JPH02225340A - ガラスセラミック焼結体 - Google Patents
ガラスセラミック焼結体Info
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- JPH02225340A JPH02225340A JP4411489A JP4411489A JPH02225340A JP H02225340 A JPH02225340 A JP H02225340A JP 4411489 A JP4411489 A JP 4411489A JP 4411489 A JP4411489 A JP 4411489A JP H02225340 A JPH02225340 A JP H02225340A
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- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052644 β-spodumene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000505 Al2TiO5 Inorganic materials 0.000 claims 1
- AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N propan-2-yl (e)-but-2-enoate Chemical compound C\C=C\C(=O)OC(C)C AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- -1 phthalate ester Chemical class 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/04—Particles; Flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/20—Glass-ceramics matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ガラスセラミック焼結体に関し、詳しくは
、各種半導体部品を搭載したり、電気信号の入出力用端
子ビン等を取り付けたりして機能モジュールを構成する
ためのセラミック配線基板等として利用されるガラスセ
ラミック焼結体に関するものである。
、各種半導体部品を搭載したり、電気信号の入出力用端
子ビン等を取り付けたりして機能モジュールを構成する
ためのセラミック配線基板等として利用されるガラスセ
ラミック焼結体に関するものである。
近年、高集積化したLSIや各種の電子素子を多数搭載
する多層配線基板においては、小型化や高信頼性等に対
する要求から、基板材料としてセラミックスを利用する
ことが広まってきている。
する多層配線基板においては、小型化や高信頼性等に対
する要求から、基板材料としてセラミックスを利用する
ことが広まってきている。
セラミックスの中でもアルミナは比較的高い強度を有す
るので、アルミナを主材料とするセラミック多層配線基
板が、配線基板に入出力用ビン等を取り付ける際に割れ
等の欠陥が生じ難く、好ましいものとして使用されてい
る。
るので、アルミナを主材料とするセラミック多層配線基
板が、配線基板に入出力用ビン等を取り付ける際に割れ
等の欠陥が生じ難く、好ましいものとして使用されてい
る。
しかし、上述のようなアルミナセラミック基板は、比誘
電率が比較的高いために、多層配線中を伝播する信号電
流の伝達時間が長くなり、高速化が困難であることや、
アルミナの熱膨張係数が、配線基板に搭載するLSI等
の電子素子の材料であるシリコンの熱膨張係数に比べて
2倍はど高いために、熱膨張差が大きくなる大型のLS
I素子等の搭載に制限があり、電子素子を実装した配線
基板の耐久性や寿命が短くなる等の問題があったこれら
の問題を解決するには、セラミック基板材料の比誘電率
を下げるとともに、熱膨張係数をシリコンの値に近づけ
ればよい。このような要請を満足させるものとして、発
明者らは、コージェライト系結晶化ガラスセラミック焼
結体からなる基板材料を発明し特許出願しており、例え
ば、特開昭61−13357号に開示されている。
電率が比較的高いために、多層配線中を伝播する信号電
流の伝達時間が長くなり、高速化が困難であることや、
アルミナの熱膨張係数が、配線基板に搭載するLSI等
の電子素子の材料であるシリコンの熱膨張係数に比べて
2倍はど高いために、熱膨張差が大きくなる大型のLS
