JPH0227522A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0227522A JPH0227522A JP17579388A JP17579388A JPH0227522A JP H0227522 A JPH0227522 A JP H0227522A JP 17579388 A JP17579388 A JP 17579388A JP 17579388 A JP17579388 A JP 17579388A JP H0227522 A JPH0227522 A JP H0227522A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、磁気ディスク装置、磁気ドラム装置等に用い
られる磁気記録媒体の製造方法に関し、磁気記録層の表
面に形成された炭素保護膜にオゾン雰囲気下紫外線照射
して表面処理を施すことにより、炭素保護膜上にカップ
リング層を介して形成される潤滑層の潤滑剤保持性を向
上させたものである。
られる磁気記録媒体の製造方法に関し、磁気記録層の表
面に形成された炭素保護膜にオゾン雰囲気下紫外線照射
して表面処理を施すことにより、炭素保護膜上にカップ
リング層を介して形成される潤滑層の潤滑剤保持性を向
上させたものである。
[従来の技術]
従来より、磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒
体の製造方法としては、磁気記録層の磁気ヘッドによる
摩耗、損傷を軽減する目的で、磁気記録層上に、耐久性
のある潤滑層を具備するようにした方法が採用されてい
る。
体の製造方法としては、磁気記録層の磁気ヘッドによる
摩耗、損傷を軽減する目的で、磁気記録層上に、耐久性
のある潤滑層を具備するようにした方法が採用されてい
る。
たとえば、磁気記録層上に炭素保護膜およびパーフルオ
ロポリエーテル類からなる潤滑層を形成したり、磁気記
録層上にシランカップリング剤等のカップリング剤を介
して有機材料からなる潤滑層を形成したり、また磁気記
録層上に形成された5iotに代表される無機化合物薄
膜の表面に有機シリコン官能基を化学結合により固定し
て潤滑層を形成したりするなど、磁気記録層上に潤滑層
を具備した磁気記録媒体の製造方法は、数多く研究され
ている。
ロポリエーテル類からなる潤滑層を形成したり、磁気記
録層上にシランカップリング剤等のカップリング剤を介
して有機材料からなる潤滑層を形成したり、また磁気記
録層上に形成された5iotに代表される無機化合物薄
膜の表面に有機シリコン官能基を化学結合により固定し
て潤滑層を形成したりするなど、磁気記録層上に潤滑層
を具備した磁気記録媒体の製造方法は、数多く研究され
ている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記潤滑層をより強固に具備した磁気記
録媒体を製造するために、磁気記録層の表面に形成され
た炭素保護膜上にシランカップリング剤等の水溶液を塗
布し、このカップリング層上に潤滑剤を塗布することに
より潤滑剤の保持性をより向上させようとすると、炭素
保護膜に対するカップリング剤等水溶液の濡れ性が悪い
ためはじいてしまい、前記炭素保護膜上にシランカップ
リング剤水溶液が均一に塗布されず、このような磁気記
録媒体の製造方法は今までおこなわれていなかった。な
お、前記濡れ性の評価としては、基材上の水に対する接
触角θが小さい程濡れ性が良いとされており、具体的に
は、基材が二酸化ケイ素膜の場合の水に対する接触角θ
が約30°であるのに対し、基材が炭素保護膜の場合の
前記接触角θは約85°であり、これより炭素保護膜に
対するシランカップリング剤等水溶液の濡れ性が悪いこ
とは明らかである。
録媒体を製造するために、磁気記録層の表面に形成され
た炭素保護膜上にシランカップリング剤等の水溶液を塗
布し、このカップリング層上に潤滑剤を塗布することに
より潤滑剤の保持性をより向上させようとすると、炭素
保護膜に対するカップリング剤等水溶液の濡れ性が悪い
ためはじいてしまい、前記炭素保護膜上にシランカップ
リング剤水溶液が均一に塗布されず、このような磁気記
録媒体の製造方法は今までおこなわれていなかった。な
お、前記濡れ性の評価としては、基材上の水に対する接
触角θが小さい程濡れ性が良いとされており、具体的に
