JPH0222863B2 - - Google Patents
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- JPH0222863B2 JPH0222863B2 JP58189145A JP18914583A JPH0222863B2 JP H0222863 B2 JPH0222863 B2 JP H0222863B2 JP 58189145 A JP58189145 A JP 58189145A JP 18914583 A JP18914583 A JP 18914583A JP H0222863 B2 JPH0222863 B2 JP H0222863B2
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- F24S10/00—Solar heat collectors using working fluids
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、太陽収集器に使用される吸収器表
面のための太陽選択表面被覆に関し、特に赤外線
のエミツタンスを減ずるために、屈折率の不整合
な層を含んだ太陽選択表面被覆に向けられてい
る。
面のための太陽選択表面被覆に関し、特に赤外線
のエミツタンスを減ずるために、屈折率の不整合
な層を含んだ太陽選択表面被覆に向けられてい
る。
発明の背景
当該技術分野で既知の太陽選択表面被覆は普
通、太陽エネルギのスペクトル範囲で大いに吸収
するが赤外線放射に対しては透過する材料の外部
層を備えている。熱損失を減少するため、外部層
は、高い反射係数を提供しそれ故赤外線スペクト
ル内では低い放射率を提供する材料の内部層の上
に沈積される。このような代表的な選択表面被覆
が米国特許第4339484号明細書に開示されており、
その表面被覆は、金属炭化物の太陽エネルギ吸収
性の外部層と、銅の赤外線反射性ベース被覆とを
備えている。金属炭化物吸収性層は、外部表面近
辺で高い金属対炭化物比を有し、かつ吸収性表面
と反射性ベース被覆との間のインターフエース付
近で高い炭化物対金属比を有するように段階付け
られている。
通、太陽エネルギのスペクトル範囲で大いに吸収
するが赤外線放射に対しては透過する材料の外部
層を備えている。熱損失を減少するため、外部層
は、高い反射係数を提供しそれ故赤外線スペクト
ル内では低い放射率を提供する材料の内部層の上
に沈積される。このような代表的な選択表面被覆
が米国特許第4339484号明細書に開示されており、
その表面被覆は、金属炭化物の太陽エネルギ吸収
性の外部層と、銅の赤外線反射性ベース被覆とを
備えている。金属炭化物吸収性層は、外部表面近
辺で高い金属対炭化物比を有し、かつ吸収性表面
と反射性ベース被覆との間のインターフエース付
近で高い炭化物対金属比を有するように段階付け
られている。
従来の選択表面被覆に固有の問題は、全表面被
覆の放射率が反射性ベース層だけの放射率よりも
はるかに高いということである。この主な理由の
１つは、もし重ねられた媒体の光学定数が自由空
間のものとは相違しているならば金属の放射率が
増加するということであり、これは普通吸収性表
面被覆に対して使用される材料を持つた場合であ
る。このような材料がもし半導体材料であるなら
ば、自由空間のものより大きい２倍から10倍程度
の屈折率を有し得て、それ故、金属−半導体イン
ターフエースを横切る赤外線放射の結合は、金属
−空気インターフエースのものよりもはるかに大
きい。
覆の放射率が反射性ベース層だけの放射率よりも
はるかに高いということである。この主な理由の
１つは、もし重ねられた媒体の光学定数が自由空
間のものとは相違しているならば金属の放射率が
増加するということであり、これは普通吸収性表
面被覆に対して使用される材料を持つた場合であ
る。このような材料がもし半導体材料であるなら
ば、自由空間のものより大きい２倍から10倍程度
の屈折率を有し得て、それ故、金属−半導体イン
ターフエースを横切る赤外線放射の結合は、金属
