JPH02258832A - ポリイソチアナフテン系水分散液の製造方法及びそれを用いた導電性高分子材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリイソチアナフテン系水分散液を製造する
方法及びポリイソチアナフテン系導電性高分子材料に関
する。詳しくは、成形性能に優れかつ得られる成形体の
電気伝導性に優れたポリイソチアナフテン系水分散液を
製造する方法及びそれを乾燥してなる電気伝導性に優れ
たポリイソチアナフテン系導電性高分子材料に関するも
のである。

〔従来の技術〕

近年、従来より導電性を示すことが知られてきたπ電子
共役系を有する高分子化合物、例えばポリアセチレン、
ポリフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ
アニリン、ポリイソチアナフテン等が電気工学や電子工
業の分野において、電池、コンデンサー、帯電防止材料
、電磁波遮蔽材料、電子デバイス、エレクトロクロミッ
ク素子等の各種の導電性材料として検討されている。

また、ポリインチアナフテンはｐ型にドープすることに
より半導体から金属的状態になり、可視域の吸収は非常
に小さ（なるため、透明導電性高分子としての幅広い応
用が期待されている。

特開昭６１−１７５８１号には、ドーピングにより高い
電導性を示し、電気化学的にも繰り返し酸化還元行うこ
とが可能で且つそれぞれの状態において固有の色を有す
るポリイソチアナフテン構造を有する重合体が開示され
ている。

ポリイソチアナフテン等の製造方法としては、酸化剤を
使用して化学的に酸化重合する方法、電気化学的に酸化
重合（電解重合）する方法が知られている０例えば、Ｆ
　、　１ｆｕｄ　Ｉらはジャーナル・オブ・オーガニッ
ク・ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＯｒｇａｎｉ
ｃ　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）第４９巻、第３３８２ＢＴ（
１９８４年）で、イソチアナフテンをＩｊＢｒを溶解し
たアセトニトリル中で電解重合すると、陽極上にポリイ
ソデアナフテンがフィルム状に析出することを、また、
イソチアナフテンを塩化メチレン中で塩化アルミニウム
および塩化第二銅により酸化すると黒色の重合体が沈澱
が析出することを報告している。

しかしながら、上記の酸化重合により得られた導電性高
分子は、不溶不融の粉末又は塊であるために、それ自体
の成形性能に劣っており、このような導電性高分子を導
電性材料として利用するには、適当なバインダーに分散
するか、圧縮成形による加工を行うなどの必要があると
いう不便さがあった。

また、上記の電解重合では、陽極上に導電性高分子がフ
ィルム状で生成するため、′ｒ！１極の大きさに生成物
の大きさが規制され、しかも、高価な設備を用いる必要
からコスト高であるなどという不都合があった。

導電性高分子の水分散液の製造の一例は、米国特許第４
，２３７，１９４号に示されているが、水と混和しうる
有機溶媒に溶解したポリアニリンをラテックスと混合し
、その後、有機溶媒を除去してポリアニリン会合ラテッ
クスを形成し、さらに酸の添加によりポリアニリン塩会
合ラテックスを形成するものであり、複雑な多くの操作
が必要である。

また、米国特許第４，７３１，４０８号には、アニオン
性の表面特性を有するポリマーの存在下で導電性高分子
フィルムとして被覆可能な高分子分散物を製造する方法
が開示されているが、これらの水分散液から得られる成
形体である導電性高分子は電気伝導度が低いという欠点
を有しており、−層の向上が望まれていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、ポリイソチアナフテン系化合物の成形
性能に劣るという問題点を解決した安定なポリインチア
ナフテン系水分散液を製造することにある。

更には、得られる成形体の電気伝導度が高い、ポリイソ
チアナフテン系化合物の安定な水分散液を製造すること
である。

更には、電気伝導度の高い導電性高分子材料を得ること
にある。

〔問題点を解決する手段〕

上記目的は、カチオン性高分子、非イオン性高分子、両
性高分子、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性
剤及び両性界面活性剤から成る鮮から選ばれる一種又は
二種以上の化合物の存在下で、イソチアナフテン系化合
物を酸化重合して、ポリインチアナフテン系水分散液を
製造する方法及びそれを乾燥してなるポリイソチアナフ
テン系導電性高分子材料によって達成された。

