JPH0224800B2 - - Google Patents
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- JPH0224800B2 JPH0224800B2 JP59173844A JP17384484A JPH0224800B2 JP H0224800 B2 JPH0224800 B2 JP H0224800B2 JP 59173844 A JP59173844 A JP 59173844A JP 17384484 A JP17384484 A JP 17384484A JP H0224800 B2 JPH0224800 B2 JP H0224800B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は溶融塩(フラツクス)法によるベリル
単結晶の育成に関する。
単結晶の育成に関する。
従来ベリル単結晶の育成法は、例えば、特公昭
52−39396、特開昭58−115095、日本化学会誌
(1979)P1489〜P1496などに示されているよう
に、フラツクス法と呼ばれる方法が一般的であ
る。この方法には、徐冷法、温度差法、蒸発法と
がある。
52−39396、特開昭58−115095、日本化学会誌
(1979)P1489〜P1496などに示されているよう
に、フラツクス法と呼ばれる方法が一般的であ
る。この方法には、徐冷法、温度差法、蒸発法と
がある。
しかし、蒸発法は、色調のコントロールと耐火
物、ヒーター等の消耗を早めるため、量産向きで
はない。また、徐冷法と温度差法では、原料組成
を(BeO,Al2O3,SiO2)がフラツクスに溶解す
る段階で、Al2O3の溶解速度が遅いことにより、
1050℃以上で、まずフエナサイト(2BeO SiO2)
が自然核生成し、順次、ベリル(3BeO Al2O3,
6SiO2)が自然核生成し、フラツクス中を浮遊す
る。ベリルシード上への育成のためには通常チエ
ツクシードにより、ベリルの育成段階の確認後
に、本シードを投入するが、本シード投入段階で
は、既に、フラツクス中に浮遊するフエナサイト
とエメラルドの微結晶が本シード上へ付着する。
特に、育成開始段階では、フエナサイトの微結晶
の量が多く、ベリルの微結晶が発生するにつれ、
フエナサイトは減少する。このため微結晶を含ま
ない良質大型なベリル結晶を得ることは困難であ
る。
物、ヒーター等の消耗を早めるため、量産向きで
はない。また、徐冷法と温度差法では、原料組成
を(BeO,Al2O3,SiO2)がフラツクスに溶解す
る段階で、Al2O3の溶解速度が遅いことにより、
1050℃以上で、まずフエナサイト(2BeO SiO2)
が自然核生成し、順次、ベリル(3BeO Al2O3,
6SiO2)が自然核生成し、フラツクス中を浮遊す
る。ベリルシード上への育成のためには通常チエ
ツクシードにより、ベリルの育成段階の確認後
に、本シードを投入するが、本シード投入段階で
は、既に、フラツクス中に浮遊するフエナサイト
とエメラルドの微結晶が本シード上へ付着する。
特に、育成開始段階では、フエナサイトの微結晶
の量が多く、ベリルの微結晶が発生するにつれ、
フエナサイトは減少する。このため微結晶を含ま
ない良質大型なベリル結晶を得ることは困難であ
る。
本発明は、このような課題を解決するもので、
フエナサイト及びベリル微結晶のベリル単結晶へ
の介在を防止することにある。
フエナサイト及びベリル微結晶のベリル単結晶へ
の介在を防止することにある。
本発明のベリル単結晶の育成方法は、
ベリル単結晶を育成するフラツクスとベリル原
料とからなる溶融塩中にベリル種子結晶を投入し
てベリル単結晶を育成するベリル単結晶の育成方
法において、 前記溶融塩中に白金ワイヤーまたは穴あき白金
板、もしくは前記白金ワイヤーまたは穴あき白金
板とベリル結晶末とを投入したのち、 前記ベリル種子結晶を投入して溶融塩中で前記
ベリル単結晶を育成することを特徴とする。
料とからなる溶融塩中にベリル種子結晶を投入し
てベリル単結晶を育成するベリル単結晶の育成方
法において、 前記溶融塩中に白金ワイヤーまたは穴あき白金
板、もしくは前記白金ワイヤーまたは穴あき白金
板とベリル結晶末とを投入したのち、 前記ベリル種子結晶を投入して溶融塩中で前記
ベリル単結晶を育成することを特徴とする。
すなわち、フラツクス中に浮遊する、フエナサ
イト及びベリル微結晶を付着させて除去すること
を繰返すことにより、フラツクス中の浮遊微結晶
を除去し、しかる後に、本シードを投入すること