−空気インターフエースのものよりもはるかに大
きい。
発明の要約
この発明は、少なくとも次の３つの層を備えた
太陽選択表面被覆を提供することによつて上述の
問題を軽減することを追求している。
太陽選択表面被覆を提供することによつて上述の
問題を軽減することを追求している。
−高い反射係数を有し、それ故赤外線スペクトル
範囲では低い放射率を有する材料からなる内部
層、 −太陽エネルギのスペクトル範囲でエネルギを吸
収し、赤外線放射に対しては実質的に透過する
材料からなる外部層、 −赤外線放射に対して実質的に透過する材料から
なる中間層。
範囲では低い放射率を有する材料からなる内部
層、 −太陽エネルギのスペクトル範囲でエネルギを吸
収し、赤外線放射に対しては実質的に透過する
材料からなる外部層、 −赤外線放射に対して実質的に透過する材料から
なる中間層。
内部、外部および中間層の材料はそれぞれ複素
屈折率（n1−ik1）、（n2−ik2）および（n3−ik3）
を有し、それら材料は、赤外線スペクトル範囲の
少なくとも主部分にわたり、垂直に入射する放射
に対して以下の関係を満足するよう選ばれてい
る： ［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 上述のように決められた表面被覆の構造をもつ
て、内部層と中間層の間の屈折率の不整合は、
（中間層がない場合の）内部層と外部層の間のも
のよりも大きく、それ故より少ない赤外線放射が
内部層の外に結合される。別の言い方をすれば、
２層型の太陽選択表面被覆のインターフエースで
得られるよりも高い赤外線リフレクタンスの値
が、内部および中間層のインターフエースで得ら
れる。
屈折率（n1−ik1）、（n2−ik2）および（n3−ik3）
を有し、それら材料は、赤外線スペクトル範囲の
少なくとも主部分にわたり、垂直に入射する放射
に対して以下の関係を満足するよう選ばれてい
る： ［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 上述のように決められた表面被覆の構造をもつ
て、内部層と中間層の間の屈折率の不整合は、
（中間層がない場合の）内部層と外部層の間のも
のよりも大きく、それ故より少ない赤外線放射が
内部層の外に結合される。別の言い方をすれば、
２層型の太陽選択表面被覆のインターフエースで
得られるよりも高い赤外線リフレクタンスの値
が、内部および中間層のインターフエースで得ら
れる。
発明の好ましい特徴
中間層は、赤外線放射に対して高い透過性を有
し（すなわち略々０に等しいk3を有し）かつ約
2.5以下の実部の屈折率n3を有する絶縁材料から
構成されるのが好ましい。このような最適な材料
は、マグネシウム・フツ化物、マグネシウム酸化
物、チタニウム酸化物、アルミニウム酸化物、シ
リカ、石英、および炭素を含む。
し（すなわち略々０に等しいk3を有し）かつ約
2.5以下の実部の屈折率n3を有する絶縁材料から
構成されるのが好ましい。このような最適な材料
は、マグネシウム・フツ化物、マグネシウム酸化
物、チタニウム酸化物、アルミニウム酸化物、シ
リカ、石英、および炭素を含む。
外部層は、吸集器の動作温度で半導体として動
作する材料から構成されるのが好ましい。このよ
うな材料は単結晶状、多結晶状、または非結晶構
造のものであつて良く、そして例えば、ゲルマニ
ウム、ゲルマニウム−シリコンの合金、シリコン
炭化物、鉛硫化物、ホウ素を備えていて良く、ま
た比較的低い温度の収集器システムで使用される
表面被覆の場合には、テルリウム化合物を備えて
いても良い。その材料は、別にサーメツトの形態
にあつても良く、このような場合にはサーメツト
の誘電もしくは絶縁マトリツクスを形成する材料
は、表面被覆の中間層を形成する絶縁もしくは誘
電材料と同じであつても、異つていても良い。
作する材料から構成されるのが好ましい。このよ
うな材料は単結晶状、多結晶状、または非結晶構
造のものであつて良く、そして例えば、ゲルマニ
ウム、ゲルマニウム−シリコンの合金、シリコン
