JP2745556B2 - 半導体装置の故障解析方法 - Google Patents
半導体装置の故障解析方法Info
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- JP2745556B2 JP2745556B2 JP63224312A JP22431288A JP2745556B2 JP 2745556 B2 JP2745556 B2 JP 2745556B2 JP 63224312 A JP63224312 A JP 63224312A JP 22431288 A JP22431288 A JP 22431288A JP 2745556 B2 JP2745556 B2 JP 2745556B2
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- Japan
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- wiring
- failure analysis
- potential waveform
- analysis method
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の故障解析方法に関し、特に電子
ビームテスタを用いて半導体装置の故障解析を容易に行
なえる方法に関する。
ビームテスタを用いて半導体装置の故障解析を容易に行
なえる方法に関する。
従来、この種の半導体集積回路の故障解析は、パッシ
ベーション膜10のある場合、第４図のように測定を行な
いたい配線上11に導体パッド12を周辺の配線９の間に設
け電子ビームテスタにより電位波形（第５図（ｃ））を
観察していた。これは導体パッド12に隣接する導体配線
II11の電位波形、第５図（ｂ）の影響をうけ、測定箇所
の配線の電位波形第５図（ａ）が、第５図（ｃ）の様な
電位波形になる。
ベーション膜10のある場合、第４図のように測定を行な
いたい配線上11に導体パッド12を周辺の配線９の間に設
け電子ビームテスタにより電位波形（第５図（ｃ））を
観察していた。これは導体パッド12に隣接する導体配線
II11の電位波形、第５図（ｂ）の影響をうけ、測定箇所
の配線の電位波形第５図（ａ）が、第５図（ｃ）の様な
電位波形になる。
上述した従来の半導体集積回路の故障解析方法の場合
では、電子ビームテスタを用いて故障解析をする場合、
観測したい電位の絶対値が小さい場合には周辺の配線の
電位変化の影響をうけ、うまく電位波形が測定出来ない
という欠点があった。
では、電子ビームテスタを用いて故障解析をする場合、
観測したい電位の絶対値が小さい場合には周辺の配線の
電位変化の影響をうけ、うまく電位波形が測定出来ない
という欠点があった。
本発明の半導体装置の故障解析方法は半導体基板上に
半導体素子等の拡散領域、及び多層導体配線を有する半
導体集積回路の故障解析をストロボSEMを用いた電子ビ
ームテスタにより行なう半導体装置の故障解析方法にお
いて、電位波形を観察する配線箇所に隣接し、前記配線
とは異なる信号を有する配線と前記観察を行なう配線と
の距離及び前記配線間の絶縁膜の材質、及び前記の各配
線の電位波形のデータを予じめ電子ビームテスタに入力
することにより、シュミレーションを行ない、前記の観
察を行なう配線箇所に隣接する配線の電位の影響を除去
し、観察を行なう配線箇所の電位波形のみを求めること
を含み、又、前記電位波形観察を行なう配線上に電極パ
ッドを設けたことを含んで構成される。
半導体素子等の拡散領域、及び多層導体配線を有する半
導体集積回路の故障解析をストロボSEMを用いた電子ビ
ームテスタにより行なう半導体装置の故障解析方法にお
いて、電位波形を観察する配線箇所に隣接し、前記配線
とは異なる信号を有する配線と前記観察を行なう配線と
の距離及び前記配線間の絶縁膜の材質、及び前記の各配
線の電位波形のデータを予じめ電子ビームテスタに入力
することにより、シュミレーションを行ない、前記の観
察を行なう配線箇所に隣接する配線の電位の影響を除去
し、観察を行なう配線箇所の電位波形のみを求めること
を含み、又、前記電位波形観察を行なう配線上に電極パ
ッドを設けたことを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例である故障解析方法を示す断面
図，第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の故障解析方法を示
す電位波形図、第３図は本発明の故障解析方法を示すブ
ロック図である。本発明の一実施例は２層配線を有する
シリコン半導体集積回路を電子ビームテスタにより故障
解析する方法で、先ず、第１図のようにｎ型シリコン基
板１上にシリコン酸化膜２が形成さており、又アルミニ
ウム配線3,アルミニウム配線４が層間膜及びバッシベー
ション膜としてシリコン窒化膜５を用いて形成されてお
り、アルミニウム配線３上にタングステンパッド６が形
成されている半導体集積回路を解析する場合、ストロボ
装置を用いた電子ビームを前記タングステンパッド６上
に周期的に照射し、同時にこの集積回路を動作させるタ
イミングとの同期をとるというストロボSEMの原理用い
て、前記タングステンパッド６を引き出した第１層のア
ルミニウム配線３の電位波形を観察する。この際第３図
に示すように測定を行なうタングステンパッド６と隣接
するアルミニウム配線４とタングステンパッド６との距
離，絶縁膜５の材質名シリコン窒化膜、又は、第２図
（ａ）のアルムニウム配線単独での期待電位波形、第２
図（ｂ）のアルミニウム配線Ｂ単独での期待電位波形の
データをEBテスタとリンクしたコンピュータに入力し、
隣接する配線４の影響を取り除いた配線３のみの電位波
形を第２図（ａ）に期待値にほぼ近い形で第２図（ｃ）
の様に得ることが出来る。このようにして、本実施例は
第２図（ａ）の様な期待値の出ない不良箇所でもただち
に不良と判別出来、故障解析が容易に行なえる。
図は本発明の一実施例である故障解析方法を示す断面
図，第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の故障解析方法を示
す電位波形図、第３図は本発明の故障解析方法を示すブ
ロック図である。本発明の一実施例は２層配線を有する