本発明はポリイソチアナフテンを水分散液として製造す
ることで、上記に示した成形性能に劣るという問題点を
解決するものである。このような導電性高分子の水分散
液は、スプレー被膜形成法、コーターによる表面コート
法、押出成形法などにより塗布することが容易で、更に
はエマルジッン等とブレンドすることもでき、乾燥によ
り水を除去することでフィルム化することができる。

以下、本発明のポリインチアナフテン系水分散液の製造
方法に関して説明する。

本発明の製造方法には、ラテックスの製造に用いられる
乳化重合と同様の公知の方法で行うことができる０例え
ば、窒素雰囲気下で攪拌された分散剤又は界面活性剤（
例えば、ポリビニルアルコール）の水溶液に、溶媒（例
えば、塩化メチレン）に熔肝したイソチアナフテン系化
合物を加えて作られた懸濁液に、触媒（例えば、ＦｅＣ
１ｚ）の水溶液を滴下する方法である。

本発明において用いられるイソチアナフテン系化合物の
好ましい化合物は、以下の一般式（口で示される。

ここで、Ｒ１、Ｒｔ　、Ｒｓ及びＲ４は水素原子、ハロ
ゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素）、アルキル基
、アリール基、水Ｍ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アミノ基、アルキルアミノ基（Ｉｉ！環してもよい
）、ニトロ基、シアノ基、−ＮＨＣＯＲ’　　−ＮＨＳ
ＯｔＲ’ −３ＯＲ５−３ｏ□Ｒ’　　−３ｏ！ＮＲ’ＣＯＲ５−
ＣＯＮＲ”　、複素環基（例えば、トリアゾール、チア
ゾール、ベンズチアゾール、フラン、ピリジン、キナル
ジン、ベンズオキサプール、ピリミジン、オキサゾール
、イミダゾール）を表す、Ｒｓはアルキル基又はアリー
ル基を表す　Ｂ　ｈ及び　Ｒフは同じであっても異なっ
ていてもよ（、水素原子、アルキル基又はアリール基を
表す　Ｒ１とＲｆｆ、Ｒ１とＲｚ、またはＲｚとＲ４は
縮環してもよい 更に、上記のＲ１、Ｒｘ　、　Ｒａ及びＲ４のアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキルアミノ基は更に置換されていてもよい、また、上
記のＲ５，Ｒ−及びＲｔのアルキル基、アリール基も更
にｗ、換されていてもよい。

これらの置換基の例としては、アルコキシ基（例えば、
メトキシ、エトキシ）、アリールオキシ基（例えば、フ
ェニルオキシ）、アルコキシカルボニル基（例えば、メ
トキシカルボニル）、アシルアミノ基（例えば、アセチ
ルアミノ）、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基
（例えば、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル）
、ジアルキルスルファモイル基（例えば、ジメチルカル
バモイル）、アリールカルバモイル基（例えば、フェニ
ルカルバモイル）、アルキルスルホニル基（例えば、メ
チルスルホニル）、アリールスルホニル基（例えば、フ
ェニルスルホニル）、アルキルスルホンアミド基（例え
ば、メタンスルホンアミド）、アリールスルホンアミド
基（例えば、フェニルスルホンアミド）、スルファモイ
ル基、アルキルスルファモイル基（例えば、エチルスル
ファモイル）、ジアルキルスルファモイル基（例えば、
ジメチルスルファモイル）、アルキルチオ基（例えば、
メチルチオ）、アリールチオ基（例えば、フヱニルチオ
）、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基
、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素）が挙げ
られ、この置換基が２個以上あるときは同じであっても
異なっていてもよい。

