JPH0227596A - 半導体メモリ - Google Patents
半導体メモリInfo
- Publication number
- JPH0227596A JPH0227596A JP63177401A JP17740188A JPH0227596A JP H0227596 A JPH0227596 A JP H0227596A JP 63177401 A JP63177401 A JP 63177401A JP 17740188 A JP17740188 A JP 17740188A JP H0227596 A JPH0227596 A JP H0227596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- memory
- cpu
- memory block
- register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体メモリ、特に電気的消去可能なFRO
M(以下、E”FROMと略す)の書き込み機能の改良
に関する。
M(以下、E”FROMと略す)の書き込み機能の改良
に関する。
従来、E”FROMの書き込み回数の保証値は有限であ
り、それを越えたものについては、正常な書き込み動作
が保証されない規格になっている。
り、それを越えたものについては、正常な書き込み動作
が保証されない規格になっている。
従って、CPU側でE”FROMへの書き込み回数を管
理して、書き込み回数が保証値を越えた場合は、別のE
”FROMへ書き込むような制御を行うのが一般的であ
る。
理して、書き込み回数が保証値を越えた場合は、別のE
”FROMへ書き込むような制御を行うのが一般的であ
る。
しかし、従来の方法では、CPU側のソフトウェアで処
理するためCPUの負担が大きくなる欠点があった。
理するためCPUの負担が大きくなる欠点があった。
本発明の目的は、CPUからの書き込み回数なE”FR
OM自身が自分で検査して、書き込み回数があらかじめ
設定した回数を越えると、CPUに知らせる機能と、同
一チップ内の別のメモリ・ブロックを選択する機能とを
有するE”FROMを提供することにある。
OM自身が自分で検査して、書き込み回数があらかじめ
設定した回数を越えると、CPUに知らせる機能と、同
一チップ内の別のメモリ・ブロックを選択する機能とを
有するE”FROMを提供することにある。
本発明の一実施例につき、図面の簡単な説明する。
第1図は、回路ブロック図である。CPUにより、レジ
スタ6にメモリ・ブロックへの書き込みを許す最大の回
数を設定する。記憶回路5は、CPUからの書き込み信
号を入力とするリード/ライト制御回路2の出力を計数
し記憶する。比較回路7はレジスタ6と記憶回路5の内
容とを比較して、レジスタ6に記憶回路5の内容が一致
すると、出力端子8に信号を出力する。さらに、その出
力信号は、記憶回路5をイニシャライズし、メモリ・ブ
ロックを選択する選択回路9に入力される。選択回路9
は、比較回路7の出力信号に対応してメモリ・ブロック
を選択する。
スタ6にメモリ・ブロックへの書き込みを許す最大の回
数を設定する。記憶回路5は、CPUからの書き込み信
号を入力とするリード/ライト制御回路2の出力を計数
し記憶する。比較回路7はレジスタ6と記憶回路5の内
容とを比較して、レジスタ6に記憶回路5の内容が一致
すると、出力端子8に信号を出力する。さらに、その出
力信号は、記憶回路5をイニシャライズし、メモリ・ブ
ロックを選択する選択回路9に入力される。選択回路9
は、比較回路7の出力信号に対応してメモリ・ブロック
を選択する。
本発明のE”FROMは、複数個のメモリ・ブロックと
、書き込みできる回数を指定するレジスタと、CPUか
らメモリ・プロ、りに書き込まれた回数を記憶する記憶
回路と、書き込みできる回数と書き込まれた回数とを比
較し結果を出力する比較回路と、メモリ・ブロックを選
択する選択回路から構成されている。
、書き込みできる回数を指定するレジスタと、CPUか
らメモリ・プロ、りに書き込まれた回数を記憶する記憶
回路と、書き込みできる回数と書き込まれた回数とを比
較し結果を出力する比較回路と、メモリ・ブロックを選
択する選択回路から構成されている。
従って、E2FROM自身でメモリ・ブロックへの書き
込み回数を検査して、書き込み回数があらかじめ設定し
た回数を越えるとCPUに知らせ、同一チップ内の別の
メモリ・ブロックを選択することができるようにしたも
のである。
込み回数を検査して、書き込み回数があらかじめ設定し
た回数を越えるとCPUに知らせ、同一チップ内の別の
メモリ・ブロックを選択することができるようにしたも
のである。
以上説明したように本発明は、E”FROM自身でメモ
リ・ブロックへの書き込み回数の検査をCPUとは独立
に行うものであるから、本発明のE2FROMを使用す
ることにより、CPUの負担を軽減することができる効
果がある。
リ・ブロックへの書き込み回数の検査をCPUとは独立
に行うものであるから、本発明のE2FROMを使用す
ることにより、CPUの負担を軽減することができる効
果がある。
第1図は、本発明の一実施例の回路ブロック図である。
1・・・・・・リード/ライト端子、2・・・・・・リ
ード/ライト制御回路、3・・・・・・アドレス・バス
、4・・・・・・アドレス制御回路、5・・・・・・記
憶回路、6・・・・・・レジスタ、7・・・・・・比較
回路、8・・・・・・出力端子、9・・・・・・選択回
路、10・・・・・・メモリ・ブロック選択信号、11
・・・・・・内部データ・バス、12・・・・・・テー
ク・バス、13・・・・・・内部アドレス・バス、14
・・・・・・メモリ・ブロック$1.15・・・・・・
メモリ・プロ、り$2.16・・・・・・メモリ・ブロ
ック$3.17・・団・データ入出力制御回路。 茅 1 ! 代理人 弁理士 内 原 晋
ード/ライト制御回路、3・・・・・・アドレス・バス
、4・・・・・・アドレス制御回路、5・・・・・・記
憶回路、6・・・・・・レジスタ、7・・・・・・比較
回路、8・・・・・・出力端子、9・・・・・・選択回
路、10・・・・・・メモリ・ブロック選択信号、11
・・・・・・内部データ・バス、12・・・・・・テー
