JPH0237524A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0237524A JPH0237524A JP18865388A JP18865388A JPH0237524A JP H0237524 A JPH0237524 A JP H0237524A JP 18865388 A JP18865388 A JP 18865388A JP 18865388 A JP18865388 A JP 18865388A JP H0237524 A JPH0237524 A JP H0237524A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、磁気ディスク装置、磁気ドラム装置等に用
いられる磁気記録媒体の製造方法に係わり、詳しくは、
磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜にオゾン雰囲
気下紫外線照射して表面処理を施し、さらにこの上にカ
ップリング剤と潤滑剤とを塗布してこれらを重合せしめ
、重合潤滑膜を形成することにより、経時による潤滑効
果の低下を解消し、磁気記録面全体に亙って十分な潤滑
効果を付与し得るようにした磁気記録媒体の製造方法に
関する。
いられる磁気記録媒体の製造方法に係わり、詳しくは、
磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜にオゾン雰囲
気下紫外線照射して表面処理を施し、さらにこの上にカ
ップリング剤と潤滑剤とを塗布してこれらを重合せしめ
、重合潤滑膜を形成することにより、経時による潤滑効
果の低下を解消し、磁気記録面全体に亙って十分な潤滑
効果を付与し得るようにした磁気記録媒体の製造方法に
関する。
「従来の技術」
従来、磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒体と
して、磁気ヘッドによる摩耗、損傷を軽減する目的で磁
気記録層上に炭素保護膜等を設け、さらに該保護膜上に
潤滑膜を設けたものが知られている。
して、磁気ヘッドによる摩耗、損傷を軽減する目的で磁
気記録層上に炭素保護膜等を設け、さらに該保護膜上に
潤滑膜を設けたものが知られている。
ところで、このような磁気記録媒体の製造方法としては
、例えば磁気記録層上にスパッタリングによって炭素保
護膜を形成し、この炭素保護膜上に極性基を末端に有す
るフッ素系潤滑剤を塗布する方法や、同じくスパッタリ
ング等により形成した５ｉＯｙ保護膜上にシランカップ
リング剤等のカップリング剤を介して有機材料からなる
潤滑剤を塗布するなどの方法が提案されている。
、例えば磁気記録層上にスパッタリングによって炭素保
護膜を形成し、この炭素保護膜上に極性基を末端に有す
るフッ素系潤滑剤を塗布する方法や、同じくスパッタリ
ング等により形成した５ｉＯｙ保護膜上にシランカップ
リング剤等のカップリング剤を介して有機材料からなる
潤滑剤を塗布するなどの方法が提案されている。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上記の方法にあ）では以下に述べるよう
な不都合がある。
な不都合がある。
磁気記録層上に炭素保護膜を形成し、この炭素保護膜上
にフ・ツ素系潤滑剤を塗布する方法にあっては、潤滑剤
が液状であり僅かに蒸気圧を有するため徐々に揮散し、
これにより潤滑効果が時間の経過に連れて僅かずつなが
ら減少する。
にフ・ツ素系潤滑剤を塗布する方法にあっては、潤滑剤
が液状であり僅かに蒸気圧を有するため徐々に揮散し、
これにより潤滑効果が時間の経過に連れて僅かずつなが
ら減少する。
また、シランカップリング剤等のカップリング剤を介し
て有機材料からなる潤滑剤を塗布する方法にあっては、
５ｉＯｔ保護膜に対しては有効であるが炭素保＠膜に対
してはカブプリング剤溶液の濡れ性が悪く均一に塗布す
るのが困難であることから、磁気記録面全体に亙って十
分な潤滑効果が得られていない。
て有機材料からなる潤滑剤を塗布する方法にあっては、
５ｉＯｔ保護膜に対しては有効であるが炭素保＠膜に対
してはカブプリング剤溶液の濡れ性が悪く均一に塗布す
るのが困難であることから、磁気記録面全体に亙って十
分な潤滑効果が得られていない。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、経時による潤滑効果の低下を解消し、
