JP3064993B2

JP3064993B2 - 半導体集積回路の製造方法

Info

Publication number: JP3064993B2
Application number: JP9298930A
Authority: JP
Inventors: 俊弘加藤; 圭一岡田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-10-30
Filing date: 1997-10-30
Publication date: 2000-07-12
Anticipated expiration: 2017-10-30
Also published as: JPH11135625A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造方法に関し、特に修正、解析のために半導体集積回
路に絶縁膜を形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、パッシベーション膜を有する半導
体集積回路（特にダイおよびパッケージ状態）に絶縁膜
を形成する方法として、たとえば特開平８−１５３７２
１号公報および特開平２−３１２２１３７号公報に示さ
れているようなイオンビームやレーザビームを用いる方
法がある。

【０００３】図２５〜図２９は従来のイオンビームを用
いた半導体集積回路上の絶縁膜の形成方法を示し、上層
導体配線１０４の下側に設けられた下層導体配線１０２
を切断する方法を示す図である。図２５に示すＳｉ基板
１０１上に絶縁膜１０９、下層導体配線１０２があり、
下層導体配線１０２と上層導体配線１０４との間に層間
絶縁膜１０３、上層導体配線１０４の上にパッシベーシ
ョン膜１０５がある半導体集積回路を真空にしたチャン
バ内に入れる。図２６に示すように金属イオンビーム１
１０を部分的に照射する事により、照射された箇所のパ
ッシベーション膜１０５、上層金属配線１０４、層間絶
縁膜１０３、下層導体配線１０２をエッチングし、下層
導体配線１０２の切断を行っている。

【０００４】次に、図２７に示すように今まで使用して
いた金属イオンビーム１１０に変えて、Ｓｉイオンビー
ム１１１を使用し、かつ、Ｏ２またはＮ２ガス雰囲気に
する事により、エッチングした下層導体配線１０２と層
間絶縁膜１０３の部分に絶縁膜１０６を形成する。更
に、Ｓｉイオンビーム１１１を金属イオンビーム１１０
に戻し、かつ、金属ＣＶＤ用ガス（Ｗ（ＣＯ）６等）雰
囲気１１３にすることにより、絶縁膜１０６上に金属膜
１０７を形成し、図２６に示す工程で切断した上層導体
配線１０４を再接続していた。更に、図２９に示すよう
に金属イオンビーム１１０をＳｉイオンビーム１１１に
変え、かつ、Ｏ２またはＮ２ガス雰囲気１１２にするこ
とにより、金属１０７上に保護膜として絶縁膜１０８を
形成する。

【０００５】図３０〜図３５は従来におけるレーザビー
ムを用いて下層導体配線１０２を切断し、切断した下層
導体配線１０２の一方と上層導体配線１０４の１本とを
接続し、さらにこれらの上に金属膜を配線する方法を示
す図である。

【０００６】図３０に示すＳｉ基板１０１上に絶縁膜１
０９、下層導体配線１０２があり、下層導体配線１０２
と上層導体配線１０４との間に層間絶縁膜１０３、上層
導体配線１０４の上にパッシベーション膜１０５がある
半導体集積回路を真空にしたチャンバ内に入れる。図３
１に示すようにレーザビームを部分的に照射する事によ
り、照射された箇所のパッシベーション膜１０５、層間
絶縁膜１０３をエッチングし、さらに下層導体配線１０
２の切断部分をエッチングする事によりパッシベーショ
ン膜１０５および層間絶縁膜１０３に配線を接続するた
め開口部１２０、１２１を設けると共に下層導体配線１
０２の導体配線１０２の切断を行っている。

【０００７】次に、図３２に示すように、金属ＣＶＤ用
ガス（ＭＯ（ＣＯ）６等）雰囲気１１４にして、レーザ
ビームを照射する事により、開口部１２０、１２１中お
よびこれらの間のパッシベーション膜１０５上に金属膜
１１６を形成する。次に、図３３に示すように、金属Ｃ
ＶＤガス（ＭＯ（ＣＯ）６等）雰囲気１１４に変えて、
ＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｘｙＳｉｌａｎｅＴ
ｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ）
とオゾンの雰囲気１１５にして、レーザビームを照射す
ることにより金属膜１１６を覆う絶縁膜１１７を形成し
ていた。更に図３４に示すように、金属ＣＶＤ用ガス
（ＭＯ（ＣＯ）６等）雰囲気１１４に戻しレーザービー
ムを照射することにより、絶縁膜１１７の上を越える金
属膜１１８を形成する。更に、図３５に示す用に再度Ｔ
ＥＯＳ及びオゾン雰囲気１１５にして、レーザービーム
を照射することにより金属１１８を覆う保護膜として絶
縁膜１１９を形成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】まず、パッシベーショ
ン膜を有する半導体集積回路（特にダイまたはパッケー
ジに組まれた状態の半導体集積回路）の配線等を変更し
たい場合、パッシベーション膜を除去し、上層および下
層の導体配線のＡ１配線を露出させる工程、パッシベー
ション膜上に金属膜を形成させる工程、Ａ１配線を切断
させる工程、金属配線同士を交差させる工程などがあ
る。金属膜同士を交差させるためには、交差する金属膜
間に絶縁膜が必要となる。また、Ａ１配線、金属膜を露
出したままの状態では、マイグレーション、腐食等の不
良が発生し易くなり、信頼性が得られないため、保護膜
として絶縁膜を形成する必要がある。