炭化物、鉛硫化物、ホウ素を備えていて良く、ま
た比較的低い温度の収集器システムで使用される
表面被覆の場合には、テルリウム化合物を備えて
いても良い。その材料は、別にサーメツトの形態
にあつても良く、このような場合にはサーメツト
の誘電もしくは絶縁マトリツクスを形成する材料
は、表面被覆の中間層を形成する絶縁もしくは誘
電材料と同じであつても、異つていても良い。
また外部層は、太陽輻射に対する屈折率が炉そ
の層の深さの増加と共に増加するように、そして
最大の（実部および虚部の）屈折率（n2および
k2）が中間層とのインターフエース近辺で生ずる
ように、幾何学的にまたはその組成によるかのい
ずれかで段階付けられているのが好ましい。幾何
学的段階付け（geometrical grading）すなわち
組織法（texturing）は、表面被覆の外部層を化
学的にエツチングすることによつて達成され得
る。
の層の深さの増加と共に増加するように、そして
最大の（実部および虚部の）屈折率（n2および
k2）が中間層とのインターフエース近辺で生ずる
ように、幾何学的にまたはその組成によるかのい
ずれかで段階付けられているのが好ましい。幾何
学的段階付け（geometrical grading）すなわち
組織法（texturing）は、表面被覆の外部層を化
学的にエツチングすることによつて達成され得
る。
さらに外部層はいくつかの二次層によつて構成
され、そして太陽輻射に対する破壊的な干渉を提
供するために干渉層を含んでいて良い。同様に中
間層はいくつかの二次層を含んでいて良いが、予
備調査は、このような構造からはどんな利益も得
られないということを示す傾向にあつた。しかし
ながら注意すべき点は、二次層の可能性を許し
て、全表面構造は実際３つ以上の層を含み得ると
いうことである。
され、そして太陽輻射に対する破壊的な干渉を提
供するために干渉層を含んでいて良い。同様に中
間層はいくつかの二次層を含んでいて良いが、予
備調査は、このような構造からはどんな利益も得
られないということを示す傾向にあつた。しかし
ながら注意すべき点は、二次層の可能性を許し
て、全表面構造は実際３つ以上の層を含み得ると
いうことである。
内部層は、赤外線輻射に対して高いリフレクタ
ンスを示す銅、アルミニウム、モリブデン、銀ま
たは金のような金属を備えているのが好ましく、
このような金属層は銅で構成されるとき、通常は
少なくとも0.10×10-6ｍの厚さまで沈積されるで
あろう。
ンスを示す銅、アルミニウム、モリブデン、銀ま
たは金のような金属を備えているのが好ましく、
このような金属層は銅で構成されるとき、通常は
少なくとも0.10×10-6ｍの厚さまで沈積されるで
あろう。
中間層は、0.15×10-6ｍの最小厚さに沈積され
るのが好ましく、外部層は普通は、0.3×10-6ｍ
から5.0×10-6ｍ程度の厚さを有する太陽エネル
ギ吸収体性層を作るように沈積されるであろう。
るのが好ましく、外部層は普通は、0.3×10-6ｍ
から5.0×10-6ｍ程度の厚さを有する太陽エネル
ギ吸収体性層を作るように沈積されるであろう。
或る与えられた被覆に使用される、内部、中
間、および外部層の材料は、望ましくは、層間で
のインターフエースにおける異つた移動の危険性
を最小とするように、略々等しい温度膨張係数を
有しているべきである。
間、および外部層の材料は、望ましくは、層間で
のインターフエースにおける異つた移動の危険性
を最小とするように、略々等しい温度膨張係数を
有しているべきである。
発明の適用
太陽選択表面被覆は平らな板状収集器の表面に
適用され得る。しかしながら表面被覆は普通管状
の収集器素子に適用されのが好ましく、その管状
の収集器素子は、それを通して熱交換媒体が流さ
れる内側管（単一または双方の終端）と、この内
側管および双方の管の間の排気空間を囲む外側の
ガラス管とを有する。管状の収集器素子の場合
は、表面被覆は内側管の外部表面上に沈積される
であろう。
適用され得る。しかしながら表面被覆は普通管状
の収集器素子に適用されのが好ましく、その管状
