の一般的有機溶媒を混合して用い
ることができる。

また、このような有機溶媒で現像残りを生じる場合には
、極性溶媒や一般的有機溶媒に塩基性化合物または塩基
性化合物の水溶液を添加して用いることができる。

塩基性化合物としては、アルカリ金属、４級アンモニウ
ムの水酸化物、炭酸塩、ｉｉ炭酸塩、ケイ酸塩、リン酸
塩、ピロ１１ン酸塩、酢酸塩、アミン類等が用いられる
。

これらの具体例としては９例えば、水酸化リチウム、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム
、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、ケイ酸ナトリウム
、す７ｍナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、酢酸ナト
リウム。

モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタ
ノールアミン等が挙げられる。

塩基性化合物の水溶液を調整する場合には、上記塩基性
化合物の使用量は、水１００重量部に対して０．０００
１〜１０重量部用いるのが好ましく。

０、００５〜１重量部用いるのがより好ましい。

現像により得られた厚膜の樹脂パターンは、その後８０
〜４５０℃の焼き付けすなわちボストキュア、および必
要に応じてさらに活性光線の露光により優れた耐熱性を
有する半導体素子、多層印刷配線板などの眉間絶縁膜、
表面保護膜などに変換し得るもので９本発明の感光性樹
脂組成物は。

主として前述のような微細加工の分野においても非常に
有用である。

（実施例） 次に本発明を実施例および比較例により説明するが１本
発明はこれらに限定されるものではない。

なお１合成例で使用したエチレン性不飽和基を有するイ
ンシアナート化合物（ｂ）は１次のようにして調整した
。

参考例 温度計、チッ素ガス導入口および攪拌装置を付した２０
０ｍ１の４つロフラスコに、λ４−トリレンジインシア
ネート’ｉ１７．４　ｇ　（０，１モル）乾燥されたメ
チルエチルケトンを１００−およびジブチルスズジラウ
レートを２ｙＩＱ加え、乾燥チッ素ガス流通下の室温で
攪拌した。

次に、２−ヒドロキシエチルアクリレートを１１．６ｇ
（０，１モル）を加え、この溶液を室温下で８時間攪拌
した後、メチルエチルケトンを除去してインシアネート
化合物船を得た。

生成物の”Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、４．３５ｐｐｍ
’に一０ＣＨｈＣＨ２０−のシグナルと、５．７〜６．
４ｐｐｍに−ＣＨ＝　ＣＩ２のシグナルが見られた。

また、生成物のＩ　１１．スペクトルでは、アミド基の
カルボニルの伸縮撮動による吸収が１６５０ｃｍ””に
見られた。得られたインシアナート化合物を’Ｉ’　Ｄ
　−ＨＥ　Ａと命名した。

合成例１ 温度計および攪拌装置を付した１０００ｆｎｔのフラス
コに、フッ素原子を有する芳香族テトラカルボン酸二無
水物として２．２−ビス（λ４−ジカルホキシフェニル
）へキサフルオロブロハ／二無水物（セントラル硝子社
Ｍ）１３３．２ｇおよび溶媒トｌ、−（Ａ）−メチル−
２−ピロリドン４５０ｇを加え、室温で攪拌した。

次に、この溶液にフッ素原子を有しない芳香族ジアミン
として４．４′−ジアミノジフェニルエーテル（三井東
圧化学社製）６０．１９を加え、室温で４時間攪拌して
粘稠な重合体溶液を得た。

さらに、この重合体溶液に光遮断下の室温で参考例で得
たインシアナート化合物Ｔ　Ｄ　−［Ｉ　ＥＡ４３．５
９を加え８時間攪拌した。反応中には、二酸化炭素が発
生した。得られた感光性付加物溶液をＰＩ−１と命名し
た。

合成例２〜２４ 合成例１と同様にして表１に示した配合量でフッ素原子
を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物−！たはフッ
素原子を有しない芳香族テトラカルボン酸二無水物、フ
ッ素原子を有する芳香族ジアミンまたはフッ素原子を有
しない芳香族ジアミンエチレン性不飽和基を有するイン
シアナート化合物（ｂ）を用いて囚感光性付加物の溶液
ＰＩ−２〜２４を得た。

実施例１〜４８ 合成例１〜２４で得られた（Ａ）感光性付加物の溶液Ｐ
Ｉ−１〜ＰＩ−２４各々１００９に対して。

表２に示した配合量で（Ｂ）光開始剤、必要に応じて重
合性不飽和化合物を加え、攪拌混合して、実施例１〜４
８に供する均一な感光性樹脂組成物の溶液を得た。

この各溶液を、フィルタ濾過してシリコンウェハー上に
滴下し１回転数２０００ｐｐｍで３０秒間スピンコード
した。

得られた塗膜を８０℃で１０分間乾燥させ、塗膜の膜厚
を測定した。

次に、塗膜面をパターンマスクし、超高圧水銀灯（８ｍ
Ｗ／ｃｍ’　）で７０秒間露光した。

次に、スプレー式現像機を用い、　Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミドとテトラヒドロフランの等量混合液で５０秒
間現像を行った後、５秒間インプロパツールでり／ヌを
行って超高圧水銀灯による照射部分を残し、チッ素スプ
レーによる乾燥によりレリーフパターンを得た。