上記イソチアナフテン系化合物として好ましいものとし
ては、イソチアナフテン、５−メチルベン７’（ｃ）チ
オフェン、５−エチルベンゾ（Ｃ）チオフェン、５−フ
ェニルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−メチルベンゾ（Ｃ
）チオフェン、４−エチルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４
−フェニルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４，５−ジメチル
ベンゾ（Ｃ）チオフェン、４，５−ジエチルベンゾ〔ｃ
〕チオフェン、５，５°−ジメチルベンゾ〔Ｃ〕チオフ
ェン、４．４’　−ジメチルベンゾ〔Ｃ〕チオフェン、
５−メトキシベンゾＣＣ）チオフェン、５−エトキシベ
ンゾ〔Ｃ〕チオフェン、５−フェノキシベンゾＣＣ）チ
オフェン、４−メトキシベンゾ〔Ｃ］チオフェン、４−
エトキシベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−フェノキシベン
ゾ（Ｃ）チオフェン、５−アミノベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン、５−フェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、５−
メチルフェニルアミノベンゾＣＣ）チオフェン、５−ジ
メチルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、５−ジフェニル
アミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−アミノベンゾＣＣ
）チオフェン、４−フェニルアミノベンゾ〔Ｃ〕チオフ
ェン、４−メチルフェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン、４−ジメチルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−
ジフェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェンが挙げられる
。

本発明においてインチアナフテン系化合物を酸化重合さ
せるために使用する触媒としては、一般に用いられる公
知のものを用いることができる。

例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅などの塩化物、硫酸第
二鉄、硫酸第二銅などの硫酸塩、二酸化鉛、二酸化マン
ガンなどの金属酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモ
ニウム、過酸化水素などの過酸化物、ベンゾキノンなど
のキノン類、沃素、臭素などのハロゲン、フェリシアン
化カリウムなどが挙げられる。これらの具体例は、特開
昭６３−２１３５１８号、同６３−１９３９２６号、同
６２−１１６６６５号、同６２−１０４８３２号、同６
３−２１５７１７号、同６３−６９８２３号、同６３−
１０１４１５号、同６０−５８４３０号等にも記載され
ている。触媒の量はインチアナフテン系化合物の特性と
使用される触媒により変化する。しかしながら、−Ｍに
は、触媒／イソチアナフテン系化合物のモル比率は０．
０１から１０の範囲であり、好ましくは、１から５の範
囲であ本発明において用いられる分散剤の具体例を以下
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

カチオン性高分子の例としては、水溶性でかつその構造
の中に４級アンモニウム塩基、オキソニウム塩基、スル
ホニウム塩基等の少なくとも１種を有する高分子等が挙
げられる。

カチオン性高分子の具体例としては、以下の化合物が挙
げるが、それらに限定されるものではない。

・ＣＨＣＯＯｅ 非イオン性高分子の例としては、ヒドロキシエチルセル
ロース、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロー
ス、デキストラン、プルラン、ポリビニルアルコール、
ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン等が挙げら
れる。

両性高分子の例としては、ゼラチン、コラーゲン、グロ
ブリン、アルブミン、カゼイン等が挙げられる。

また、本発明に用いられる界面活性剤の具体例を以下に
挙げるが、これらに限定されるものではない。

カチオン性界面活性剤の例としては以下のものが挙げら
れる。

又工＝ｙ 非イオン性界面活性剤の例としては以下のものが挙げら
れる。

Ｃ，、ＦＩ□０（Ｃ１１，Ｃ１１，０）　ｌ・Ｈ２Ｃ＋
ＪｘｓＯＣＣＨｔＣＨｔＯ）ｔ＊Ｈ。

両性界面活性剤の例としては以下のものが挙げられる。

レシチン Ｃ＋＋ＨｒｓＣＯＮＨＣＨｚＣＨｚＣＨ＊−ＮＣＨｚＣ
Ｏ０Ｃ１１゜ ポリオキシエチレンソルビタントリス テアリン酸エステル Ｃ＋ｓＨｇｙｃＯＮＨｃＨｚｃＨｔｃＨｘ−ＮＣＨＩＣ
ｏ。