の収集器素子は、それを通して熱交換媒体が流さ
れる内側管（単一または双方の終端）と、この内
側管および双方の管の間の排気空間を囲む外側の
ガラス管とを有する。管状の収集器素子の場合
は、表面被覆は内側管の外部表面上に沈積される
であろう。
内側管は収集器システムの意図された動作温度
によつて、ガラスまたは金属で形成されて良い。
通常は約300℃までの動作温度に対してはガラス
が、300℃を超える温度に対しては金属が使用さ
れる。
によつて、ガラスまたは金属で形成されて良い。
通常は約300℃までの動作温度に対してはガラス
が、300℃を超える温度に対しては金属が使用さ
れる。
金属管が使用される場合は、管それ自体が表面
被覆の内部層であつて良く、このような場合には
中間層は金属管の外部表面上に直接沈積される。
しかしながら通常はステンレス鋼またはチタニウ
ムの管が使用され、このような金属の比較的高い
赤外線エミツタンスのために、通常は低いエミツ
タンスの金属管が管上に被覆されて内部層を形成
するだろう。
被覆の内部層であつて良く、このような場合には
中間層は金属管の外部表面上に直接沈積される。
しかしながら通常はステンレス鋼またはチタニウ
ムの管が使用され、このような金属の比較的高い
赤外線エミツタンスのために、通常は低いエミツ
タンスの金属管が管上に被覆されて内部層を形成
するだろう。
収集器の管の上に表面被覆のそれぞれの層を沈
積するために種々の技術が使用され得る。例え
ば、電子ビーム、マグネトロン・スパツタリン
グ、r.f.スパツタリング、また適当ならば反作用
スパツタリング（reactive sputtering）の沈積技
術がすべての層に対して使用され得る。別に内部
層を電気メツキ、デイツプ成形（dipping）、また
は蒸着（vapour deposition）技術によつて適用
もしくは付着して良く、他方、中間層はデイツプ
成形によつて、また外部層は化学蒸着
（chemical vapour deposition）によつて適用も
しくは付着され得る。使用される技術は、それぞ
れの層に使用される材料、および収集器管自体が
形成される材料に依存する。
積するために種々の技術が使用され得る。例え
ば、電子ビーム、マグネトロン・スパツタリン
グ、r.f.スパツタリング、また適当ならば反作用
スパツタリング（reactive sputtering）の沈積技
術がすべての層に対して使用され得る。別に内部
層を電気メツキ、デイツプ成形（dipping）、また
は蒸着（vapour deposition）技術によつて適用
もしくは付着して良く、他方、中間層はデイツプ
成形によつて、また外部層は化学蒸着
（chemical vapour deposition）によつて適用も
しくは付着され得る。使用される技術は、それぞ
れの層に使用される材料、および収集器管自体が
形成される材料に依存する。
この発明は、３つの層の太陽選択表面被覆が適
用もしくは付着される管状の収集器素子の好まし
い実施例を示す以下の説明から充分に理解される
であろう。
用もしくは付着される管状の収集器素子の好まし
い実施例を示す以下の説明から充分に理解される
であろう。
実施例
第１図に示されるように管状の収集器素子１０
は、内側の（単一終端された）ガラス管１１と外
側のガラス管１２とを備えている。外側のガラス
管は、外側のガラス管の外側表面が外側のガラス
管で囲われるようにして内側のガラスの開口端と
結合（すなわち溶接）されており、２つの管の間
の空間１３は連続的に排気されている。
は、内側の（単一終端された）ガラス管１１と外
側のガラス管１２とを備えている。外側のガラス
管は、外側のガラス管の外側表面が外側のガラス
管で囲われるようにして内側のガラスの開口端と
結合（すなわち溶接）されており、２つの管の間
の空間１３は連続的に排気されている。
第１図に一点鎖線１４で示されている太陽選択
表面被覆が、２つの管の端結合に先立つて内側ガ
ラス管の外側表面に沈積される。表面被覆１４は
３つの別個の層として沈積され、第２図に示すよ