シリコン半導体集積回路を電子ビームテスタにより故障
解析する方法で、先ず、第１図のようにｎ型シリコン基
板１上にシリコン酸化膜２が形成さており、又アルミニ
ウム配線3,アルミニウム配線４が層間膜及びバッシベー
ション膜としてシリコン窒化膜５を用いて形成されてお
り、アルミニウム配線３上にタングステンパッド６が形
成されている半導体集積回路を解析する場合、ストロボ
装置を用いた電子ビームを前記タングステンパッド６上
に周期的に照射し、同時にこの集積回路を動作させるタ
イミングとの同期をとるというストロボSEMの原理用い
て、前記タングステンパッド６を引き出した第１層のア
ルミニウム配線３の電位波形を観察する。この際第３図
に示すように測定を行なうタングステンパッド６と隣接
するアルミニウム配線４とタングステンパッド６との距
離，絶縁膜５の材質名シリコン窒化膜、又は、第２図
（ａ）のアルムニウム配線単独での期待電位波形、第２
図（ｂ）のアルミニウム配線Ｂ単独での期待電位波形の
データをEBテスタとリンクしたコンピュータに入力し、
隣接する配線４の影響を取り除いた配線３のみの電位波
形を第２図（ａ）に期待値にほぼ近い形で第２図（ｃ）
の様に得ることが出来る。このようにして、本実施例は
第２図（ａ）の様な期待値の出ない不良箇所でもただち
に不良と判別出来、故障解析が容易に行なえる。
以上説明したように本発明は、多層配線を有する半導
体集積回路において、故障解析を行ないたい配線上に設
けられた引き出し電極パッドに隣接する他の信号配線の
電位の影響をうけずに、前記の解析を行ないたい配線の
電位波形のみを正確に観察できるという、又この結果非
常に小さな電位差の電位波形でも、周辺の影響をうけず
観察出来、故障解析を正しく行なえるという効果があ
る。
体集積回路において、故障解析を行ないたい配線上に設
けられた引き出し電極パッドに隣接する他の信号配線の
電位の影響をうけずに、前記の解析を行ないたい配線の
電位波形のみを正確に観察できるという、又この結果非
常に小さな電位差の電位波形でも、周辺の影響をうけず
観察出来、故障解析を正しく行なえるという効果があ
る。
第１図は本発明の故障解析方法を示す断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の故障解析方法を示す電位波形
図、第３図は本発明の故障解析方法を示すブロック図、
第４図は従来の製造方法における問題点を説明する為の
断面図、第５図（ａ）〜（ｃ）は従来の製造方法におけ
る問題点を説明する為の電位波形図である。 １……ｎ型シリコン基板、２……シリコン酸化膜、３…
…アルムニウム配線、４……アルミニウム配線、５……
シリコン窒化膜、６……タングステン、７……半導体基
板、８……絶縁膜Ｉ、９……導体配線Ｉ、10……絶縁膜
II、11……導体配線II、12……導体パッド。
（ａ）〜（ｃ）は本発明の故障解析方法を示す電位波形
図、第３図は本発明の故障解析方法を示すブロック図、
第４図は従来の製造方法における問題点を説明する為の
断面図、第５図（ａ）〜（ｃ）は従来の製造方法におけ
る問題点を説明する為の電位波形図である。 １……ｎ型シリコン基板、２……シリコン酸化膜、３…
…アルムニウム配線、４……アルミニウム配線、５……
シリコン窒化膜、６……タングステン、７……半導体基
板、８……絶縁膜Ｉ、９……導体配線Ｉ、10……絶縁膜
II、11……導体配線II、12……導体パッド。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に半導体素子等の拡散領域、
及び多層導体配線を有する半導体集積回路の故障解析を
ストロボSEMを用いた電子ビームテスタにより行なう半
導体装置の故障解析方法において、電位波形を観察する
配線箇所に隣接し、前記配線とは異なる信号を有する配
線と前記観察を行なう配線との距離及び前記配線間の絶
縁膜の材質、及び前記の各配線の電位波形のデータを予
め電子ビームテスタと接続したコンピュータに入力する
ことにより、シュミレーションを実行して前記の観察を
行なう配線箇所に隣接する配線の電位の影響を除去し、
観察を行なう配線箇所の電位波形のみを求めることを特
徴とする半導体装置の故障解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224312A JP2745556B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体装置の故障解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224312A JP2745556B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体装置の故障解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271177A JPH0271177A (ja) | 1990-03-09 |
| JP2745556B2 true JP2745556B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16811787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63224312A Expired - Fee Related JP2745556B2 (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 半導体装置の故障解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745556B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63224312A patent/JP2745556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0271177A (ja) | 1990-03-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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