JPH02240954A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH02240954A JPH02240954A JP1060868A JP6086889A JPH02240954A JP H02240954 A JPH02240954 A JP H02240954A JP 1060868 A JP1060868 A JP 1060868A JP 6086889 A JP6086889 A JP 6086889A JP H02240954 A JPH02240954 A JP H02240954A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- lead frame
- edge
- cracks
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、樹脂封止形半導体装置に用いら九るリードフ
レームに関するものである。
レームに関するものである。
(従来の技術)
一般に、半導体チップは、量産性、コストパフォーマン
スの点から樹脂材料を用いた封止方法が用いられている
。
スの点から樹脂材料を用いた封止方法が用いられている
。
従来の樹脂封止形半導体装置について、第2図の要部断
面図により説明する。
面図により説明する。
従来の樹脂封止形半導体装置は、鋼板をプレス加工また
はエツチング加工して基板支持部1およびリード端子部
2を有するリードフレームを形成し、上記の基板支持部
lに銀ペーストあるいは金の共晶により半導体チップ3
を装着した後、上記のリード端子部2の末端部を含め樹
脂4で封止し。
はエツチング加工して基板支持部1およびリード端子部
2を有するリードフレームを形成し、上記の基板支持部
lに銀ペーストあるいは金の共晶により半導体チップ3
を装着した後、上記のリード端子部2の末端部を含め樹
脂4で封止し。
さらに樹脂4から突出したリード端子部2を所定の形状
に折曲げ成形したものである。
に折曲げ成形したものである。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記の構成では、リードフレームがプレ
スによる打抜き加工や型を用いたエツチングで形成され
るため、基板支持部1の外周端1aやリード端子部2の
内周端2aは面取りのない鋭角となっている。
スによる打抜き加工や型を用いたエツチングで形成され
るため、基板支持部1の外周端1aやリード端子部2の
内周端2aは面取りのない鋭角となっている。
さらに、リードフレーム、半導体チップ3および樹脂4
の熱膨張係数を比較すると、42−アロイを用いたリー
ドフレームは4.14xlO°6、シリコン基板の半導
体チップは2.4 X 10−’に対し、樹脂は約17
0 X 10°6と極めて大きいため、樹脂封止の工程
で基板支持部1の裏面に接する周辺部に引張りの残留応
力が発生し、しかも上記の外周端1aに鋭角によるエツ
ジ効果で応力が集中してひび割九を発生するという問題
があった。さらに、リード端子部2の折曲げ加工による
機械的応力が加わると、同様に応力集中が起き、ひび割
れを増大し、甚だしい場合には隙間に発展し、半導体装
置の耐湿性を著しく低下させるという問題があった。
の熱膨張係数を比較すると、42−アロイを用いたリー
ドフレームは4.14xlO°6、シリコン基板の半導
体チップは2.4 X 10−’に対し、樹脂は約17
0 X 10°6と極めて大きいため、樹脂封止の工程
で基板支持部1の裏面に接する周辺部に引張りの残留応
力が発生し、しかも上記の外周端1aに鋭角によるエツ
ジ効果で応力が集中してひび割九を発生するという問題
があった。さらに、リード端子部2の折曲げ加工による
機械的応力が加わると、同様に応力集中が起き、ひび割
れを増大し、甚だしい場合には隙間に発展し、半導体装
置の耐湿性を著しく低下させるという問題があった。
さらに、半導体チップ3が大きくなる程、ひび割れや隙
間の発生が顕著となるという問題もあった。
間の発生が顕著となるという問題もあった。
本発明は上記の問題を解決するもので、応力集中が発生
しない半導体装置用リードフレームを提供するものであ
る。
しない半導体装置用リードフレームを提供するものであ
る。
(課題を解決するための手段)
上記の課題を解決するため、本発明は、リードフレーム
の内周端および外周端に丸面取りを施し。
の内周端および外周端に丸面取りを施し。
半円筒形の端面とするものである。
(作 用)
上記の構成によって、基板支持部外周端のエツジ効果に
よる応力集中が緩和され、また、リード端子部の折曲げ
加工による機械的応力がエツジ部へ集中するのを緩和す
る。従って、樹脂のひび割れの発生が抑制されるため、
耐湿性が向上する。
よる応力集中が緩和され、また、リード端子部の折曲げ
加工による機械的応力がエツジ部へ集中するのを緩和す
る。従って、樹脂のひび割れの発生が抑制されるため、
耐湿性が向上する。
(実施例)
本発明の一実施例について、第1図により説明する。
同図において、本発明による樹脂封止形半導体装置が、
第2図に示した従来例と異なる点は、リードフレームを
構成する基板支持部1およびリード端子部2のそれぞれ
の外周端1aおよび内周端2aが、エツチングにより半
円筒状に面取りされている点である。その他は従来例と
変わらないので、同じ構成部品には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
第2図に示した従来例と異なる点は、リードフレームを
構成する基板支持部1およびリード端子部2のそれぞれ
の外周端1aおよび内周端2aが、エツチングにより半
円筒状に面取りされている点である。その他は従来例と
変わらないので、同じ構成部品には同一符号を付してそ
の説明を省略する。
このように構成された樹脂封止形半導体装置は。
熱膨張係数の相異によって樹脂4に残留引張り応力が発
生しても、外周端1aおよび内周端2aが鋭角になって
いないために、エツジ効果による応力集中が大幅に抑制
されるので、ひび割れが発生しない。
生しても、外周端1aおよび内周端2aが鋭角になって
いないために、エツジ効果による応力集中が大幅に抑制
されるので、ひび割れが発生しない。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明によるリードフレームを使
用した樹脂封止形半導体装置では、樹脂封止工程の後で
基板支持部の裏面に接する樹脂に残留引張り応力が発生
するが、その外周端によって生ずる応力集中が大幅に緩
和されるので、ひび割れを発生することがない、また、
リード端子部の折曲げ加工による機械的応力も同様に集
中が緩和されるので、ひび割れの発生が防止され、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
用した樹脂封止形半導体装置では、樹脂封止工程の後で
基板支持部の裏面に接する樹脂に残留引張り応力が発生
するが、その外周端によって生ずる応力集中が大幅に緩
和されるので、ひび割れを発生することがない、また、
リード端子部の折曲げ加工による機械的応力も同様に集
中が緩和されるので、ひび割れの発生が防止され、信頼
性の高い樹脂封止形半導体装置が得られる。
第1図および第2図は、それぞれ本発明の一実施例およ
び従来例を示す樹脂封止形半導体装置の要部断面図であ
る。 1・・・基板支持部、 1a・・・外周端、2・・・リ
ード端子部、 2a・・・内周端。 3・・・半導体チップ、 4・・・樹脂。 第1図 4桝膓 特許出願人 松下電子工業株式会社
び従来例を示す樹脂封止形半導体装置の要部断面図であ
る。 1・・・基板支持部、 1a・・・外周端、2・・・リ
ード端子部、 2a・・・内周端。 3・・・半導体チップ、 4・・・樹脂。 第1図 4桝膓 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- すべてのエッジ部が半円筒状に面取りされたことを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060868A JPH02240954A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1060868A JPH02240954A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02240954A true JPH02240954A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13154797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1060868A Pending JPH02240954A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02240954A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060868A patent/JPH02240954A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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