JPH0225565A - スパッタリングターゲット材料の製造方法 - Google Patents

スパッタリングターゲット材料の製造方法

Info

Publication number
JPH0225565A
JPH0225565A JP17600988A JP17600988A JPH0225565A JP H0225565 A JPH0225565 A JP H0225565A JP 17600988 A JP17600988 A JP 17600988A JP 17600988 A JP17600988 A JP 17600988A JP H0225565 A JPH0225565 A JP H0225565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
alloy
sputtering target
density
high pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17600988A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Yanagimoto
勝 柳本
Yoshikazu Tanaka
義和 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Special Steel Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Special Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Special Steel Co Ltd filed Critical Sanyo Special Steel Co Ltd
Priority to JP17600988A priority Critical patent/JPH0225565A/ja
Publication of JPH0225565A publication Critical patent/JPH0225565A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、薄膜磁気ヘット、垂直磁気記録媒体、光磁
気記録媒体などの磁性P1mを、スパッタリングによっ
て形成する際に用いるターゲット材料の製造に関する。
〈従来の技術〉 スパッタリングターゲウトは、通常、所望成分にJ整し
た溶湯をインゴットに′y1aし、これを塑性加工によ
って所望の寸法に仕上げた後、適当な手段によって切出
していた。
しかし、近年、薄膜磁気ヘットに高い飽和磁束密度が要
求され、そのためにFe −AfL−Si系合金のスパ
ッタリングが行われるようになったが、この合金は塑性
加工が極めて困難なので、溶製鋳造によつて得たインゴ
ットから直接ターゲットを切出していた。
また、垂直磁気記録媒体に用いるCo −Cr系合金も
、同様に塑性加工が困難なため、溶製インゴットから直
接ターゲットを切出していた。
更に、光磁気記録媒体に用いるTb   FP系合金は
、偏析が顕著で、インゴットの溶製が困難なため、Fe
系合金のターゲット上に所定寸法のTbチップを乗せた
チップオン・ターゲットにより、スパッタリングを行っ
ていた。
〈発明が解決しようとするXIg> Fe −Si −An系合金やGo −Cr系合金のイ
ンゴットを溶製しようとすると、往々にして凝固の途中
に偏析を生じ、インゴットの部位によっては所定の組成
から外れたり、内部に鋳巣やクラツクを生じたりして使
用できなくなるため、製品歩留か大幅に低Tする。また
、溶製・鋳造法によるとインゴット中に[■を越えるよ
うな粗大結晶粒が現われることが多く、その場合結晶粒
内でへき開か起り易いために非常に脆く、ターゲットの
切出しや研削か非常に難かしい。
また、チップオン・ターゲットの場合は、スパッタリン
グの条件が厳しく、生成した薄膜か合金化しなかったり
、所望の組成から外れたりすることかあった。
均一な![J成の夕・−ゲットを得る手法として、合金
粉末をホットプレスにより焼結させる粉末冶金的手法が
考えられる。しか(〕、ホットプレスは、プレス金型の
高温強度上の制約から、工業的に実用上1000°c、
 1oooにg/cm”程度が限界であり、合金粉末を
ホットプレスによって空孔か無い完全にIon%密度の
焼結体を得るのが困難である。空孔が残る場合は、空孔
部分に熱応力か集中してそこを起点に割れ易いなどの問
題が起こる。
〈課題を解決するための手段〉 この発明は、スパッタリングターゲットとして所望され
る成分の合金を粉末化し、この粉末な可鍛性金属容器に
封入して、適当な温度で加圧圧縮して、スパッタリンク
、ターゲット材料を得るものである。
上記粉末は、合金が硬くて圧縮され難い場合が多いため
に、なるべく充填密度が高まるように、ガスアトマイズ
法によって得た球形の粒子からなるものを使用するのが
望ましい。そしてその粒径は、製品中で結晶粒が1mm
を越える寸法にならないように、  la謹以下に選ぶ
、加圧の圧力は、ホ・ントブレスの圧力よりも充分に高
い2000にg/c■2以上とする。高温下で、このよ
うに高い圧力を得るためには、熱間押出機を利用し、そ
の押出口を閉塞して使用するのが便利である。
〈作 用〉 上述の製法において、合金粉末は、圧縮の際の圧力が高
いために、例えば金属間化合物のような硬い粒子てあっ
ても、短時間内に空孔が全く無い100%密度の状態に
焼結される。そして、高圧で成形するため、焼結に要す
る時間が短く、高温にさらされる時間が短いために粒成
長が少なく、製品中の結晶粒の大きさは、原料粉末の粒
子寸法の範囲内に抑えることができる。本方法により製
造した焼結材は、全体にわたって組成が均一で、結晶粒
か細かいために脆性か改善され、切断や研削の加”Lが
極めて容易になり、製品歩留も向上する。
〈実施例〉 85Fe −9Si −6AJ1 (* @%)の組成
の合金を、真空誘導溶解炉で溶解し、アルゴンガス・ア
トマイズ法により噴霧して、シカ粒径150ルの粉末に
する。この粉末を、1mmの目のふるいで分級した後、
 SUS’+04材で作ったカプセルに充填し、内部を
脱気して封止した。カプセルの寸法は、外径1691、
長さ400W鳳、肉Jlt(Jarで、内部の粉末の充
填率は68%である。これを1200°Cに加熱した後
、内径215ma+のシリンダを有する熱間押出機に、
その押出口を閉塞した上で装填し、20口0しのラム圧
(5509にg/cm2)で抑圧して、その長さを18
.9mmに圧縮した。これを取出して冷却後、外層部分
を除去して直径152.4mmの円筒材を得、これをス
ライスした後研削加工により厚さ41の円盤形ターゲッ
トに加工した。
このターゲットは、第1図に示す 100倍liIwK
鏡写真のように微細な粒子によって構成された組織で、
空孔は皆無であり、各部の密度は第1表に示すように殆
ど真密度に等しい値を示した。またEPMA線分析によ
り各部の成分の変動を求めた結果では、第2図のように
微細変動の振幅が極めて小さく、ミクロ偏析か微少であ
ることか判った。
第1表(実施例製品の各部の密度) 比較のために、同一組成の溶gJ鋳造材から切出したタ
ーゲツト材は、第3図に示す25倍顕微鏡写真のように
結晶粒か巨大で、各部の密度は第2表に示すように真密
度よりかなり小さく、EPMA線分析の結果でも第4図
のように成分の微細変動の振幅が大きく、ミクロ偏析が
顕著に発生していることが判った。
第2表(溶製鋳造材の各部の密度) 25倍顕微鏡写真、第4図は第3図に示されているター
ゲットのEPMA線分析線図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)スパッタリングターゲット用の各種組成の合金の
    粒径1mm以下の粉末を可鍛性金属容器に封入後、これ
    を上記合金の融点より低い温度に加熱して2000Kg
    /cm^2以上の圧力で加圧することを特徴とするスパ
    ッタリングターゲット材料の製造方法。
JP17600988A 1988-07-13 1988-07-13 スパッタリングターゲット材料の製造方法 Pending JPH0225565A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17600988A JPH0225565A (ja) 1988-07-13 1988-07-13 スパッタリングターゲット材料の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17600988A JPH0225565A (ja) 1988-07-13 1988-07-13 スパッタリングターゲット材料の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0225565A true JPH0225565A (ja) 1990-01-29