により微結晶を含まないベリル単結晶を育成する
ものである。
イト及びベリル微結晶を付着させて除去すること
を繰返すことにより、フラツクス中の浮遊微結晶
を除去し、しかる後に、本シードを投入すること
により微結晶を含まないベリル単結晶を育成する
ものである。
実施例 1
フラツクス(モル比)
Li2O:MoO3:V2O5=1:5:3
ベリル原料
Al2O3:BeO=1:3……70g
SiO2=100g
Cr2O3=2wt%
温度 1050℃
フラツクス溶解時間:60日
上記の条件で、チエツクシードで育成を確認
し、第3図の装置をバツクル上へ投入。
し、第3図の装置をバツクル上へ投入。
10日間放置後取出し、本シードすなわちベリル
種子結晶を投入育成した。成長速度は約20μ/日
で、フエナサイトの微結晶は認められず、ベリル
の微結晶が、比較例に比し20%程度減少した。ま
た、取出した装置の上部の金鋼と下部の白金板
(バツフルと同じく、穴明板)では、粒度に差が
認められ、上部ほど小さいことが確認された。
種子結晶を投入育成した。成長速度は約20μ/日
で、フエナサイトの微結晶は認められず、ベリル
の微結晶が、比較例に比し20%程度減少した。ま
た、取出した装置の上部の金鋼と下部の白金板
(バツフルと同じく、穴明板)では、粒度に差が
認められ、上部ほど小さいことが確認された。
実施例 2
実施例1と同じ装置の中段のワイヤーを網状に
編んだ白金網に、1mm角以上のベリル結晶末13
を散布し、チエツクシードで育成確認後10日間放
置後取出し、本シードを投入育成した。成長速度
は約20μ/日で、フエナサイトも、ベリル微結晶
も実施例1よりは、目視では殆んど確認できない
ものであつた。
編んだ白金網に、1mm角以上のベリル結晶末13
を散布し、チエツクシードで育成確認後10日間放
置後取出し、本シードを投入育成した。成長速度
は約20μ/日で、フエナサイトも、ベリル微結晶
も実施例1よりは、目視では殆んど確認できない
ものであつた。
比較例
上記条件で、チエツクシード(ベリル)によ
り、ベリル単結晶の育成を確認し、従来は、第1
図3のアングル(本シード付)を投入育成した。
その結果は第2図のシード近傍に、フエナサイト
結晶が付着(maxサイズ=0.5mm、6角平面)
し、さらに育成が進んだところで、ベリルの微結
晶が認められた。微結晶の粒度は比較的そろつて
おり、大きな結晶は沈澱し、より小さな微結晶は
ベリル単結晶層には入らずに、巡回すると思われ
る。
り、ベリル単結晶の育成を確認し、従来は、第1
図3のアングル(本シード付)を投入育成した。
その結果は第2図のシード近傍に、フエナサイト
結晶が付着(maxサイズ=0.5mm、6角平面)
し、さらに育成が進んだところで、ベリルの微結
晶が認められた。微結晶の粒度は比較的そろつて
おり、大きな結晶は沈澱し、より小さな微結晶は
ベリル単結晶層には入らずに、巡回すると思われ
る。
以上述べたように、本発明のベリル単結晶の育
成方法によれば、溶融塩中に白金ワイヤーまたは
穴あき白金板、もしくは白金ワイヤーまたは穴あ
き白金板とベリル結晶末とを投入したのち、ベリ
ル種子結晶を投入して溶融塩中で育成させるの
で、ベリル単結晶中にフエナサイト、ベリル微結
晶の混入が殆んどなくなり、m面ベリルシード上
に育成したベリル単結晶より合成宝石をカツト仕
上げる収率が向上し、宝石のコストダウンに著し
い効果を発揮する。また、実施例2のベリル結晶
末の数を多く、小さくすることも効果があるが、
0.2mm角以下になると、フラツクス中に浮遊する
可能性を増し、回収もできなくなる。また、粒径
を大きくすることは、フラツクスに沈澱するの
で、回収は楽だが、宝石用としての利用が、第一
目的であり、微結晶の吸着効果も少なくなること
から、経済的に適正な粒径は0.5〜1mmである。
また、微結晶の少ないベリル単結晶から仕上げら
れた合成宝石は、外観、特にテリが秀れ、宝石の
価値を大巾に向上させる。
成方法によれば、溶融塩中に白金ワイヤーまたは
穴あき白金板、もしくは白金ワイヤーまたは穴あ
き白金板とベリル結晶末とを投入したのち、ベリ
ル種子結晶を投入して溶融塩中で育成させるの
で、ベリル単結晶中にフエナサイト、ベリル微結
晶の混入が殆んどなくなり、m面ベリルシード上
に育成したベリル単結晶より合成宝石をカツト仕
上げる収率が向上し、宝石のコストダウンに著し
い効果を発揮する。また、実施例2のベリル結晶
末の数を多く、小さくすることも効果があるが、
0.2mm角以下になると、フラツクス中に浮遊する