磁気記録面全体に亙って十分な潤滑効果を付与し得る磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
とするところは、経時による潤滑効果の低下を解消し、
磁気記録面全体に亙って十分な潤滑効果を付与し得る磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
「課題を解決するための手段」
この発明の磁気記録媒体の製造方法では、磁気記録層の
表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲気下葉外線照
射して表面処理炭素保護膜を形成し、次いでこの表面処
理炭素保護膜上に活性水素含有基を有するカップリング
剤と末端にイソシアネート基を有する潤滑剤とを塗布し
、その後これらカップリング剤と潤滑剤とを重合せしめ
て重合潤滑膜を形成することを上記課題の解決手段とし
た。
表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲気下葉外線照
射して表面処理炭素保護膜を形成し、次いでこの表面処
理炭素保護膜上に活性水素含有基を有するカップリング
剤と末端にイソシアネート基を有する潤滑剤とを塗布し
、その後これらカップリング剤と潤滑剤とを重合せしめ
て重合潤滑膜を形成することを上記課題の解決手段とし
た。
以下、この発明の磁気記録媒体の製造方法を図面を利用
して詳しく説明する。
して詳しく説明する。
まず、磁気記録体ｌを用意する。この磁気記録体Ｉは、
第１図に示すように硬質基板２上に厚さ０．１〜２μｍ
程度のアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜３が形
成され、この膜３に陽極酸化処理が施されてその表面に
陽極酸化膜が形成され、さらにこの陽極酸化膜の微細孔
内に磁性体が充填されて磁性膜４が形成され、これが研
摩されかつ陽極酸化膜のみがエツチングされて磁性体が
アルミニウム膜またはアルミニウム合金ｆｉ３の表面よ
り突出せしめられることにより磁気記録層５が形成され
、さらにこの上にスパッタリング等によって炭素保護膜
６が形成されたものである。
第１図に示すように硬質基板２上に厚さ０．１〜２μｍ
程度のアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜３が形
成され、この膜３に陽極酸化処理が施されてその表面に
陽極酸化膜が形成され、さらにこの陽極酸化膜の微細孔
内に磁性体が充填されて磁性膜４が形成され、これが研
摩されかつ陽極酸化膜のみがエツチングされて磁性体が
アルミニウム膜またはアルミニウム合金ｆｉ３の表面よ
り突出せしめられることにより磁気記録層５が形成され
、さらにこの上にスパッタリング等によって炭素保護膜
６が形成されたものである。
なお、この発明が適用される磁気記録層５としては、上
述のごとくアルマイト方式の磁性層に限ることなく、磁
気記録層５上に炭素保護膜６を形成し得るものであれば
その種類を問うものではない。
述のごとくアルマイト方式の磁性層に限ることなく、磁
気記録層５上に炭素保護膜６を形成し得るものであれば
その種類を問うものではない。
上記炭素保護膜６の形成にあたっては、簡便でしかも膜
厚の制御が容易であるスパッタリング法が好適に採用さ
れる。スパッタリング法によって形成された炭素保護ｆ
ｉ６は、その形成時の雰囲気および圧力等の条件により
グラファイト状またはダイヤモンド状となるが、いずれ
であっても保護機能に変わりはない。また、この炭素保
護膜６の厚さは、２０〜５０ｎｍ程度が好ましい。なお
、炭素保護膜６の形成に先だって磁性膜５との被着性を
良（するため、Ｃｒ、ＰＬ、Ｔｉ５Ｓｉ等の中間層を形
成しておくことが強固な炭素保護膜７を作製するうえで
好ましい。
厚の制御が容易であるスパッタリング法が好適に採用さ
れる。スパッタリング法によって形成された炭素保護ｆ
ｉ６は、その形成時の雰囲気および圧力等の条件により
グラファイト状またはダイヤモンド状となるが、いずれ
であっても保護機能に変わりはない。また、この炭素保
護膜６の厚さは、２０〜５０ｎｍ程度が好ましい。なお
、炭素保護膜６の形成に先だって磁性膜５との被着性を
良（するため、Ｃｒ、ＰＬ、Ｔｉ５Ｓｉ等の中間層を形
成しておくことが強固な炭素保護膜７を作製するうえで
