JPH02266557A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02266557A JPH02266557A JP1088703A JP8870389A JPH02266557A JP H02266557 A JPH02266557 A JP H02266557A JP 1088703 A JP1088703 A JP 1088703A JP 8870389 A JP8870389 A JP 8870389A JP H02266557 A JPH02266557 A JP H02266557A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の、特に電力用モジュールの内
部構造について、特に構造部品の位置決めに関するもの
である。
部構造について、特に構造部品の位置決めに関するもの
である。
第７図は従来の電力用モジュールの外観を示す斜視図、
第８図は第７図に示すＣ，Ｃにおける断面図、第９図は
従来の金属ベース板に放熱形絶縁基板をはんｔご付けす
る場合に起こる位置ずれを説明する平面図、第１０図は
第９図に示すり、Ｄにおける断面図である。図において
、（５）は金属ベース板。
第８図は第７図に示すＣ，Ｃにおける断面図、第９図は
従来の金属ベース板に放熱形絶縁基板をはんｔご付けす
る場合に起こる位置ずれを説明する平面図、第１０図は
第９図に示すり、Ｄにおける断面図である。図において
、（５）は金属ベース板。
（７）は放熱形絶縁基板、＋８１ 、 （９１は半導体
チップ、（１０１はアルミワイヤー、０］）、α２）
、 （１３１は外部電極端子。
チップ、（１０１はアルミワイヤー、０］）、α２）
、 （１３１は外部電極端子。
（１荀はインサートケース％０５１はシリコンゲル、
０６１はエポキシ樹脂、面ははんだである。金属ベース
板（５）に、半導体チップ（８）及び、放電形絶縁基板
（７）をはんだ付けし、更に放熱形絶縁基板（７）上に
半導体チップ（９）をはんだ付けし、外部電極端子６】
）〜［１３１がインサートされたインサートケースα→
を金属ベース板（５）に接着する際にはんだ付けが同時
にされて１）る。
０６１はエポキシ樹脂、面ははんだである。金属ベース
板（５）に、半導体チップ（８）及び、放電形絶縁基板
（７）をはんだ付けし、更に放熱形絶縁基板（７）上に
半導体チップ（９）をはんだ付けし、外部電極端子６】
）〜［１３１がインサートされたインサートケースα→
を金属ベース板（５）に接着する際にはんだ付けが同時
にされて１）る。
次に組立方法について説明する。まず金属ベース板（５
）に、半導体チップ°（８）、放熱形絶縁基板（７）、
半導体チップ（９）をはんだ付けした後、半導体チップ
＋８１ 、 ＋９１と放熱形絶縁基板（７）とをアルミ
ワイヤー００によって接合する。次に外部電極端子（１
１）〜０３がインサートされたインサートケース０４（
第７図ではインサートケース０荀の外枠のみ示しである
。）を金属ベース板（５）に接着する際（こ、外部電極
端子（ＩＩ）〜ａ３１と放熱膜絶縁基板（７）、あるい
は金属ベース板（５）とがはんだ付けされる。次にシリ
コンゲル０５）を注入し、ゲルキュアーを行い、その上
からエポキシ樹脂口ｅを注入し、エポキシ樹脂キュアー
を行うことで、外部に対する密封性を確保する。
）に、半導体チップ°（８）、放熱形絶縁基板（７）、
半導体チップ（９）をはんだ付けした後、半導体チップ
＋８１ 、 ＋９１と放熱形絶縁基板（７）とをアルミ
ワイヤー００によって接合する。次に外部電極端子（１
１）〜０３がインサートされたインサートケース０４（
第７図ではインサートケース０荀の外枠のみ示しである
。）を金属ベース板（５）に接着する際（こ、外部電極
端子（ＩＩ）〜ａ３１と放熱膜絶縁基板（７）、あるい
は金属ベース板（５）とがはんだ付けされる。次にシリ
コンゲル０５）を注入し、ゲルキュアーを行い、その上
からエポキシ樹脂口ｅを注入し、エポキシ樹脂キュアー
を行うことで、外部に対する密封性を確保する。
従来の半導体装置は１以上のように構成されているため
に、組立の最初の工程、すなわち金属ベース板に、半導
体チップ、放熱膜絶縁基板をはんだ付けする工程におい
て、はんだが溶けた状態では、半導体チップ及び放熱膜
絶縁基板はフリーの状態になっており、第９図に示す矢
印の方向に位置ずれを起こす。この位置を決めるために
、現状では治具を用いているが上記治具は、部品とのク
リアランスが必要であり、また熱変形もし易く、位置決
め精度が悪く、更に、放熱形絶縁基板上にはワイヤボン
ド及び、ケースにインサートされた外部電極端子がはん
ｔご付けされるために位置決め精度が悪いと、組立が困
難になるという問題があつた０ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱膜絶縁基板、半導体チップなどを治具を
使うことなく、はんだ付は時の位置決め精度を向上し、
後工程での組み立て性の向上ができる半導体装置を得る
ことを目的とする。
に、組立の最初の工程、すなわち金属ベース板に、半導
体チップ、放熱膜絶縁基板をはんだ付けする工程におい
て、はんだが溶けた状態では、半導体チップ及び放熱膜
絶縁基板はフリーの状態になっており、第９図に示す矢
印の方向に位置ずれを起こす。この位置を決めるために
、現状では治具を用いているが上記治具は、部品とのク