ク・バス、13・・・・・・内部アドレス・バス、14
・・・・・・メモリ・ブロック$1.15・・・・・・
メモリ・プロ、り$2.16・・・・・・メモリ・ブロ
ック$3.17・・団・データ入出力制御回路。 茅 1 ! 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 複数個のメモリ・ブロックと、前記メモリ・ブロックへ
の書き込みできる回数を任意に指定するレジスタと、C
PUから前記メモリ・ブロックに書き込まれた回数を記
憶する記憶回路と、書き込みできる回数と書き込まれた
回数とを比較し結果を出力する比較回路と、前記比較回
路からの出力信号を入力とするメモリ・ブロックの選択
回路とを有することを特徴とする半導体メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63177401A JPH0227596A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63177401A JPH0227596A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体メモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227596A true JPH0227596A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16030285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63177401A Pending JPH0227596A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0227596A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995031797A1 (fr) * | 1994-05-13 | 1995-11-23 | Kabushiki Kaisha Nippon Conlux | Appareil de traitement reparti |
US5793629A (en) * | 1994-05-13 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Nippon Conlux | Distributed processing unit |
US5815440A (en) * | 1992-12-03 | 1998-09-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device with electrically controllable threshold voltage |
JP2006260981A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | バッテリコントローラ |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63177401A patent/JPH0227596A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5815440A (en) * | 1992-12-03 | 1998-09-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device with electrically controllable threshold voltage |
US6288945B1 (en) | 1992-12-03 | 2001-09-11 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
US6414874B2 (en) | 1992-12-03 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
US6563738B2 (en) | 1992-12-03 | 2003-05-13 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
US6611464B2 (en) | 1992-12-03 | 2003-08-26 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
US6618288B2 (en) | 1992-12-03 | 2003-09-09 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
US6646920B2 (en) | 1992-12-03 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics |
WO1995031797A1 (fr) * | 1994-05-13 | 1995-11-23 | Kabushiki Kaisha Nippon Conlux | Appareil de traitement reparti |
US5781444A (en) * | 1994-05-13 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Nippon Conlux | Distributed processing unit connectable to external processing means |
US5793629A (en) * | 1994-05-13 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Nippon Conlux | Distributed processing unit |
JP2006260981A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | バッテリコントローラ |
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