【０００９】また、半導体集積回路をＥＢテスタ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＴｅｓｔｅｒ）等で測定を行
う場合、測定したい配線の周囲に金属が露出している
と、電子ビームに影響を与え正確な測定が出来ないた
め、絶縁膜で覆う必要がある。

【００１０】これらの絶縁膜を形成する方法として、ま
ず、イオンビームを用いて絶縁膜を形成する方法がある
が、この方法では、半導体集積回路を真空の雰囲気中に
入れなければならず、真空装置が必要であり、Ｓｉイオ
ンビーム、Ｏ２またはＮ２ガスを発生させコントロール
する高価な装置を揃えなければならないという問題点が
あった。また、この装置で形成される絶縁膜は、イオン
注入されたりするため、絶縁の品質に問題を起こす場合
があった。

【００１１】次に、レーザビームを用いて絶縁膜を形成
する方法があるが、この方法も半導体集積回路を真空中
に入れなければならず、真空装置が必要であり、ＴＥＯ
Ｓとオゾンを発生させる装置を備えなければならないと
いう問題点があった。また、レーザーを用いるため、半
導体集積回路の表面の絶縁膜が剥離したり、周辺のＡ１
配線同士のショートを引き起こしたり、Ａ１配線のない
部分の下にある半導体素子を損傷させたりすることがあ
るという問題がある。いずれの場合においても、高価な
装置を必要とし、かつ、半導体集積回路の特性に影響を
与えるという欠点があった。

【００１２】また、イオンビームやレーザビームを用い
て絶縁膜を形成する方法では、リードの下面に絶縁膜を
形成できず、リードに近接する導体配線のＥＢテスタに
より測定がリードの電磁界の影響を避けることができな
いという問題があった。

【００１３】本発明の目的は、半導体集積回路、特にダ
イまたはパッケージに組まれた状態のパッシベーション
膜を有する半導体集積回路において、配線等を変更する
場合やＥＢテスタ等の測定を行う場合、容易にかつ、安
価で半導体集積回路を損傷させる事無く、品質のよい絶
縁膜を形成することを出来る方法を提供することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の製造方法は、第１および第２の導体配線（図１の４）
と、これら第１および第２の導体配線の外側に配置され
た第３および第４の導体配線（図３の３）と、これら第
１〜第４の導体配線を互いに絶縁する層間絶縁膜（図１
の２）と、これら第１〜第４の導体配線および前記層間
絶縁膜の表面に形成されたパッシベーション膜（図１の
５）とを有する半導体集積回路を加工する方法であっ
て、前記パッシベーションの一部と必要ならば前記層間
絶縁膜の一部とを除去して前記第１および第２の導体配
線の一部を露出する第１および第２の開口部（図２の
６）を設け、前記第１および第２の開口部中並びに前記
パッシベーション膜上の前記第１および第２の開口部を
接続する部分に第１の金属膜（図３の７）を形成し、前
記第１の金属膜上および前記パッシベーション上の少く
とも一部に第１の絶縁膜（図５の９）を塗布により形成
し、次に前記パッシベーション膜の一部と必要ならば前
記層間絶縁膜および前記第１の絶縁膜の一部とを除去し
て前記第３および第４の導体配線を露出する第３および
第４の開口部（図６の１０）を設け、前記第３および第
４の開口部中並びに前記第１の絶縁膜および場合によっ
ては前記パッシベーション膜上の前記第３および第４の
開口部を接続する部分に第２の金属膜（図７の１１）を
形成し、少なくとも前記第２の金属膜上に第２の絶縁膜
（図８の１２）を塗布により形成することを特徴とす
る。