は、基材が二酸化ケイ素膜の場合の水に対する接触角θ
が約30°であるのに対し、基材が炭素保護膜の場合の
前記接触角θは約85°であり、これより炭素保護膜に
対するシランカップリング剤等水溶液の濡れ性が悪いこ
とは明らかである。
よって、本発明では、磁気記録層の表面に形成された炭
素保護膜を、オゾン雰囲気下紫外線照射して表面処理炭
素保護膜とすることにより、この保護膜上へのカップリ
ング処理を可能にし、より強固な潤滑層が具備された磁
気記録媒体を製造する方法を提供することを目的とする
。
素保護膜を、オゾン雰囲気下紫外線照射して表面処理炭
素保護膜とすることにより、この保護膜上へのカップリ
ング処理を可能にし、より強固な潤滑層が具備された磁
気記録媒体を製造する方法を提供することを目的とする
。
[課題を解決゛するための手段]
磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲
気下紫外線照射して表面処理炭素保護膜としたのち、こ
の表面処理炭素保護膜上にカップリング層を形成し、さ
らに潤滑層を形成することを、その解決手段とした。
気下紫外線照射して表面処理炭素保護膜としたのち、こ
の表面処理炭素保護膜上にカップリング層を形成し、さ
らに潤滑層を形成することを、その解決手段とした。
以下、本発明による磁気記録媒体の製造方法を、第1図
および第2図とともに詳細に説明する。
および第2図とともに詳細に説明する。
まず、磁気記録体!を用意する。
この磁気記録体1は、第1図および第2図にしめすよう
に、硬質基板2上に厚さ0.1〜2μmのアルミニウム
膜またはアルミニウム合金膜3を設け、さらにこの模3
を陽極酸化処理して、その表面を陽極酸化膜とし、この
陽極酸化膜の微細孔内に磁性体4を充填して磁性膜5を
形成し、さらに研摩して磁気記録W!J6として、磁気
記録体を製造する。または、別の製法として、この磁気
記録体Iは、第1図および第2図にしめすように、硬質
基板2上に厚さ0.1〜2μlのアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜3を設け、さらにこの膜3を陽極酸
化処理して、その表面を陽極酸化膜とし、この陽極酸化
膜の微細孔内に非磁性体を充填してこの面を研摩して記
録体基層とした後、この陽極酸化膜を形成する部分のみ
をエツチングし、非磁性体を記録体基層の表゛面より突
出させて非磁性充填材が林立した上側から全面を覆うよ
うに磁性体の屑を形成してなるものである。なお、本発
明に使用される磁気記録層6は、上記に記載したような
磁性層がアルマイト方式のものに限られず、磁気記録層
6上に炭素保護膜7が形成され得るものであればその種
類は問われなく、本発明の作用効果を同様に得ることが
できる。また、上記炭素保護膜7の形成にあっては、簡
便でしかも膜厚の制御が容易であるスパッタ法が採用さ
れる。
に、硬質基板2上に厚さ0.1〜2μmのアルミニウム
膜またはアルミニウム合金膜3を設け、さらにこの模3
を陽極酸化処理して、その表面を陽極酸化膜とし、この
陽極酸化膜の微細孔内に磁性体4を充填して磁性膜5を
形成し、さらに研摩して磁気記録W!J6として、磁気
記録体を製造する。または、別の製法として、この磁気
記録体Iは、第1図および第2図にしめすように、硬質
基板2上に厚さ0.1〜2μlのアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜3を設け、さらにこの膜3を陽極酸
化処理して、その表面を陽極酸化膜とし、この陽極酸化
膜の微細孔内に非磁性体を充填してこの面を研摩して記
録体基層とした後、この陽極酸化膜を形成する部分のみ
をエツチングし、非磁性体を記録体基層の表゛面より突
出させて非磁性充填材が林立した上側から全面を覆うよ
うに磁性体の屑を形成してなるものである。なお、本発
明に使用される磁気記録層6は、上記に記載したような
磁性層がアルマイト方式のものに限られず、磁気記録層
6上に炭素保護膜7が形成され得るものであればその種
類は問われなく、本発明の作用効果を同様に得ることが
できる。また、上記炭素保護膜7の形成にあっては、簡
便でしかも膜厚の制御が容易であるスパッタ法が採用さ
れる。
このようにして形成された炭素保護膜7は、その形成時
の雰囲気および圧力等の条件によって、グラファイト状
またはダイヤモンド状となるが、いずれであっても保護