I素子等の搭載に制限があり、電子素子を実装した配線
基板の耐久性や寿命が短くなる等の問題があったこれら
の問題を解決するには、セラミック基板材料の比誘電率
を下げるとともに、熱膨張係数をシリコンの値に近づけ
ればよい。このような要請を満足させるものとして、発
明者らは、コージェライト系結晶化ガラスセラミック焼
結体からなる基板材料を発明し特許出願しており、例え
ば、特開昭61−13357号に開示されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記先行技術のガラスセラミック焼結体は、強
度が120〜170MPa程度しかなく、多層配線基板
の材料としては強度が低いという欠点があった。例えば
、電気信号用の入出力用ビン等をろう付は等で配線基板
に接続する際には、ろう材と基板との熱膨張差で発生す
る熱応力が加わるので、強度の低い配線基板では割れ等
の欠陥が生じ易くなる。また、ろう付は後の負荷応力が
加わると、ろう付は部から基板が剥離してしまう等の問
題も生じる。そのため、従来のガラスセラミック焼結体
では、高信頼性もしくは高寿命の多層配線基板が得られ
なかった。
度が120〜170MPa程度しかなく、多層配線基板
の材料としては強度が低いという欠点があった。例えば
、電気信号用の入出力用ビン等をろう付は等で配線基板
に接続する際には、ろう材と基板との熱膨張差で発生す
る熱応力が加わるので、強度の低い配線基板では割れ等
の欠陥が生じ易くなる。また、ろう付は後の負荷応力が
加わると、ろう付は部から基板が剥離してしまう等の問
題も生じる。そのため、従来のガラスセラミック焼結体
では、高信頼性もしくは高寿命の多層配線基板が得られ
なかった。
そこで、この発明の課題は、比誘電率が低く熱膨張係数
がシリコンに近いというコージェライト系結晶化ガラス
セラミック焼結体の特徴を損なうことなく、強度を向上
させて、信号伝達の高速化や搭載素子の大型化等に好適
に対応できる多層配線基板を得ることのできるガラスセ
ラミック焼結体を提供することにある。
がシリコンに近いというコージェライト系結晶化ガラス
セラミック焼結体の特徴を損なうことなく、強度を向上
させて、信号伝達の高速化や搭載素子の大型化等に好適
に対応できる多層配線基板を得ることのできるガラスセ
ラミック焼結体を提供することにある。
一般のセラミックスにおいて、理論的には高い強度が得
られるはずであるにもかかわらず、実用強度が理論強度
の数百分の一程度しか得られないのは、セラミックスが
本質的に脆性体であって、靭性に劣ることに起因する。
られるはずであるにもかかわらず、実用強度が理論強度
の数百分の一程度しか得られないのは、セラミックスが
本質的に脆性体であって、靭性に劣ることに起因する。
すなわち、セラミックスの破壊形式が、焼結体の微構造
に非常に敏感であり、焼結体の表面欠陥あるいは内部欠
陥を起点にして、即時破断することによる。従って、セ
ラミックスの靭性を改善して破壊抵抗を高めることによ
って強度を向上させ得ることが見込まれるセラミックス
の靭性改善に対する考え方にはいろいろあるが、その最
も基本的なものとして、材料中にエネルギ散逸源として
の不均一相を分散または析出させる方法、すなわち、材
料の複合化による靭性改善法がある。従来、このような
考え方にもとづく複合化の手段としては、主に、粒子分
散やウィスカー等繊維状物質の分散強化等による方法が
提案されており、分散相によるクラックの進展挙動を制
御(タラソクディフレクション、クランクピンニング等
)することによって、破壊に必要なエネルギーを増大さ
せて靭性向上を図るのである。
に非常に敏感であり、焼結体の表面欠陥あるいは内部欠
陥を起点にして、即時破断することによる。従って、セ
ラミックスの靭性を改善して破壊抵抗を高めることによ
って強度を向上させ得ることが見込まれるセラミックス
の靭性改善に対する考え方にはいろいろあるが、その最
も基本的なものとして、材料中にエネルギ散逸源として
の不均一相を分散または析出させる方法、すなわち、材
料の複合化による靭性改善法がある。従来、このような
考え方にもとづく複合化の手段としては、主に、粒子分
散やウィスカー等繊維状物質の分散強化等による方法が
提案されており、分散相によるクラックの進展挙動を制
御(タラソクディフレクション、クランクピンニング等
)することによって、破壊に必要なエネルギーを増大さ
せて靭性向上を図るのである。
この発明においては、上記のような分散相の形態として
、ウィスカー等の繊維状物質に比べて、比較的均一に分
散させ易い粒子分散型複合セラミックスに注目して、ガ
ラスセラミック焼結体の強度向上を図るものである。