Ｃ８寡 ｎ瓢３０ ポリイソチアナフテン系化合物の分散に用いられる非イ
オン性高分子、両性高分子又は、カチオン性高分子の量
は、インチアナフテン系化合物に対して１〜３００重量
％、好ましくは５〜２００重量％である。また、界面活
性剤はイソチアナフテン系化合物に対して０．０１〜５
０重量％、好ましくは０．１〜２０重量％用いる。好ま
しくは、非イオン性高分子、両性高分子からなる群より
選ばれた分散剤の存在下で重合する製造方法である。

酸化重合における反応温度は、−１０〜＋００°Ｃ２好
ましくは０〜５０°Ｃである１反応時間は、反応温度と
関連するが、通常０．１〜１００時間、好ましくはｏ、
ｉ〜５０時間である。

本発明の水分散液は、透析、限外濾過等の処理をして用
いても良い。

また、本発明の水分散液には、成形体の導電性をさらに
向上させるために、導電性化合物を添加することができ
る。これらの導電性化合物は、酸化重合の前後もしくは
その両方に添加してもよいが、重合前もしくは重合の前
後の両方に添加されるのが好ましい、更に透析、限外濾
過等の処理をする場合には処理後に加えてもよい。

本発明で用いることのできる導電性化合物としては、ア
ルカリ金属カチオン（Ｌ　ｉ’　、Ｎａ’に３等）、Ｎ
Ｏｏ、Ｎｏ、’カチオン、オニウムカチオン（Ｅｔ４Ｎ
”　、　Ｂｕ４Ｎ’　、ＢｕｓＰ”等）と負イオン（Ｂ
Ｆｍ　−、ＡｓＦｎ−、＾５Ｆｈ−，５ｂＦａ−，５ｂ
Ｃ１＊ＰＦ＆　−、ＣｌＯ４−、ＡＩＦａ−、ＡｌＦ２
−　、Ｎ１Ｆａ”ＺｒＦｈ”、ＴｉＦｉ”＼ＴｉＦｂ”
＼Ｂ＋ｏＣＩ＋ｏ　”＼Ｃ１−Ｂｒ”　、Ｆ　−、Ｉ（
ＳＯ，−、Ｓｏ、　’−等）からなる塩、スルホン酸ア
ニオン（ＣｔｈＣ＊ＩＩ＜５０３−　、Ｃａ１ｌｓＳ（
ｈＣＦｓＳＯ３”等）を含む塩、１ｌｃＯＯＬｉのよう
なカルボン酸アニオンを含む塩、ＦｅＣｌ＊のような塩
化物、および有機アミン、無機酸（例えば、ＨＣＩ　、
ＨＸＳＯ４、）ＩＣＩ０４．１ＩＢＦ４）　、有機Ｍ（
例えば、トルエンスルホン酸、トリフルオロメチルスル
ホン酸、ポリスチレンスルホン酸のようなスルホン酸、
ギ酸、酢酸、ポリアクリル酸のようなカルボン酸）ある
いるが、これらに限定されるものではない。

また、本発明の水分散液は高分子化合物とブレンドして
用いることができる０本発明でブレンドできる高分子化
合物としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン
樹脂、シリコーン樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリア
ミド樹脂等の合成樹脂、スチレン−ブタジェンゴム、ブ
タジェンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、ニトリル
ゴム、クロロブレンゴム、エチレン−プロピレンゴム等
の合成ゴム、ポリ酢酸ビニル系ポリマーポリスチレン系
ポリマー、ポリエチレン系ポリマー、ポリ（メタ）アク
リル酸エステル系ポリマー等を使用することができるが
、これらに限定されるものではない、好ましくは、これ
らの高分子化合物はエマルシヨンである。