うに次の層からなる： (a) スパツタリング方法で約0.10×10-6ｍの厚さ
t1に沈積された銅の内部層１５、 (b) 反作用的スパツタリング（ａ reactive
sputtering）方法で、2.0×10-6ｍの厚さt2に沈
積された半導体材料の外部層１６、 (c) 内部層の上に0.5×10-6ｍの厚さt3まで反作用
的にスパツタリングされた絶縁もしくは誘電材
料の誘電層１７。
表面被覆が、２つの管の端結合に先立つて内側ガ
ラス管の外側表面に沈積される。表面被覆１４は
３つの別個の層として沈積され、第２図に示すよ
うに次の層からなる： (a) スパツタリング方法で約0.10×10-6ｍの厚さ
t1に沈積された銅の内部層１５、 (b) 反作用的スパツタリング（ａ reactive
sputtering）方法で、2.0×10-6ｍの厚さt2に沈
積された半導体材料の外部層１６、 (c) 内部層の上に0.5×10-6ｍの厚さt3まで反作用
的にスパツタリングされた絶縁もしくは誘電材
料の誘電層１７。
それぞれの層材料は複合の屈折率を有する：
N1＝n1−ik1銅層１５に対して、
N2＝n2−ik2半導体層１６に対して、
N3＝n3−ik3中間の絶縁材料層１７に対して。
そして材料は、赤外線スペクトル範囲の少なく
とも主部分にわたつて、垂直に入射する放射に対
しては以下の関係を満足するように選ばれる。
とも主部分にわたつて、垂直に入射する放射に対
しては以下の関係を満足するように選ばれる。
［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 適した半導体および絶縁材料はそれぞれシリコ
ン−ゲルマニウム合金およびマグネシウムフツ化
物である。
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 適した半導体および絶縁材料はそれぞれシリコ
ン−ゲルマニウム合金およびマグネシウムフツ化
物である。
第３図は、異つた動作温度に対して、第２図の
被覆内の絶縁中間層１７の厚さに向う赤外線放射
の半球形エミツタンスεH（hemispherical
emittance εH）をプロツトした分析的に引き出さ
れた一群の曲線（ＡからＤまで）を示している。
第３図の曲線ＡおよびＢは、300℃の動作温度下
の被覆のエミツタンスに関し、曲線ＢおよびＣ
は、700℃の動作温度下の被覆のエミツタンスに
関する。曲線ＡおよびＣは、比較的高い屈折率
（n2＝６）を有する半導体材料に適用可能であり、
曲線ＢおよびＤは比較的低い屈折率（n2＝３）を
有する半導体材料に適用可能である。
被覆内の絶縁中間層１７の厚さに向う赤外線放射
の半球形エミツタンスεH（hemispherical
emittance εH）をプロツトした分析的に引き出さ
れた一群の曲線（ＡからＤまで）を示している。
第３図の曲線ＡおよびＢは、300℃の動作温度下
の被覆のエミツタンスに関し、曲線ＢおよびＣ
は、700℃の動作温度下の被覆のエミツタンスに
関する。曲線ＡおよびＣは、比較的高い屈折率
（n2＝６）を有する半導体材料に適用可能であり、
曲線ＢおよびＤは比較的低い屈折率（n2＝３）を
有する半導体材料に適用可能である。
絶縁層１７を含ませると被覆のエミツタンスを
減少させるのに大いに貢献し、これら長所は、絶
縁層を少なくとも0.25×10-6ｍの厚さに沈積する
ことから引き出されるということが第３図の曲線
から解る。特に有効な結果は、絶縁層を0.5×
10-6ｍから1.5×10-6ｍ程度の厚さt3に沈積するこ
とから得られる。
減少させるのに大いに貢献し、これら長所は、絶
縁層を少なくとも0.25×10-6ｍの厚さに沈積する
ことから引き出されるということが第３図の曲線
から解る。特に有効な結果は、絶縁層を0.5×
10-6ｍから1.5×10-6ｍ程度の厚さt3に沈積するこ
とから得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるガラス収集
器素子を示す立面断面図、第２図は収集器素子に
塗付される表面被覆の部分を拡大して示す断面