【００１５】

【００１６】

【００１７】本発明の半導体集積回路の製造方法は、並
設された第１および第２の導体配線（図９の３）と、こ
の第１および第２の導体配線と交差してこの第１および
第２の導体配線とは異る層に並設された第３および第４
の導体配線（図９の４）と、前記第１〜第４の導体配線
を互いに絶縁する層間絶縁膜（図１０の２）と、前記第
１〜第４の導体配線および前記層間絶縁膜の表面に形成
されたパッシベーション膜（図１０の５）とを有する半
導体集積回路を加工する方法であって、前記パッシベー
ション膜の一部と必要ならば前記層間配線膜の一部とを
除去して前記第１および第２の導体配線の一部を露出す
る第１および第２の開口部（図９の１５）を設け、前記
第１および第２の開口部中並びに前記パッシベーション
膜上の前記第１および第２の開口部を接続する部分に第
１の金属膜（図１０の７）を形成し、前記第１の金属膜
上および前記パッシベーション膜上の少くとも一部に第
１の絶縁膜（図１０の９）を塗布により形成し、次に前
記パッシベーション膜の一部と必要ならば前記層間絶縁
膜および前記第１の絶縁膜の一部を除去して前記第３お
よび第４の導体配線を露出する第３および第４の開口部
（図１０の１６）を設け、前記第３および第４の開口部
中並びに前記第１の絶縁膜および場合によっては前記パ
ッシベーション膜上の前記第３および第４の開口部を接
続する部分に前記第１の金属膜と交差する第２の金属膜
（図１０の１１）を形成し少くとも前記第２の金属膜上
に第２の絶縁膜（図１０の１２）を塗布により形成する
ことを特徴とする。

【００１８】本発明は、上層導体配線（図１１の４）
と、この上層導体配線の下側に位置する下層導体配線
（図１１の３ａ）と、前記上層導体配線および前記下層
導体配線を互いに絶縁する層間絶縁膜（図１１の２）
と、前記上層導体配線および前記層間絶縁膜の上に形成
されたパッシベーション膜（図１１の５）とを有する半
導体集積回路を加工する方法であって、前記下層導体配
線の一部である接続部分およびその周辺部分の上側の前
記パッシベーション膜の一部、前記上層導体配線の一部
および必要ならば前記層間絶縁膜の一部を除去して前記
接続部分との間に前記層間絶縁膜を残す第１の開口部
（図１２の１７）を設け、前記第１の開口部中および前
記パッシベーション膜の少くとも一部の上に第１の絶縁
膜（図１３の９）を塗布により形成し、次に前記接続部
部分の上側の前記第１の絶縁膜の一部及び前記層間絶縁
膜の一部を除去して第２の開口部（図１４の１８）を設
け、この第２の開口部中および少くとも前記第１の絶縁
膜の一部の上に金属膜（図１５の１１）を形成し、少く
ともこの金属膜上に第２の絶縁膜（図１５の１２）を塗
布により形成することを特徴とする。

【００１９】本発明の半導体装置の製造方法は、互いに
近接する第１および第２の導体配線（図１７の２０ｂ、
２０ａ）と、第１および第２の導体配線を互いに絶縁す
る層間絶縁膜（図１７の２）と、前記第１および第２の
導体配線および前記層間絶縁膜の表面に形成されたパッ
シベーション膜（図１７の５）とを有する半導体集積回
路を加工する方法であって、前記パッシベーション膜の
一部と必要ならば前記層間絶縁膜の一部を除去して前記
第１の導体配線の一部を露出する第１の開口部（図１７
の２１）を設け、前記第１の開口部中および前記パッシ
ベーション膜上の前記第１の開口部に接続する部分に第
１の金属膜（図１８の７）を形成し、少くとも前記第１
の金の属膜上に第１の絶縁膜（図１８の９）を塗布によ
り形成し、次に前記パッシベーション膜の一部と必要な
らば前記層間絶縁膜の一部および前記第１の絶縁膜の一
部を除去して前記第２の導体配線を露出する第２の開口
部（図１９の２２）を設け、前記第２の開口部中および
少くとも前記第１の絶縁膜の一部の上に第２の金属膜
（図１９の１１）を形成し、少くとも前記第２の金属膜
上に第２の絶縁膜（図１９の１２）を塗布により形成す
ることを特徴とする。

