JPS61229314A - タ−ゲツト材料およびその製造方法 - Google Patents
タ−ゲツト材料およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61229314A JPS61229314A JP7059185A JP7059185A JPS61229314A JP S61229314 A JPS61229314 A JP S61229314A JP 7059185 A JP7059185 A JP 7059185A JP 7059185 A JP7059185 A JP 7059185A JP S61229314 A JPS61229314 A JP S61229314A
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- JP
- Japan
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- target material
- alloy powder
- manufacturing
- pressure
- densification
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスパッタリング法による磁気記録用薄膜の作ｆ
ｆＫ際し、その母材となるターゲット材料とその製造方
法に関するものである。
ｆＫ際し、その母材となるターゲット材料とその製造方
法に関するものである。
（従来の技術）
近年、垂直磁化膜に関する研究は盛んに行なわれ多くの
報告がなされている。例えば日本金属学会１９８４年１
２月発行なる磁性材料（最近の動向）Ｐ２９においてス
パッタリングによる磁化膜としてｑｄ Ｆ ｅ ｅ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ ｅ Ｄｙ Ｆ ｅ ＋ （１ｄ Ｃｏ
ｅ Ｔ ｂ Ｃｏ ＊ Ｄｙ ＣｏおよびＨ。
報告がなされている。例えば日本金属学会１９８４年１
２月発行なる磁性材料（最近の動向）Ｐ２９においてス
パッタリングによる磁化膜としてｑｄ Ｆ ｅ ｅ Ｔ
ｂ Ｆ ｅ ｅ Ｄｙ Ｆ ｅ ＋ （１ｄ Ｃｏ
ｅ Ｔ ｂ Ｃｏ ＊ Ｄｙ ＣｏおよびＨ。
Ｃｏをあげている。上記以外の１例としては８ｒｒｒ−
Ｃ。
Ｃ。
系があり特開昭６０−１６４０９によれば、その垂直磁
化膜の作成方法として、瀬ターゲットおよびＣｏターゲ
ットを使用し、マグネトロン・スパッタリングにより２
０〜５０％８ｍ−鵬ｏなる垂直磁化膜が得られることを
開示している。
化膜の作成方法として、瀬ターゲットおよびＣｏターゲ
ットを使用し、マグネトロン・スパッタリングにより２
０〜５０％８ｍ−鵬ｏなる垂直磁化膜が得られることを
開示している。
（発明の解決しようとする問題点）
しかし、これら従来の製造方法によれば上述の如く別々
の原料すなわち訓およびＣＯをターゲットにしており、
従って最終的に得る磁化膜の組成調整が困難であるなど
の問題点を有していた。
の原料すなわち訓およびＣＯをターゲットにしており、
従って最終的に得る磁化膜の組成調整が困難であるなど
の問題点を有していた。
本発明は上記問題に対し、容易に所定組成を有する磁化
膜が得られるターゲット材料およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
膜が得られるターゲット材料およびその製造方法を提供
することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らはＲＸＴ（１−Ｘ）の組成なるターゲット材
料の製造方法を種々検討した。例えば先ず溶解−鋳造に
よる製造方法を検討したがＲ−Ｔ系においては多くの金
属間化合物（例えばＲ＋Ｔｔ −ＲｑＴｓ −＆Ｔｙ
、ＲｒＴｓ 、およびＲａ Ｔ＋ を化合物など）が存
在するとともに凝固過程には包晶および共晶反応が生じ
るため、均一な組成を有するターゲット材料を得ること
が困難でそのためそのようなターゲツト材を用いても所
定組成の垂直磁化膜は得られなかった。そのような検討
を進める過程でＲｘＴ（ｉ−ｘ）なる組成を有する材料
が非常に硬く粉末化しやすい性質があることに着目し本
発明を見出すに至ったのである。
料の製造方法を種々検討した。例えば先ず溶解−鋳造に
よる製造方法を検討したがＲ−Ｔ系においては多くの金
属間化合物（例えばＲ＋Ｔｔ −ＲｑＴｓ −＆Ｔｙ
