JPH0222298Y2 - - Google Patents
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- JPH0222298Y2 JPH0222298Y2 JP1982201776U JP20177682U JPH0222298Y2 JP H0222298 Y2 JPH0222298 Y2 JP H0222298Y2 JP 1982201776 U JP1982201776 U JP 1982201776U JP 20177682 U JP20177682 U JP 20177682U JP H0222298 Y2 JPH0222298 Y2 JP H0222298Y2
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- optical memory
- memory medium
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Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、IDカードに関するものである。
身分証明書、定期券、抽選券、会員証、クレジツ
トカード、銀行カード、現金自動支払い機用カー
ド等の照明用カード（IDカード）は、一般にプ
ラスチツク製で、その中に一定量の情報を蓄え、
これにより、個人の照合やデーター処理を行なう
機能を有している。したがつてIDカードは、各
種データーを記録して証明機能を有することが必
要であるとともに、偽造、変造等の改ざんを防止
する機能が必要である。
身分証明書、定期券、抽選券、会員証、クレジツ
トカード、銀行カード、現金自動支払い機用カー
ド等の照明用カード（IDカード）は、一般にプ
ラスチツク製で、その中に一定量の情報を蓄え、
これにより、個人の照合やデーター処理を行なう
機能を有している。したがつてIDカードは、各
種データーを記録して証明機能を有することが必
要であるとともに、偽造、変造等の改ざんを防止
する機能が必要である。
しかしながら従来のエンボスカードやOCRカ
ード、パンチカード、磁気カード等では蓄積され
る情報量が非常に少なく、また磁気カード以外は
情報内容が容易に解読でき、磁気カードでも情報
内容を簡単な装置を用いて判読することができ
る。また、比較的情報量が多く保存できる磁気カ
ードでもハンドバツクの口金の磁石や磁気ネツク
レス等の外部磁場の影響により、情報が消去され
たり、変化したりしてカードに対する信頼性が低
い。しかも偽造や改ざんがやり易く、不正使用が
されやすいためセキユリテイーの点で問題があ
る。また、IDカードは個人が携帯したり、呈示
したりして使用するものであり、使用環境、使用
条件が極めて苛酷であり、損傷しやすく、この損
傷が読取り、書込み精度に影響を与えることがあ
り、この対策技術も開発されていない。さらに従
来のIDカードは情報の書込み読取りがカードの
一方の表面からだけ行うようになつており、カー
ドの裏面を有効に利用していないため、含ませ得
る情報量が少なく不便であつた。また、光メモリ
ー媒体の経時的劣化や剥離等も問題になつてい
る。この様なことから、現行カード類では銀行カ
ードの様な金銭処理を行なう情報処理カードでし
かもオフライン処理を目的とした満足されるID
カードは存在しない。
ード、パンチカード、磁気カード等では蓄積され
る情報量が非常に少なく、また磁気カード以外は
情報内容が容易に解読でき、磁気カードでも情報
内容を簡単な装置を用いて判読することができ
る。また、比較的情報量が多く保存できる磁気カ
ードでもハンドバツクの口金の磁石や磁気ネツク
レス等の外部磁場の影響により、情報が消去され
たり、変化したりしてカードに対する信頼性が低
い。しかも偽造や改ざんがやり易く、不正使用が
されやすいためセキユリテイーの点で問題があ
る。また、IDカードは個人が携帯したり、呈示
したりして使用するものであり、使用環境、使用
条件が極めて苛酷であり、損傷しやすく、この損
傷が読取り、書込み精度に影響を与えることがあ
り、この対策技術も開発されていない。さらに従
来のIDカードは情報の書込み読取りがカードの
一方の表面からだけ行うようになつており、カー
ドの裏面を有効に利用していないため、含ませ得
る情報量が少なく不便であつた。また、光メモリ
ー媒体の経時的劣化や剥離等も問題になつてい
る。この様なことから、現行カード類では銀行カ
ードの様な金銭処理を行なう情報処理カードでし
かもオフライン処理を目的とした満足されるID
カードは存在しない。
この考案は上記のごとき事情に鑑みてなされた
ものであつて、カードの両面を有効に利用して、
蓄積される情報量が極めて多く、かつ情報内容の
解読が困難で、蓄積されている情報が外部の磁場
の影響で消去されたり変化したりせず、したがつ
てカードに対する信頼性が高く、また偽造や改ざ
んが困難で不正使用が困難である為セキユリテイ
ーの点でも勝れており、銀行カードの様な金銭処
理を行なう情報処理カードで、しかもオフライン
処理を目的とした満足すべきカードとして使用し
得ることが出来、かつ、製造が容易で、書込み読
取りを良好に行なうことができ、かつ、光メモリ
ー媒体の経時的劣化や剥離等も防止できるIDカ
ードを提供することを目的とするものである。
ものであつて、カードの両面を有効に利用して、
蓄積される情報量が極めて多く、かつ情報内容の
解読が困難で、蓄積されている情報が外部の磁場
の影響で消去されたり変化したりせず、したがつ
てカードに対する信頼性が高く、また偽造や改ざ
んが困難で不正使用が困難である為セキユリテイ
ーの点でも勝れており、銀行カードの様な金銭処
理を行なう情報処理カードで、しかもオフライン
処理を目的とした満足すべきカードとして使用し
得ることが出来、かつ、製造が容易で、書込み読
取りを良好に行なうことができ、かつ、光メモリ
ー媒体の経時的劣化や剥離等も防止できるIDカ
ードを提供することを目的とするものである。
この目的に対応して、この考案の光メモリー媒
体を有するIDカードは、光メモリー媒体と前記
光メモリー媒体の光入射側に位置する光透過性の
保護層とを含む積層体からなる光メモリー媒体層
の少なくとも２個を前記光メモリー媒体を内側に
して対向している状態で接着剤層によつて接着し
て備え、かつ前記光メモリー媒体層は側面がカー
ド基材の側面から露出しない状態で前記カード基
材に埋め込まれていることを特徴としている。
体を有するIDカードは、光メモリー媒体と前記
光メモリー媒体の光入射側に位置する光透過性の
保護層とを含む積層体からなる光メモリー媒体層
の少なくとも２個を前記光メモリー媒体を内側に
して対向している状態で接着剤層によつて接着し
て備え、かつ前記光メモリー媒体層は側面がカー
ド基材の側面から露出しない状態で前記カード基
材に埋め込まれていることを特徴としている。
以下、この考案の詳細を一実施例を示す図面に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図において、１はIDカードであり、IDカ
ード１はカード基材２の両側に光メモリー媒体層
３を取付けてなるものである。
ード１はカード基材２の両側に光メモリー媒体層
３を取付けてなるものである。
カード基材２は１層または２層以上の層構成か
ら成り、この実施例では骨白PVCのコアシート
４、透明PVCのオーバーシート５，６の３層か
らなり、かつオーバーシート５および６を貫通し
てコアシート４の両側に形成される空所７を備え
ている。
ら成り、この実施例では骨白PVCのコアシート
４、透明PVCのオーバーシート５，６の３層か
らなり、かつオーバーシート５および６を貫通し
てコアシート４の両側に形成される空所７を備え
ている。
２つの光メモリー媒体層３は、それぞれ光メモ
リー媒体８と保護層９とが重層して構成してお
り、その光メモリー媒体層３を接着剤層１１によ
つて、カード基材２の空所７内に貼着固定する。
リー媒体８と保護層９とが重層して構成してお
り、その光メモリー媒体層３を接着剤層１１によ
つて、カード基材２の空所７内に貼着固定する。
光メモリー媒体８は、その記録形式として再生
専用型、追加記録可能型、消去可能型のいずれを
採用するかによつて異なるが、再生専用型にする
場合はAl，Cr，Au，Rlを使用し、追加記録可能
型にする場合にはTe，In，Bi，CS2−Te，Te−
Ｃ，TeOx等の金属薄膜、TeAs等のアモルフア
ス薄膜、または色素薄膜、銀／ポリマー等の有機
薄膜を使用する。さらに、消去可能型にする場合
は、Mn−Bi系薄膜、ガーネツト系薄膜、非晶質
Ｒ−Ｔ薄膜、CrO2−ガーネツト等複合膜、等の
光磁気材料、As−Se−Ｓ−Ge等のアモルフアス
半導体、スチレンオリゴマー等の色素混入ポリマ
ー、または、VO2，SnS等の金属半導体を使用す
る。
専用型、追加記録可能型、消去可能型のいずれを
採用するかによつて異なるが、再生専用型にする
場合はAl，Cr，Au，Rlを使用し、追加記録可能
型にする場合にはTe，In，Bi，CS2−Te，Te−
Ｃ，TeOx等の金属薄膜、TeAs等のアモルフア
ス薄膜、または色素薄膜、銀／ポリマー等の有機
薄膜を使用する。さらに、消去可能型にする場合
は、Mn−Bi系薄膜、ガーネツト系薄膜、非晶質
Ｒ−Ｔ薄膜、CrO2−ガーネツト等複合膜、等の
光磁気材料、As−Se−Ｓ−Ge等のアモルフアス
半導体、スチレンオリゴマー等の色素混入ポリマ
ー、または、VO2，SnS等の金属半導体を使用す
る。
保護層９としては、ポリエステル樹脂、アクリ
ル樹脂またはポリカーボネート樹脂を使用する。
これらの保護層を光メモリー媒体８の光入射側に
設ける。この保護層９は書込み、読取りに際し
て、カード表面上のごみやきずによるメモリー媒
体８上での書込み、読取りに対する影響を小さく
させる機能を有するもので、カード表面上に一定
大きさのスポツトをつくりメモリー媒体上に焦点
をつくるようにする必要がある。したがつてその
様な収束をさせるに必要な光路長を確保するに必
要な厚みを持つことが必要である。第２図に示す
実施例ではカード基材２および光メモリー媒体層
３の表面をPVC製の保護シート３５，３６で覆
つたものであつて、これは改ざんの防止に有効で
ある。この保護シート３５，３６はカード基材２
および光メモリー媒体８を損傷から保護するとと
もに読取り書込みヘツドとの距離を確保してカー
ド表面上のきずやごみの影響をなくし光メモリー
媒体８に集光する場合のフオーカス効果を生じさ
せる機能を発揮する。また、カード基材２を骨白
PVC製のコアシート４の単層とし、そこに空所
７を形成している。かつ空所７内には２つの光メ
モリー媒体層３を対称に配設している。この場合
２つの光メモリー媒体層３の対向している光メモ
リー媒体８を接着剤の層１１で接着している。
ル樹脂またはポリカーボネート樹脂を使用する。
これらの保護層を光メモリー媒体８の光入射側に
設ける。この保護層９は書込み、読取りに際し
て、カード表面上のごみやきずによるメモリー媒
体８上での書込み、読取りに対する影響を小さく
させる機能を有するもので、カード表面上に一定
大きさのスポツトをつくりメモリー媒体上に焦点
をつくるようにする必要がある。したがつてその
様な収束をさせるに必要な光路長を確保するに必
要な厚みを持つことが必要である。第２図に示す
実施例ではカード基材２および光メモリー媒体層
３の表面をPVC製の保護シート３５，３６で覆
つたものであつて、これは改ざんの防止に有効で
ある。この保護シート３５，３６はカード基材２
および光メモリー媒体８を損傷から保護するとと
もに読取り書込みヘツドとの距離を確保してカー
ド表面上のきずやごみの影響をなくし光メモリー
媒体８に集光する場合のフオーカス効果を生じさ
せる機能を発揮する。また、カード基材２を骨白
PVC製のコアシート４の単層とし、そこに空所
７を形成している。かつ空所７内には２つの光メ
モリー媒体層３を対称に配設している。この場合
２つの光メモリー媒体層３の対向している光メモ
リー媒体８を接着剤の層１１で接着している。
この様な光メモリー媒体層３のカード上の配設
位置は各種採用することができる。すなわち、カ
ードの一方の面の光メモリー媒体層３の配設位置
については第３図から第５図に示すようにするこ
とができる。カードの一対の面に位置する光メモ
リー媒体層３についてはそれぞれがカードの表裏
面上で対向して位置するという条件を満たすかぎ
り、任意の位置の配設にすることができる。第３
図に示す実施例では光メモリー媒体層のストライ
プの長さをカード基材の長さよりも僅かに短くし
て、ストライプの両端をカード基材の両端と一致
させず、光メモリー媒体層３の両端面がカード基
材の端面から露出しない状態でカード基材に埋め
込み光メモリー媒体層３の剥離を防止したもので
ある。第４図に示すものは光メモリー媒体層３を
小片状にしてカードの下端側部に表裏面で対向さ
せて埋め込んで設けたものであり、第５図に示す
実施例ではIDカードに磁気ストライプを併用す
る場合にその磁気ストライプと光メモリー媒体層
３のストライプをカードの同一面において重なら
ないようにして配設しかつ光メモリー媒体層３の
長さをカード基材２の長さよりも僅かに短くし
て、ストライプの両端をカード基材の両端と一致
させず、光メモリー媒体層３の両端面がカード基
材２の端面から露出しない状態でカード基材に埋
め込み、光メモリー媒体層３の剥離を防止したも
のである。
位置は各種採用することができる。すなわち、カ
ードの一方の面の光メモリー媒体層３の配設位置
については第３図から第５図に示すようにするこ
とができる。カードの一対の面に位置する光メモ
リー媒体層３についてはそれぞれがカードの表裏
面上で対向して位置するという条件を満たすかぎ
り、任意の位置の配設にすることができる。第３
図に示す実施例では光メモリー媒体層のストライ
プの長さをカード基材の長さよりも僅かに短くし
て、ストライプの両端をカード基材の両端と一致
させず、光メモリー媒体層３の両端面がカード基
材の端面から露出しない状態でカード基材に埋め
込み光メモリー媒体層３の剥離を防止したもので
ある。第４図に示すものは光メモリー媒体層３を
小片状にしてカードの下端側部に表裏面で対向さ
せて埋め込んで設けたものであり、第５図に示す
実施例ではIDカードに磁気ストライプを併用す
る場合にその磁気ストライプと光メモリー媒体層
３のストライプをカードの同一面において重なら
ないようにして配設しかつ光メモリー媒体層３の
長さをカード基材２の長さよりも僅かに短くし
て、ストライプの両端をカード基材の両端と一致
させず、光メモリー媒体層３の両端面がカード基
材２の端面から露出しない状態でカード基材に埋
め込み、光メモリー媒体層３の剥離を防止したも
のである。
このように構成されたIDカードは、記録媒体
として光メモリー媒体を備え、この光メモリー媒
体の特性として記憶情報量が極めて多く、したが
つて従来のエンボスカードやOCRカード、パン
チカード、磁気カード等に比べて蓄積される情報
量が非常に多く、また情報内容の判読が極めて困
難である。しかもこの光メモリー媒体はIDカー
ドの両面に設けられ、蓄積される情報量が多くな
るだけでなく、カードの両面について同時に読取
り、書込みが可能となり、処理を高速で行うこと
ができる。また、ハンドバツクの口金の磁石や磁
気ネツクレス等の外部磁場の影響により、情報が
消去されたり、変化したりしてカードに対する信
頼性が低下することもない。しかも偽造や改ざん
が困難で、不正使用がされ難いためセキユリテイ
ーの点でも勝れている。しかも、IDカードは使
用頻度が激しく使用条件が苛酷で、この様な条件
で使用することにより、IDカードが損傷を受け
た場合には、その損傷が微小で不可視的であつて
も、記憶媒体からの記録の読取り、書込み、消去
を正確に行なうことが出来なくなるのであるが、
この考案のIDカードでは、光メモリー媒体の特
性や保護層の存在によつて、IDカードの耐久性
が高められており、苛酷な使用条件においても、
記録の読取り、書込み、消去が正確に行なうこと
ができる。しかも光メモリー媒体層をカード基材
に取付ける技術は従来の磁気記録層を有するID
カードの技術および設備並びにコンパクトデイス
クの技術ををそのまま使用することができ、信頼
性の高い製品を得ることが容易である。
として光メモリー媒体を備え、この光メモリー媒
体の特性として記憶情報量が極めて多く、したが
つて従来のエンボスカードやOCRカード、パン
チカード、磁気カード等に比べて蓄積される情報
量が非常に多く、また情報内容の判読が極めて困
難である。しかもこの光メモリー媒体はIDカー
ドの両面に設けられ、蓄積される情報量が多くな
るだけでなく、カードの両面について同時に読取
り、書込みが可能となり、処理を高速で行うこと
ができる。また、ハンドバツクの口金の磁石や磁
気ネツクレス等の外部磁場の影響により、情報が
消去されたり、変化したりしてカードに対する信
頼性が低下することもない。しかも偽造や改ざん
が困難で、不正使用がされ難いためセキユリテイ
ーの点でも勝れている。しかも、IDカードは使
用頻度が激しく使用条件が苛酷で、この様な条件
で使用することにより、IDカードが損傷を受け
た場合には、その損傷が微小で不可視的であつて
も、記憶媒体からの記録の読取り、書込み、消去
を正確に行なうことが出来なくなるのであるが、
この考案のIDカードでは、光メモリー媒体の特
性や保護層の存在によつて、IDカードの耐久性
が高められており、苛酷な使用条件においても、
記録の読取り、書込み、消去が正確に行なうこと
ができる。しかも光メモリー媒体層をカード基材
に取付ける技術は従来の磁気記録層を有するID
カードの技術および設備並びにコンパクトデイス
クの技術ををそのまま使用することができ、信頼
性の高い製品を得ることが容易である。
また特に、光メモリー媒体層を端部が露出しな
い状態でカード基材に埋め込んで光メモリー媒体
の経時的劣化や剥離を防止し、また、更にデータ
量の増加によつてIDカードのセキユリテイー性
を高めることができる。
い状態でカード基材に埋め込んで光メモリー媒体
の経時的劣化や剥離を防止し、また、更にデータ
量の増加によつてIDカードのセキユリテイー性
を高めることができる。
第１図はIDカードの光メモリー媒体取付け部
の構造を示す横断面拡大説明図、第２図はIDカ
ードの光メモリー媒体取付け部の他の構造を示す
横断面拡大説明図、第３図は他のIDカードの正
面図、第４図は他のIDカードの正面図、及び第
５図は他のIDカードの正面図である。 １……IDカード、２……カード基材、３……
光メモリー媒体層、８……光メモリー媒体、９…
…保護層、１１……接着剤層。
の構造を示す横断面拡大説明図、第２図はIDカ
ードの光メモリー媒体取付け部の他の構造を示す
横断面拡大説明図、第３図は他のIDカードの正
面図、第４図は他のIDカードの正面図、及び第
５図は他のIDカードの正面図である。 １……IDカード、２……カード基材、３……
光メモリー媒体層、８……光メモリー媒体、９…
…保護層、１１……接着剤層。
Claims (1)
- 光メモリー媒体と前記光メモリー媒体の光入射
側に位置する光透過性の保護層とを含む積層体か
らなる光メモリー媒体層の少なくとも２個を前記
光メモリー媒体を内側にして対向している状態で
接着剤層によつて接着して備え、かつ前記光メモ
リー媒体層は側面がカード基材の側面から露出し
ない状態で前記カード基材に埋め込まれているこ
とを特徴とする光メモリー媒体を有するIDカー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20177682U JPS5999778U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光メモリ−媒体を有するｉｄカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20177682U JPS5999778U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光メモリ−媒体を有するｉｄカ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999778U JPS5999778U (ja) | 1984-07-05 |
| JPH0222298Y2 true JPH0222298Y2 (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=30427265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20177682U Granted JPS5999778U (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光メモリ−媒体を有するｉｄカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999778U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0639189B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1994-05-25 | ティーディーケイ株式会社 | 光カ−ド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166099A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-01 | 大日本印刷株式会社 | カ−ド |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP20177682U patent/JPS5999778U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166099A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-01 | 大日本印刷株式会社 | カ−ド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5999778U (ja) | 1984-07-05 |
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