本発明の水分散液は、公知の塗布方法（例えば、デイツ
プコート、ローラーコート、バーコード、スピンコード
、カーテンコート、ギーサーコートなど）、スプレーに
よる被膜形成法、押出成形方法等及び公知の乾燥法を用
いて導電性高分子材料に容易に加工することができる。

以下、具体例に基づいて本発明を詳述するが、本発明は
これらに限定されるものではない。

合成例ｌ ３００ｄの３７０フラスコにデキストラン５ｇ、蒸留水
１００Ｉ１１！をとり、窒素雰囲気下で攪拌しながら塩
化メチレン１ｏｌｉに溶解したイソチアナフテン１０ｇ
を加え懸濁液を得た。室温でこの懸濁液に、蒸留水３０
ｄに溶解した２０ｇのｐｅｃＩｓ６Ｈ，Ｏを３０分間に
わたって滴下した。

滴下とともに発熱し、反応液は黒色に変化した。

さらに、２時間攪拌した後、透析を２日間行い（ＶｒＳ
ＫＡＳＥ　５ＡＬＥＳ　Ｃ０ＲＰ　ＣＥＬＬＵＬＯＳＥ
　ＴＵＢＩＮＧ　Ｃ−６５三光純薬■製を使用）、ポリ
イソチアナフテンの水分散液を得た。

得られたポリイソチアナフテン粒子の平均粒径は８０ｎ
ｍであった（ＣＯＬＩＬＴＥＲ−Ｎ４型サブミクロン粒
子分析装置（コールタ−エレクトロニクスｖ４）製で測
定）、また、この水分散液は、保存を２０°Ｃおよび５
°Ｃのどちらの温度で行っても安定であり、３ケ月経過
後どちらの温度で行った場合も粒子の沈降や凝集はなか
った。さらに、腐敗も見られなかった。

合成例２ ０．０５ｇ、導電性塩としてベンゼンスルホン酸トリブ
チルアンモニウム塩１０ｇをイソチアナフテンとともに
添加した以外は合成例１と同様に合成及び透析した結果
、合成例１と同様に安定なポリイソチアナフテン水分散
液（平均粒径６５ｎｍ）を得た。

合成例３ デキストランの代わりにポリビニルピロリドン６ｇ、イ
ソチアナフテンの代わりに５−メチルベンゾ（Ｃ）チオ
フェン１２ｇを使用した以外は合成例１と同様にして合
成及び透析をした結果、合成例１と同様に腐敗も粒子の
凝集も見られない安定なポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ）
チオフェン）水分散ＷＬ（平均粒径１２０　ｎｍ）を得
た。

合成例４ デキストランの代わりにＣｌｔｌｌｚｓＯ（ＣＬＣＪＩ
□Ｏ）＋Ｊ０．５ｇ−、ＦｅｃＩｓ　　・６Ｈｘ　Ｏの
代わりに過硫酸アンモニウム１８ｇを使用した以外は合
成例１と同様にして合成及び透析をした結果、合成例１
と同様に安定なポリイソチアナフテン水分散液（平均粒
径１５０　ｎｍ）を得た。

合成例５ ０．５ｇを使用した以外は合成例１と同様にして合成及
び透析をした結果、合成例１と同様に安定なポリイソチ
アナフテン水分散液（平均粒径１０１００ｎを得た。

合成例６ デキストランの代わりにヒドロキシエチルセルロース６
ｇ、イソチアナフテンの代わりに４−メチルベンゾ（Ｃ
）チオフェン１２ｇ、ＦｅＣｌコ・６Ｈ！Ｏの代わりに
１８ｇの過硫酸アンモニウムを使用した以外は合成例１
と同様にして合成及び透析をした結果、合成例１と同様
に安定なポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェン）水
分散液（平均粒径１３０ｎｍ）を得た。

合成例７ デキストランの代わりにヒドロキシエチルセルロース６
ｇ、イソチアナフテンの代わりに４−メチルベンゾ（Ｃ
）チオフェン１２ｇを使用した以外は合成例１と同様に
して合成及び透析をした結果、合成例１と同様に安定な
ポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェン）水分散液（
平均粒径９０ｎｍ）を得た。