機能に変わりはない。この炭素保護H7の厚さは、20
〜50nm程度が好ましいとされている。なお、炭素保
護膜7の形成に先だって磁性膜5との被着性を良くする
ため、Ct。
の雰囲気および圧力等の条件によって、グラファイト状
またはダイヤモンド状となるが、いずれであっても保護
機能に変わりはない。この炭素保護H7の厚さは、20
〜50nm程度が好ましいとされている。なお、炭素保
護膜7の形成に先だって磁性膜5との被着性を良くする
ため、Ct。
Rh、N1−P等の中間層を形成しておくことが強固な
炭素保護膜7を得るのに有効である。
炭素保護膜7を得るのに有効である。
つぎに、上記磁気記録体lの炭素保護膜7の表面に、オ
ゾン雰囲気下、紫外線を照射して表面処理炭素保護!i
8とし、表面処理磁気記録体9を形成する。
ゾン雰囲気下、紫外線を照射して表面処理炭素保護!i
8とし、表面処理磁気記録体9を形成する。
ここでは、たとえば、UVC−C型ドライプロセッサー
(才一り製作新製)などを用いて、上記炭素保護膜7の
表面に面ずつに、オゾン雰囲気下、紫外線を照射して、
表面処理炭素保護膜8を得る。
(才一り製作新製)などを用いて、上記炭素保護膜7の
表面に面ずつに、オゾン雰囲気下、紫外線を照射して、
表面処理炭素保護膜8を得る。
この装置を用いた場合には照射時間は1〜4分が適当で
あり、照射時間が1分未満では、炭素保護g!7に対す
る水溶液の濡れ性を改善する効果が得られず、また4分
を越えると、この濡れ性の改善効果は横這いとなるため
、2分程度が好ましい。
あり、照射時間が1分未満では、炭素保護g!7に対す
る水溶液の濡れ性を改善する効果が得られず、また4分
を越えると、この濡れ性の改善効果は横這いとなるため
、2分程度が好ましい。
一般には、オゾンおよび原子状酸素を発生させるに必要
な184.9nmと253.7nsの光を効率的に放射
する低圧水銀ランプが適しており、出力は300〜70
QW、ランプから磁気記録媒体までの距離を5〜20I
Iffiとして、処理時間1〜5分にすることが好まし
い。
な184.9nmと253.7nsの光を効率的に放射
する低圧水銀ランプが適しており、出力は300〜70
QW、ランプから磁気記録媒体までの距離を5〜20I
Iffiとして、処理時間1〜5分にすることが好まし
い。
この後、表面処理炭素保護膜8上に、シランカップリン
グ剤等のカップリング剤水溶液をデイツプコート法また
はスピンコード法にて塗布し、110〜120℃の温度
で10〜60分間、加熱して硬化させ、カップリング層
!0を形成する。
グ剤等のカップリング剤水溶液をデイツプコート法また
はスピンコード法にて塗布し、110〜120℃の温度
で10〜60分間、加熱して硬化させ、カップリング層
!0を形成する。
ここで使用されるカップリング剤水溶液としては、デー
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、デ
ーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップ
リング剤を、超純水に溶解したシランカップリング剤濃
度0.05〜0.5重量%程度の水溶液であり、好まし
くは0,1重量%程度である。また、このカップリング
層!Oの厚さは1〜5n4程度が適当であり、2〜3n
−程度が好ましい。
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、デ
ーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップ
リング剤を、超純水に溶解したシランカップリング剤濃
度0.05〜0.5重量%程度の水溶液であり、好まし
くは0,1重量%程度である。また、このカップリング
層!Oの厚さは1〜5n4程度が適当であり、2〜3n
−程度が好ましい。
さらに、前記カップリング層10表面に、潤滑剤として
、末端に有機官能基(−0H,−COOH。
、末端に有機官能基(−0H,−COOH。
−COOCH,)を有するパーフルオロポリエーテル類
を、デイツプコート法またはスピンコード法にて塗布し
、加熱硬化して潤滑剤11を形成して、目的とする磁気
記録媒体I2を得る。
を、デイツプコート法またはスピンコード法にて塗布し
、加熱硬化して潤滑剤11を形成して、目的とする磁気
記録媒体I2を得る。
ここで■いられる潤滑剤としては、末端の有機官1i!