、ウィスカー等の繊維状物質に比べて、比較的均一に分
散させ易い粒子分散型複合セラミックスに注目して、ガ
ラスセラミック焼結体の強度向上を図るものである。
前記課題を解決する、この発明のガラスセラミック焼結
体のうち、請求項1記載の発明は、ガラスセラミック焼
結体を、ガラス組成物粉末に、このガラス組成物粉末よ
りも熱膨張率の小さな低熱膨張率粉末を添加したものを
焼成してなるとともに、前記ガラス組成物粉末の焼成後
の結晶構造における主結晶がα−コージェライトである
ようにしている。
体のうち、請求項1記載の発明は、ガラスセラミック焼
結体を、ガラス組成物粉末に、このガラス組成物粉末よ
りも熱膨張率の小さな低熱膨張率粉末を添加したものを
焼成してなるとともに、前記ガラス組成物粉末の焼成後
の結晶構造における主結晶がα−コージェライトである
ようにしている。
ガラス組成物粉末としては、通常のコージェライト系ガ
ラスセラミック焼結体と同様の組成からなる粉末が便用
できるが、下記のような組成を有するものが好ましい。
ラスセラミック焼結体と同様の組成からなる粉末が便用
できるが、下記のような組成を有するものが好ましい。
5i0248〜63重量%
AI、0.10〜25重量%
Mg0 10〜25重量%
B=Os4〜10重量%
上記のようなガラス組成物粉末を用い、焼結過程で結晶
化が同時進行する、いわゆる晶化焼結を行わせることに
よって、1000℃以下の焼成温度で充分な緻密化が達
成される。また、焼結後の主結晶がα−コージェライト
であることによって、比誘電率が低くなり、熱膨張率が
シリコンに近くなる。
化が同時進行する、いわゆる晶化焼結を行わせることに
よって、1000℃以下の焼成温度で充分な緻密化が達
成される。また、焼結後の主結晶がα−コージェライト
であることによって、比誘電率が低くなり、熱膨張率が
シリコンに近くなる。
上記組成のうち、S r Ozの組成割合が63重量%
を超えると、上記3成分からなるガラス熔融温度が上昇
してしまうばかりか、焼成時の結晶化が著しく、ガラス
粒子表面層が急激に結晶化してしまって、焼結を高める
ガラス成分(相)が不足し、緻密な焼結体が得られない
。48重量%を下回ると、ガラス粉末の結晶化温度が上
昇するので、これに伴って必要な焼成温度も上昇し、成
形体を1000℃以下の温度で焼成したのでは、焼成後
の焼結体が未焼結状態のままになってしまう。
を超えると、上記3成分からなるガラス熔融温度が上昇
してしまうばかりか、焼成時の結晶化が著しく、ガラス
粒子表面層が急激に結晶化してしまって、焼結を高める
ガラス成分(相)が不足し、緻密な焼結体が得られない
。48重量%を下回ると、ガラス粉末の結晶化温度が上
昇するので、これに伴って必要な焼成温度も上昇し、成
形体を1000℃以下の温度で焼成したのでは、焼成後
の焼結体が未焼結状態のままになってしまう。
AItosの組成割合が、25重量%を超えると、焼結
できる温度が上昇し、1000℃以下の焼成温度では充
分な焼結が行えない。10重量%を下回ると、コージェ
ライト結晶が少なくなり、S i Oz M g O
系の結晶が多く析出するようになって比誘電率が上昇し
てしまう。
できる温度が上昇し、1000℃以下の焼成温度では充
分な焼結が行えない。10重量%を下回ると、コージェ
ライト結晶が少なくなり、S i Oz M g O
系の結晶が多く析出するようになって比誘電率が上昇し
てしまう。
MgOの組成割合が25重量%を超えると、おそらくは
、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思われるが、変
形が大きくなるので実用性に乏しい。10重量%を下回
ると、緻密な焼結体が得られない。
、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思われるが、変
形が大きくなるので実用性に乏しい。10重量%を下回
ると、緻密な焼結体が得られない。
B、0.の組成割合が10重量%を超えると、ガラス相
が多く、発泡しやすくなり、焼成可能な温度範囲も狭く
なる。また、機械的強度も弱くなるので実用性に乏しい
。4重量%を下回ると、ガラス粒子の表面層の結晶化が
急激に進み過ぎるために緻密な焼結体となり難い。
が多く、発泡しやすくなり、焼成可能な温度範囲も狭く
なる。また、機械的強度も弱くなるので実用性に乏しい
。4重量%を下回ると、ガラス粒子の表面層の結晶化が
急激に進み過ぎるために緻密な焼結体となり難い。
上記のようなガラス組成物粉末に分散させる低熱膨張率
粉末としては、コージェライト、石英ガラス7チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメンβ−ユークリプタイト