レリーフパターンの硬化状態は、下式の残膜率によって
調べた。

残存率＝ （現像後の塗膜の膜厚÷現像前の塗膜の膜厚）Ｘ１００
次に、チッ素雰囲気下１００℃で３０分、２００℃で３
０分、３５０℃で３０分加熱し、ポリイミドのレリーフ
パターンを得た。得られた結果を表２に示す。

さらに、実施例１〜４８で得た感光性樹脂組成物の溶液
をカラス基板に塗布して乾燥後、３５０℃で１時間加熱
し得られたフィルムをカラス基板から剥離して硬化後の
膜特性を以下に示す方法により評価した。結果を表２に
示す。

（１）引張強度 上記フィルム（膜厚）３０ｃｍを幅１ｃｍ長さ１０ｃｍ
程度の試験片にし、この試験片５枚を引張試験機でＳ−
Ｓカーブを測定（１０ｍｍ／ｍ１ｎ）して求めた。

（２１Ｍ量減少開始温度 上記フィルム１０ｍｇを用い、示差熱天秤で空気中昇温
速度１０℃／ｍｉｎで測定した。

比較合成例１ 合成例１に用いた２、２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）へキサフルオロプロパンニ無水物の代わりに
λ３’、　４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物９６．６９を合成例１と同様にしてＮ−メチル
−２−ピロリドン６００９に溶解し。

４．４′−ジアミノシフニコルエーテル６０．１ｇを加
え、室温で４時間攪拌して粘稠な重合体溶液を得た。さ
らに１合成例１と同様にして、インシアナートエチルメ
タクリレート２３．３９を加え、８時間攪拌し、感光性
付加物溶液を得た。この感光性付加物溶液をＰ　Ｉ　−
Ｒ，１と命名した。

比較′例１〜６ 比較合成例１で得られた感光性付加物溶液ＰＩ−Ｒ１ｔ
ｏｏｇに表３に示し走光開始剤および重合性不飽和化合
物を加え、攪拌混合して、比較例１〜６に供する均一な
感光性樹脂組成物の溶液を得た。

この各溶液を、実施例と同様にしてシリコンウェハ上に
塗布し、＃１膜を得た。

次に、塗膜面をパターンマスクし、実施例と同様に露光
、現像、リンス等を行ってレリーフパターンを得た。レ
リーフの硬化状態は残膜率によって調べた。

次に、チッ素雰囲気下１００℃で３０分、２００℃で３
０分、３５０℃で３０分加熱し、ポリイミドのレリーフ
パターンを得た。得られた結果を表３に示す。さらに、
比較例２〜４で得た感光性樹脂組成物の溶液をガラス基
板に塗布して乾燥後。

３５０℃で１時間加熱してフィルムをガラス基板から剥
離して硬化後の膜特性を実施例と同様にして評価した。

結果を衣３に示す。

（発明の効果） 本発明になる感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性
エレメントは、溶解性に優れるとともに。

基材表面において最終硬化膜として形成した際に耐熱性
及び可撓性を合せ持った膜を形成でき、しかも、塩化物
の残存がなく、光透過性が良好で厚膜形成ができる。ま
た、かかる厚膜パターンは誘電率が小さいため層間絶縁
材料として有用である。

Ｈｒ、゛・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （但し、式中、Ｒ＿１は４価の芳香族テトラカルボン酸
   残基であり、Ｒ＿２は２価の芳香族ジアミン残基であり
   、Ｒ＿１及びＲ＿２の少なくとも一方がフッ素原子を有
   する） で表される繰り返し単位を有する重合体（ａ）とエチレ
   ン性不飽和基を有するイソシアナート化合物（ｂ）とを
   反応させて得られる感光性付加物 及び （Ｂ）光開始剤 を含有する感光性樹脂組成物。 ２、請求項１記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
   てなる感光性エレメント。 ３、一般式（ I ）におけるＲ＿１が、次の一般式（II
   ）▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表される４価の芳香族テトラカルボン酸残基である請
   求項１記載の感光性樹脂組成物。 ４、請求項３記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
   てなる感光性エレメント。 ５、一般式（ I ）におけるＲ＿２が、次の一般式（II
   I）▲数式、化学式、表等があります▼（III） （但し、式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３及びＸ＿４はそ
   れぞれ独立に水素原子またはアルキル基である） で表される２価の芳香族ジアミン残基である請求項１記
   載の感光性樹脂組成物。 ６、請求項５記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
   てなる感光性エレメント。 ７、一般式（ I ）におけるＲ＿２が、次の一般式（IV
   ）▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （但し、式中、Ｙ＿０は酸素原子または硫黄原子であり
   、Ｙ＿１Ｙ＿２、Ｙ＿３及びＹ＿４はそれぞれ独立に水
   素原子またはアルキル基である） で表される２価の芳香族ジアミン残基である請求項１記
   載の感光性樹脂組成物。 ８、請求項７記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層し
   てなる感光性エレメント。 ９、一般式（ I ）におけるＲ＿１が前記一般式（II）
   で表される４価の芳香族テトラカルボン酸残基であり、
   一般式（ I ）におけるＲ＿２が前記一般式（III）で表
   される２価の芳香族ジアミン及び前記一般式（IV）で表
   される２価の芳香族ジアミン残基からなる群より選ばれ
   る少なくとも１種の芳香族ジアミン残基である請求項１
   記載の感光性樹脂組成物。 １０、請求項９記載の感光性樹脂組成物を基体上に積層
   してなる感光性エレメント。