好ましい。
次に、上記磁気記録体ｌの炭素保護膜６の表面に、オゾ
ン雰囲気下にて紫外線を照射して表面処理炭素保護膜７
を形成する。
ン雰囲気下にて紫外線を照射して表面処理炭素保護膜７
を形成する。
ここで、オゾン雰囲気の生成および紫外線の照射には、
例えばｕｖｃ−Ｃ型ドライプロセッサー（オーク製作新
製）などが用いられる。そして、これらの装置によりオ
ゾン雰囲気を生成１２、該オゾン雰囲気下に上記炭素保
護膜６表面を配置し、紫外線を照射することにより、表
面処理炭素保護膜７か得られる。
例えばｕｖｃ−Ｃ型ドライプロセッサー（オーク製作新
製）などが用いられる。そして、これらの装置によりオ
ゾン雰囲気を生成１２、該オゾン雰囲気下に上記炭素保
護膜６表面を配置し、紫外線を照射することにより、表
面処理炭素保護膜７か得られる。
なお、上記装置（ＵＶＣ−Ｃ型ドライプロセッサー）を
用いた場合には、照射時間が１分未満ては炭素保護膜６
に対する水溶液の濡れ性を改善する効果が得られず、ま
た４分を越えるとこの濡れ性の改善効果が横這いとなる
ため、照射時間は１〜４分が適当であり、２分程度が好
ましい。また、照射装置としては、一般にオゾンおよび
原子状酸素を発生させるのに必要な１８４．９ｎｍおよ
び２５３．７ｎｍの波長の光を効率的に放射し得る低圧
水銀ランプが好適に使用され、その場合には出力を３０
０〜７００Ｗ、ランプから磁気記録媒体までの距離を５
〜２０次肩とし、処理時間を１〜５分とするのが好まし
い。
用いた場合には、照射時間が１分未満ては炭素保護膜６
に対する水溶液の濡れ性を改善する効果が得られず、ま
た４分を越えるとこの濡れ性の改善効果が横這いとなる
ため、照射時間は１〜４分が適当であり、２分程度が好
ましい。また、照射装置としては、一般にオゾンおよび
原子状酸素を発生させるのに必要な１８４．９ｎｍおよ
び２５３．７ｎｍの波長の光を効率的に放射し得る低圧
水銀ランプが好適に使用され、その場合には出力を３０
０〜７００Ｗ、ランプから磁気記録媒体までの距離を５
〜２０次肩とし、処理時間を１〜５分とするのが好まし
い。
次いで、表面処理炭素保護膜７上に、活性水素含有基を
有するカップリング剤と末端にイソシアネート基を有す
る潤滑剤とを塗布する。ここで、上記カップリング剤に
おける活性水素含有基としては、ヒドロキシ基（、−０
Ｈ）、アミノ基（−ＮＨ，）、メルカプト基（−９Ｈ）
、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）などが挙げられる。そ
して、これらを有するカップリング剤としては、例えば
ヒドロキン基を有するものとして３−ヒドロキシプロピ
ルトリメトキシシランなど、アミノ基を有するものとし
てγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−０リエトキシンリルプロビル）尿素、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロビルメチルジメトキ
ンシランなど、メルカプト基を宵するものとしてγ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、（３−メルカプ
トプロピル）メチルジメトキシシランなどがそれぞれ挙
げられる。
有するカップリング剤と末端にイソシアネート基を有す
る潤滑剤とを塗布する。ここで、上記カップリング剤に
おける活性水素含有基としては、ヒドロキシ基（、−０
Ｈ）、アミノ基（−ＮＨ，）、メルカプト基（−９Ｈ）
、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）などが挙げられる。そ
して、これらを有するカップリング剤としては、例えば
ヒドロキン基を有するものとして３−ヒドロキシプロピ
ルトリメトキシシランなど、アミノ基を有するものとし
てγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−０リエトキシンリルプロビル）尿素、Ｎ−（２
−アミノエチル）−３−アミノプロビルメチルジメトキ
ンシランなど、メルカプト基を宵するものとしてγ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、（３−メルカプ
トプロピル）メチルジメトキシシランなどがそれぞれ挙
げられる。
また、末端にイソシアネート基を有する潤滑剤としては
