RU1445277C - Устройство дл группового выращивани профилированных кристаллов на основе меди - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технологии получени  монокристаллов пыт гиванием из расплава. Обеспечивает увеличение скорость выращивани . Устройство содержит установленные на платформе формообраэователи. Платформа с формообразовател ми размещена в тигле с расплавом. Формообраэователи имеют сужающуюс  верхнюю часть. Ее высота составл ет (2-4) d, где d -с толщина выращиваемого кристалла. Угол сужени  равен 30-50. Максимальна  скорость выращивани  при расположении фронта кристаллизации вблизи середины сужающейс  части формообразо- вател . Скорость вьфащивани  увеличена в два раза. 3 ил., t табл.

Description

(/)

С

сл

.

кЛ -д

Изобретение относитс  к технологии получени  монокристаллов выг ги- панием на расплава и может быть использовано дл  выращивани  кристаллов , обладающих эффектом паьшти формы и сверхупругостью.

Целью изобретени   вл етс  увеличение скорости вь1ращивани ,

На фиг. 1 представлена схема устройства дл  группового выравр вайий профилированных кристаллов на основе меди; на фиг. 2 схема формообразо™ вател  дл  вьфащивани  прутков; на фиг. 3 схема формообразовател  дл  выращивани  пластин.

Устройство включает несмачиваемые расплавом формообразователи 1, уста- иовленные на платформе 2, saKperoieH

ной во втулке 3. При вьтращиванин ленточных кр исталлов дл  креплени  формообразователей 1 на платформе 2 isa нее устанавливают пластину 4, имеющую сужаюпшес  к ее верхней части отверсти , повтор ющие профиль верх- Мей части формообразователей 1. Высота сужающейс  части формообраэова- тел  составл ет (2-4) d, где d - толщина вырапщваемого кристалла. Угол сужени  d 30-50. Платформу 2 с формообразовател ми 1 помещают в расплав 5. К рабочему торцу формообра- зователей 1 подвод т затравочные кристаллы 6 закрепленные в затрав- кодержателе 7,

Устройство работает следующим образом.

После заполнени  капилл рных каналов формообразователей 1 к их рабочим , торцам подвод т затравочные кристаллы 6 и начинают выт гивание кристаллов. При высоте сужающейс  верхней части формообразовател  1 равной (2-4) d, где с1 толщина кристалла, и угле сужени  равном уровень расположени  фронта кристаллизации (вблизи середины сужающейс , верхней части формообразовател ) соответствует максимальному градиенту температуры вдоль оси выт гивани . Кроме того, отсутствует охлаждение периферии столба распла

ва. Эти услови  необходимы дл  получени  монокристаллов с максимапьгшй скоростью выращивани . Изобретение позвол ет увеличить скорость выращивани  в 2 раза.

Пример. Дл  выращивани  монокристаллических прутков диаметром d « 3 MT i, содержащего алюминий 14, никель 5, медь - остальное j(% по массе ), опробованы формообразователи из графита с диаметром отверсти  3 мм, г-шеющие различные высоты сужающейс  внешней части Ь и углы сужени  о/(фиг.2). Формообразователи закрепл ют на платформе из графита диаметром 100 мм, монтируемой в тех- ног-огической зоне установки дл  вы- ращинани  кристаллов.

В таблице приведены результаты выращивани  крис галлов.при различных соотношени х размеров сужающейс  верхней части формообразователей.

Иэ таблицы 8ИДНО, что оптимальной конфигурацией формообразовател , при которой скорость выт гивани  отличаетс  от максю-гально возможной (4 мм/ /мин) не более, чем в 2 раза, а количество получаемых кристаллов составл ет не 50% от числа формо- образователей  вл етс  высота сужаю- щейс  внешней части 2-4 диаметров выращиваемого кристалла и угол сужени  от 30-50.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  группового выращивани  профилированных кристаллов на основе меди, включающее тигель дл  расплава и формообразовнтели, установленные на платформе, контактирующей с расплавом, о т л и ч а ю щ е - е с   тем, что, с целью увеличени  скорости выращивани , формообразователи выполнены из несмачиваемого расплавом материала и имеют сужающуюс  верхнюю часть, высота которой составл ет (2-4) d, где d толщина выращиваемого кристалла, а угол сужени  30-50°.

   (риг.1

   срие

   tfjtf&.3