合成例８ デキストランの代わりにゼラチン５ｇを使用した以外は
合成例１と同様にして合成及び透析をした結果、合成例
１と同様に安定なポリイソチアナフテン水分散液（平均
粒径９５ｎｍ）を得た。

合成例９ デキストランの代わりにポリビニルアルコール（けん化
度８８％）５ｇを使用した以外は合成例１と同様にして
合成及び１３Ｉｆをした結果、合成例１と同様に安定な
ポリイソチアナフテン水分散液（平均粒径６５ｎｍ）を
得た。

合成例１０ デキストランの代わりにＣｌｔｌｈｓＯ（ＣＨｚＣＨｚ
Ｏ）　ｔｅｌｌＯ６・０５ｇとポリビニルアルコール（
ケン化度８８％）５ｇを使用した以外は合成例１と同様
にして合成及び透析をした結果、合成例１と同様に安定
なポリイソチアナフテン水分散液（平均粒径９０ｎｍ）
を得た。

実施例１ 合成例２で得たポリイソチアナフテン水分散液をガラス
上に塗布し、窒素雰囲気下で乾燥し、その後、５０゛Ｃ
に加熱しながら減圧乾燥をすることでドーピングされた
ポリイソチアナフテンをフィルム化した。フィルムは厚
さ２５μであった。４端子法によりそのフィルムの電気
伝導度を測定したところ、その値はｔｏ−’Ｓ／ｃ＋ｅ
であった。

実施例２ 合成例１で得たポリイソチアナフテン水分散液１０ｇを
ポリ酢酸ビニルエマルジッン２０ｇとブレンドした。こ
のブレンドした水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾
燥することで、厚さ３０〃のフィルムを得た。そのフィ
ルムの電気伝導度は、１０′□３Ｓ　／　ｃｍであった
。

実施例３ 合成例３で得たポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾燥すること
で、ポリ（５−メチルベンゾ〔Ｃ〕チオフェン）をフィ
ルム化することができた。

フィルムは厚さ５０μであり、電気伝導度は１０−’Ｓ
／ｃｍであった。

実施例４ 合成例４で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ５５μのポリ
イソチアナフテンのフィルムを得た。電気伝導度は１０
−”Ｓ／ｃｍであった。

実施例５ 合成例５で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ４０μのポリ
イソチアナフテンのフィルムを得た。電気伝導度は１０
−’Ｓ／ｃ■であった。

実施例６ 合成例６で得たポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液にＬｉＣｌ０５３ｇを添加した後、これを
実施例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ４５μ
のポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェン）のフィル
ムを得た。電気伝導度は１０−”Ｓ／ａ＊であった。

実施例７ 合成例７で得たポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液にＫＢＦ、３．５ｇを添加した後、その中
から１０ｇをとり、これとポリスチレンエマルジョン１
０ｇとをブレンドした。このブレンドした水分散液を実
施例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ６０μの
ポリ（４−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェン）とポリスチ
レンとのブレンドフィルムを得た。電気伝導度は１０−
’Ｓ／ＣＩであった。

実施例８ 合成例８で得たポリインチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ３０μのポリ
イソチアナフテンのフィルムを得た。電気伝導度は１０
−”Ｓ／ａ＋＋であった。

実施例９ 合成例９で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ３０μのポリ
イソチアナフテンのフィルムを得た。電気伝導度は１０
−’Ｓ／ｃｍであった。

実施例１Ｏ 合成例１Ｏで得たポリイソチアナフテン水分散液を実施
例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ５０μのポ
リイソチアナフテンのフィルムを得た。電気伝導度は１
０−’Ｓ／ｃｉ＋であった。

比較例１ デキストランの代わりにポリアクリル酸水溶液（２０重
量％）２５ｇを使用した以外は合成例１と同様にして合
成及び透析をした結果、平均粒径３００ｎｍのポリイソ
チアナフテン水分散液を得た。しかしながら、腐敗を防
ぐために５°Ｃで保存ししたところ、２週間後には黴が
発生し、３週間後には凝集するといった安定性の悪いも
のであった。