、例えば以下の化学式からなるフォンブリン Ｚ ＤＩ
ＳＯＣ（ＭＯＮＴＥＦＬＯＵＳ社製）などが挙げられる
。
、例えば以下の化学式からなるフォンブリン Ｚ ＤＩ
ＳＯＣ（ＭＯＮＴＥＦＬＯＵＳ社製）などが挙げられる
。
ＯＣＮ−ＣａＨ＊（ＣＨｔ）−ＮＨＣＯ−ＣＦ ｔ（Ｏ
ＣｔＦ４）ｍ −（ＯＣＦｔ）ｎ −０ＣＦｔ−ＣＯＮ
Ｈ−Ｃ６Ｈａ（ＣＨ５）−Ｎ Ｇ Ｏ （式中下線はイソシアネート基を示す。）これらカップ
リング剤と潤滑剤とを塗布するには、まずカップリング
剤の０，０５〜０．５ｗｔ％水溶液をデイツプコート法
またはスピンコード法にて表面処理炭素保護膜７上に塗
布し、１１０〜１２０℃の温度で１０〜６０分間加熱し
て硬化せしめる。次に、潤滑剤の０．０５〜０．５ｗｔ
％フロン溶液をデイツプコート法またはスピンコード法
にて塗布する。
ＣｔＦ４）ｍ −（ＯＣＦｔ）ｎ −０ＣＦｔ−ＣＯＮ
Ｈ−Ｃ６Ｈａ（ＣＨ５）−Ｎ Ｇ Ｏ （式中下線はイソシアネート基を示す。）これらカップ
リング剤と潤滑剤とを塗布するには、まずカップリング
剤の０，０５〜０．５ｗｔ％水溶液をデイツプコート法
またはスピンコード法にて表面処理炭素保護膜７上に塗
布し、１１０〜１２０℃の温度で１０〜６０分間加熱し
て硬化せしめる。次に、潤滑剤の０．０５〜０．５ｗｔ
％フロン溶液をデイツプコート法またはスピンコード法
にて塗布する。
その後、これらカップリング剤と潤滑剤とを加熱重合せ
しめて重合潤滑膜８を形成し、磁気記録媒体９を得る。
しめて重合潤滑膜８を形成し、磁気記録媒体９を得る。
この場合の加熱条件としては、１１Ｏ〜１２０℃にて１
０〜９０分程度とされる。
０〜９０分程度とされる。
このような加熱によりカップリング剤と潤滑剤とは、そ
の活性水素含有基と末端イソシアネート基とが化学結合
することによって重合する。なお、この場合に潤滑剤は
、空気中の水分と反応することによって潤滑剤自身も重
合可能である。そして、形成された重合潤滑膜８は、潤
滑作用を有しかつ強固な固体膜となり、液体潤滑剤の場
合に発生する潤滑作用の揮散による減少が防止される。
の活性水素含有基と末端イソシアネート基とが化学結合
することによって重合する。なお、この場合に潤滑剤は
、空気中の水分と反応することによって潤滑剤自身も重
合可能である。そして、形成された重合潤滑膜８は、潤
滑作用を有しかつ強固な固体膜となり、液体潤滑剤の場
合に発生する潤滑作用の揮散による減少が防止される。
このようにして作製した磁気記録媒体９にあっては、オ
ゾン雰囲気下にて炭素保護膜６に紫外線照射処理を施し
たので、カップリング剤に対する濡れ性が大幅に向上し
た表面処理炭素保護膜７を得ることができ、これにより
該表面処理炭素保護膜７上にカップリング剤を均一に塗
布することができ、したがって該カップリング剤と潤滑
剤とからなる固状の重合潤滑膜８を表面処理炭素保護膜
７上に均一に形成することができる。そして、これによ
り得られた磁気記録媒体９では、揮散が防止された重合
潤滑膜８が形成されたことによって潤滑効果の減少が抑
制され、従来のものに比較して潤滑膜（重合潤滑膜８
）の耐久性が著しく向上したものとなる。
ゾン雰囲気下にて炭素保護膜６に紫外線照射処理を施し
たので、カップリング剤に対する濡れ性が大幅に向上し
た表面処理炭素保護膜７を得ることができ、これにより
該表面処理炭素保護膜７上にカップリング剤を均一に塗
布することができ、したがって該カップリング剤と潤滑
剤とからなる固状の重合潤滑膜８を表面処理炭素保護膜
７上に均一に形成することができる。そして、これによ
り得られた磁気記録媒体９では、揮散が防止された重合
潤滑膜８が形成されたことによって潤滑効果の減少が抑
制され、従来のものに比較して潤滑膜（重合潤滑膜８
）の耐久性が著しく向上したものとなる。
なお、オゾン雰囲気下にて炭素保護膜６に紫外線を照射
し、表面処理を施したことにより得られた表面処理炭素
保護膜の水の濡れ性交化について調べたところ、第３図
に示すような結果が得られた。
し、表面処理を施したことにより得られた表面処理炭素
保護膜の水の濡れ性交化について調べたところ、第３図
に示すような結果が得られた。
第３図は照射時間（表面処理時間）に対する水の接触角
の変化率（１ＯＯＸθ１／θ、ただしθ、ニオシン雰囲
気下紫外線照射処理を施した炭素保護膜に対する水の接
触角、θ：未処理の炭素保護膜に対する水の接触角）を
示すものであり、このグラフから明らかなように、１分