基が−COOHであるモンテジソン社のrフオブリン
ZDIACJや、デュポン社の「クライトマックス 1
57Ps−HJ、末端の有機官能基h(−OHであるモ
ンテジソン社の「フオブリンZDOLJ、末端の有機官
能基が一〇〇OCR,であるモンテジソン社の「フオブ
リン ZDEALJなどが、トリクロロトリフルオロエ
タン等の有機溶剤に0,05〜0.5重量%程度溶解さ
れたものである。また、この潤滑層の厚さは2〜8n1
1程度が適当であり、好ましくは、3〜6ns程度であ
る。
基が−COOHであるモンテジソン社のrフオブリン
ZDIACJや、デュポン社の「クライトマックス 1
57Ps−HJ、末端の有機官能基h(−OHであるモ
ンテジソン社の「フオブリンZDOLJ、末端の有機官
能基が一〇〇OCR,であるモンテジソン社の「フオブ
リン ZDEALJなどが、トリクロロトリフルオロエ
タン等の有機溶剤に0,05〜0.5重量%程度溶解さ
れたものである。また、この潤滑層の厚さは2〜8n1
1程度が適当であり、好ましくは、3〜6ns程度であ
る。
以上のようにして得られた磁気記録媒体12の潤滑li
!111は、表面処理炭素保護I!!8上にカップリン
グ層!0を介して形成されたものであるため、潤滑層菫
1の潤滑剤I保持性が、従来のものと比較して著しく向
上した。
!111は、表面処理炭素保護I!!8上にカップリン
グ層!0を介して形成されたものであるため、潤滑層菫
1の潤滑剤I保持性が、従来のものと比較して著しく向
上した。
ここで、磁気記録層6の表面に形成された炭素保護膜7
にオゾン雰囲気下紫外線照射して表゛面処理を施したこ
とによる、炭素保護膜に対する水の濡れ性交化について
検討した結果を、第3図に示す。第3図は、濡れ性の評
価となる、炭素保護膜に対する水の接触角の変化率(1
00Xθ1/θ、θドオゾン雰囲気下紫外線照射処理を
施した炭素保護膜に対する水の接触角、θ:未処理の炭
素保i膜に対する水の接触角)を縦軸に、オゾン雰囲気
下の紫外線照射時間を横軸にして、炭素保護膜に対する
水の濡れ住持性を示すグラフである。このグラフよりあ
きらかなように、オゾン雰囲気下紫外線照射処理を施し
た炭素保護膜に対する水の接触角が、未処理の炭素保護
膜に対するそれと比べて、約1/4〜!/10に減少し
た。このことはJ上記接触角の値が大きく、濡れ性すな
わち付着性のわるい未処理の炭素保護膜に比べ、上記照
射処理を施した炭素保護膜は、接触角が小さく、濡れ性
が優れて付着性も優れていることを示唆している。
にオゾン雰囲気下紫外線照射して表゛面処理を施したこ
とによる、炭素保護膜に対する水の濡れ性交化について
検討した結果を、第3図に示す。第3図は、濡れ性の評
価となる、炭素保護膜に対する水の接触角の変化率(1
00Xθ1/θ、θドオゾン雰囲気下紫外線照射処理を
施した炭素保護膜に対する水の接触角、θ:未処理の炭
素保i膜に対する水の接触角)を縦軸に、オゾン雰囲気
下の紫外線照射時間を横軸にして、炭素保護膜に対する
水の濡れ住持性を示すグラフである。このグラフよりあ
きらかなように、オゾン雰囲気下紫外線照射処理を施し
た炭素保護膜に対する水の接触角が、未処理の炭素保護
膜に対するそれと比べて、約1/4〜!/10に減少し
た。このことはJ上記接触角の値が大きく、濡れ性すな
わち付着性のわるい未処理の炭素保護膜に比べ、上記照
射処理を施した炭素保護膜は、接触角が小さく、濡れ性
が優れて付着性も優れていることを示唆している。
以下、具体的に、本発明により製造した磁気記録媒体1
2の実験例と、従来例である比較例を示し、得られた磁
気記録媒体12の潤滑剤の保持効果を表すグラフととも
に説明を加える。
2の実験例と、従来例である比較例を示し、得られた磁
気記録媒体12の潤滑剤の保持効果を表すグラフととも
に説明を加える。
[実験N]
(実験例1)
次の仕様の磁気記録媒体を試作し、潤滑層の保持性を検
討した。
討した。
磁気記録体 二基板
磁性膜
炭素保護膜
表面処理磁気記録体 、UVC−C型ドライプロセッサ
(オーク製作新製)にて、オゾン雰囲気下、紫外線を、
磁気記録体の片面ずつ各2分間照射した。
(オーク製作新製)にて、オゾン雰囲気下、紫外線を、
磁気記録体の片面ずつ各2分間照射した。
カップリングm :N−Cβ−アミノエチル)−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン(トーレシリコーン
社製)の超純水0.1重量%溶液に、表面処理磁気記録
体を浸漬し、0.1am/秒の速度で引き上げ、110
℃にて10分間加熱した。
アミノプロピルトリメトキシシラン(トーレシリコーン
