JPH02258833A - ポリイソチアナフテン系水分散液の製造方法及びそれを用いた導電性高分子材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリイソチアナフテン系水分散液を製造する
方法及びポリイソチアナフテン系導電性高分子材料に関
する。詳しくは、得られる導電性高分子材料の電気伝導
度及び、透明性が高い、ポリイソチアナフテン系化合物
の安定な水分散液を製造する方法及び電気伝導度かつ透
明性が高いポリイソチアナフテン系導電性高分子材料に
関するものである。

〔従来の技術］ 近年、従来より導電性を示すことが知られてきたπ電子
共役系を有する高分子化合物、例えばポリアセチレン、
ポリフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ
アニリン、ポリイソチアナフテン等が電気工学や電子工
業の分野において、電池、コンデンサー、帯電防止材料
、ｉｔ　ｉｆｆ波遮蔽材料、電子デバイス、エレクトロ
クロミック素子等の各種の導電性材料として検討されて
いる。

上記の導電性高分子のうちポリイソチアナフテンはＰ型
にドープすることにより半導体から全屈的状態になり、
可視域の吸収は非常に小さくなるため、透明導電性高分
子としての幅広い応用が期待されている。

特開昭６１−１７５８１号には、ドーピングにより晶い
電導性を示し、電気化学的にも繰り返し酸化還元行うこ
とが可能で且つそれぞれの状態において固有の色を有す
るポリイソチアナフテン構造を有する重合体が開示され
ている。

ポリイソチアナフテン等の製造方法としでは、酸化剤を
使用して化学的に酸化重合する方法、電気化学的に酸化
重合（電解重合）する方法が知られている０例えば、Ｆ
　、　Ｍｕｄ　Ｉらはジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（Ｊｏｕｒｒ＋ａｌ　ｏｆＯｒｇａｎｉ
ｃ　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　）第４９巻、第３３８２頁（
１９８４年）で、イソチアナフテンをＬｉ［ｌｒを溶解
したアセトニトリル中で電解重合すると、陽極上にポリ
イソチアナフテンがフィルム状に析出することを、また
、イソチアナフテンを塩化メチレン中で塩化アルミニウ
ムおよび塩化第二銅により酸化すると黒色の重合体が沈
澱が析出することを報告している。

しかしながら、上記の酸化重合により得られた導電性高
分子は、不溶不融の粉末又は塊であるために、それ自体
の成形性能に劣っており、このような導電性高分子を導
電性材料として利用するには、適当なバインダーに分散
するか、圧縮成形による加工を行うなどの必要があると
いう不便さがあった。

また、上記の電解重合では、陽極上に導電性高分子がフ
ィルム状で生成するため、を極の大きさに生成物の大き
さが規制され、しかも、高価な設備を用いる必要からコ
スト高であるなどという不都合があった。

導電性高分子の水分散液の製造の一例は、米国特許第４
，２３７．１９４号に示されているが、水と混和しうる
有機溶媒に溶解したポリアニリンをラテックスと混合し
、その後、有Ｒ溶媒を除去してポリアニリン会合ラテッ
クスを形成し、さらに酸の添加によりポリアニリン塩会
合ラテックスを形成するものであり、複雑な多くの操作
が必要で、本発明のように容易に水分散液を合成できる
ものではなかった。

また、米国特許第４，７３１．４０８号には、アニオン
性の表面特性を有するポリマーの存在下で導電性高分子
フィルムとして被覆可能な高分子分散物を製造する方法
が開示されているが、ポリイソチアナフテン系水分散物
を製造する方法やポリイソチアナフテン系導電性材料は
具体的に開示されていない。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、ポリインチアナフテン系化合物の成形
性能に劣るという問題点を解決した安定なポリイソチア
ナフテン系水分散液を製造することにある。

更には、得られる成形体の電気伝導度及び、透明性が高
い、ポリイソチアナフテン系化合物の安定な水分散液を
製造することである。

更には、電気伝導度及び、透明性が高い導電性高分子材
料を得ることにある。

〔問題点を解決する手段〕

上記目的は、アニオン性高分子又はアニオン性界面活性
剤の存在下で、インチアナフテン系化合物を酸化重合し
て、ポリイソチアナフテン系水分散液を製造する方法及
びそれを乾燥してなるポリイソチアナフテン系導電性高
分子材料によって達成された。

