JPS59121945A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS59121945A JPS59121945A JP57227759A JP22775982A JPS59121945A JP S59121945 A JPS59121945 A JP S59121945A JP 57227759 A JP57227759 A JP 57227759A JP 22775982 A JP22775982 A JP 22775982A JP S59121945 A JPS59121945 A JP S59121945A
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- JP
- Japan
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- semiconductor integrated
- integrated circuit
- film
- measured
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はストロが走査電子顕微鏡による内部波形の測定
に適する構造の半導体集積回路に関する。
に適する構造の半導体集積回路に関する。
一般に半導体集積回路では集積度が増し、配線幅が細く
なり断点の容量が小さくなるにつれて機械的なグローブ
を直接接触させて内部波形の測定を行なうことは困難に
なる。そこで近時、非接触なグローブであるストロボ走
査電子顕微鏡を用いて半導体集積回路の内部波形の測定
を行なうことが注目されている。
なり断点の容量が小さくなるにつれて機械的なグローブ
を直接接触させて内部波形の測定を行なうことは困難に
なる。そこで近時、非接触なグローブであるストロボ走
査電子顕微鏡を用いて半導体集積回路の内部波形の測定
を行なうことが注目されている。
このストロボ走査電子顕微鏡は、たとえば第１図に示す
ように電子銃１から被測定平面２、すなわち半導体集積
回路の表面へ電子ビーム３を放射する。そして被測定平
面２０表面から放圧される二次電子４を二次電子検出器
５で検出し、この検出データから上記半導体集積回路の
内部波形の測定を行なうものである。ところで一般に電
子銃１は電子ビーム３を被測定平面２へ垂直に入射し、
二次電子検出器５は被測定平面２に乎行に配置し、電子
銃１と二次電子検出器５の干渉を最小限にするようにし
ている。このために被測定平面２から放出される二次電
子４の一部が二次電子検出器５で検出されるに過ぎず、
良好なＳ／Ｎ比を得られない問題があった。
ように電子銃１から被測定平面２、すなわち半導体集積
回路の表面へ電子ビーム３を放射する。そして被測定平
面２０表面から放圧される二次電子４を二次電子検出器
５で検出し、この検出データから上記半導体集積回路の
内部波形の測定を行なうものである。ところで一般に電
子銃１は電子ビーム３を被測定平面２へ垂直に入射し、
二次電子検出器５は被測定平面２に乎行に配置し、電子
銃１と二次電子検出器５の干渉を最小限にするようにし
ている。このために被測定平面２から放出される二次電
子４の一部が二次電子検出器５で検出されるに過ぎず、
良好なＳ／Ｎ比を得られない問題があった。
本発明は上記の事情に癒みてなされたものでストロボ走
査電子顕微鏡による内部波形の測定において二次電子検
出器における検出量を大きくでき、それによってＳ／Ｎ
比を改善することができる半導体集積回路を提供するこ
とを目的とするものである。
査電子顕微鏡による内部波形の測定において二次電子検
出器における検出量を大きくでき、それによってＳ／Ｎ
比を改善することができる半導体集積回路を提供するこ
とを目的とするものである。
すなわち本発明は、半導体集積回路の内部波形の測定を
行なう部位に４１シリコン層ン被看し、ここにコンタク
ドロを形成してアルミニウム膜を蒸着することを特徴と
するものである。
行なう部位に４１シリコン層ン被看し、ここにコンタク
ドロを形成してアルミニウム膜を蒸着することを特徴と
するものである。
以下本発明の一実施例を第２図、第３図に示す半導体集
積回路の断面図、平面図を参照して板、たとえばシリコ
ン基板でこの上に酸化膜７を形成する。そしてストロボ
定食電子顕微鏡により内部波形の測定を行なう部位にポ
リシリコン膜８を被着する。そしてポリシリコン膜８の
上に酸化膜９を形成し、こめ酸化膜９にコンタクドロ１
０ｆ設け、さらにアルミニヮム（、Ｕ）膜１１を被着し
て配線する。
積回路の断面図、平面図を参照して板、たとえばシリコ
ン基板でこの上に酸化膜７を形成する。そしてストロボ
定食電子顕微鏡により内部波形の測定を行なう部位にポ
リシリコン膜８を被着する。そしてポリシリコン膜８の
上に酸化膜９を形成し、こめ酸化膜９にコンタクドロ１
０ｆ設け、さらにアルミニヮム（、Ｕ）膜１１を被着し
て配線する。
このような半導体集積回路に対してストロボ走査電子顕
微鏡で内部波形の測定を行なう場合、第２図に示すよう
に電子ビーム３をコンタクドロ１０のエツジ部１２へ照
射する。上記コンタクドロ１０はそのエツジ部１２は若
干傾斜した面になるのでここから放出される二次電子４
は効率よく二次電子検出器５で検出でき、それによって
８７Ｎ比を改善することができる。なお上記コンタクド
ロ１０のエツジ部１２は通常のエツチング加工では必然
的に傾斜面が形成されるので好都合である。
微鏡で内部波形の測定を行なう場合、第２図に示すよう
に電子ビーム３をコンタクドロ１０のエツジ部１２へ照
射する。上記コンタクドロ１０はそのエツジ部１２は若
干傾斜した面になるのでここから放出される二次電子４
は効率よく二次電子検出器５で検出でき、それによって
８７Ｎ比を改善することができる。なお上記コンタクド
ロ１０のエツジ部１２は通常のエツチング加工では必然
的に傾斜面が形成されるので好都合である。
なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく、た
とえば第４図に示す平面図のように半導体集積回路のボ
ンディング・パッド部に適用するようにしてもよい。す
なわちボンディング・パッド部に凹所な形成するために
、たとえばシリコン基板６上の酸化膜９に穴をあけて、
この上にデンディング・ノソツド用のアルミニウム膜１
１を被着する。なお基板６とアルミニウム膜１１との間
には両者の導通な防止するためにポリシリコン膜８ン設
ける。この場合、ボンディング・パッド部の全面に上記
ポリシリコン膜８を設けると、アルミニウム膜１１に対
する結合容量が大きくなるのでコンタクドロ１０および
ポリシリコン膜８０面積は極力、小さくすることが望ま
しい。実験的にはポリシリコン膜８の大きさは４×４μ
ｍのものが可能であり、この程度であれば上記結合容量
の悪影響は無視することができる。なお上記アルミニウ
ム膜とポリシリコン膜との間で導通を図る必要はない。
とえば第４図に示す平面図のように半導体集積回路のボ
ンディング・パッド部に適用するようにしてもよい。す
なわちボンディング・パッド部に凹所な形成するために
、たとえばシリコン基板６上の酸化膜９に穴をあけて、
この上にデンディング・ノソツド用のアルミニウム膜１
１を被着する。なお基板６とアルミニウム膜１１との間
には両者の導通な防止するためにポリシリコン膜８ン設
ける。この場合、ボンディング・パッド部の全面に上記
ポリシリコン膜８を設けると、アルミニウム膜１１に対
する結合容量が大きくなるのでコンタクドロ１０および
ポリシリコン膜８０面積は極力、小さくすることが望ま
しい。実験的にはポリシリコン膜８の大きさは４×４μ
ｍのものが可能であり、この程度であれば上記結合容量
の悪影響は無視することができる。なお上記アルミニウ
ム膜とポリシリコン膜との間で導通を図る必要はない。
以上のように本発明によれば、ストロボ走査電子顕微鏡
による内部電位の測定において、二次電子検出器による
二次電子の検出量を大きくでき、それによって良好なＳ
／Ｎ比を得ることができる半導体集積回路を提供するこ
とができる。
による内部電位の測定において、二次電子検出器による
二次電子の検出量を大きくでき、それによって良好なＳ
／Ｎ比を得ることができる半導体集積回路を提供するこ
とができる。
第１図はストロボ走査′淑子顕微鏡の測定系の一例を示
す図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図
は上記実施例の平面図、第４図は本発明の他の実施例を
示す平面図である。 １・・・電そ銃、３・・・電子ビーム、４・・・二次電
子、５・・・Ｔ、欠鷹子検出器、６・・・半導体基板、
７・・・酸化膜、８・・・ポリシリコン膜、９・・・酸
化膜、１０・・・コンタクドロ、１１・・・アルミニウ
ム膜。 出願人代理人 弁理土鈴 圧式 彦 第 １ｒＡ 第 ２ 図
す図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図
は上記実施例の平面図、第４図は本発明の他の実施例を
示す平面図である。 １・・・電そ銃、３・・・電子ビーム、４・・・二次電
子、５・・・Ｔ、欠鷹子検出器、６・・・半導体基板、
７・・・酸化膜、８・・・ポリシリコン膜、９・・・酸
化膜、１０・・・コンタクドロ、１１・・・アルミニウ
ム膜。 出願人代理人 弁理土鈴 圧式 彦 第 １ｒＡ 第 ２ 図
Claims (1)
- （１） ストロボ走査電子顕微鏡によって非接触に内
部波形の測定を行なう半導体の集積回路において、内部
波形の測定を行なう部位に被着したポリシリコン膜と、
この上に形成したエツジ部の傾斜したコンタクドロと、
このコンタクドロの上に被着して配線するアルミニクム
膜とを具備すること乞特徴とする半導体集積回路。 （２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、内部
電位の測定を行なう部位をボンディング・パッド部に設
け、該部位のアルミニクム膜の下にだけポリシリコン層
を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227759A JPS59121945A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227759A JPS59121945A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121945A true JPS59121945A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16865927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227759A Pending JPS59121945A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808495A (en) * | 1991-11-26 | 1998-09-15 | Furuno Electric Company, Limited | Magnetron driving circuit |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57227759A patent/JPS59121945A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808495A (en) * | 1991-11-26 | 1998-09-15 | Furuno Electric Company, Limited | Magnetron driving circuit |
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