社製)の超純水0.1重量%溶液に、表面処理磁気記録
体を浸漬し、0.1am/秒の速度で引き上げ、110
℃にて10分間加熱した。
潤滑層 ;「グイフロン Z DEAL 4000
」(モンテジソン社製)の、「ダイフロン5−3Jニト
リクロロトリフルオロエタン(ダイキン工業社製)0,
1重量%溶液に、上記カップリング処理磁気記録体を浸
漬し、1.omm/秒の速度で引き上げた。
」(モンテジソン社製)の、「ダイフロン5−3Jニト
リクロロトリフルオロエタン(ダイキン工業社製)0,
1重量%溶液に、上記カップリング処理磁気記録体を浸
漬し、1.omm/秒の速度で引き上げた。
この磁気記録媒体を、75℃のオーブン中に放置して、
潤滑層の減少を時藺を追って追跡したところ、第4図に
示すように、この潤滑層は高い保持性を有していること
が判明した。
潤滑層の減少を時藺を追って追跡したところ、第4図に
示すように、この潤滑層は高い保持性を有していること
が判明した。
また、オゾン雰囲気下、紫外線照射処理を行った炭素保
護膜に対する水の接触角が9°という値を与えたのに対
し、未処理の炭素保護膜に対する上記接触角は87゛で
あり、上記照射処理を施すことにより、炭素保護膜に対
する水の接触角が約1/lOに減少することがわかった
。
護膜に対する水の接触角が9°という値を与えたのに対
し、未処理の炭素保護膜に対する上記接触角は87゛で
あり、上記照射処理を施すことにより、炭素保護膜に対
する水の接触角が約1/lOに減少することがわかった
。
(実験N2)
次の仕様の磁気記録媒体を試作し、その潤滑層の保持性
を検討した。ただし、磁気記録体、表面処理磁気記録体
およびカップリング層は、実験例1のものと同様である
。
を検討した。ただし、磁気記録体、表面処理磁気記録体
およびカップリング層は、実験例1のものと同様である
。
潤滑層 ;実験例!における潤滑剤、「グイフロン Z
DEAL 4000J(モンテジソン社製)の代
わりに、「グイフロン Z DIAC2000」(モ
ンテジソン社製)を用いた以外は、実験例■と同様に溶
液を作成し、処理した。
DEAL 4000J(モンテジソン社製)の代
わりに、「グイフロン Z DIAC2000」(モ
ンテジソン社製)を用いた以外は、実験例■と同様に溶
液を作成し、処理した。
この磁気記録媒体を1.75℃のオーブン中に放置して
、実験例!と同様に加熱蒸発テストをおこなったところ
、実験例1と同様、この潤滑層も高い保持性を有してい
ることが判明した。
、実験例!と同様に加熱蒸発テストをおこなったところ
、実験例1と同様、この潤滑層も高い保持性を有してい
ることが判明した。
(実験例3 )
次の仕様の磁気記録媒体を試作し、その潤滑層の保持性
を検討した。ただし、磁気記録体、表面処理磁気記録体
および潤滑層は、実験例1のものと同様である。
を検討した。ただし、磁気記録体、表面処理磁気記録体
および潤滑層は、実験例1のものと同様である。
カップリング層 ;実験例!におけるカップリング剤、
N−(β−アミノエチル)−デーアミノプロピルトリメ
トキシシラン(トーレシリコーン社製)の代わりに、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(トーレシ
リコーン社製)を用いた以外は、実験fl’4 fと同
様に溶液を作成し、処理した。
N−(β−アミノエチル)−デーアミノプロピルトリメ
トキシシラン(トーレシリコーン社製)の代わりに、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(トーレシ
リコーン社製)を用いた以外は、実験fl’4 fと同
様に溶液を作成し、処理した。
この磁気記録媒体を、75℃のオーブン中に放置して、
実験例1と同様に加熱蒸発テストをおこなったところ、
実験例1と同様、この潤滑層も高い保持性を有している
ことが判明した。
実験例1と同様に加熱蒸発テストをおこなったところ、
実験例1と同様、この潤滑層も高い保持性を有している
ことが判明した。
(比較N)
次の仕様の磁気記録媒体のように、磁気記録体に直接潤
滑層を設けた磁気記録媒体を試作し、その潤滑層の保持
性について検討を加えた。ただし、磁気記録体は、実験
例1のものと同様のものを用いた。
滑層を設けた磁気記録媒体を試作し、その潤滑層の保持
性について検討を加えた。ただし、磁気記録体は、実験
例1のものと同様のものを用いた。
潤滑層 ;「グイフロン Z DEAL 4000
」(モンテジソン社製)の、「ダイフロン5−34ニト
リクロロトリフルオロエタン(ダイキン工業社製)0.