【００２０】本発明の半導体集積回路の製造方法は、互
いに近接する第１および第２の導体配線（図２１の２０
ｃ,２０ｄ）と、この第１および第２の導体配線を互い
に絶縁する層間絶縁膜（図２１の２）と、前記第１およ
び第２の導体配線および前記層間絶縁膜の表面に形成さ
れたパッシベーション膜（図２１の５）とを有する半導
体集積回路を加工する方法であって、前記パッシベーシ
ョン膜の一部と必要ならば前記層間絶縁膜の一部を除去
して前記第１の導体配線を露出する第１の開口部を設
け、前記第１の導体配線の露出部分に電子ビームを照射
して前記第１の導体配線の状態を測定した後に少くとも
前記第１の開口部中に絶縁膜を塗布により形成し、電子
ビームを照射して前記第２の導体配線の状態を測定する
ために前記パッシベーション膜と必要ならば前記層間絶
縁膜の一部および前記絶縁膜の一部を除去して前記第２
の導体配線を露出する第２の開口部を設けることを特徴
とする。

【００２１】本発明は、リード（図２３の１４）に近接
して導体配線（図２３の２０）が設けられた半導体集積
回路を加工する方法であって、少くとも前記リードの表
面に絶縁膜（図２４の９）を塗布により形成し電子ビー
ムを照射して前記導体配線の状態を測定するために前記
導体配線を露出させることを特徴とする。

【００２２】上述の半導体集積回路の製造方法では前記
絶縁膜並びに前記第１および第２の絶縁膜は塗布後スピ
ンコータによって薄く伸ばされ、さらにキュアされて成
形することもでき、また前記絶縁膜並びに前記第１およ
び第２の絶縁膜としては、有桟或いは無桟のシリカ，ポ
リイミド,感光性ポリイミドまたはレジストが挙げられ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１〜図８は、本発明の第１の実
施の形態の半導体集積回路に絶縁膜を形成する方法を示
す図で、下層導体配線の切断並びに上層導体配線どうし
の接続および下層導体配線どうしの接続を行う方法を示
す図である。

【００２４】図１に示す基板１上に下層導体配線３、上
層導体配線４及び導体配線間の層間絶縁膜２並びにパッ
シベーション膜５を有する半導体集積回路を真空雰囲気
中に挿入し、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて上層
導体配線４上のパッシベーション膜５及び層間絶縁膜２
をエッチングにより除去し、上層導体配線４が露出する
ように２つの開孔部６を形成する（図２）。次に、金属
ＣＶＤ用ガス雰囲気でＦＩＢを照射し、開孔部６を埋め
開孔部６を接続する金属膜７をパッシベーション膜５上
に形成する（図３）。そして、ガスを取り除いて真空雰
囲気中に半導体集積回路があるようにしてから下層導体
配線３上のパッシベーション膜５及び層間絶縁膜２をエ
ッチングにより除去して開孔部８を形成し、さらに下層
導体配線３をエッチングにより除去、切断する（図
３）。

【００２５】次に、半導体集積回路を真空雰囲気中から
取り出し、図４の様に、開孔部８及び図３に示す工程で
ＦＩＢによって形成された金属膜７を覆うようにポリイ
ミド等の液状の絶縁膜９を塗布し、図５に示す様に、半
導体集積回路をスピンコータで１０００回転程度で回転
させ、塗布した絶縁膜９を数ｕｍ程度に薄く伸ばし、半
導体集積回路をホットプレートで３００℃程度に加熱し
キュアする。これにより、上層および下層Ａ１配線、金
属膜を保護することが出来、マイグレーション、腐食等
の不良が抑えられる。

【００２６】さらに、図６のように、ＦＩＢを用いてポ
リイミ度絶縁膜９、パッシベーション膜５、層間絶縁膜
２３をエッチングし、下層導体配線３を露出するように
２つの開孔部１０を形成する。形成された開孔部１０内
及びポリイミド絶縁膜９上の開孔部１０を接続する部分
に金属ＣＶＤ用ガス雰囲気でＦＩＢを照射し、金属膜１
１を形成することにより、金属膜７と金属膜１１とがシ
ョートする事無く、金属膜７上に金属膜１１を多層に積
み上げることができる（図７）。更に図４に示したのと
同様にポリイミドを塗布し、スピンコータおよびホット
プレートを用いる事により、図８の様に金属膜１１上に
絶縁膜１２を形成し、上層の金属膜１１を保護すること
ができる。

【００２７】以上のように、真空装置やガス雰囲気を作
るための装置、イオンビーム、レーザビームといった高
価な装置を使用する事無く、スピンコータとホットプレ
ートといった安価な装置で絶縁膜を形成することがで
き、かつ、レーザビームのように半導体集積回路を損傷
する事無く、また、バイアスパッタ法のように静電破壊
を起こすことなく、さらに、リークの発生しない品質の
よい絶縁膜を形成することができる。

【００２８】図９および図１０はそれぞれ本発明の第２
の実施の形態の半導体集積回路に新たに金属膜および絶
縁膜を形成して改造する方法を示す平面図およびＡＡ′
断面図である。

【００２９】改造前の半導体集積回路は、基板１上に下
層導体配線３、上層導体配線４及び導体配線間の層間絶
縁膜２並びにパッシベーション膜５が設けられている。
本実施の形態では、隣接する下層導体配線３どうしの接
続と隣接する上層導体配線４どうしの接続とを交差する
金属膜を設けることにより行う。

【００３０】ＦＩＢによりパッシベーション膜５、層間
絶縁膜２を除去して隣接する下層導体配線３が露出する
２つの開孔部１５を形成し、金属ＣＶＤ用ガス雰囲気で
ＦＩＢを照射して開口部１５中およびパッシベーション
膜５上の開口部１５を接続する部分に金属膜７を形成し
て隣接する下層導体配線３を接続する。次に半導体集積
回路の表面にポリイミド膜９を塗布し、スピンコータで
薄く伸ばし、加熱しキュアし、保護膜として絶縁膜９を
形成する。

【００３１】さらにＦＩＢにより絶縁膜９、パッシベー
ション膜５、層間絶縁膜２を除去し、隣接する上層導体
配線４が露出する２つの開口部１６を形成し、金属ＣＶ
Ｄ用ガス雰囲気中でＦＩＢを照射して開口部１６中およ
び絶縁膜９上の開口部１６を接続する部分であって金属
膜７を跨ぐ部分に金属膜１１を形成し、隣接する上層導
体配線４どうしを接続する。更に、半導体集積回路上に
ポリイミド膜を塗布し、スピンコータで薄く伸ばし、加
熱してキュアし半導体集積回路上に保護膜としての絶縁
膜１２を形成する。

【００３２】イオンビームで形成された絶縁膜では金属
膜７と金属膜１１との間に抵抗性リークが発生すること
があるが、本実施例の形態では、ポリイミドを塗布する
ことにより、品質の良い絶縁膜９，１２が形成され、配
線間のリーク等の問題がない。

【００３３】図１１から図１５は本発明の第３の実施の
形態の半導体集積回路に新たに金属膜および絶縁膜を形
成して改造する方法を示す断面図で、図１６は改造後の
半導体集積回路の平面図である。本実施の形態は、下層
導体配線３の新たに設ける金属膜と接続させる部分の上
側に上層導体配線４が位置する場合の改造である。

【００３４】図１１に示す断面で左側の下層導体配線３
ａと右側の下層導体配線３ｂとを接続しようとするとき
に、左側の下層導体配線３ａの上側に上層導体配線４が
位置する場合は左側の下層導体配線３ａ上に開口部を設
け、その開口部に金属膜を形成するだけでは左側の下層
導体配線３ａと上層導体配線４とかショートしてしまう
という問題がある。

【００３５】そこで、本実施の形態では、図１２のよう
にパッシベーション膜５、上層導体配線４および上層導
体配線４に隣接する層間絶縁膜２を除去して、下層導体
配線３ａの上部に層間絶縁膜２を残す開口部１７を形成
する。次に、半導体集積回路上にポリイミド膜を塗布
し、スピンコータにより薄く伸ばし、加熱してキュア
し、図１３に示す用に絶縁膜９を形成する。

【００３６】さらに、図１４のように絶縁膜９、パッシ
ベーション膜５および層間絶縁膜２を除去して、開口部
１７の中央にこれより小さい開口部１８を開けて左側の
下層導体配線３ａを露出させ、また開口部１９を開けて
右側の下層導体配線３ｂを露出させる。次に開口部１
８，１９中および開口部１８，１９間の絶縁膜９上に金
属膜１１を形成し、左側および右側の下層導体配線３ａ
および３ｂを相互に接続する。この後に再び半導体集積
回路上にポリイミドを塗布し、スピンコータで薄く伸ば
し、キュアして絶縁膜１２を形成する。

【００３７】図１７〜図２０は本発明の第４の実施の形
態の半導体集積回路を改造する方法を示す断面図であ
る。本実施の形態は隣接する導体配線それぞれに異る金
属膜を接続する場合で、これら金属膜を単に半導体集積
回路の表面に形成するのでは、これら金属膜どうしがシ
ョートしてしまうという問題がある。

【００３８】そこで、本実施の形態では、図１７に示す
ように基板１上に複数の導体配線２０が近接して配列さ
れ、層間絶縁層およびパッシベーション膜５を有する半
導体集積回路の図において左側から２番目の導体配線２
０ａおよび３番目の導体配線２０ｂそれぞれに金属膜を
接続しようとする場合に、まず導体配線２０ｂを露出さ
せる開口部２１を設け、図１８に示すように開口部２１
中およびパッシベーション膜５上の開口部２１により図
の右側の部分に金属膜７を形成し、さらにこれらの上に
ポリイミドを塗布し、スピンコータで薄く伸ばし、キュ
アして絶縁膜９を形成する。

【００３９】さらに、図１９のように絶縁膜９、パッシ
ベーション膜５および層間絶縁膜２を除去して導体配線
２０ａを露出させる開口部２２を開けてから、開口部２
２中および絶縁膜９上の開口部２２の左側の部分に金属
膜１１を形成し、この後にこれらの上にポリイミドを塗
布し、スピンコータで薄く伸ばし、キュアして絶縁膜１
２を形成する。

【００４０】さらに、図２０に示すように金属膜７及び
金属膜１１上の絶縁膜９、１２を除去して金属膜７、１
１を露出する開口部を設け、これら開口部中および絶縁
膜９、１２上に金属膜１３を形成することにより、金属
膜の多層配線も可能である。そしてまた、金属膜１３を
電極電極パッドとして利用することも可能である。

【００４１】図２１および図２２は本発明の第５の実施
の形態のＥＢテスタ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＴ
ｅｓｔｅｒ）を用いて半導体集積回路を測定する方法を
示す図である。

【００４２】まず、図２１のように、パッシベーション
膜５、層間絶縁膜２を除去し、導体配線２０ｃを露出さ
せ、露出させた部分に電子ビームを照射する事により、
導体配線２０ｃの電位等の測定を行う。導体配線２０ｃ
に隣接した導体配線２０ｄを同様にして露出させ、露出
させた部分に電子ビームを当てて導体配線２０ｄを測定
すると、隣接の導体配線２０ｃの影響により測定異常を
起こすことがある。そこで、図２２のように半導体集積
回路上にポリイミドを塗布し、スピンコータで薄く伸ば
し、キュアして絶縁膜９を形成して導体配線２０ｃを覆
い、ポリイミド膜９、パッシベーション膜５および層間
絶縁膜２を除去して導体配線２０ｄを露出し、露出させ
た部分に電子ビームを照射する事により、隣接の導体配
線２０ｃの影響を受けることなく、導体配線２０ｄの測
定が可能となる。

【００４３】図２３および図２４は本発明の第６の実施
の形態のワイヤーボンディング等のリード１４付近の導
体配線２０を電子ビームを照射して、測定する方法を示
す図で、リード１４付近の導体配線２０の測定において
は、リード１４の電磁界の影響を受けるため図２４のよ
うに半導体集積回路上に、ポリイミドを塗布し、スピン
コータで回転させることにより、半導体集積回路の表面
のほか、リード１４の上面だけでなく、リード１４全て
もポリイミドで薄く覆う事が出来、このポリイミドをキ
ュアして絶縁膜９を形成し、図示を省略してあるが、絶
縁膜９、パッシベーション膜、層間絶縁膜を除去して導
体配線２０のみを露出させ、この露出部分に電子ビーム
を照射してリード１４の電磁界の影響を受ける事無く、
ＥＢテスタなどにより導体配線２０を容易に測定するこ
とが出来る。

【００４４】なお、本発明で塗布する絶縁膜は、有機ま
たは無機シリカ、ポリイミド等を使用することで実現可
能であるが、部分的に絶縁膜を形成したい場合は、露光
により選択エッチング出来る感光性ポリイミド、レジス
タ等を使用する事により、容易に実現できる。

【００４５】また、半導体集積回路の導体配線の露出、
切断または金属膜の形成を行う手段として、イオンビー
ムの代わりにレーザービームを用いることも可能であ
る。

【００４６】そしてまた、ベアチップ実装されたＭＣＭ
（ＭｕｌｔｉＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）の半導体集積
回路の製造、修正及び半導体集積回路の製造、修正にも
使用することが可能である。

【００４７】

【発明の効果】第１の効果は、絶縁膜を塗布するだけな
ので真空装置やガス雰囲気を作るための装置、イオンビ
ーム、レーザービームといった高価な装置を使用する事
無くスピンコータとホットプレートといった安価な装置
で絶縁膜を形成することができることである。

【００４８】第２の効果は、絶縁膜の形成にイオンビー
ム等を用いると、不純物が入り品質が低下するが、絶縁
膜を塗布するだけなので品質の良い絶縁膜を形成するこ
とができることである。

【００４９】第３の効果は、半導体集積回路にビーム等
を照射しないため、半導体集積回路を損傷する事無く、
容易に絶縁膜を形成する事ができることである。

【００５０】第４の効果は、パッケージのリードを絶縁
膜で覆う事が出来、電磁界の影響を受ける事無く、ＥＢ
テスタ等の測定を容易にすることが出来るということで
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体製造方法を
示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である

【図４】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す断面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態の半導体集積回路の
製造方法を示す平面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１４】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図。

【図１５】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１６】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す平面図である。

【図１７】本発明の第４の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１８】本発明の第４の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図１９】本発明の第４の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図２０】本発明の第４の実施の形態の半導体集積回路
の製造方法を示す断面図である。

【図２１】本発明の第５の実施の形態の半導体集積回路
の解析方法を示す断面図である。

【図２２】本発明の第５の実施の形態の半導体集積回路
の解析方法を示す断面図である。

【図２３】本発明の第６の実施の形態の半導体集積回路
の解析方法を示す断面図である。

【図２４】本発明の第６の実施の形態の半導体集積回路
の解析方法を示す断面図である。

【図２５】従来の半導体集積回路の製造方法を示す断面
図である。

【図２６】従来の半導体集積回路の製造方法を示す断面
図である。

【図２７】従来の半導体集積回路の製造方法を示す断面
図である。

【図２８】従来の半導体集積回路の製造方法を示す断面
図である。

【図２９】従来の半導体集積回路の製造方法を示す断面
図である。

【図３０】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【図３１】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【図３２】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【図３３】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【図３４】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【図３５】従来の他の半導体集積回路の製造方法を示す
断面図である。

【符号の説明】

１基板２層間絶縁膜３下層導体配線４上層導体配線５パッシベーション膜６開孔部７金属膜８開孔部９塗布絶縁膜１０開孔部１１金属膜１２塗布絶縁膜１３金属膜１４リード１５開口部１６開口部１７開口部１８開口部１９開口部２０導体配線２１開口部２２開口部１０１Ｓｉ基板１０２下層導体配線１０３層間絶縁膜１０４上層導体配線１０５パッシベーション膜１０６絶縁膜１０７金属膜１０８絶縁膜１０９絶縁膜１１０金属イオンビーム１１１Ｓｉイオンビーム１１２Ｏ２ガスまたはＮ２ガス雰囲気１１３金属ＣＶＤ用ガス１１４Ｍｏ（ＣＯ）６ガス雰囲気１１５ＴＥＯＳとオゾン雰囲気１１６金属膜１１７絶縁膜１１８金属膜１１９絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/768 H01L 21/3205 H01L 21/66 H01L 21/316

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１および第２の導体配線と、これら第
１および第２の導体配線の外側に配置された第３および
第４の導体配線と、これら第１〜第４の導体配線を互い
に絶縁する層間絶縁膜と、これら第１〜第４の導体配線
および前記層間絶縁膜の表面に形成されたパッシベーシ
ョン膜とを有する半導体集積回路を加工する方法があっ
て、前記パッシベーションの一部と必要ならば前記層間
絶縁膜の一部とを除去して前記第１および第２の導体配
線の一部を露出する第１および第２の開口部を設け、前
記第１および第２の開口部中並びに前記パッシベーショ
ン膜上の前記第１および第２の開口部を接続する部分に
第１の金属膜を形成し、前記第１の金属膜上および前記
パッシベーション上の少くとも一部に第１の絶縁膜を塗
布により形成し、次に前記パッシベーション膜の一部と
必要ならば前記層間絶縁膜および前記第１の絶縁膜の一
部とを除去して前記第３および第４の導体配線を露出す
る第３および第４の開口部を設け、前記第３および第４
の開口部中並びに前記第１の絶縁膜および場合によって
は前記パッシベーション膜上の前記第３および第４の開
口部を接続する部分に第２の金属膜を形成し、少くとも
前記第２の金属膜上に第２の絶縁膜を塗布により形成す
ることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項２】並設された第１および第２の導体配線
と、この第１および第２の導体配線と交差してこの第１
および第２の導体配線とは異る層に並設された第３およ
び第４の導体配線と、前記第１〜第４の導体配線を互い
に絶縁する層間絶縁膜と、前記第１〜第４の導体配線お
よび前記層間絶縁膜の表面に形成されたパッシベーショ
ン膜とを有する半導体集積回路を加工する方法であっ
て、前記パッシベーション膜の一部と必要ならば前記層
間配線膜の一部とを除去して前記第１および第２の導体
配線の一部を露出する第１および第２の開口部を設け、
前記第１および第２の開口部中並びに前記パッシベーシ
ョン膜上の前記第１および第２の開口部を接続する部分
に第１の金属膜を形成し、前記第１の金属膜状および前
記パッシベーション膜上の少くとも一部に第１の絶縁膜
を塗布により形成し、次に前記パッシベーション膜の一
部と必要ならば前記層間絶縁膜および前記第１の絶縁膜
の一部を除去して前記第３および第４の導体配線を露出
する第３および第４の開口部を設け、前記第３および第
４の開口部中並びに前記第１の絶縁膜および場合によっ
ては前記パッシベーション膜上の前記第３および第４の
開口部を接続する部分に前記第１の金属膜と交差する第
３の金属膜を形成し、少くとも前記第２の金属膜上に第
２の絶縁膜を塗布により形成することを特徴とする半導
体集積回路の製造方法。
【請求項３】上層導体配線と、この上層導体配線の下
側に位置する下層導体配線と、前記上層導体配線および
前記下層導体配線を互いに絶縁する層間絶縁膜と、前記
上層導体配線および前記層間絶縁膜の上に形成されたパ
ッシペーション膜とを有する半導体集積回路を加工する
方法であって、前記下層導体配線の一部である接続部分
およびその周辺部分の上側の前記パッシベーション膜の
一部、前記上層導体配線の一部および必要ならば前記層
間絶縁膜の一部を除去して前記接続部分との間に前記層
間絶縁膜を残す第１の開口部を設け、前記第１の開口部
中および前記パッシベーション膜の少くとも一部の上に
絶縁膜を塗布により形成し、次に前記接続部部分の上側
の前記第１の絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の一部を
除去して第２の開口部を設け、この第２の開口部中およ
び少くとも前記第１の絶縁膜の一部の上に金属膜を形成
し、少なくともこの金属膜上に第２の絶縁膜を塗布によ
り形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】互いに近接する第１および第２の導体配
線と、この第１および第２の導体配線を互いに絶縁する
層間絶縁膜と、前記第１および第２の導体配線および前
記層間絶縁膜の表面に形成されたパッシベーション膜と
を有する半導体集積回路を加工する方法であって、前記
パッシベーション膜の一部と必要ならば前記層間絶縁膜
の一部を除去して前記第１の導体配線の一部を露出する
第１の開口部を設け、前記第１の開口部中および前記パ
ッシベーション膜上の前記第１の開口部に接続する部分
に第１の金属膜を形成し、少くとも前記第１の金属膜上
に第１の絶縁膜を塗布により形成し、次に前記パッシベ
ーション膜の一部と必要ならば前記層間絶縁膜の一部お
よび前記第１の絶縁膜の一部を除去して前記第２の導体
配線を露出する第２の開口部を設け、前記第２の開口部
中および少くとも前記第１の絶縁膜の一部の上に第２の
金属膜を形成し、少くとも前記第２の金属膜上に第２の
絶縁膜を塗布により形成することを特徴とする半導体集
積回路の製造方法。
【請求項５】互いに近接する第１および第２の導体配
線と、この第１および第２の導体配線を互いに絶縁する
層間絶縁膜と、前記第１および第２の導体配線および前
記層間絶縁膜の表面に形成されたパッシベーション膜と
を有する半導体集積回路を加工する方法であって、前記
パッシベーション膜の一部と必要ならば前記層間絶縁膜
の一部を除去して前記第１の導体配線を露出する第１の
開口部を設け、前記第１の導体配線の露出部分に電子ビ
ームを照射して前記第１の導体配線の状態を測定した後
に少くとも前記第１の開口部中に絶縁膜を塗布により形
成し、電子ビームを照射して前記第２の導体配線の状態
を測定するために前記パッシベーション膜と必要ならば
前記層間絶縁膜の一部および前記絶縁膜の一部を除去し
て前記第２の導体配線を露出する第２の開口部を設ける
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項６】リードに近接して導体配線が設けられた
半導体集積回路を加工する方法であって、少くとも前記
リードの表面に絶縁膜を塗布により形成し、電子ビーム
を照射して前記導体配線の状態を測定するために前記導
体配線を露出させることを特徴とする半導体集積回路の
製造方法。
【請求項７】前記絶縁膜並びに前記第１および第２の
絶縁膜は塗布後にスピンコータによって薄く伸ばされ、
さらにキュアされて成形されることを特徴とする請求項
１〜６のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項８】前記絶縁膜並びに前記第１および第２の
絶縁膜は、有桟或いは無桟のシリカ、ポリミイド、感光
性ポリミイドまたはレジストであることを特徴とする請
求項１〜７のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方
法。