の中から選ばれた少なくとも1種の粉末が好ましい。こ
れらの材料からなる粉末は、ガラスセラミック焼結体の
強度向上に有効であるとともに、前記ガラス組成物粉末
よりも熱膨張率が小さく、ガラスセラミック焼結体の比
誘電率を損なう・こともないものである。但し、上に例
示した以外にも、同様の性質を有する材料であれば、低
熱膨張率粉末として使用できる。
粉末としては、コージェライト、石英ガラス7チタン酸
アルミニウム、β−スポジュメンβ−ユークリプタイト
の中から選ばれた少なくとも1種の粉末が好ましい。こ
れらの材料からなる粉末は、ガラスセラミック焼結体の
強度向上に有効であるとともに、前記ガラス組成物粉末
よりも熱膨張率が小さく、ガラスセラミック焼結体の比
誘電率を損なう・こともないものである。但し、上に例
示した以外にも、同様の性質を有する材料であれば、低
熱膨張率粉末として使用できる。
ガラス組成物粉末に対する、上記低熱膨張率粉末からな
る分散粉末の添加体積分率は50%以下が好ましい。こ
れは、1000℃以下の焼結温度で充分に緻密化させる
ためである。分散粉末が50%を超えると、焼結性が著
しく阻害されるので1000°C以下では充分な緻密体
とならず、焼結体の強度も劣化する。
る分散粉末の添加体積分率は50%以下が好ましい。こ
れは、1000℃以下の焼結温度で充分に緻密化させる
ためである。分散粉末が50%を超えると、焼結性が著
しく阻害されるので1000°C以下では充分な緻密体
とならず、焼結体の強度も劣化する。
焼結温度を1000℃以下にするのは、多層配線板に形
成する導体層として、Au+ Ag、Ag−Pd、Cu
等、低抵抗の金属からなる導体材料をグリーンシート上
に形成して、ガラスセラミンク基板の焼成と同時に導体
層も焼成する場合に、上記のような導体材料の融点が1
000°C以下であるため、ガラスセラミック焼結体の
焼結温度を1000℃以下に設定するのが好ましいので
ある。但し、導体層を同時焼成によって形成しない場合
や、導体材料の融点が違えば、ガラスセラミック焼結体
の焼結温度条件も変わってくる。
成する導体層として、Au+ Ag、Ag−Pd、Cu
等、低抵抗の金属からなる導体材料をグリーンシート上
に形成して、ガラスセラミンク基板の焼成と同時に導体
層も焼成する場合に、上記のような導体材料の融点が1
000°C以下であるため、ガラスセラミック焼結体の
焼結温度を1000℃以下に設定するのが好ましいので
ある。但し、導体層を同時焼成によって形成しない場合
や、導体材料の融点が違えば、ガラスセラミック焼結体
の焼結温度条件も変わってくる。
上記のような材料および焼成条件によって得られたガラ
スセラミック焼結体は、そのまま、多層配線基板等とし
て使用できるが、ガラスセラミック焼結体を焼成した後
、焼成温度以下の加熱温度で熱処理することによって、
さらに高強度のガラスセラミック焼結体を得ることがで
きる。
スセラミック焼結体は、そのまま、多層配線基板等とし
て使用できるが、ガラスセラミック焼結体を焼成した後
、焼成温度以下の加熱温度で熱処理することによって、
さらに高強度のガラスセラミック焼結体を得ることがで
きる。
この発明にかかるガラスセラミック焼結体の用途は、前
記した多層配線基板が最も好適であるが、そのほかにも
、高い強度、低い熱膨張率、小さな比誘電率を必要とす
る各種のガラスセラミック材料としての用途にも通用す
ることができる。
記した多層配線基板が最も好適であるが、そのほかにも
、高い強度、低い熱膨張率、小さな比誘電率を必要とす
る各種のガラスセラミック材料としての用途にも通用す
ることができる。
比誘電率が低く、熱膨張率がシリコンに近いα−コージ
ェライトを主結晶とするガラスセラミック焼結体におい
て、ガラス組成物粉末からなるガラスマトリックスの中
に、ガラスマトリックスよりも熱膨張率の小さな低熱膨
張率粉末を分散させたことによって、焼成後の冷却過程
において、粒子内および粒子周辺に残留応力場が形成さ
れ、その応力場がクランク進展経路に影響を与えること
になる。すなわち、接線方向には引っ張りの残留応力場
が形成され、粒子に接近したクランクは、粒子周辺の引
張応力場の影響によって、粒子に引き寄せられる傾向を
示す。一方、粒子間には、ガラスマトリックスとの熱膨
張差によって圧縮の残留応力場が形成され、クランクの
進展を阻止するように作用する。
ェライトを主結晶とするガラスセラミック焼結体におい
て、ガラス組成物粉末からなるガラスマトリックスの中
に、ガラスマトリックスよりも熱膨張率の小さな低熱膨
張率粉末を分散させたことによって、焼成後の冷却過程
において、粒子内および粒子周辺に残留応力場が形成さ
れ、その応力場がクランク進展経路に影響を与えること
になる。すなわち、接線方向には引っ張りの残留応力場
が形成され、粒子に接近したクランクは、粒子周辺の引
張応力場の影響によって、粒子に引き寄せられる傾向を
示す。一方、粒子間には、ガラスマトリックスとの熱膨
張差によって圧縮の残留応力場が形成され、クランクの
進展を阻止するように作用する。
上記のような作用により、まず、クランク前縁が粒子と
衝突して粒子間で湾曲(ボーイング)あるいはピンニン
グされることによって、破壊エネルギーが増大し、靭性
向上に寄与できるのである。あわせて、分散粒子間すな
わちガラスマトリックス中の残留圧縮応力場の作用によ
り、ガラスマトリックス自体の強度が向上することにも
なる。
衝突して粒子間で湾曲(ボーイング)あるいはピンニン
グされることによって、破壊エネルギーが増大し、靭性
向上に寄与できるのである。あわせて、分散粒子間すな
わちガラスマトリックス中の残留圧縮応力場の作用によ
り、ガラスマトリックス自体の強度が向上することにも
なる。
このように、クラックボーイングやクランクピンニング
等による破壊エネルギーの増大作用と、残留圧縮応力場
によるガラスマトリックス自体の強度向上作用の相乗作
用によって、ガラスセラミック焼結体の強度向上を果た
せるのである。
等による破壊エネルギーの増大作用と、残留圧縮応力場
によるガラスマトリックス自体の強度向上作用の相乗作
用によって、ガラスセラミック焼結体の強度向上を果た
せるのである。
また、この発明では、セラミックスのマトリックス材料
としてガラス系材料を用いており、焼結が主に粘性流動
によって進行するので、低熱膨張率粉末等の分散相を導
入しても、焼結が比較的阻害され難いという利点もある
。そのため、通常の固相焼結による場合には、緻密化の
ために、ホットプレスやHIP等の特別の焼成工程を必
要とするのに対して、ガラス系材料を用いた、この発明
では、分散相を導入した複合系セラミックスでありなが
ら、常圧焼結が可能になる。
としてガラス系材料を用いており、焼結が主に粘性流動
によって進行するので、低熱膨張率粉末等の分散相を導
入しても、焼結が比較的阻害され難いという利点もある
。そのため、通常の固相焼結による場合には、緻密化の
ために、ホットプレスやHIP等の特別の焼成工程を必
要とするのに対して、ガラス系材料を用いた、この発明
では、分散相を導入した複合系セラミックスでありなが
ら、常圧焼結が可能になる。
焼成されたガラスセラミック焼結体を焼成温度以下の加
熱温度で熱処理すると、前記した焼成後の冷却過程にお
ける粒子内および粒子周辺の残留応力場による作用がさ
らに有効になる。これは、熱処理によって、焼結時の焼
成収縮過程で生じたひずみを取り除くことができ、その
後の冷却過程における残留応力場を有効に形成すること
ができたり、焼結体表面あるいは内部に存在する微細欠
陥を鈍化させることができるので、ガラスセラミック焼
結体の強度が一層向上するのである。
熱温度で熱処理すると、前記した焼成後の冷却過程にお
ける粒子内および粒子周辺の残留応力場による作用がさ
らに有効になる。これは、熱処理によって、焼結時の焼
成収縮過程で生じたひずみを取り除くことができ、その
後の冷却過程における残留応力場を有効に形成すること
ができたり、焼結体表面あるいは内部に存在する微細欠
陥を鈍化させることができるので、ガラスセラミック焼
結体の強度が一層向上するのである。
ついで、この発明にかかるガラスセラミック焼結体の具
体的実施例について、その製造方法および各種の性能試
験の結果を説明する。
体的実施例について、その製造方法および各種の性能試
験の結果を説明する。
まず、第1表に示すG−1からG−14のガラス組成物
粉末を製造した。各配合成分を所定の割合に調合した原
料成分を、それぞれアルミナ質ルツボに入れ、約150
0〜1550℃の加熱温度で溶融した。得られた熔融液
を水中投下することによってガラス組成物(フリット)
とした後、アルミナ質ボールミル中で、湿式または乾式
によって粉砕し、平均粒径2〜4μのガラス組成物粉末
を得た。第1表のG−1〜G−10のガラス組成物粉末
は、この発明の実施例となるα−コージェライト結晶を
主結晶とする良質なガラスセラミック焼結体が得られる
前記組成範囲に含まれるものであり、G−11〜G−1
4のガラス組成物粉末は、上記組成範囲を外れた場合の
比較例である。
粉末を製造した。各配合成分を所定の割合に調合した原
料成分を、それぞれアルミナ質ルツボに入れ、約150
0〜1550℃の加熱温度で溶融した。得られた熔融液
を水中投下することによってガラス組成物(フリット)
とした後、アルミナ質ボールミル中で、湿式または乾式
によって粉砕し、平均粒径2〜4μのガラス組成物粉末
を得た。第1表のG−1〜G−10のガラス組成物粉末
は、この発明の実施例となるα−コージェライト結晶を
主結晶とする良質なガラスセラミック焼結体が得られる
前記組成範囲に含まれるものであり、G−11〜G−1
4のガラス組成物粉末は、上記組成範囲を外れた場合の
比較例である。
第
表
上記工程で得られたガラス組成物粉末に対して、第2表
および第3表に示すような、種類およ微添加体積分率で
、低熱膨張率粉末からなる分散粉末を調合したものを、
アルミナ質ボールミル中で湿式または乾式で混合して、
焼結体用粉末材料を得た。上記分散粉末の平均粒径は、
3〜5μであった。
および第3表に示すような、種類およ微添加体積分率で
、低熱膨張率粉末からなる分散粉末を調合したものを、
アルミナ質ボールミル中で湿式または乾式で混合して、
焼結体用粉末材料を得た。上記分散粉末の平均粒径は、
3〜5μであった。
上記のような焼結体用粉末材料に、ポリビニルブチラー
ル樹脂、アクリル樹脂1 フタル酸エステル、ポリエチ
レングリコール、トルエン、キシレン、アルコール等か
らなる有機バインダーを加えて混練し、減圧下で脱泡処
理を行った後、ドクターブレード法で基材フィルム上に
0.8 mm厚の連続シートを作製した。これを乾燥し
た後、基材フィルムから連続シートを剥がし、60mm
角および6X43mmサイズに打ち抜いてグリーンシー
トを得た。
ル樹脂、アクリル樹脂1 フタル酸エステル、ポリエチ
レングリコール、トルエン、キシレン、アルコール等か
らなる有機バインダーを加えて混練し、減圧下で脱泡処
理を行った後、ドクターブレード法で基材フィルム上に
0.8 mm厚の連続シートを作製した。これを乾燥し
た後、基材フィルムから連続シートを剥がし、60mm
角および6X43mmサイズに打ち抜いてグリーンシー
トを得た。
各グリーンシートを、アルミナ質多孔体からなる薄板上
に配置し、第1図に示すような加熱プロファイルにした
がって、最高加熱温度1000℃で大気雰囲気中で焼成
してガラスセラミック焼結体を得た。
に配置し、第1図に示すような加熱プロファイルにした
がって、最高加熱温度1000℃で大気雰囲気中で焼成
してガラスセラミック焼結体を得た。
得られたガラスセラミンク焼結体のうち、前記60mm
角から焼成後に約50mm角になった試料については、
周波数IMHzにおける比誘電率、吸水率を測定した。
角から焼成後に約50mm角になった試料については、
周波数IMHzにおける比誘電率、吸水率を測定した。
前記6X43mn+から約5X35mmになった試料に
ついては、3点曲げによる抗折強度および熱膨張係数を
測定した。その結果を第2表および第3表に示している
。
ついては、3点曲げによる抗折強度および熱膨張係数を
測定した。その結果を第2表および第3表に示している
。
以上の結果から、この発明にかかる実施例のガラスセラ
ミック焼結体は、吸水率が低く緻密な焼結体が得られて
いることが判るとともに、熱膨張率はシリコンに近く、
比誘電率は小さく、しかも抗折強度が高いという優れた
性質を備えていることが実証された。
ミック焼結体は、吸水率が低く緻密な焼結体が得られて
いることが判るとともに、熱膨張率はシリコンに近く、
比誘電率は小さく、しかも抗折強度が高いという優れた
性質を備えていることが実証された。
この発明のガラスセラミック焼結体においては、低熱膨
張率粉末からなる分散粉末の添加体積分率を増やすにつ
れて、焼結時のガラスの粘性が高くなる傾向があり、あ
まり分散粉末が多いと焼結体の充分な緻密化が行われな
い場合もある。例えと、実施例1と間しガラス組成物粉
末(G−9)に、コージェライト30体積%を分散粉末
として添加してなる比較例1の場合、第2図に示す焼成
時の収縮特性のように充分な収縮が得られないため、焼
結体が吸水率の高いポーラス体になってしまい、強度が
低くなっている。したがって、ガラス組成物粉末の組成
と分散粉末の種類および添加量の組み合わせによって、
充分な緻密体が得られないような焼結体については、こ
の発明の範囲外とする。
張率粉末からなる分散粉末の添加体積分率を増やすにつ
れて、焼結時のガラスの粘性が高くなる傾向があり、あ
まり分散粉末が多いと焼結体の充分な緻密化が行われな
い場合もある。例えと、実施例1と間しガラス組成物粉
末(G−9)に、コージェライト30体積%を分散粉末
として添加してなる比較例1の場合、第2図に示す焼成
時の収縮特性のように充分な収縮が得られないため、焼
結体が吸水率の高いポーラス体になってしまい、強度が
低くなっている。したがって、ガラス組成物粉末の組成
と分散粉末の種類および添加量の組み合わせによって、
充分な緻密体が得られないような焼結体については、こ
の発明の範囲外とする。
また、ガラスマトリックス自体の粘性が高いもの(ガラ
ス組成物粉末G−13,14を用いたもの)の場合には
、分散粉末を添加することによって焼結性が悪くなり、
例えば、比較例11のように、分散粉末の添加体積分率
が10%でも、充分な緻密体が得られない。したがって
、分散粉末の種類および添加体積分率とガラス組成物粉
末の組成の組み合わせを適当に選択することによって、
緻密で高強度なガラスセラミック焼結体を得るようにし
なければならない。
ス組成物粉末G−13,14を用いたもの)の場合には
、分散粉末を添加することによって焼結性が悪くなり、
例えば、比較例11のように、分散粉末の添加体積分率
が10%でも、充分な緻密体が得られない。したがって
、分散粉末の種類および添加体積分率とガラス組成物粉
末の組成の組み合わせを適当に選択することによって、
緻密で高強度なガラスセラミック焼結体を得るようにし
なければならない。
第2表に示す各実施例は、ガラス組成物粉末組成割合、
および、低熱膨張率粉末の種類と添加量を、この発明の
範囲内で適当に選択して実施したものであり、何れの実
施例においても、吸水率0゜65%以下の緻密体が得ら
れ、抗折強度も180〜250MPaと高い値を示して
いる。また、比誘電率および熱膨張率も実用上、充分な
値が得られた。
および、低熱膨張率粉末の種類と添加量を、この発明の
範囲内で適当に選択して実施したものであり、何れの実
施例においても、吸水率0゜65%以下の緻密体が得ら
れ、抗折強度も180〜250MPaと高い値を示して
いる。また、比誘電率および熱膨張率も実用上、充分な
値が得られた。
これに対し、分散粉末の添加体積分率が60〜70%で
ある比較例12〜21では、ガラスマトリックスを低粘
性にするようなガラス組成物粉末(比較例G−11,1
2)を使用しているにもかかわらず、もはや充分な緻密
体が得られなくなってしまう。また、この場合は、ガラ
スセラミンク焼結体の結晶構造が、α−コージェライト
相の少ないものとなるので実用に供し得ない。
ある比較例12〜21では、ガラスマトリックスを低粘
性にするようなガラス組成物粉末(比較例G−11,1
2)を使用しているにもかかわらず、もはや充分な緻密
体が得られなくなってしまう。また、この場合は、ガラ
スセラミンク焼結体の結晶構造が、α−コージェライト
相の少ないものとなるので実用に供し得ない。
次に、前記実施例1〜5で得られたガラスセラミック焼
結体を、第3図に示す加熱プロファイルにしたがって、
焼結温度よりも低い加熱温度で熱処理した後に、各特性
を測定した。その結果を、第4表の実施例26〜30に
示しており、熱処理を施さない場合に比べて、約10%
程度の強度向上効果があることが実証できた。
結体を、第3図に示す加熱プロファイルにしたがって、
焼結温度よりも低い加熱温度で熱処理した後に、各特性
を測定した。その結果を、第4表の実施例26〜30に
示しており、熱処理を施さない場合に比べて、約10%
程度の強度向上効果があることが実証できた。
以上に述べた、この発明にかかるガラスセラミック焼結
体のうち、請求項1記載の発明によれば、焼成後の結晶
構造における主結晶がα−コージェライトであるガラス
組成物粉末に対して、低熱膨張率粉末を添加して焼成し
て得られたものであることによって、比誘電率や熱膨張
率を、従来のコージェライト系結晶化ガラスセラミ・ツ
ク焼結体と同様に良好な範囲に維持しながら、強度を大
幅に向上させることができる。したがって、信号伝達の
高速化あるいは搭載する集積回路の大型化に良好に対応
できる多層配線基板の材料として好適なガラスセラミッ
ク焼結体を提供できることになる。
体のうち、請求項1記載の発明によれば、焼成後の結晶
構造における主結晶がα−コージェライトであるガラス
組成物粉末に対して、低熱膨張率粉末を添加して焼成し
て得られたものであることによって、比誘電率や熱膨張
率を、従来のコージェライト系結晶化ガラスセラミ・ツ
ク焼結体と同様に良好な範囲に維持しながら、強度を大
幅に向上させることができる。したがって、信号伝達の
高速化あるいは搭載する集積回路の大型化に良好に対応
できる多層配線基板の材料として好適なガラスセラミッ
ク焼結体を提供できることになる。
請求項2記載の発明によれば、ガラス組成物粉末の組成
割合を適当に設定することによって、前記のような結晶
構造を有し、比誘電率や熱膨張率が良好であるガラスセ
ラミック焼結体を得ることができるとともに、ガラスセ
ラミック焼結体の焼結温度を1000℃以下の焼成温度
で実施することができるので、多層配線基板として使用
したときに、低抵抗の金属からなる導体材料とグリーン
シートの同時焼成によって配線回路を形成することが可
能になり、多層配線基板の製造の能率化および高品質化
を果たせる。
割合を適当に設定することによって、前記のような結晶
構造を有し、比誘電率や熱膨張率が良好であるガラスセ
ラミック焼結体を得ることができるとともに、ガラスセ
ラミック焼結体の焼結温度を1000℃以下の焼成温度
で実施することができるので、多層配線基板として使用
したときに、低抵抗の金属からなる導体材料とグリーン
シートの同時焼成によって配線回路を形成することが可
能になり、多層配線基板の製造の能率化および高品質化
を果たせる。
請求項3記載の発明によれば、低熱膨張率粉末として前
記のような材料からなるものを使用することによって、
請求項1記載の発明の前記効果を良好に発揮することが
できる。
記のような材料からなるものを使用することによって、
請求項1記載の発明の前記効果を良好に発揮することが
できる。
第1図はこの発明にかかる実施例および比較例の焼結時
における加熱プロファイルを示すグラフ図、第2図は焼
結時の収縮率を比較するグラフ図、第3図は焼結後の熱
処理における加熱プロファイルを示すグラフ図である。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第1図 第3図 第2図 時間(hr、) 8o。 温度t) 1αカ
における加熱プロファイルを示すグラフ図、第2図は焼
結時の収縮率を比較するグラフ図、第3図は焼結後の熱
処理における加熱プロファイルを示すグラフ図である。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第1図 第3図 第2図 時間(hr、) 8o。 温度t) 1αカ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ガラス組成物粉末に、このガラス組成物粉末よりも
熱膨張率の小さな低熱膨張率粉末を添加したものを焼成
してなるとともに、前記ガラス組成物粉末の焼成後の結
晶構造における主結晶がα−コージェライトであるガラ
スセラミック焼結体 2 ガラス組成物粉末が、 SiO_248〜63重量% Al_2O_310〜25重量% MgO10〜25重量% B_2O_34〜10重量% からなる組成を有する粉末である請求項1記載のガラス
セラミック焼結体。 3 低熱膨張率粒子が、コージェライト、石英ガラス、
チタン酸アルミニウム、β−スポジュメン、β−ユーク
リプタイトの中から選ばれた少なくとも1種以上の粉末
である請求項1または2記載のガラスセラミック焼結体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4411489A JPH02225340A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ガラスセラミック焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4411489A JPH02225340A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ガラスセラミック焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02225340A true JPH02225340A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12682578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4411489A Pending JPH02225340A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | ガラスセラミック焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02225340A (ja) |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4411489A patent/JPH02225340A/ja active Pending
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