1重量%溶液に、上記カップリング処理磁気記録体を浸
漬し、1.0ms/秒の速度で引き上げた。
」(モンテジソン社製)の、「ダイフロン5−34ニト
リクロロトリフルオロエタン(ダイキン工業社製)0.
1重量%溶液に、上記カップリング処理磁気記録体を浸
漬し、1.0ms/秒の速度で引き上げた。
ここで得られた磁気記録媒体を、75℃のオーブン中に
放置して、実験例Iと同様に加熱蒸発テストをおこなっ
たところ、第4図に示すように、加熱時間に応じて潤滑
層が減少してゆくのがわかる。この結果と、実験例!で
得られた結果とを比較検討すると、実験例Iの場合は比
較例の場合に対して、その潤滑層の減少が約1/!Oに
おさえられることが判明した。
放置して、実験例Iと同様に加熱蒸発テストをおこなっ
たところ、第4図に示すように、加熱時間に応じて潤滑
層が減少してゆくのがわかる。この結果と、実験例!で
得られた結果とを比較検討すると、実験例Iの場合は比
較例の場合に対して、その潤滑層の減少が約1/!Oに
おさえられることが判明した。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の製造方法は、磁気記録層
の表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲気下紫外線
照射して表面処理炭素保護膜としたのち、この表面処理
炭素保護膜上にカップリング層を形成し、さらに潤滑層
を形成することを特徴とするものであるので、炭素保護
膜表面にオゾン雰囲気下紫外線照射処理を施すことによ
り、炭素保護膜へのカップリング処理が可能となり、こ
のカップリング層上に形成される潤滑層の保持性が向上
し、この結果、耐久性に優れ、信頼性に富む保護層を有
する磁気記録媒体を得ることができる。
の表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲気下紫外線
照射して表面処理炭素保護膜としたのち、この表面処理
炭素保護膜上にカップリング層を形成し、さらに潤滑層
を形成することを特徴とするものであるので、炭素保護
膜表面にオゾン雰囲気下紫外線照射処理を施すことによ
り、炭素保護膜へのカップリング処理が可能となり、こ
のカップリング層上に形成される潤滑層の保持性が向上
し、この結果、耐久性に優れ、信頼性に富む保護層を有
する磁気記録媒体を得ることができる。
第1図および第2図は、本発明の磁気記録媒体の製造方
法の一例を工程順に示す概略断面図、第3図は、オゾン
雰囲気下炭素保護膜への紫外線照射時間とその炭素保護
膜に対する水の接触角変化率を示すグラフ、 第4図は、実験例1および比較例における潤滑層の、7
5℃加熱蒸発テストの結果を示すグラフである。 6・・・・・・!を気記録層、7・・・・・・炭素保護
膜、8・・・・・・表゛面処理炭素保護模、IO・・・
・・・カブプリング層、1112・・・・・・磁気記録
媒体。 ・・・・・・潤滑層、
法の一例を工程順に示す概略断面図、第3図は、オゾン
雰囲気下炭素保護膜への紫外線照射時間とその炭素保護
膜に対する水の接触角変化率を示すグラフ、 第4図は、実験例1および比較例における潤滑層の、7
5℃加熱蒸発テストの結果を示すグラフである。 6・・・・・・!を気記録層、7・・・・・・炭素保護
膜、8・・・・・・表゛面処理炭素保護模、IO・・・
・・・カブプリング層、1112・・・・・・磁気記録
媒体。 ・・・・・・潤滑層、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲
気下紫外線照射して表面処理炭素保護膜としたのち、 この表面処理炭素保護膜上にカップリング層を形成し、
さらに潤滑層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17579388A JPH0227522A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17579388A JPH0227522A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0227522A true JPH0227522A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16002346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17579388A Pending JPH0227522A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0227522A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19855604C5 (de) * | 1998-12-02 | 2004-04-15 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern einer Leistungsendstufe |
US9312141B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-04-12 | HGST Netherlands B.V. | Vapor phase chemical mechanical polishing of magnetic recording disks |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17579388A patent/JPH0227522A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19855604C5 (de) * | 1998-12-02 | 2004-04-15 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern einer Leistungsendstufe |
US9312141B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-04-12 | HGST Netherlands B.V. | Vapor phase chemical mechanical polishing of magnetic recording disks |
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