以上照射処理した表面処理炭素保護膜は未処理の炭素保
護膜に比べて水の接触角が約１／４〜１／【０に減少し
た。そして、これにより表面処理炭素保護膜は、未処理
の炭素保護膜に比べて濡れ性に優れたものとなり、した
がってカップリング剤が未処理のらのに比べてより均一
に塗布できるようになったことが確認された。
の変化率（１ＯＯＸθ１／θ、ただしθ、ニオシン雰囲
気下紫外線照射処理を施した炭素保護膜に対する水の接
触角、θ：未処理の炭素保護膜に対する水の接触角）を
示すものであり、このグラフから明らかなように、１分
以上照射処理した表面処理炭素保護膜は未処理の炭素保
護膜に比べて水の接触角が約１／４〜１／【０に減少し
た。そして、これにより表面処理炭素保護膜は、未処理
の炭素保護膜に比べて濡れ性に優れたものとなり、した
がってカップリング剤が未処理のらのに比べてより均一
に塗布できるようになったことが確認された。
「実施例」
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明する。
（実施例１）
まず、第１図に示したような構成からなる磁気記録体（
磁気ディスク ）を作製した。この場合の磁気記録体の
作製としては、上述したようにアルマイト処理を施し、
研磨したアルミ基板にアルミニウムを蒸着し、さらにア
ルマイト処理・鉄電析・研磨・エツチング・カーボンス
パッタを順次施して行った。
磁気ディスク ）を作製した。この場合の磁気記録体の
作製としては、上述したようにアルマイト処理を施し、
研磨したアルミ基板にアルミニウムを蒸着し、さらにア
ルマイト処理・鉄電析・研磨・エツチング・カーボンス
パッタを順次施して行った。
次に、この磁気記録体の両面の炭素保護膜に、ｕｖｃ−
ｃ型ドライプロセッサ（オーク製作新製）によってオゾ
ン雰囲気下で紫外線を片面ずつ各２分間照射した。この
ような照射処理により、炭素保護膜に対する水の接触角
は未処理時の８７°から９°に低下し、炭素保護膜の濡
れ性が大幅に向上した。
ｃ型ドライプロセッサ（オーク製作新製）によってオゾ
ン雰囲気下で紫外線を片面ずつ各２分間照射した。この
ような照射処理により、炭素保護膜に対する水の接触角
は未処理時の８７°から９°に低下し、炭素保護膜の濡
れ性が大幅に向上した。
次いで、カップリング剤としてＮ−（β−アミノエチル
）−γ−アミノブロビルトリメトキンンラン（東芝シリ
コーン製、商品名：ＴＳＬ８３４０）を超純水で希釈し
てＯ、ｌ ｗｔ％水溶液を作製し、この水溶液に上記の
磁気記録体を浸漬し、さらにこれを０ 、１ 次ｍ／秒
の速さで引き上げて表面処理炭素保護膜上にカップリン
グ剤を塗布した。さらに、この磁気記録体をオーブンに
て１１０℃で１０分間加熱し、カップリング剤を硬化せ
しめた。
）−γ−アミノブロビルトリメトキンンラン（東芝シリ
コーン製、商品名：ＴＳＬ８３４０）を超純水で希釈し
てＯ、ｌ ｗｔ％水溶液を作製し、この水溶液に上記の
磁気記録体を浸漬し、さらにこれを０ 、１ 次ｍ／秒
の速さで引き上げて表面処理炭素保護膜上にカップリン
グ剤を塗布した。さらに、この磁気記録体をオーブンに
て１１０℃で１０分間加熱し、カップリング剤を硬化せ
しめた。
次いで、潤滑剤として先に示したＭＯＮＴＥＦＬＯＵＳ
社製のフォンブリン Ｚ ＤＩＳＯＣを用意し、これ
をトリクロロトリフルオロエタン（ダイキン工業社製：
商品名グイフロンＳ−３）によって０．２ｗｔ％に希釈
し、この希釈液を上記の硬化したカップリング剤上にス
ピンコーターによって３００ ＯＲＰＭでスピンコード
した。
社製のフォンブリン Ｚ ＤＩＳＯＣを用意し、これ
をトリクロロトリフルオロエタン（ダイキン工業社製：
商品名グイフロンＳ−３）によって０．２ｗｔ％に希釈
し、この希釈液を上記の硬化したカップリング剤上にス
ピンコーターによって３００ ＯＲＰＭでスピンコード
した。
その後、この磁気記録体をオーブンにて１１０００で１
０分間加熱し、カップリング剤と潤滑剤とを重合せしめ
て重合潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を作製した。
０分間加熱し、カップリング剤と潤滑剤とを重合せしめ
て重合潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を作製した。
このようにして得られた磁気記録媒体は、７５°ＣＸ
Ｉ Ｏ０時間の加熱後においてもその膜厚の減少がほと
