JPH02226079A - 半導体装置の故障解析方法 - Google Patents
半導体装置の故障解析方法Info
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- JPH02226079A JPH02226079A JP1047163A JP4716389A JPH02226079A JP H02226079 A JPH02226079 A JP H02226079A JP 1047163 A JP1047163 A JP 1047163A JP 4716389 A JP4716389 A JP 4716389A JP H02226079 A JPH02226079 A JP H02226079A
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- wiring
- electron beam
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Landscapes
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の故障解析方法、特に、電子ビーム
テスタを用いた半導体装置の故障解析方法に関する。
テスタを用いた半導体装置の故障解析方法に関する。
次に従来の半導体装置の故障解析方法について図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の故障解析方
法の第１と第２の例を説明するための断面図である。
法の第１と第２の例を説明するための断面図である。
従来、この種の半導体集積回路の故障解析は、解析する
個所の内部論理振幅の電位差が非常に小さい場合、第２
図（ａ）に示すように半導体基板７上の絶縁膜８上のパ
ッシベーション膜１０および導体配線９の層間絶縁膜１
０を除去してから電子ビームテスタを用いて内部電位を
観察するか、または第２図（ｂ）に示すように、バッシ
ベ−ジョン膜】０および層間絶縁ｐＡ１０に穴を開け、
その上に導体パッド１１を形成して、同様の観察を行な
っていた。
個所の内部論理振幅の電位差が非常に小さい場合、第２
図（ａ）に示すように半導体基板７上の絶縁膜８上のパ
ッシベーション膜１０および導体配線９の層間絶縁膜１
０を除去してから電子ビームテスタを用いて内部電位を
観察するか、または第２図（ｂ）に示すように、バッシ
ベ−ジョン膜】０および層間絶縁ｐＡ１０に穴を開け、
その上に導体パッド１１を形成して、同様の観察を行な
っていた。
上述した従来の半導体装置の故障解析方法は、電位を観
測したい配線の上を上層配線が覆っている場合には、電
位波形が測定できないという欠点があった。
測したい配線の上を上層配線が覆っている場合には、電
位波形が測定できないという欠点があった。
本発明の半導体装置の故障解析方法は、半導体基板上に
半導体素子等の拡散領域および多層導体配線を存する半
導体装置の故障解析方法において、 （Ａ）前記多層導体配線のうち、下層導体配線と上層導
体配線とが重なっている個所に、前記下層導体配線の側
面部が表面に出るように、パッシベーション用絶縁膜お
よび眉間絶縁膜に穴を開ける工程、 （Ｂ）前記工程により部分的に表面に出ている前記下層
導体配線の側面部に電子ビームを当てて、その電位をス
トロボ走査型電子ｚｖ１１鏡を用いた電子ビームテスタ
により測定し、解析を行なう工程、 とを含んで構成される。
半導体素子等の拡散領域および多層導体配線を存する半
導体装置の故障解析方法において、 （Ａ）前記多層導体配線のうち、下層導体配線と上層導
体配線とが重なっている個所に、前記下層導体配線の側
面部が表面に出るように、パッシベーション用絶縁膜お
よび眉間絶縁膜に穴を開ける工程、 （Ｂ）前記工程により部分的に表面に出ている前記下層
導体配線の側面部に電子ビームを当てて、その電位をス
トロボ走査型電子ｚｖ１１鏡を用いた電子ビームテスタ
により測定し、解析を行なう工程、 とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を工程順に説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
第１図（ａ）のように、ｎ型シリコン基板］上にシリコ
ン酸化Ｍ２が形成されており、アルミニウム配線３が、
層間膜およびパッシベーション膜として、シリコン窒化
膜４を用いて形成されている半導体集積回路を解析する
場合、第１図（ｂ）に示すように、まずフォーカスト・
イオン・ビーム（ＦＩＢン装置を用い、故障解析を行な
う第１層のアルミニウム配線３の側面部が表面にでるよ
うにシリコン窒化膜４に穴５を開ける。
ン酸化Ｍ２が形成されており、アルミニウム配線３が、
層間膜およびパッシベーション膜として、シリコン窒化
膜４を用いて形成されている半導体集積回路を解析する
場合、第１図（ｂ）に示すように、まずフォーカスト・
イオン・ビーム（ＦＩＢン装置を用い、故障解析を行な
う第１層のアルミニウム配線３の側面部が表面にでるよ
うにシリコン窒化膜４に穴５を開ける。
そして、第１図（ｃ）に示すように、穴５にストロボ装
置を用いた電子ビームテスタの電子ビームが入射するよ
うに、電子ビームをｎ型シリコン基板１に対して傾斜角
を持たせ、斜め方向から照射し、第１層のアルミニウム
配線３の側面部に前述の電子ビームが当るようにする。
置を用いた電子ビームテスタの電子ビームが入射するよ
うに、電子ビームをｎ型シリコン基板１に対して傾斜角
を持たせ、斜め方向から照射し、第１層のアルミニウム
配線３の側面部に前述の電子ビームが当るようにする。
このようにして、第２層アルミニウム配線３により覆わ
れた、第１層アルミニウム配線３を電位を測定できる。
れた、第１層アルミニウム配線３を電位を測定できる。
本発明の半導体装置の故障解析方法は、上層配線を避け
て下層配線の電位測定ができるという効果がある。
て下層配線の電位測定ができるという効果がある。
箒ｌＩ！１
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を工程順に説
明するための断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は従来の第１と第２の例を説明するための断面図
である。 】・・・・・・ｎ型シリコン基板、２・・・・・・シリ
コン酸化膜、３・・・・・・アルミニウム配線、４・・
・・・・シリコン窒化膜、５・・・・・・穴。
明するための断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は従来の第１と第２の例を説明するための断面図
である。 】・・・・・・ｎ型シリコン基板、２・・・・・・シリ
コン酸化膜、３・・・・・・アルミニウム配線、４・・
・・・・シリコン窒化膜、５・・・・・・穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に半導体素子等の拡散領域および多層導体
配線を有する半導体装置の故障解析方法において、 （Ａ）前記多層導体配線のうち、下層導体配線と上層導
体配線とが重なっている個所に、前記下層導体配線の側
面部が表面に出るように、パッシベーション用絶縁膜お
よび層間絶縁膜に穴を開ける工程、 （Ｂ）前記工程により部分的に表面に出ている前記下層
導体配線の側面部に電子ビームを当てて、その電位をス
トロボ走査型電子顕微鏡を用いた電子ビームテスタによ
り測定し、解析を行なう工程、 とを含むことを特徴とする半導体装置の故障解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047163A JPH02226079A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の故障解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047163A JPH02226079A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の故障解析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226079A true JPH02226079A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12767405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1047163A Pending JPH02226079A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の故障解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02226079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514355B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-04-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Multilayer interconnection structure and method for forming the same |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1047163A patent/JPH02226079A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514355B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-04-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Multilayer interconnection structure and method for forming the same |
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