本発明はポリイソチアナフテンを水分散液として製造す
ることで、上記に示した成形性能に劣るという問題点を
解決するものである。このような導電性高分子の水分子
＃に、？＆、は、スプレー被膜形成法、コーターによる
表面コート法、押出成形法などにより塗布することが容
易で、更にはエマルジョン等とブレンドすることもでき
、乾燥により水を除去することでフィルム化することが
できるという利点がある。

以下、本発明のポリイソチアナフテン系水分散液の製造
方法に関して説明する。

本発明の製造方法には、ラテックスの製造に用いられる
乳化重合と同様の公知の方法で行うことができる。９１
えば、窒素雰囲気下でＩＦ？されたアニオン表面特性保
有ラッテクスに、塩化メチレンに溶解したイソチアナフ
テンを加えて作られた溶液に、触媒としてＦｅＣｌ、の
水溶液を滴下する方法である。

本発明の製造方法に用いられる溶媒は蒸留水が用いられ
るが、蒸留水にポリイソチアナフテン系化合物が溶解し
ない場合には、少量の有ａ溶媒も併せて用いることがで
きる。

本発明において用いられるインチアナフテン系化合物の
好ましい化合物は、以下の一般式（１）％式％ ここで、Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒ’及びＲ４は水素原子、ハ
ロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素）、アルキル
基、アリール基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基、アルキルアミノ基（縮纜してもよい）
、ニトロ基、シアノ基、ＮＨＣＯＲ’　　　　Ｎｌｌ５
ＯｔＲ’ＳＯＲラ　　−ＳＯ□Ｒ’　　　−３ｏ□ＮＲ
’ＣＯＲ’　　−ＣＯＮＲ’　、複素環基（例えば、Ｒ
フ トリアゾール、デアゾール、ベンズチアゾール、フラン
、ピリジン、キナルジン、ベンズオキサゾール、ピリミ
ジン、オキサゾール、イミダゾール）を表す　Ｂｓはア
ルキル基又はアリール基を表す　Ｒｈ及び　Ｒ７は同じ
であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基
又はアリール基を表す　Ｒ１とＲ”、Ｒ’とＲｔ、また
はＲ８とＲ４は縮環してもよい 更に、上記のＲ１、Ｒｇ　、Ｒａ及びＲ４のアルキル基
、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミノ基は更にｉｌ［ｆｉされていてもよい、また
、上記のＲｓ　、Ｒａ及びＲマのアル・キル基、アリー
ル基も更に置換されていてもよい。

これらの置換基゛の例としては、アルコキシ基（例えば
、メトキシ、エトキシ）、アリールオキシ基（例えば、
フェニルオキシ）、アルコキシカルボニル基（例えば、
メトキシカルボニル）、アシルアミノ基（例えば、アセ
チルアミノ）、カルバモイル基、アルキルカルバモイル
基（例えば、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル
）、ジアルキル力ルイバモイル基（例えば、ジメチルカ
ルバモイル）、アリールカルバモイル基（例えば、フェ
ニルカルバモイル）、アルキルスルホニル基（例えば、
メチルスルホニル）、アリールスルホニル基（例えば、
フェニルスルホニル）、アルキルスルホンアミド基（例
えば、メタンスルホンアミド）、アリールスルホンアミ
ド基（例えば、フヱニルスルホンアミド）、スルファモ
イル基、アルキルスルファモイル基（例えば、エチルス
ルファモイル）、ジアルキルスルファモイル基（例えば
、ジメチルスルファモイル）、アルキルチオ基（例えば
、メチルチオ）、アリールチオ基（例えば、フェニルチ
オ）、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ
基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素）が挙
げられ、この置換基が２個以上あるときは同じであって
も異なっていてもよい。