んど認められず、重合潤滑膜はその揮散が無視できる哩
度であることが確認された。
Ｉ Ｏ０時間の加熱後においてもその膜厚の減少がほと
んど認められず、重合潤滑膜はその揮散が無視できる哩
度であることが確認された。
（実施例２）
先の実施例１と同様にして炭素保護膜を形成した磁気記
録体を用意した。
録体を用意した。
次に、カップリング剤としてのγ−メルカプトプロピル
トリメ）・キンンラン（東芝ノリコーン製、商品名・Ｔ
ＳＬ８３８０）を、酢酸によりｐｉ（４，７に調整した
超純水によって０ 、１ ｗｔ％に希釈し、この希釈液
に磁気記録体を浸漬し、以下実施例１と同様にして引き
上げ、加熱処理した。
トリメ）・キンンラン（東芝ノリコーン製、商品名・Ｔ
ＳＬ８３８０）を、酢酸によりｐｉ（４，７に調整した
超純水によって０ 、１ ｗｔ％に希釈し、この希釈液
に磁気記録体を浸漬し、以下実施例１と同様にして引き
上げ、加熱処理した。
さらに、実施例１と同様にして潤滑剤（フォンブリン
Ｚ ＤＩＳＯＣ）をスピンコードし、これを加熱して
重合潤滑膜を作製し、磁気記録媒体を得た。
Ｚ ＤＩＳＯＣ）をスピンコードし、これを加熱して
重合潤滑膜を作製し、磁気記録媒体を得た。
このようにして得られた磁気記録媒体にあっても、７５
°ＣＸ １００時間の加熱後においてその膜厚の減少か
ほとんど認められなかった。
°ＣＸ １００時間の加熱後においてその膜厚の減少か
ほとんど認められなかった。
（実施例３ ）
先の実施例１と同様にして炭素保護膜を形成した磁気記
録体を用意した。
録体を用意した。
次に、カブプリング剤としての３−ヒドロキシプロピル
トリメトキンソラン（トーレンリコーン社製、商品名：
ＳＳ １４９０ ）を、ＥＬ級のメタノールによっ
てＯ，１ｗｔ％に希釈し、この希釈液に磁気記録体を浸
漬し、以下実施例１と同様にして引き上げ、加熱処理し
た。
トリメトキンソラン（トーレンリコーン社製、商品名：
ＳＳ １４９０ ）を、ＥＬ級のメタノールによっ
てＯ，１ｗｔ％に希釈し、この希釈液に磁気記録体を浸
漬し、以下実施例１と同様にして引き上げ、加熱処理し
た。
さらに、実施例１と同様にして潤滑剤（）十ンブリン
Ｚ ＤＩＳＯＣ）をスピンコードし、これを加熱して
重合潤滑膜を作製し、磁気記録媒体を得た。
Ｚ ＤＩＳＯＣ）をスピンコードし、これを加熱して
重合潤滑膜を作製し、磁気記録媒体を得た。
このようにして得られた磁気記録媒体にあっても、上記
実施例１，２のものと同様に７５℃×１００時間の加熱
後においてその膜厚の減少がほとんど認められなかった
。
実施例１，２のものと同様に７５℃×１００時間の加熱
後においてその膜厚の減少がほとんど認められなかった
。
（比較例）
比較例として、以下のようにして磁気記録媒体を作製し
た。
た。
まず、先の実施例１と同様にして炭素保護膜を形成した
磁気記録体を用意した。
磁気記録体を用意した。
次に、潤滑剤としてのダイキン工業社製デムナム５−２
０［化学式：Ｆ −（Ｃ＊Ｆ ｓｏ ）ｎ −Ｃ！Ｆ
５コをトリクロロトリフルオロエタン（ダイキン工業社
製：商品名グイフロンＳ−３）によって０ 、１ ｗｔ
％に希釈し、この希釈液に磁気記録体を浸漬して１０
ｘ屑／秒の速度で引き上げた。
０［化学式：Ｆ −（Ｃ＊Ｆ ｓｏ ）ｎ −Ｃ！Ｆ
５コをトリクロロトリフルオロエタン（ダイキン工業社
製：商品名グイフロンＳ−３）によって０ 、１ ｗｔ
％に希釈し、この希釈液に磁気記録体を浸漬して１０
ｘ屑／秒の速度で引き上げた。
このようにして得られた磁気記録媒体を７５°Ｃ×１０
０時間加熱したところ、その膜厚が約２０％減少し、潤
滑膜の揮散が認められ、よってこの揮故に起因して潤滑
性が経時劣化することが推測された。
０時間加熱したところ、その膜厚が約２０％減少し、潤
滑膜の揮散が認められ、よってこの揮故に起因して潤滑
性が経時劣化することが推測された。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の磁気記録媒体の製造方
法は、磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜をオゾ
ン雰囲気下葉外線照射して表面処理炭素保護膜を形成し
、次いてこの表面処理炭素保護膜上に活性水素含有基を
有するカップリング剤と末端にイソシアネート基を有ケ
る潤滑剤とを塗布し、その後これらカップリング剤と潤
滑剤とを重合せしめて固状の重合潤滑膜を形成するもの