、ＲｒＴｓ 、およびＲａ Ｔ＋ を化合物など）が存
在するとともに凝固過程には包晶および共晶反応が生じ
るため、均一な組成を有するターゲット材料を得ること
が困難でそのためそのようなターゲツト材を用いても所
定組成の垂直磁化膜は得られなかった。そのような検討
を進める過程でＲｘＴ（ｉ−ｘ）なる組成を有する材料
が非常に硬く粉末化しやすい性質があることに着目し本
発明を見出すに至ったのである。
すｈわち、本発明は必須元素としてＲ（ただし几は希土
類元素の少くとも１種）およびＴ（ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉの内少くとも１種）から成る合金粉末を加圧成形し、
緻密化することを特徴としたターゲツト材およびその製
造方法である。
類元素の少くとも１種）およびＴ（ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉの内少くとも１種）から成る合金粉末を加圧成形し、
緻密化することを特徴としたターゲツト材およびその製
造方法である。
（作用）
以下本発明を詳述すると、所定成分となるよう配合し、
真空中あるいは非酸化性ガス雰囲気中（例えば、不活性
ガスあるいは還元性ガス）で溶解、鋳造し、合金インゴ
ットを得る。次いで得られたインゴットをジ冒−クラッ
シャー、ブラウンミルおよびジェットミルなどの公知の
粉砕手段を用いて、平均粒径１〜１００μｍに微粉砕す
る。得られた微粉砕粉を成形用原料として常温あるいは
高温にて圧延、押し出し、圧縮プレスなどの加圧成形に
より成形体とし、次いで綴糸化する。なお、平均粒径１
μｍ未満および１００μ調を越えると良好な成形体を得
ることが困難となる。加圧成形および緻密化は真空中あ
るいは非酸化性雰囲気ガス中が良い。これは希土類元素
Ｒが酸化しやすいことを防止するためである。従って、
Ａｒなどの不活性ガスあるいはになどの還元性ガスが
使用される。緻密化は上記真空中あるいは非酸化性雰囲
気ガス中にて高温度で保持するいわゆる焼結、あるいは
非酸化性ガスを媒体とし、それによる静水加圧下で高温
度で保持する熱間静水圧プレスで行うことが良く望まし
くはそれらを併用することにより一層緻密化が達成され
る。なお、最終ターゲット材料を得るのに前述した如＜
ｉｆｆ類の合金粉末を出発点とする前記方法だけでなく
、複数の種類の合金粉末を準備し、それらを混合するこ
とにより最終組成が得られるように配合し、以後前述し
た方法の如く加圧成形し緻密化を行っても艮い。たとえ
ばＳｍＯ，２０Ｃｏα８０なるターゲット材料を得るの
に、２０原子％Ｓｍ８０原子チＣＯ合金を溶解、鋳造し
１、合金粉末としてから加圧成形、緻密化しても良くあ
るいは、２２．２原子％Ｓｍ７７．８原子％ Ｃｏなる
８４００７合金粉末および１６．７原子％８ｍ８３．３
原子％ Ｃ。
真空中あるいは非酸化性ガス雰囲気中（例えば、不活性
ガスあるいは還元性ガス）で溶解、鋳造し、合金インゴ
ットを得る。次いで得られたインゴットをジ冒−クラッ
シャー、ブラウンミルおよびジェットミルなどの公知の
粉砕手段を用いて、平均粒径１〜１００μｍに微粉砕す
る。得られた微粉砕粉を成形用原料として常温あるいは
高温にて圧延、押し出し、圧縮プレスなどの加圧成形に
より成形体とし、次いで綴糸化する。なお、平均粒径１
μｍ未満および１００μ調を越えると良好な成形体を得
ることが困難となる。加圧成形および緻密化は真空中あ
るいは非酸化性雰囲気ガス中が良い。これは希土類元素
Ｒが酸化しやすいことを防止するためである。従って、
Ａｒなどの不活性ガスあるいはになどの還元性ガスが
使用される。緻密化は上記真空中あるいは非酸化性雰囲
気ガス中にて高温度で保持するいわゆる焼結、あるいは
非酸化性ガスを媒体とし、それによる静水加圧下で高温
度で保持する熱間静水圧プレスで行うことが良く望まし
くはそれらを併用することにより一層緻密化が達成され
る。なお、最終ターゲット材料を得るのに前述した如＜
ｉｆｆ類の合金粉末を出発点とする前記方法だけでなく
、複数の種類の合金粉末を準備し、それらを混合するこ
とにより最終組成が得られるように配合し、以後前述し
た方法の如く加圧成形し緻密化を行っても艮い。たとえ
ばＳｍＯ，２０Ｃｏα８０なるターゲット材料を得るの
に、２０原子％Ｓｍ８０原子チＣＯ合金を溶解、鋳造し
１、合金粉末としてから加圧成形、緻密化しても良くあ
るいは、２２．２原子％Ｓｍ７７．８原子％ Ｃｏなる
８４００７合金粉末および１６．７原子％８ｍ８３．３