上記イソチアナフテン系化合物として好ましいものとし
ては、イソチアナフテン、５−メチルベンゾ〔Ｃ〕チオ
フェン、５−エチルベンゾ〔Ｃ〕チオフェン、５−フェ
ニルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−メチルベンゾ（ｃ）
チオフェン、４−エチルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−
フェニルベンゾ（Ｃ）チオフェン、４．５−ジメチルベ
ンゾ〔Ｃ〕ヂオフェン、４．５−ジエチルベンゾ〔Ｃ］
チオフェン、５．５°−ジメチルベンゾ〔Ｃ〕チオフェ
ン、４，４°−ジメチルベンゾ〔Ｃ〕チオフェン、５−
メトキシベンゾ（Ｃ）チオフェン、５−エトキシベンゾ
〔Ｃ〕チオフェン、５−フェノキシベンゾ（Ｃ）チオフ
ェン、４−メトキシベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−エト
キシベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−フェノキシベンゾ（
Ｃ）チオフェン、５−アミノベンゾチオフェン、５−フ
ェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、５メチルフエニ
ルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、５−ジメチルアミノ
ベンゾ（ｃｌチオフェン、５−ジフェニルアミノベンゾ
（Ｃ）チオフェン、４−アミノベンゾ（Ｃ）チオフェン
、４−フェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−メ
チルフェニルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−ジメ
チルアミノベンゾ（Ｃ）チオフェン、４−ジフェニルア
ミノベンゾＣＣ）チオフェンが挙げられる。

本発明においてイソチアナフテン系化合物を酸化重合さ
せるために使用する触媒としては、−ａに用いられる公
知のものを用いることができる。

例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅などの塩化物、硫酸第
二鉄、硫酸第二銅などの硫酸塩、二酸化鉛、二酸化マン
ガンなどの金属酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモ
ニウム、過酸化水素などの過酸化物、ベンゾキノンなど
のキノン類、沃素、臭素などのハロゲン、フェリシアン
化カリウムなどが挙げられる。これらの具体例は、特開
昭６５−２１３５１８号、同６３−１９３９２６号、同
６２−１２６６６５号、同６２−１０４８３２号、同６
３−２１５７１７号、同６３−６９８２３号、同６３−
１０１４１５号、同６０−５８４３０号等にも記載され
ている。触媒の量はイソチアナフテン系化合物の特性と
使用される触媒により変化する。しかしながら、−ａに
は、触媒／イソチアナフテン系化合物のモル比率は０．
０１〜１０の範囲であり、好ましくは、１〜５の範囲で
ある。

本発明に用いられるアニオン性界面活性剤の具体例を以
下に挙げるが、これらに限定されるものではない。

アニオン性界面活性剤の例としては以下のものが挙げら
れる。

Ｃ＋５ＨｓｔＣＯＯＮａ　、　　　Ｃ＋５ＨｓｔＣＯＯ
Ｎａ　。

ＮａＯ，ＳＣ■Ｃ００ＣａＨ＋ｔ Ｃ＋　＋Ｉｌ＊、ＣＩＩＣＨｔＣＩＩｚＳＯｓＮａ署 Ｈ Ｃ＋ｇｌｂｓＯ（ＣＨｚ）４ＳＯＪａ ＮａＯｉＳＣＨＣＯＯＣ＊Ｉｌ。

Ｃ＋ｈＨｓｓＯ５ＯｓＮａ また本発明において用いられるアニオン性高分子は、一
般に用いられている公知のアニオン表面特性保有ポリマ
ーを用いることができる。好ましくは、乳化重合法によ
り製造されるラテックスである。アニオン表面特性は種
々の方法で導入できる０例えば、アニオン性基、例えば
スルホン酸基を有するエチレン性不飽和モノマー、また
はエチレン性不飽和モノマーとの混合物を重合して、ア
ニオン表面特性保有ラテックスを合成する方法である。

この目的には２−アクリルアミド−２−メチルプロパン
スルホン酸、ビニルベンゼンスルホン酸の塩等を用いる
ことができるが、ポリマーにアニオン表面特性を導入で
きる他のエチレン性不飽和モノマー用いることが出来る
。

この場合の具体例を以下に挙げるがこれらに限定される
ものではない。

ＣＨｌ ０ＯＮａ ０ＯＣＲ１ ｃｏｏｃ寥Ｈ３ ＯＯＨ ０ＯＮａ ＣＨ８ さらに、アニオン表面特性はラテックス製造に前記のア
ニオン性界面活性剤を用いる方法であってもよい。

ポリインチアナフテン系化合物の分散に用いられるアニ
オン性高分子の量は、イソチアナフテン系化合物に対し
て１〜３００重量％、好ましくは５〜２００重量％であ
る。アニオン性界面活性剤の量は、イソチアナフテン系
化合物に対して０．０１〜５０重量％、好ましくは０．
１〜２０重量％である。酸化重合における反応温度は、
−１０〜１００℃、好ましくは０〜５０°Ｃである０反
応時間は、反応温度と関連するが、通常０．１〜１００
時間、好ましくは０．１〜５０時間である。