リアランスが必要であり、また熱変形もし易く、位置決
め精度が悪く、更に、放熱形絶縁基板上にはワイヤボン
ド及び、ケースにインサートされた外部電極端子がはん
ｔご付けされるために位置決め精度が悪いと、組立が困
難になるという問題があつた０ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱膜絶縁基板、半導体チップなどを治具を
使うことなく、はんだ付は時の位置決め精度を向上し、
後工程での組み立て性の向上ができる半導体装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱膜絶縁基板の裏面の
電極板に円形若しくは多角形の凹部を作り、それに対応
する金属ベース板側に同形状の凸部を設けたものである
。
電極板に円形若しくは多角形の凹部を作り、それに対応
する金属ベース板側に同形状の凸部を設けたものである
。
この発明において、放熱膜絶縁基板の裏面の電極板に円
形若しくは多角形の凹部を作り、それに対応する金属ベ
ース板側に同形状の凸部を設けることにより、はんだ付
は工程において治具を使うことなく、はんだ付は時の位
置決め精度の向上が図れ、後工程のワイヤボンディング
、外部電極端子はんだ付は工程の作業性が向上できる。
形若しくは多角形の凹部を作り、それに対応する金属ベ
ース板側に同形状の凸部を設けることにより、はんだ付
は工程において治具を使うことなく、はんだ付は時の位
置決め精度の向上が図れ、後工程のワイヤボンディング
、外部電極端子はんだ付は工程の作業性が向上できる。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第６図につい
て説明する。
て説明する。
第１図は放熱膜絶縁基板の平面図、第２図は第１図の放
熱膜絶縁基板の裏面図、第３図は第２図に示すＡ−Ａに
おける断面図、第４図は金属ベース板の平面図、第５図
は第４図のＢ、Ｈにおける断面図、第６図は放熱膜絶縁
基板上金属ベース板をはんだ付けした状態を示す断面図
である。図において（１）は絶縁基板、（２）は表面電
極板、（３）は裏面電極板、（４）は円形状電極凹部、
（５）は金属ベース板、（６）は凸部、（７）は放熱膜
絶縁基板である。放熱膜絶縁基板（７）の裏面電極板（
３）に円形状電極凹部（４）を設け、放熱膜絶縁基板（
７）の裏面の円形状電極凹部（４）に対応する位置の金
属ベース板（５）に上記と同形状の凸部（６）を設ける
。
熱膜絶縁基板の裏面図、第３図は第２図に示すＡ−Ａに
おける断面図、第４図は金属ベース板の平面図、第５図
は第４図のＢ、Ｈにおける断面図、第６図は放熱膜絶縁
基板上金属ベース板をはんだ付けした状態を示す断面図
である。図において（１）は絶縁基板、（２）は表面電
極板、（３）は裏面電極板、（４）は円形状電極凹部、
（５）は金属ベース板、（６）は凸部、（７）は放熱膜
絶縁基板である。放熱膜絶縁基板（７）の裏面電極板（
３）に円形状電極凹部（４）を設け、放熱膜絶縁基板（
７）の裏面の円形状電極凹部（４）に対応する位置の金
属ベース板（５）に上記と同形状の凸部（６）を設ける
。
次に半導体装置の組立て、特に金属ベース板（５）に、
放熱膜絶縁基板（７）をはんだ付けする工程について説
明する。放熱膜絶縁基板（７）の裏面電極板（３）に設
けられた円形状電極凹部（４）と、それに対応する位置
に設けられた金属ベース板（５）七の凸部（６）とがは
め合いになり、金属ベース板（５）丘に、放熱膜絶縁基
板（７）が位置ずれを起こすことなく、位置精度よくは
んだ付けされる。
放熱膜絶縁基板（７）をはんだ付けする工程について説
明する。放熱膜絶縁基板（７）の裏面電極板（３）に設
けられた円形状電極凹部（４）と、それに対応する位置
に設けられた金属ベース板（５）七の凸部（６）とがは
め合いになり、金属ベース板（５）丘に、放熱膜絶縁基
板（７）が位置ずれを起こすことなく、位置精度よくは
んだ付けされる。
以上のように、この発明によれば金属ベース板に放熱膜
絶縁基板をはんだ付けする５こ当って金属ベース板に設
けた凸部及び放熱膜絶縁基板に設けた円形状電極凹部の
かん合によって位置ずれを起こすことなく、はんだ付は
作業の精度と作業性を向上する効果がある。
絶縁基板をはんだ付けする５こ当って金属ベース板に設
けた凸部及び放熱膜絶縁基板に設けた円形状電極凹部の
かん合によって位置ずれを起こすことなく、はんだ付は
作業の精度と作業性を向上する効果がある。
第１図ないし第６図はこの発明に係る半導体装置の一実
施例を示すもので、第１図は放熱膜絶縁基板の平面図、
第２図は第１図の放熱膜絶縁基板の裏面図、第３図は第
２図１こ示すＡ・Ａにおける断面図、第４図は金属ベー
ス板の平面図、第５図は第４図のＢ−Ｈにおける断面図
、第６図は放熱膜絶縁基板上金属ベース板をはんだ付け
した状態を示す断面図、第７図は従来の電力用モジュー
ルの外観を示す斜視図、第８図は第７図に示すＣ−Ｃに
おける断面図、第９図は従来の金属ベース板に放熱形絶
縁基板をはんだ付けする場合に起こる位置ずれを説明す
る平面図、第１０図は第９図のり、Ｄにおける断面図で
ある。 図中、（１）は絶縁基板、（２）は表面電極板、（３）
は裏面電極板、（４）は円形状電極凹部、（５）は金属
ベース板、（６）は凸部、（７）は放熱形絶縁基板を示
す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
施例を示すもので、第１図は放熱膜絶縁基板の平面図、
第２図は第１図の放熱膜絶縁基板の裏面図、第３図は第
２図１こ示すＡ・Ａにおける断面図、第４図は金属ベー
ス板の平面図、第５図は第４図のＢ−Ｈにおける断面図
、第６図は放熱膜絶縁基板上金属ベース板をはんだ付け
した状態を示す断面図、第７図は従来の電力用モジュー
ルの外観を示す斜視図、第８図は第７図に示すＣ−Ｃに
おける断面図、第９図は従来の金属ベース板に放熱形絶
縁基板をはんだ付けする場合に起こる位置ずれを説明す
る平面図、第１０図は第９図のり、Ｄにおける断面図で
ある。 図中、（１）は絶縁基板、（２）は表面電極板、（３）
は裏面電極板、（４）は円形状電極凹部、（５）は金属
ベース板、（６）は凸部、（７）は放熱形絶縁基板を示
す。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
Claims (1)
- 金属ベース板上に、絶縁基板の両面に電極板をあらかじ
め接合された放熱形絶縁基板をはんだ付けし、その上に
半導体チップ及びケースにインサートされた外部電極端
子をはんだ付けし、樹脂封止を行なうような半導体装置
において、上記放熱形絶縁基板の裏面及び金属ベース板
に凹部若しくは凸部を設けたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088703A JPH02266557A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088703A JPH02266557A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266557A true JPH02266557A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13950239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088703A Pending JPH02266557A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266557A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2794571A1 (fr) * | 1999-06-03 | 2000-12-08 | Possehl Electronic France Sa | Dispositif dissipateur de chaleur pour composants electroniques |
| WO2002013263A1 (fr) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Possehl Electronic France S.A. | Dispositif dissipateur de chaleur pour composants electroniques |
| JP2012227362A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニットおよびその製造方法 |
| JP2013098450A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
| JP2015088654A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2015167171A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1088703A patent/JPH02266557A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2794571A1 (fr) * | 1999-06-03 | 2000-12-08 | Possehl Electronic France Sa | Dispositif dissipateur de chaleur pour composants electroniques |
| WO2002013263A1 (fr) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | Possehl Electronic France S.A. | Dispositif dissipateur de chaleur pour composants electroniques |
| JP2012227362A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニットおよびその製造方法 |
| JP2013098450A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
| JP2015088654A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2015167171A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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