原子％ Ｃ。
なるＳｍＩＣ０５合金粉末を別々に準備し、それら２種
類の合金粉末を２０原子％＆ｎ８０原子９ｂ Ｃｏとな
るように調整配合し、混合後加圧成形、緻密化しても艮
い。この場合Ｓｍ２Ｃｏ７粉が融点が低いために緻密化
において焼結を促進する役割を果し、一層の緻密化が進
む。合金粉末の成分としては凡の組成が原子比で５〜５
０％の範囲が艮い。５チ未満および５０％を越えると磁
気記録特性に必要な飽和磁化や保磁力が得られないため
である。
類の合金粉末を２０原子％＆ｎ８０原子９ｂ Ｃｏとな
るように調整配合し、混合後加圧成形、緻密化しても艮
い。この場合Ｓｍ２Ｃｏ７粉が融点が低いために緻密化
において焼結を促進する役割を果し、一層の緻密化が進
む。合金粉末の成分としては凡の組成が原子比で５〜５
０％の範囲が艮い。５チ未満および５０％を越えると磁
気記録特性に必要な飽和磁化や保磁力が得られないため
である。
（実施例）
以下！ｊ！施例に基づき本発明を説明する。
実施例１
純度９９．７ｗｔｔｓ以上のＳｍおよび純度９９．９ｗ
ｔ％の電解Ｃｏｄ使用し、最終ターゲット材料にて８ｍ
０．２５ Ｃ。
ｔ％の電解Ｃｏｄ使用し、最終ターゲット材料にて８ｍ
０．２５ Ｃ。
Ｏ，７５（２障子チＳｍ７５原子チＣｏ）合金となるよ
う秤量配合し、 Ａｒガス中にて溶解し、合金インゴッ
トを得た。得られたインゴットをジ嘗−クラッシャー、
ブラウンミルにて粗粉砕後Ｎ２ガスによるジェット・ミ
ルで平均粒径４．５μｍに微粉砕した。得られた微粉砕
粉を成形用原料とし圧縮プレスにて成形圧５ｔ／ｄで成
形し底形体とし、引き続いて焼結を行い、５０Ｘ５０Ｘ
５−よるターゲット材料を得た。
う秤量配合し、 Ａｒガス中にて溶解し、合金インゴッ
トを得た。得られたインゴットをジ嘗−クラッシャー、
ブラウンミルにて粗粉砕後Ｎ２ガスによるジェット・ミ
ルで平均粒径４．５μｍに微粉砕した。得られた微粉砕
粉を成形用原料とし圧縮プレスにて成形圧５ｔ／ｄで成
形し底形体とし、引き続いて焼結を行い、５０Ｘ５０Ｘ
５−よるターゲット材料を得た。
焼結は常温から１０８０℃まで４℃／分で昇温するとと
もに、昇温過程（９００℃未満）において真空度を上げ
て脱ガス処理を行ない、１０８０℃で２時間保持後、２
℃／分の冷却速度で徐冷した。なお雰囲気は常温から９
００℃未満を真空中（１［）”Ｔｏｒｒ）とし、９００
℃以上保持部をＨ３での還元性ガスとし、保持後から冷
却部をＡｒでの不活性ガスとした。
もに、昇温過程（９００℃未満）において真空度を上げ
て脱ガス処理を行ない、１０８０℃で２時間保持後、２
℃／分の冷却速度で徐冷した。なお雰囲気は常温から９
００℃未満を真空中（１［）”Ｔｏｒｒ）とし、９００
℃以上保持部をＨ３での還元性ガスとし、保持後から冷
却部をＡｒでの不活性ガスとした。
上記得られたターゲツト材を使用しマグネトロン・スパ
ッタリング法により垂直磁化膜を作成し、その磁気特性
を評価した結果、飽和磁束密度３９０Ｇ、保磁力６００
０ｅを示し、実用上十分なｉａ磁気特性示した。
ッタリング法により垂直磁化膜を作成し、その磁気特性
を評価した結果、飽和磁束密度３９０Ｇ、保磁力６００
０ｅを示し、実用上十分なｉａ磁気特性示した。
実施例２
実施例１で得られた焼結後のターゲット材料をさら［１
０００気圧のＡｒガス中にて、１０７０℃ｘ２Ｈｒの熱
間静水圧プレスを施し得られたターゲット材料を５！施
例１と同様に評価した所、飽和磁束密度４５０（３、保
磁力６８００ｅと向上することが分った。
０００気圧のＡｒガス中にて、１０７０℃ｘ２Ｈｒの熱
間静水圧プレスを施し得られたターゲット材料を５！施
例１と同様に評価した所、飽和磁束密度４５０（３、保
磁力６８００ｅと向上することが分った。
（発明の効果）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、必須元素としてＲ（Ｒは希土類元素の少くとも１種
）およびＴ（ただしＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内少くとも
１種）から成る合金粉末を加圧成形し、緻密化すること
を特徴とするターゲット材料の製造方法。 ２、前記合金粉末の平均粒度として１〜１００μｍの合
金粉末を用いることを特徴とした特許請求の範囲第１項
記載の製造方法。 ３、加圧成形および緻密化を真空中および不活性ガスあ