本発明の水分散液は、透析、限外濾過等の処理をして用
いても良い。

また、本発明の水分散液には、成形体の導電性をさらに
向上させるために、導電性化合物を添加することができ
る。これらの導電性化合物は、酸化重合の前後もしくは
その両方に添加してもよいが、重合前もしくは重合の前
後の両方に添加されるのが好ましい、更に透析、限外濾
過等の処理をする場合には処理後に加えてもよい。

本発明で用いることのできる導電性化合物としては、ア
ルカリ金属カチオン（Ｌ　ｉ”　、Ｎａ’に゛等）、Ｎ
Ｏｏ、Ｎｏｔ　’カチオン、オニウムカチオン（ＥＬＪ
”　、８ｕ４Ｎ”　、ＢｕｓＰ”等）と負イオン（ＢＦ
４−　、ＡｌＦ４−　、ＡａＦ＆−、５ｂＦａ−、５ｂ
ＣＩｉＰＦ＆　−、ＣｌＯ４−、＾ＩＦａ−、ＡｌＦ６
−　、Ｎ１Ｆａ”−ＺｒＦａ”−１ＴｉＦ＊”−１Ｔｉ
Ｆ＆’＼Ｂ＋＊ＣＩ＋ｅ　”−１ＣＩＢｒ−５Ｆ　−、
Ｈ３Ｏ４−、ＳＯａ　”−等）からなる塩、スルホン酸
アニオン（ＣＨｊＣＪ４ＳＯｓ−、ＣＪｓＳ（ｈｃｐｓ
ｓｏｚ−等）を含む塩、！ＩＣ０ＯＬｉのようなカルボ
ン酸アニオンを含む塩、ＦｅＣｌ５のような塩化物、お
よび有機アミン、無機酸（例えば、ＨＣＩ　、　ＨよＳ
０４、ＩＣｌ０ｎ　、ＨＢＦ４）　、有機酸（例えば、
トルエンスルホン酸、トリフルオロメチルスルホン酸、
ポリスチレンスルホン酸のようなスルホン酸、ギ酸、酢
酸、ポリアクリル酸のようなカルボン酸）あるいるが、
これらに限定されるものではない。

また、本発明の水分散液は高分子化合物とブレンドして
用いることができる３本発明でブレンドできる高分子化
合物としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン
樹脂、シリコーン樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリア
ミド樹脂等の合成樹脂、スチレン−ブタジェンゴム、ブ
タジェンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、ニトリル
ゴム、クロロブレンゴム、エチレン−プロピレンゴム等
の合成ゴム、ポリ酢酸ビニル系ポリマー１、ポリスチレ
ン系ポリマー、ポリエチレン系ポリマー、ポリ（メタ）
アクリル酸エステル系ポリマー等を使用することができ
るが、これらに限定されるものではない、好ましくは、
これらの高分子化合物はエマルシヨンである。

本発明の水分散液は、公知の塗布方法（例えば、デイツ
プコート、ローラーコート、バーコード、スピンコード
、カーテンコート、ギーサーコートなど）、スプレーに
よる被膜形成法、押出成形方法等及び公知の乾燥法を用
いて導電性高分子材料に容易に加工することができる。

以下、具体例に基づいて本発明を詳述する。

合成例１ ３００−の３７０フラスコにスチレン−ブタジェン系ラ
テックスＮ１ｐＯ１２５７０ｘ５（日本ゼオン製）６０
ｇ、蒸留水１５（ｌｄをとり、窒素雰囲気下で攪拌しな
がら塩化メチレン１０ｍに溶解したイソチアナフテン５
ｇを加えた。室温でこの液に、蒸留水３０ｊＩｌｉに溶
解した１０ｇのＦｅＣｌ５・６Ｈ３０を３０分間にわた
って滴下した。

滴下とともに発熱し、反応液は黒色に変化した。

さらに、２時間撹拌した後、透析を２日間行い（νｌ５
ＫＡＳＥ　　５ＡＬＥＳ　　Ｃ０ＲＰ　　ＣＥＬＬｔｌ
ＬＯ５Ｉ！　　Ｔ［ＩＢＩＮＧ　　Ｃ−６５三光純薬■
製を使用）、ポリインチアナフテンの水分散液を得た。

得られたポリイソチアナフテン粒子の平均粒径は１２０
ｎｍであった（ＣＯＵＬＴＥＲ−Ｎ４型サブミクロン粒
子分析装置（コールタ−エレクトロニクス■）製で測定
）、また、この水分散液は、保存を２０°Ｃおよび５℃
のどちらの温度で行っても安定であり、３ケ月経過後ど
ちらの温度で行った場合も粒子の沈降や凝集はなかった
。さらに、腐敗も見られなかった。

合成例２ 導電性塩としてベンゼンスルホン酸トリブチルアンモニ
ウム塩５ｇをインチアナフテンとともに添加した以外は
合成例１と同様に合成及び透析した結果、合成例１と同
様に安定なポリイソチアナフテン水分散液（平均粒径１
３５ｎｍ）を得た。

合成例３ Ｎｉｐｏ１２５７０Ｘ５の代わりにアクリロニトリル−
ブタジェン系ラテックスＮ１ｐｏｌ１５７１（日本ゼオ
ン製）６０ｇ、イソチアナフテンの代わりに５−メチル
ベンゾ（Ｃ）チオフェン６ｇを使用した以外は合成例１
と同様にして合成及び透析をした結果、合成例１と同様
に腐敗も粒子の凝集も見られない安定なポリ（５−メチ
ルベンゾ（Ｃ）チオフェン）水分散液（平均粒径１０１
００ｎを得た。

合成例４ Ｎｉｐｏ１２５７０Ｘ５の代わりにアクリロニトリルー
プクジエン系ラテックス　Ｎ１ｐｏ１１５７１（日本ゼ
オン製）６０ｇ、ＦｅＣｌ５　　・６Ｈ，Ｏの代わりに
過硫酸アンモニウム１８ｇを使用した以外は合成例１と
同様にして合成及び透析をした結果、合成例１と同様に
安定なポリイソチアナフテン水分散液（平均粒径１６０
ｎｍ）を得た。

合成例５ ＦｅＣＩ、　　・６Ｈ１０の代わりに過硫酸アンモニウ
ム１８ｇを使用した以外は合成例１と同様にして合成及
び透析をした結果、合成例１と同様に安定なポリイソチ
アナフテン水分散液（平均粒径９０　ｎｍ）を得た。

合成例６ Ｎｉｐｏ１２５７０Ｘ５の代わりにスチレンと２−アク
リルアミド２−メチルプロパンスルホン酸ナトリウム塩
の共重合体１０ｇを使用した以外は合成例１と同様にし
て合成及び透析をした結果、合成例１と同様に安定なポ
リイソチアナフテン水分散液（平均粒径１０５　ｎｍ）
を得た。

合成例７ Ｎ１ｐｏ１１５７０Ｘ５の代わりに の代わりに５−エチルベンゾ（Ｃ）チオフェン６ｇを使
用した以外は合成例１と同様にして合成及び透析をした
結果、合成例１と同様に安定なポリ（５−エチルベンゾ
（Ｃ）チオフェン）水分散液（平均粒径１２０　ｎｍ）
を得た。

実施例１ 合成例２で得たポリインチアナフテン水分散液をガラス
上に塗布し、窒素雰囲気下で乾燥し、その後、５０℃に
加熱しながら減圧乾燥をすることでドーピングされたポ
リイソチアナフテンをフィルム化した。フィルムは厚さ
４５μで透明性に優れていた（透過度的４０％）、４端
子法によりそのフィルムの電気伝導度を測定したところ
、その値はｌＯ弓Ｓ／ＣＩであった。

実施例２ 合成例１で得たポリイソチアナフテン水分散液１０ｇを
ポリ酢酸ビニルエマルジョン２０ｇとブレンドした。こ
のブレンドした水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾
燥することで、厚さ４０μの透明性に優れたフィルムを
得た（透過度的３０％）、そのフィルムの電気伝導度は
、Ｉ　Ｏ−’Ｓ／１であった。

実施例３ 合成例３で得たポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾燥すること
で、ポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ〕チオフェン）をフィ
ルム化することができた。