水分散液製造直後に、この水分散液を実施例１と同様に
塗布及び乾燥することで、厚さ４５μで黒色のポリピロ
ールフィルムを得ることができたが、電気伝導度は１０
−’Ｓ／ｃｍと小さかった。

比較例２ デキストランの代わりにＣｘＨｔ３ＣＨ＝ＣＨＣＨｔＳ
ＯｚＮａ０．５ｇとポリアクリル酸水溶液（２０重Ｍ％
）２５ｇＳＦｅＣＩｓ　　・６８ｔ　Ｏの代わりに過硫
酸アンモニウム１８ｇを使用した以外は合成例１と同様
にして合成及び透析をした結果、平均粒径２５０ｎｍの
ポリアニリン水分散液を得た。しかしながら、この水分
散液を２０°Ｃで保存したところ、１週間後には黴の発
生が見られた。また、腐敗を防ぐために５℃で保存した
ところ、３週間後には黴が発生し、１ケ月後には凝集す
るといった安定性の悪いものであった。

水分散液製造直後に、この水分散液を実施例１と同様に
塗布及び乾燥することで、厚さ３０μで黒色のポリイソ
チアナフテンフィルムを得ることができたが、電気伝導
度は１０−’Ｓ／ｃ識と小さかった。

比較例３ デキストランを加えない以外は合成例工と同様にして合
′成を行ったところ、固形物が沈澱し、ポリイソデアナ
フテンの水分散液は得られなかった。

得られた固形物を濾取、乾燥したところ、その固形物は
アセトン、アセトニトリル、メタノール、エタノール、
塩化メチレン、酢酸エチルに不溶であり、１００°Ｃで
も熔融せず、成形加工性の悪いものであった。

比較例４ イソデアナフテン２　Ｂ、　ＬｉＢｒ２　ｇをアセトニ
トリル２００−に溶解したものを電解液とし、作用極、
対極にｔ’を坂を、参照極にＬ　ｉ　／　Ｌ　ｉｏを用
いて、０．５ｍＡ／ｃシの定電流密度で２時間電気化学
的に重合したところ、作用極上にポリイソチアナフテン
のフィルムが生成した。得られたフィルムをＴＭｈから
剥がし、乾燥したところ、そのフィルはアセトン、アセ
トニトリル、メタノール、エタノール、塩化メチレン、
酢酸エチルに不溶であり、＋００°Ｃでも熔融せず、成
形加工性の悪いものであった。

以上、本発明の方法で得られたポリインチアナフテン系
水分散液（合成例１−１０）はどれも、３す月の保存で
も安定で腐敗も粒子の凝集も見られないが、比較例１〜
２で製造されたポリイソデアナフテン水分ｎｋ液は腐敗
や粒子の凝集が見られ不安定なものであった。さらに、
本発明の方法で得られたポリイソチアナフテン系水分散
液（合成例１−１０）は容品に成形することができたが
、比較例３〜４で製造されたポリイソデアナフテンは成
形加工性の悪いものであった。また、本発明の方法で製
造されたポリインチアナフテン系水分散液から得られた
ポリイソデアナフテン系導電性高分子は、電気伝導性に
も優れていた。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば安定なポリイソチアナフ
テン系化合物の水分散液を製造することが可能となり、
かつ電気伝導度の高い導電性高分子材料を得ることが出
来る。

特許出願人　富士写真フィルム株式会社１゜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）カチオン性高分子、非イオン性高分子、両性高分
   子、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤及び
   両性界面活性剤から成る鮮から選ばれる一種または二種
   以上の化合物の存在下でイソチアナフテン系化合物を酸
   化重合することを特徴とするポリイソチアナフテン系水
   分散液の製造方法。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項記載のポリイソチアナ
   フテン系水分散液を乾燥してなる導電性高分子材料。