図、第３図は、表面被覆の中間層の厚さに対し
て、表面被覆の計算された（赤外線）エミツタン
スをプロツトした一群の曲線を示す図である。図
において、１０は収集器素子、１１は内側のガラ
ス管、１２は外側のガラス管、１３は空間、１４
は表面被覆、１５は銅の内部層、１６は半導体材
料の外部層、１７は絶縁材料の中間層である。
器素子を示す立面断面図、第２図は収集器素子に
塗付される表面被覆の部分を拡大して示す断面
図、第３図は、表面被覆の中間層の厚さに対し
て、表面被覆の計算された（赤外線）エミツタン
スをプロツトした一群の曲線を示す図である。図
において、１０は収集器素子、１１は内側のガラ
ス管、１２は外側のガラス管、１３は空間、１４
は表面被覆、１５は銅の内部層、１６は半導体材
料の外部層、１７は絶縁材料の中間層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内部層、外部層および中間層を含んだ少なく
とも３つの層を備え、前記内部層は赤外線スペク
トル範囲で高い反射係数を有する材料からなり、
前記外部層は、太陽エネルギ・スペクトル範囲内
のエネルギを吸収すると共に赤外線放射に対して
実質的に透明である材料からなり、そして前記中
間層は赤外線放射に対して実質的に透明である絶
縁材料からなり、前記内部、外部および中間層の
材料はそれぞれ複素屈折率（n1−ik1）、（n2−
ik2）および（n3−ik3）を有し、これら材料は、
赤外線スペクトル範囲の少なくとも主部分にわた
り垂直に入射する放射に対して ［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 の関係を満足するように選ばれる太陽選択表面被
覆。 ２ 前記内部層は、銅、アルミニウム、モリブデ
ン、銀および金の群から選ばれた金属からなり、
前記外部層は半導体材料からなる特許請求の範囲
第１項記載の太陽選択表面被覆。 ３ 内部層、外部層および中間層を含んだ少なく
とも３つの重ねられた層を備えた太陽選択表面被
覆を有し、前記内部層は赤外線スペクトル範囲で
高い反射係数を有する材料からなり、前記外部層
は、太陽エネルギ・スペクトル範囲内のエネルギ
を吸収すると共に赤外線放射に対して実質的に透
明である材料からなり、そして前記中間層は赤外
線放射に対して実質的に透明である材料からな
り、前記内部、外部および中間層の材料はそれぞ
れ複素屈折率（n1−ik1）、（n2−ik2）および（n3
−ik3）を有し、これら材料は、赤外線スペクト
ル範囲の少なくとも主部分にわたり垂直に入射す
る放射に対して ［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 の関係を満足するように選ばれる太陽エネルギ収
集器の吸収体。 ４ 前記吸収体は、赤外線スペクトル範囲内で高
い反射係数を有する材料からなり、前記内部層は
それ自体前記吸収体で構成され、そして前記中間
層は前記吸収体上に直接沈積される特許請求の範
囲第３項記載の太陽エネルギ収集器の吸収体。 ５ 前記内部層は前記吸収体の表面上に沈積され
る特許請求の範囲第３項記載の太陽エネルギ収集
器の吸収体。 ６ 管の形態にある時、その管の上に前記太陽選
択表面被覆が沈積される特許請求の範囲第３項記
載の太陽エネルギ収集器の吸収体。 ７ 太陽収集器装置に使用される吸集器素子であ
つて、それを通して流体が通過することができる
内側管と、この内側管の周辺の少なくとも一部を
囲み、かつ双方の管の間に排気空間を限定する外
側のガラス管と、前記内側管の外側表面に沈積さ
れる太陽選択表面被覆とを備え、前記太陽選択表
面被覆は、 内部層、外部層および中間層を含んだ少なくと
も３つの層を備え、前記内部層は赤外線スペクト
ル範囲で高い反射係数を有する材料からなり、前
記外部層は、太陽エネルギ・スペクトル範囲内の
エネルギを吸収すると共に赤外線放射に対して実
質的に透明である材料からなり、そして前記中間
層は赤外線放射に対して実質的に透明である絶縁
材料からなり、前記内部、外部および中間層の材