Family

ID=16006123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17600988A Pending JPH0225565A (ja) 1988-07-13 1988-07-13 スパッタリングターゲット材料の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0225565A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275974A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Japan Radio Co Ltd スイッチド・キャパシタ・フィルタ
US6979275B2 (en) * 2001-05-14 2005-12-27 Nissan Motor Co., Ltd. Auxiliary transmission in transmission system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61229314A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Hitachi Metals Ltd タ−ゲツト材料およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61229314A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Hitachi Metals Ltd タ−ゲツト材料およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275974A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Japan Radio Co Ltd スイッチド・キャパシタ・フィルタ
US6979275B2 (en) * 2001-05-14 2005-12-27 Nissan Motor Co., Ltd. Auxiliary transmission in transmission system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431140B (zh) Method for manufacturing sputtering standard materials for aluminum - based alloys
JPS61104002A (ja) 焼結方法
JP2639609B2 (ja) 永久磁石用合金鋳塊及びその製造法
TW201103999A (en) Method for manufacturing nickel alloy target
EP0235165A1 (en) Pressure assisted sinter process
JP2587872B2 (ja) Fe―Si合金軟質磁性焼結体の製造方法
JPH0225565A (ja) スパッタリングターゲット材料の製造方法
JP2001107226A (ja) Co系ターゲットおよびその製造方法
JP2654982B2 (ja) Fe−A▲l▼−Si系合金及びその製造方法
JPS6347343A (ja) 耐熱アルミニウム合金による加工品の粉末冶金的製造法
JPH02259029A (ja) アルミナイドの製造法
JP2528373B2 (ja) 板状材料の製造方法
JP2909108B2 (ja) ターゲット部材およびその製造方法
JPS62214602A (ja) 圧粉体永久磁石の製造方法
CN114686717B (zh) 一种高熵合金的制备方法
JPH07238303A (ja) 高融点金属ターゲット材の成形方法
JPS6350469A (ja) スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法
JPS6347344A (ja) 低酸素合金成形体の製造法
JPH0774410B2 (ja) 焼結軟磁性材料の製造方法
JPH0517846A (ja) Fe−Al−Si系合金の製造方法
JPS5819409A (ja) 等方性Mn−Al−C系磁石の製造法
JPH02250964A (ja) センダスト合金ターゲットおよびその製造方法
JPS63111135A (ja) 希土類−遷移金属タ−ゲツトの製造方法
JPH028301A (ja) 粉末キャンニング加工による金属材製造方法
JPS62256902A (ja) 金属間化合物AlTi粉末およびその製造法