SU571295A1 - Способ получени мультикристаллов - Google Patents
Способ получени мультикристалловInfo
- Publication number
- SU571295A1 SU571295A1 SU7402090329A SU2090329A SU571295A1 SU 571295 A1 SU571295 A1 SU 571295A1 SU 7402090329 A SU7402090329 A SU 7402090329A SU 2090329 A SU2090329 A SU 2090329A SU 571295 A1 SU571295 A1 SU 571295A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- multicrystals
- obtaining
- bicrystals
- producing
- rod
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛОВ
1
Изобретение относитс к способам получени мультикристаллов (бикристаллов, трикристаллов иТ. д.) и может найти применение в научных исслецовани х дл изучени вли ни межкристаллитных границ на свойства материала и Чюследовани свойств самих меносристаллитных границ.
Мультикристаллы примен ютс также в некоторых полупроводниковых приборах, которые основаны на свойствах дисклокаций, расположенных у границ зерен, определенным образом ориентированных друг относительно друга.
Известен способ получени бикристаллов из монокристаллического прутка посредством сквозного местного проплавлени прутка, разворота одной его части относительно другой на требуемый ,угол с последующим охлаждением расплавленной зоны .
Этот способ не позвол ет получить межкристаллитную границу достаточной прот женности , так как ее длина ограничена диаметром прутка.
Известен также способ получени бикр сталлов путем сварки отдельных предварительно взаимно ориентированных монокристаллических частой. Однако при его исползовании трудно получить качественную границу - она может содержать непровары, загр знени , паразитные зерна 2.
Кроме того, известен способ получени бикристаллов в виде сплошного прупка зонной плавкой прутковой заготовки от бикристаллической затравки :|з}.
По такому способу трудно получить образец с межкристаллитной границей значительной прот женности очень высокой чувствительности пов.едени ее к изменени м формы фронта кристаллизации при выращивании бикристаллов в виде сплошного прутка.
Известно, что при росте из расплава межкристаллитна гранада располагйетс в слитках преимущественно перпендикул рно фронту кристаллизации (если различие в скорости роста соседних кристаллов невелико ). В большинстве случаев при зонной плавке (в особенности при бестигельной зонной Плавке) фронт кристаллизации имеет выпуклую в сторону жидкости поверхности
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7402090329A SU571295A1 (ru) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | Способ получени мультикристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7402090329A SU571295A1 (ru) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | Способ получени мультикристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU571295A1 true SU571295A1 (ru) | 1977-09-05 |
Family
ID=20605458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU7402090329A SU571295A1 (ru) | 1974-12-27 | 1974-12-27 | Способ получени мультикристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU571295A1 (ru) |
-
1974
- 1974-12-27 SU SU7402090329A patent/SU571295A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900003322B1 (ko) | 대형다이어몬드의 합성방법 | |
| Weinberg et al. | Dendritic growth in lead | |
| FR2444091A1 (fr) | Cristal-germe pour la solidification epitaxiale d'un alliage et procede de solidification utilisant ce cristal-germe | |
| SU571295A1 (ru) | Способ получени мультикристаллов | |
| GB797950A (en) | Semi-conductor alloys | |
| Chen | Crystal growth of BaMoO4, Bi2O3· 3MoO3 and Bi2O3· 2MoO3 from molten salt solution by “pulling seed” method | |
| MY133116A (en) | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions | |
| US3116175A (en) | Method for forming bicrystalline specimens | |
| Bhatt et al. | Origin of the transverse striations in Bi-Sb single crystals | |
| JPS5921594A (ja) | ルツボ | |
| SU249351A1 (ru) | Способ получени монокристаллов | |
| KRALINA et al. | Substructure of iron-nickel single crystals(Striated, cellular and dendritic substructure formation during growth of Fe-Ni alloy single crystals) | |
| Ovsienko | Effect of impurities on the substructure and dislocation formation in metal crystals grown from melts | |
| SU381405A1 (ru) | Способ получения дисперсных металлов и сплавов | |
| SU356873A1 (ru) | ||
| JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
| Chang | Study of Process for Forming Heterojunctions by Gold-Solvent Alloying | |
| SU418211A1 (ru) | Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11} | |
| Shipilo et al. | Mechanism of Growth of BN sub sp Single Crystals by Alloying With Isovalent Group VB Impurities | |
| JPS52149273A (en) | Production of plate-shaped crystal | |
| Sher et al. | Preparation of oriented thermoelectric material | |
| Inoue et al. | Effects of growth rates and cooling rates on defect generation in melt-grown copper crystals | |
| US4049373A (en) | Apparatus for producing compact polycrystalline InP and GaP ingots | |
| Kazitsyn et al. | Features of the Crystallization of the Intermetallic Compound SnSb | |
| RU1445277C (ru) | Устройство дл группового выращивани профилированных кристаллов на основе меди |