るいは還元性ガスなど 酸化性雰囲気ガス中にて行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ４、加圧成形を常温あるいは高温で行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ５、緻密化を焼結、熱間静水圧プレスの内少くとも１種
の方法で行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の製造方法。 ６、特許請求の範囲第１項ないし第５項記載の製造方法
から製造されることを特徴とするターゲット材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7059185A JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7059185A JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61229314A true JPS61229314A (ja) | 1986-10-13 |
Family
ID=13435947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7059185A Pending JPS61229314A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | タ−ゲツト材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61229314A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270550A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材 |
| JPH0225565A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材料の製造方法 |
| JPH0285362A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-26 | Mitsubishi Metal Corp | スパッタリング用合金ターゲットの製造方法 |
| JPH0285363A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
| JP2011208265A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP7059185A patent/JPS61229314A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270550A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Mitsubishi Metal Corp | タ−ゲツト材 |
| JPH0549730B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1993-07-27 | Mitsubishi Materials Corp | |
| JPH0225565A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材料の製造方法 |
| JPH0285362A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-26 | Mitsubishi Metal Corp | スパッタリング用合金ターゲットの製造方法 |
| JPH0285363A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
| JP2677304B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1997-11-17 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリング用ターゲット材の接着方法 |
| JP2011208265A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
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