であるから、潤滑膜の揮散に起因する経時的な潤滑性の
低下を解消して長期に亙っての良好な潤滑性を付与する
ことができ、また炭素保護膜表面への処理により炭素保
護膜へ均一にカップリング剤を塗布することがが可能と
なり、よって磁気記録媒体の記録面全体に亙って十分な
潤滑効果を付与せしめることができる。
法は、磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜をオゾ
ン雰囲気下葉外線照射して表面処理炭素保護膜を形成し
、次いてこの表面処理炭素保護膜上に活性水素含有基を
有するカップリング剤と末端にイソシアネート基を有ケ
る潤滑剤とを塗布し、その後これらカップリング剤と潤
滑剤とを重合せしめて固状の重合潤滑膜を形成するもの
であるから、潤滑膜の揮散に起因する経時的な潤滑性の
低下を解消して長期に亙っての良好な潤滑性を付与する
ことができ、また炭素保護膜表面への処理により炭素保
護膜へ均一にカップリング剤を塗布することがが可能と
なり、よって磁気記録媒体の記録面全体に亙って十分な
潤滑効果を付与せしめることができる。
第１図および第２図はこの発明の磁気記録媒体の製造方
法の一例を工程順に示す概略断面図、第３図は、オゾン
雰囲気上炭素保護膜への紫外線照射時間とその炭素保護
膜に対する水の接触角変化率を示すグラフである。 ５・・・・磁気記録層、６・・・・・・炭素保護膜、７
・ ・表面処理炭素保護膜、 ８・・・・・重合潤滑膜、９・・・・・磁気記録媒体。
法の一例を工程順に示す概略断面図、第３図は、オゾン
雰囲気上炭素保護膜への紫外線照射時間とその炭素保護
膜に対する水の接触角変化率を示すグラフである。 ５・・・・磁気記録層、６・・・・・・炭素保護膜、７
・ ・表面処理炭素保護膜、 ８・・・・・重合潤滑膜、９・・・・・磁気記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気記録層の表面に形成された炭素保護膜をオゾン雰囲
気下紫外線照射して表面処理炭素保護膜を形成し、 次いでこの表面処理炭素保護膜上に活性水素含有基を有
するカップリング剤と末端にイソシアネート基を有する
潤滑剤とを塗布し、 その後これらカップリング剤と潤滑剤とを重合せしめて
重合潤滑膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18865388A JPH0237524A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18865388A JPH0237524A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237524A true JPH0237524A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16227486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18865388A Pending JPH0237524A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9312141B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-04-12 | HGST Netherlands B.V. | Vapor phase chemical mechanical polishing of magnetic recording disks |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18865388A patent/JPH0237524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9312141B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-04-12 | HGST Netherlands B.V. | Vapor phase chemical mechanical polishing of magnetic recording disks |
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