JPH02217825A - 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 液晶セル等の駆動に用いる薄膜トランジスタマトリクス
の製造方法に関し、 表示領域以外に不必要なレジスト膜が存在することに起
因するバターニング不良を無くすことを目的とし、 絶縁性基板上の中央部に表示部を構成する薄膜トランジ
スタマトリクスを形成する工程において、前記絶縁性基
板全面にレジスト膜を形成し、該レジスト膜の表示部形
成領域を除（基板周辺部分を除去後、前記表示部のパタ
ーン形成を行なう構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、液晶セル等の駆動に用いる薄膜トランジスタ
マトリクスの製造方法に関する。

この種の表示装置は２種類の交叉するパスラインを介し
て、各薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を駆動することによ
り表示を行なっているが、この２種類のパスラインと各
ＴＰＴに短絡が生じるとライン欠陥を生じ、ＴＰＴマト
リクスパネルでは重大な欠陥となる。

〔従来の技術］ 液晶表示素子の駆動等に用いられる薄膜トランジスタは
、従来より第２図（ａ）の平面図および（ｂ）の断面図
に示すような構造が採られている。ゲート電極Ｇ及びゲ
ートパスラインＣＢはプラズマ化学気相成長（Ｐ−ＣＶ
Ｄ）法により形成されたゲート絶縁膜２によって被覆さ
れ、その上に動作半導体層３を介してドレインとソース
電極り、Ｓが形成される。ソース電極ＳはＩＴＯを用い
た表示電極Ｅと結合され、ドレイン電極りはドレインパ
スラインＤＢに接続され、各パスラインは外部回路と結
合するため端末電極（図示せず）に導かれる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記表示部の微細パターンは、ガラス基板１の周辺部に
は形成されないにもかかわらず、従来の形成方法では表
示部の微細パターンを形成する際に、ガラス基板１の全
面にレジストを塗布し、周辺部の微細パターン形成に無
関係なレジストも一括して露光１現像して除去していた
。

上記ガラス基板１周辺部のレジストの量は非常に多く、
これを表示部パターンを形成する工程で微細パターンと
ともに一括処理すると、種々の不都合が生じる。

即ち、上記周辺部のレジストの量は非常に多いため、微
細パターンを露光５現像する処理では十分に処理できな
いことが多い。そのため、不溶性のレジスト変成物が生
じて液中の浮遊物となり、ガラス基板１を現像液から引
き上げるときに、その表面に再付着したり、この再付着
物や周辺部に生じるレジスト膜の盛り上がり、更には治
具などとの接触等の原因により生じる膜厚異常部分など
が原因となって、レジスト面とマスクとのギャップがば
らついたりすることによって、バターニング不良が生じ
る。

本発明はこのような表示部以外に不必要なレジスト膜が
存在することに起因するバターニング不良を無くすこと
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明においては、微細パターン形成に不必要なガラス
基板周辺部の不必要なレジスト膜を予め除去してから、
目的のパターン形成を行なう。

〔作　用〕

上述した如くガラス基板周辺部のレジスト膜を予め除去
しておくので、微細パターン形成が必要な基板中央の表
示部のレジスト膜表面を基準としてマスクとの間隔を高
精度で制御できるので、パターン精度が向上する。

また周辺部のレジスト除去に際して、この部分の露光・
現像は微細パターン部をマスクして行なえるので、十分
にオーバー露光、オーバー現像を行なうことが可能であ
り、従って現像液中の不溶物を減らすことができ、パネ
ル（レジストの形成されたガラス基板）への再付着を減
らすか無くすことができる。微細パターンの現像では、
パネル上にレジスト変成物が付着していないので、これ
らが再付着することがなく、バターニング不良を無（す
ことができる。

〔実　施　例〕

以下本発明の一実施例を第１図（ａ）の側面図と（ｂ）
の平面図により説明する。

まずレジスト膜１０を形成し、斜線部で示した微細パタ
ーンが存在しない周辺部（１４）にオーバー露光を施す
。このオーバー露光を施されたレジストは、現像液に十
分に可溶化するので、現像時に完全に溶解除去される。

従って、不溶化したレジストの変成物が現像液中に浮遊
することがなく、レジスト膜１０表面に再付着物等が残
留することはない。

なお、ここでレジスト膜１０を除去する周辺部１４とは
、微細パターンを形成する領域を除いた領域であって、
ゲート電極およびゲートパスライン形成工程であれば、
ゲートパスライン配置領域１２を除く領域であり、ドレ
イン電極およびドレインパスライン形成工程であれば、
ドレインパスライン配置領域１３を除く領域とする。

このように周辺部１４はレジスト膜１０を除去するので
、この部分は現像後下地が露出して中央部のレジスト膜
１０表面より数μｍ低くなり、レジスト膜１０は膜厚異
常等が存在しない中央部のみでマスク１１と接触するの
で、レジスト膜１０とマスク１１とのギャップ制御が向
上する。

微細パターン露光後の現像では、現像されるレジストそ
のものが少ないので、現像液中の不溶物が少なく、再付
着が無くなるか、あっても極めて少なくなる。

第３図は従来の製造方法の問題点説明図である。

図において、１は絶縁性基板（ガラス基板）、Ｇはゲー
ト電極、Ｓはソース電極、Ｄはドレイン電極、ＣＢはゲ
ートパスライン、ＤＢはドレインパスライン、Ｅは表示
電極、１０はレジスト膜、１１はマスク、１２はゲート
パスライン配置領域、１３はドレインパスライン配置領
域、１４は周辺部を示す。

〔発明の効果〕

以上説明した如ぐ本発明によれば、パターン精度が向上
し、レジスト変成物などの再付着が無くなるので、パタ
ーニング工程の製造歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の一実施例を説明する
ための側面図と平面図、 第２図（ａ）、　（ｂ）は薄膜トランジスタの構造を説
明するための平面図と断面図、 ｔａ＋ ゲートパスライン Ｒ 本発明−実ｙ＆例説明図 第　１　図 薄膜トランジスタの構造説明図 ｊ８２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 絶縁性基板（１）上の中央部に表示部を構成する薄膜ト
   ランジスタマトリクスを形成する工程において、 前記絶縁性基板（１）全面にレジスト膜（１０）を形成
   し、該レジスト膜の表示部形成領域を除く基板周辺部分
   を除去後、前記表示部のパターン形成を行なうことを特
   徴とする薄膜トランジスタマトリクスの製造方法。