料はそれぞれ複素屈折率（n1−ik1）、（n2−ik2）
および（n3−ik3）を有し、これら材料は、赤外
線スペクトル範囲の少なくとも主部分にわたり垂
直に入射する放射に対して ［（n3−ik3）−（n1−ik1）／（n3−ik
3）＋（n1−ik1）］2＞［（n2−ik2）−（n1−ik1）／
（n2−ik2）＋（n1−ik1）］2 の関係を満足するように選ばれる収集器素子。 ８ 前記内側管はガラス管である特許請求の範囲
第７項記載の収集器素子。 ９ 前記内側管は金属管である特許請求の範囲第
７項記載の収集器素子。 １０ 前記内部層は、銅、アルミニウム、モリブ
デン、銀および金の群から選ばれた金属からな
り、かつ前記内部層は0.10×10-6ｍより少なくな
い厚さに沈積される特許請求の範囲第７項記載の
収集器素子。 １１ 前記中間層は、少なくとも0.15×10-6ｍの
厚さまで沈積される特許請求の範囲第７項記載の
収集器素子。 １２ 前記中間層は、0.5×10-6ｍから2.0×10-6
ｍの範囲内の厚さを有する特許請求の範囲第７項
記載の収集器素子。 １３ 前記中間層は、マグネシウム・フツ化物、
マグネシウム酸化物、チタニウム酸化物、アルミ
ニウム酸化物、シリカ、石英および炭素の群から
選ばれる材料からなる特許請求の範囲第７項記載
の収集器素子。 １４ 前記外部層は半導体材料からなる特許請求
の範囲第７項記載の収集器素子。 １５ 前記外部層は、ゲルマニウム、ゲルマニウ
ム−シリコンの合金、シリコン炭化物、鉛硫化物
およびホウ素の群から選ばれた材料からなる特許
請求の範囲第１４項記載の収集器素子。 １６ 前記外部層はサーメツトからなる特許請求
の範囲第７項記載の収集器素子。 １７ 前記中間層は、前記サーメツトの絶縁マト
リツクスを形成する材料と同じ組成を有する材料
からなる特許請求の範囲第１６項記載の収集器素
子。 １８ 前記外部層は、0.3×10-6ｍから5.0×10-6
ｍまでの範囲の厚さを有する特許請求の範囲第７
項記載の収集器素子。 １９ 前記外部層は、太陽輻射に対する屈折率が
層の深さの増加と共に増加するようにその組成に
関して段階付けられている特許請求の範囲第１４
項記載の収集器素子。 ２０ 前記外部層は、太陽輻射に対する屈折率が
層の深さの増加と共に増加するように最も外部の
表面をエツチングすることによつて幾何学的に段
階付けられた特許請求の範囲第１４項記載の収集
器素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AUPF625482 | 1982-10-08 | ||
| AU6254 | 1997-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989956A JPS5989956A (ja) | 1984-05-24 |
| JPH0222863B2 true JPH0222863B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=3769783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58189145A Granted JPS5989956A (ja) | 1982-10-08 | 1983-10-08 | 太陽選択表面被覆、太陽エネルギ収集器の吸収体、及び収集器素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4628905A (ja) |
| EP (1) | EP0107412B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5989956A (ja) |
| AT (1) | ATE31361T1 (ja) |
| CA (1) | CA1254465A (ja) |
| DE (1) | DE3374899D1 (ja) |
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