フィルムは厚さ３０μであり、透明性に優れていた（透
過度的３０％）、そのフィルムの電気伝導度は、１０−
’Ｓ／ｃｍであった。

実施例４ 合成例４で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ６５ａで透明
性に優れたポリイソチアナフテンのフィルムを得た（透
過度的３５％）、電気伝導度は１０−’Ｓ／ｃｍであっ
た。

実施例５ 合成例５で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ３０μで透明
性に優れたポリインチアナフテンのフィルムを得た（透
過度的３０％）、電気伝導度は１０−”３７ｃｍであっ
た。

実施例６ 合成例３で得たポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液にＬＬｉＣ１０ａ３を添加した後、これを
実施例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ３５μ
で透明性に優れたポリ（５−メチルベンゾ（Ｃ）チオフ
ェン）のフィルムを得た（透過度的３０％）、電気伝導
度は１０−’Ｓ／ｌであった。

実施例７ 合成例１で得たポリイソチアナフテン水分散液にＫＢＦ
４３．５ｇを添加した後、その中から１０ｇをとり、こ
れとポリスチレンエマルジゴン１０ｇとをブレンドした
。このブレンドした水分散液を実施例１と同様に塗布及
び乾燥することで、厚さ４５μで透明性に優れたポリイ
ソチアナフテンとポリスチレンとのブレンドフィルムを
得た（透過度的３５％）、ｆ！電気伝導度１０弓Ｓ／ｃ
■であった。

実施例８ 合成例６で得たポリイソチアナフテン水分散液を実施例
１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ４０μで透明
性に優れたポリイソチアナフテンとポリスチレンとのブ
レンドフィルムを得た（透過度的４０％）、電気伝導度
は１Ｏ−３Ｓ／ｃｍであった。

実施例９ 合成例７で得たポリ（５−エチルベンゾ（Ｃ）チオフェ
ン）水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾燥すること
で、厚さ６０μで透明性に優れたポリ（５−エチルベン
ゾ（Ｃ）チオフェン）のフィルムを得た（透過度的３５
％）、電気伝導度は１０−”Ｓ／ａｍであった。

比較例Ｉ イソチアナフテンの代わりにピロールを使用した以外は
合成例１と同様にして合成及び透析をした結果、平均粒
径１１００ｎのポリピロール水分散液を得た。この水分
散液を実施例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ
３５μで黒色のポリピロールフィルムを得たく透過度的
０％）、？４気伝導度は１０−’Ｓ／ａｍであった。

比較例２ イソチアナフテンの代わりにビロールを使用した以外は
合成例２と同様にして合成及び透析をした結果、平均粒
径８０ｎｍのポリピロール水分散液を得た。この水分散
液を実施例１と同様に塗布及び乾燥することで、厚さ５
５μで黒色のポリピロールフィルムを得た（透過度的０
％〕、電気伝導度は１０−”Ｓ／ｃｍであった。

比較例３ イソチアナフテンの代わりにアニリン塩酸塩を使用した
以外は合成例１と同様にして合成及び透析をした結果、
平均粒径１３０ｎｍのポリアニリン水分散液を得た。こ
の水分散液を実施例１と同様に塗布及び乾燥することで
、厚さ６０μで黒色のポリアニリンのフィルムを得た（
透過度的０％）、電気伝導度は１０−’Ｓ／ｃｍであっ
た。

以上、本発明の方法で得られたポリイソチアナフテン系
水分散液（合成例１〜５）はどれも、３ケ月の保存でも
安定で腐敗も粒子の凝集も見られなかつた。また、本発
明の方法で製造されたポリイソチアナフテン系水分散液
から得られたポリイソチアナフテン系導電性高分子は、
比較例■〜３で示されるようなポリピロールやポリアニ
リンよりも透明性に優れていた。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば安定なポリイソチアナフ
テン゛系化合物の水分散液を製造することが可能となり
、かつ電気伝導度の高く、透明性に優れた導電性高分子
材料を得ることが出来る。

平成１年７月ム日 １、事件の表示 ２）発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 平成１年特願第ｒｏｕｙｔ号 ポリインチアナフテン系水分散液の製造方法及びそれを
用い九導電性高分子材料

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アニオン性高分子及び／又はアニオン性界面活性
   剤の存在下でイソチアナフテン系化合物を酸化重合する
   ことを特徴とするポリイソチアナフテン系水分散液の製
   造方法。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項記載のポリイソチアナ
   フテン系水分散液を乾燥してなる導電性高分子材料。