SU249351A1 - Способ получени монокристаллов - Google Patents
Способ получени монокристалловInfo
- Publication number
- SU249351A1 SU249351A1 SU6801238706A SU1238706A SU249351A1 SU 249351 A1 SU249351 A1 SU 249351A1 SU 6801238706 A SU6801238706 A SU 6801238706A SU 1238706 A SU1238706 A SU 1238706A SU 249351 A1 SU249351 A1 SU 249351A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pedestal
- inductor
- molten zone
- monocrystals
- seed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Известны способы получени монокристаллов полупроводников бестИгельным выт гиванием на затравку из расплавленной зоны, создаваемой на торце пьедестала при помоп 1,и индуктора, установленного соосно пьедесталу. Эти способы позвол ют получать монокристаллы небольшого диаметра, так как при увеличении диаметра индуктора центральна часть торца пьедестала не проплавл етс .
Предложенный способ отличаетс тем, что индуктор при создании расплавленной зоны перемещают по горизонтали относительно оси пьедестала, а затем в процессе выт гивани возвращают в исходное положение соосно пьедесталу .
Перемещение индуктора при оплавлении торца пьедестала обеспечивает равномерное проплавление последнего и использование индуктора с большим диаметром.
Предложенный способ по сн етс чертежом .
На торце пьедестала 1, в качестве которого используетс поликристаллический слиток, создаетс расплавленна зона 2 при помощи индуктора 3. В процессе оплавлени торца индуктор , расположенный соосно пьедесталу, смещаетс по горизонтали, при этом пьедестал вращаетс вокруг оси. В результате вс поверхность пьедестала оказываетс в индукционном поле и равномерно проплавл етс .
После этого в расплав опускают затравку 4 и осуществл ют выт гивание монокристалла 5. В процессе выт гивани по мере увеличени диаметра выт гиваемого кристал,а индуктор возвращают в ис.ходное положение.
По описываемому способу можно получать монокристаллы с большим диаметром.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ получени монокристал.ов, например , кремни , бестигельным выт гиванием на затравку из расплавленной зоны на торце вращающегос вокруг оси пьедестала, создаваемой при помощи индуктора, отличающийс тем. что, с целью равномерного оплавлени торца пьедестала, индуктор при создании расплав.ченной зоны переменаают по горизонтали относительно оси пьедестала, а затем в процессе выт гивани возвращают его в исходное по.чожение соосно пьедесталу.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU6801238706A SU249351A1 (ru) | 1968-05-12 | 1968-05-12 | Способ получени монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU6801238706A SU249351A1 (ru) | 1968-05-12 | 1968-05-12 | Способ получени монокристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU249351A1 true SU249351A1 (ru) | 1977-12-05 |
Family
ID=20442419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU6801238706A SU249351A1 (ru) | 1968-05-12 | 1968-05-12 | Способ получени монокристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU249351A1 (ru) |
-
1968
- 1968-05-12 SU SU6801238706A patent/SU249351A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB829422A (en) | Method and apparatus for producing semi-conductor materials of high purity | |
| US2889240A (en) | Method and apparatus for growing semi-conductive single crystals from a melt | |
| US2743200A (en) | Method of forming junctions in silicon | |
| GB827466A (en) | Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing single crystals | |
| GB1222465A (en) | Improvements in or relating to apparatus for the drawing of monocrystalline semiconductor rods | |
| SU249351A1 (ru) | Способ получени монокристаллов | |
| GB792006A (en) | Improvements in or relating to the preparation of single crystals of silicon | |
| US3935059A (en) | Method of producing single crystals of semiconductor material by floating-zone melting | |
| US3360405A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| GB1044592A (en) | A method of melting a rod of crystalline material zone by zone | |
| GB1045664A (en) | A process for melting a rod of polycrystalline material zone-by-zone | |
| US3296036A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| US3615262A (en) | Crystal seed following a hypercycloid path in melt | |
| US3607109A (en) | Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar | |
| GB1059960A (en) | The production of semi-conductor rods | |
| JP2878794B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| US3685973A (en) | Method for crucible-free zone melting using a displaced heater | |
| US4072556A (en) | Device for crucible-free floating-zone melting of a crystalline rod and method of operating the same | |
| US3655345A (en) | Method of growing rod-shaped dislocation-free monocrystals, particularly of silicon, by crucible-free floating zone melting | |
| GB926497A (en) | A process for producing a monocrystal from a polycrystalline rod of silicon | |
| SU147576A1 (ru) | Способ получени монокристаллических дисков большого диаметра | |
| GB906485A (en) | Improvements in the production of mono-crystalline semiconductor material | |
| SU473514A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов бестигельной зонной плавкой | |
| JP2833432B2 (ja) | シリコン単結晶の成長方法 | |
| US3607114A (en) | Apparatus for producing a monocrystalline rod, particularly of semiconductor material |