可能性を増し、回収もできなくなる。また、粒径
を大きくすることは、フラツクスに沈澱するの
で、回収は楽だが、宝石用としての利用が、第一
目的であり、微結晶の吸着効果も少なくなること
から、経済的に適正な粒径は0.5〜1mmである。
また、微結晶の少ないベリル単結晶から仕上げら
れた合成宝石は、外観、特にテリが秀れ、宝石の
価値を大巾に向上させる。
第1図はフラツクス炉の断面図で、第2図は従
来法のベリル単結晶の断面図、第3図は本発明の
本実施例の斜視図。 1…白金ルツボ、2…バツフル、3…シードア
ングル、4…ヒーター、5…原料(Al2O3+
BeO)、6…原料(SiO2)、7…ベリル単結晶、
8…本シード、9…フエナサイト微結晶、10…
ベリル微結晶、11…白金鋼、12…白金板、1
3…ベリル結晶末。
来法のベリル単結晶の断面図、第3図は本発明の
本実施例の斜視図。 1…白金ルツボ、2…バツフル、3…シードア
ングル、4…ヒーター、5…原料(Al2O3+
BeO)、6…原料(SiO2)、7…ベリル単結晶、
8…本シード、9…フエナサイト微結晶、10…
ベリル微結晶、11…白金鋼、12…白金板、1
3…ベリル結晶末。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ベリル単結晶を育成するフラツクスとベリル
原料とからなる溶融塩中にベリル種子結晶を投入
してベリル単結晶を育成するベリル単結晶の育成
方法において、 前記溶融塩中に白金ワイヤーまたは穴あき白金
板、もしくは前記白金ワイヤーまたは穴あき白金
板とベリル結晶末とを投入したのち、 前記ベリル種子結晶を投入して溶融塩中で前記
ベリル単結晶を育成することを特徴とするベリル
単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17384484A JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17384484A JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6153199A JPS6153199A (ja) | 1986-03-17 |
JPH0224800B2 true JPH0224800B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=15968205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17384484A Granted JPS6153199A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | ベリル単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6153199A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5532787A (en) * | 1978-07-18 | 1980-03-07 | Motorola Inc | Crystal growth by continuous purification |
JPS5899199A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-13 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP17384484A patent/JPS6153199A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5532787A (en) * | 1978-07-18 | 1980-03-07 | Motorola Inc | Crystal growth by continuous purification |
JPS5899199A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-13 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 人工ベリル単結晶の合成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6153199A (ja) | 1986-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |