JPH02217469A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH02217469A JPH02217469A JP3612589A JP3612589A JPH02217469A JP H02217469 A JPH02217469 A JP H02217469A JP 3612589 A JP3612589 A JP 3612589A JP 3612589 A JP3612589 A JP 3612589A JP H02217469 A JPH02217469 A JP H02217469A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化学的気相成長法によるＪ膜の形成方法に関
する。
する。
化学的気相成長（ＣＶＤ）法は、原料ガスと基板表面か
らなる系に対して何らかの形でエネルギーを供給するこ
とで化学反応を進行させ、基板上に膜を形成する技術で
あり、各種半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体
膜、絶縁膜、金属膜の形成に利用されている。半導体装
置の形造プロセスに多く用いられている減圧ＣＶＤ法で
は、反応律速の温度範囲を用いるのが一般的であり、量
産性に優れており、大口径のウェーハに均一性良く膜を
形成することができる。
らなる系に対して何らかの形でエネルギーを供給するこ
とで化学反応を進行させ、基板上に膜を形成する技術で
あり、各種半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体
膜、絶縁膜、金属膜の形成に利用されている。半導体装
置の形造プロセスに多く用いられている減圧ＣＶＤ法で
は、反応律速の温度範囲を用いるのが一般的であり、量
産性に優れており、大口径のウェーハに均一性良く膜を
形成することができる。
減圧ＣＶＤ法で表面反応が律速となるような場合には基
板の種類による選択性が表れることがある。その代表的
な例が高融点金属材料であるＷをＷＦ、とＨ２を原料ガ
スに用いて形成する場合であり、「ジャーナル オブ
エレクトロケミカルソサイアティ ヴオリューム １３
１．ナンバー６ （１９８４）、第１４２７頁から第１
４３３頁（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃ、 １３１（６）、１４２７
（１９８４））Ｊにおいて詳しく論じられている。この
系ではＨ原子によるＷＦ、の還元反応を起こす必要があ
るが、Ｈ２分子の解離がＳｉや金属の表面でしか起こら
ないため、それらの上にのみ選択的に膜形成が生じる。
板の種類による選択性が表れることがある。その代表的
な例が高融点金属材料であるＷをＷＦ、とＨ２を原料ガ
スに用いて形成する場合であり、「ジャーナル オブ
エレクトロケミカルソサイアティ ヴオリューム １３
１．ナンバー６ （１９８４）、第１４２７頁から第１
４３３頁（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃ、 １３１（６）、１４２７
（１９８４））Ｊにおいて詳しく論じられている。この
系ではＨ原子によるＷＦ、の還元反応を起こす必要があ
るが、Ｈ２分子の解離がＳｉや金属の表面でしか起こら
ないため、それらの上にのみ選択的に膜形成が生じる。
この現象は半導体装置のコンタクトやスルーホールにの
みＷを埋め込む技術として期待されている。
みＷを埋め込む技術として期待されている。
しかし、この方法ではＷ膜を配線材料としてＳ ｉ Ｏ
、やＳｉ３Ｎ４といった＃＠縁膜上に形成することが困
難であるという欠点がある。温度を７００℃以上にすれ
ば気相中で還元反応が起こりＳｉｎ。
、やＳｉ３Ｎ４といった＃＠縁膜上に形成することが困
難であるという欠点がある。温度を７００℃以上にすれ
ば気相中で還元反応が起こりＳｉｎ。
上にＷが降り積もって膜が形成されるが、極めて基板と
の接着性が低く、膜内体のストレスで簡単に剥がれてし
まう。
の接着性が低く、膜内体のストレスで簡単に剥がれてし
まう。
５ｉｎ２上にＷ膜をＣＶＤ法で形成する一手段としてレ
ーザＣＶＤ法があり、「第２０回置体素子材料コンファ
レンス予稿集第８９頁から第９２頁」において報告され
ている。この方法によれば、気相中でエキシマレーザ光
を吸収したＷＦ、と１１□が反応してＷ原子が生成され
、Ｓｉ基板上と同程度の４００℃前後の低い基板温度で
ＳｉＯ２上にストレスの小さいＷ膜を形成できる。
ーザＣＶＤ法があり、「第２０回置体素子材料コンファ
レンス予稿集第８９頁から第９２頁」において報告され
ている。この方法によれば、気相中でエキシマレーザ光
を吸収したＷＦ、と１１□が反応してＷ原子が生成され
、Ｓｉ基板上と同程度の４００℃前後の低い基板温度で
ＳｉＯ２上にストレスの小さいＷ膜を形成できる。
また、ＳｉＯ□表面にＳｉをイオン打ち込みした後、表
面をエツチングしてＳｉを表面に露出させそのＳｉによ
りＷＦ、を還元することで５１０２上にＷ膜を形成可能
なことが、［ジャーナル オブエレクトロケミカル ソ
サイアティ ヴオリューム １３５．ナンバー７ （１
９８８）。
面をエツチングしてＳｉを表面に露出させそのＳｉによ
りＷＦ、を還元することで５１０２上にＷ膜を形成可能
なことが、［ジャーナル オブエレクトロケミカル ソ
サイアティ ヴオリューム １３５．ナンバー７ （１
９８８）。
第１７３０頁から第１７３４頁（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃ、 １３
５ （７Ｌ ｌ ７３０（１９８８））Ｊで報告されて
いる。
ｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃ、 １３
５ （７Ｌ ｌ ７３０（１９８８））Ｊで報告されて
いる。
レーザＣＶＤ法では、気相反応を利用しているため形成
されたＷ膜とＳ ＬＯ，の接着性は低く、高温でのアニ
ールを行わなくては接着性は改善されないという問題点
が残っている。
されたＷ膜とＳ ＬＯ，の接着性は低く、高温でのアニ
ールを行わなくては接着性は改善されないという問題点
が残っている。
Ｓｉのイオン打ち込みを利用した方法では１０”／ｃ＋
ａ”程度のドーズ量を加速電圧２５ ｋｅＶで打ち込む
必要があり、スループットの向上が難しい。また、−旦
打ち込んだＳｉをＳ ｉｏ、表面に露出させるためのエ
ツチングが必要で、工程数が増加する。本発明の目的は
、上記のような問題を解決し、Ｓｉｏ、上にＷ膜を形成
する実用的な方法を提供することにある。
ａ”程度のドーズ量を加速電圧２５ ｋｅＶで打ち込む
必要があり、スループットの向上が難しい。また、−旦
打ち込んだＳｉをＳ ｉｏ、表面に露出させるためのエ
ツチングが必要で、工程数が増加する。本発明の目的は
、上記のような問題を解決し、Ｓｉｏ、上にＷ膜を形成
する実用的な方法を提供することにある。
本発明では上記の課題を、触媒反応を利用して解決した
。触媒物質あるいはその化合物を反応容器内に気体、液
体あるいは固体の形態で導入することができる。また膜
形成前、あるいは膜形成中に基板表面に中性ビーム、あ
るいはイオンビームの形態で照射しても良い、場合によ
っては、触媒あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームを膜形成中に基板表面に直接照射されな
いように雰囲気中に照射しても良い。ここでは以下、Ｗ
膜をＳｉｎ、上に形成するために８２分子の解離触媒で
あるＴｉを用いた場合について詳細に説明する。
。触媒物質あるいはその化合物を反応容器内に気体、液
体あるいは固体の形態で導入することができる。また膜
形成前、あるいは膜形成中に基板表面に中性ビーム、あ
るいはイオンビームの形態で照射しても良い、場合によ
っては、触媒あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームを膜形成中に基板表面に直接照射されな
いように雰囲気中に照射しても良い。ここでは以下、Ｗ
膜をＳｉｎ、上に形成するために８２分子の解離触媒で
あるＴｉを用いた場合について詳細に説明する。
減圧ＣＶＤ法でＷ膜を形成する際の原料ガスはＷＦ、と
Ｈ２であり、Ｗ原子を生成するためにＨ原子でＷＦ、を
還元する必要がある。しかし、８２分子が低温で解離す
るためには金属表面が必要である。Ｓｉ上のＷ膜形成の
場合、最初にＷＦＧのＳｉによる還元反応で薄いＷ膜が
形成されるので、引き続いて起こるＷ上でのＨ２の解離
吸着によって生成した水素原子によってＷＦ、が還元さ
れ厚いＷ膜がＳｉ上に形成される。このような反応はＳ
ｉｏ、上では起こらないために、Ｓｉ上にのみ選択的に
Ｗ膜が形成されることになる。
Ｈ２であり、Ｗ原子を生成するためにＨ原子でＷＦ、を
還元する必要がある。しかし、８２分子が低温で解離す
るためには金属表面が必要である。Ｓｉ上のＷ膜形成の
場合、最初にＷＦＧのＳｉによる還元反応で薄いＷ膜が
形成されるので、引き続いて起こるＷ上でのＨ２の解離
吸着によって生成した水素原子によってＷＦ、が還元さ
れ厚いＷ膜がＳｉ上に形成される。このような反応はＳ
ｉｏ、上では起こらないために、Ｓｉ上にのみ選択的に
Ｗ膜が形成されることになる。
本発明ではＨ８分子を解離する触媒を用いてＨ原子を生
成することで、Ｓｉｏ２上にＷ膜を形成する。多くの遷
移金属は８２分子の解離触媒とじて働くが、その−例と
してＴｉを用いる１例えば薄いＴｉ膜をＳｉＯ□上に薄
く形成しておけば、８２分子がＴｉ表面に解離吸着し生
成されたＨｇ子がＷＦ、を還元するのでＳｉｏ、上にも
Ｗ膜を形成することができる。−旦Ｗ膜が形成されれば
、Ｗ膜上でのＨ１分子の解離により厚いＷ膜が形成され
る。Ｔｉは触媒として働き、８２分子を解離する際に消
費されないので、Ｔｉ膜の厚さは極めて薄くてよく、例
えば一原子層程度（ドーズ量に換算して１０°／ｃｗ″
程度）でも良い、このため。
成することで、Ｓｉｏ２上にＷ膜を形成する。多くの遷
移金属は８２分子の解離触媒とじて働くが、その−例と
してＴｉを用いる１例えば薄いＴｉ膜をＳｉＯ□上に薄
く形成しておけば、８２分子がＴｉ表面に解離吸着し生
成されたＨｇ子がＷＦ、を還元するのでＳｉｏ、上にも
Ｗ膜を形成することができる。−旦Ｗ膜が形成されれば
、Ｗ膜上でのＨ１分子の解離により厚いＷ膜が形成され
る。Ｔｉは触媒として働き、８２分子を解離する際に消
費されないので、Ｔｉ膜の厚さは極めて薄くてよく、例
えば一原子層程度（ドーズ量に換算して１０°／ｃｗ″
程度）でも良い、このため。
Ｔｉ膜の形成手段としてＴｉ、あるいはその化合物の中
性ビームあるいは低エネルギー（１ｋｅＶ以下）イオン
ビームのＳｉｎ、表面への照射を用いることができる。
性ビームあるいは低エネルギー（１ｋｅＶ以下）イオン
ビームのＳｉｎ、表面への照射を用いることができる。
イオンビームを用いることの大きな利点は、マスクを通
して照射することでＳｉｏ２上の一部にのみ触媒である
Ｔｉ膜を選択形成できる点である。
して照射することでＳｉｏ２上の一部にのみ触媒である
Ｔｉ膜を選択形成できる点である。
反応容器内の原料ガスの圧力や基板の温度を、表面反応
が優勢に生じる条件にしておけば、イオン照射を行った
部分にのみ選択的にＷ膜を形成できる。さらに、液体金
属イオン源を用いた収束イオンビームを利用すれば、サ
ブミクロンの配線パターンを本発明の方法で形成するこ
とができる。
が優勢に生じる条件にしておけば、イオン照射を行った
部分にのみ選択的にＷ膜を形成できる。さらに、液体金
属イオン源を用いた収束イオンビームを利用すれば、サ
ブミクロンの配線パターンを本発明の方法で形成するこ
とができる。
また、Ｔｉの薄膜を形成する手法として、真空蒸着ある
いはスパッタリング法を用いることもできる。
いはスパッタリング法を用いることもできる。
ＷＦ、とＨ２を原料ガスに用い、Ｔｉの触媒作用を利用
してＳｉｎ、上にＷ膜を形成する際、膜形成の初期の段
階で基板に光を照射することが有効である。Ｆ系の原料
ガスを用いているので温度や圧力といったＣＶＤの条件
によっては、膜形成よりもエツチングの方が優勢に起っ
てしまうことがある。そのような場合、気相中あるいは
基板表面に吸着した原料ガス分子に吸収される波長の光
を照射することで、膜形成反応を優勢に起こすことがで
きる。
してＳｉｎ、上にＷ膜を形成する際、膜形成の初期の段
階で基板に光を照射することが有効である。Ｆ系の原料
ガスを用いているので温度や圧力といったＣＶＤの条件
によっては、膜形成よりもエツチングの方が優勢に起っ
てしまうことがある。そのような場合、気相中あるいは
基板表面に吸着した原料ガス分子に吸収される波長の光
を照射することで、膜形成反応を優勢に起こすことがで
きる。
以上の説明はＷＦ、とＨ３を原料ガスに用いたＣＶＤ法
において、Ｔｉを用いればＳｉｎ、にＷ膜を形成できる
というものであった。一般的に、低温における半導体や
絶縁膜の形成速度を向上させるだめにいろいろな触媒を
利用することも考えられる。
において、Ｔｉを用いればＳｉｎ、にＷ膜を形成できる
というものであった。一般的に、低温における半導体や
絶縁膜の形成速度を向上させるだめにいろいろな触媒を
利用することも考えられる。
〔作用〕
ＮＡ媒は化学反応の経路を替え活性化エネルギーを低下
させることができる。その結果、従来のＣＶＤ法では形
成できなかった基板と膜の組合せを実現できるほか、種
々の半導体や絶縁膜の低温における形成速度を向上させ
ることができる。
させることができる。その結果、従来のＣＶＤ法では形
成できなかった基板と膜の組合せを実現できるほか、種
々の半導体や絶縁膜の低温における形成速度を向上させ
ることができる。
本発明の実施例に用いた装置の概略を第１図に示す、全
体は、反応容器８．光源５．イオン源１２の三つの部分
から構成されている。
体は、反応容器８．光源５．イオン源１２の三つの部分
から構成されている。
〈実施例１〉
本実施例は、ＳｉＯ□膜上にＨ２の解離吸着触媒である
Ｔｉの薄い層をイオンビーム照射を用いて形成し、その
上で形成されたＨ原子によりＷＦ。
Ｔｉの薄い層をイオンビーム照射を用いて形成し、その
上で形成されたＨ原子によりＷＦ。
を還元することによりＷ膜をＳｉｎ、上に形成させるも
のである。
のである。
まず表面に厚さ１１００ｎのＳｉｎ、膜を熱酸化によっ
て形成したＳｉの基板１ｏを反応容器８内の試料台を兼
ねたヒータ９上に設置して１０−Ｐａまで高真空排気系
１４により排気した後、イオン源１２との間のゲートバ
ルブ１１を開き、Ｔｉイオンビームを照射して基板１
、ＯのＳｉｎ２表面全体に一原子層程度のＴｉ膜を形成
した。この際、Ｔｉイオンビームの原料ガスには原料ガ
ス供給系１３からのＴｉＣΩ、を用い、加速電圧は１ｋ
ａＶ以下とした。低い加速電圧を用いることにより、Ｔ
ｉがＳ ｉｏ２内に打ち込まれないようにした。
て形成したＳｉの基板１ｏを反応容器８内の試料台を兼
ねたヒータ９上に設置して１０−Ｐａまで高真空排気系
１４により排気した後、イオン源１２との間のゲートバ
ルブ１１を開き、Ｔｉイオンビームを照射して基板１
、ＯのＳｉｎ２表面全体に一原子層程度のＴｉ膜を形成
した。この際、Ｔｉイオンビームの原料ガスには原料ガ
ス供給系１３からのＴｉＣΩ、を用い、加速電圧は１ｋ
ａＶ以下とした。低い加速電圧を用いることにより、Ｔ
ｉがＳ ｉｏ２内に打ち込まれないようにした。
次に、ゲートバルブ１１を閉じて反応容器８側の排気系
を低真空排気系１５に切り替えた後、Ｗ膜形成用の原料
ガスＷＦ、とＨ２を原料ガス供給系１より反応容器８内
に導入してＳｉｎ、表面にＷ膜を形成した。この時の基
板温度は３００℃。
を低真空排気系１５に切り替えた後、Ｗ膜形成用の原料
ガスＷＦ、とＨ２を原料ガス供給系１より反応容器８内
に導入してＳｉｎ、表面にＷ膜を形成した。この時の基
板温度は３００℃。
ＷＦ、とＨ３の流量比は１ ： １００で全圧は０．２
Ｔ ｏｒｒとした。
Ｔ ｏｒｒとした。
本実施例におけるＴｉの役割は〔課題を解決するための
手段〕の項で説明したとおりである。形成されたＷ膜を
オージェ電子分光分析法と二次イオン質量分析法で評価
した結果、単位面積あたりに換算して約１０１ｓ個／ｃ
ｔａ”のＴｉが検出された。
手段〕の項で説明したとおりである。形成されたＷ膜を
オージェ電子分光分析法と二次イオン質量分析法で評価
した結果、単位面積あたりに換算して約１０１ｓ個／ｃ
ｔａ”のＴｉが検出された。
これは、一原子層に大体対応しており、Ｔｉが膜形成中
に失われておらず、触媒として働いたことが確認された
。
に失われておらず、触媒として働いたことが確認された
。
本実施例で明らかになったように、Ｈ２分子の解離触媒
であるＴｉを用いることにより気相反応が生じないよう
な低温でＷ膜をＳ ｉｏ、上に形成することができた６
本方法で形成した膜は基板との接着性が良好で、厚さ５
μｍのＷ膜を形成しても剥離することがなかった。
であるＴｉを用いることにより気相反応が生じないよう
な低温でＷ膜をＳ ｉｏ、上に形成することができた６
本方法で形成した膜は基板との接着性が良好で、厚さ５
μｍのＷ膜を形成しても剥離することがなかった。
またイオン照射の後基板８を光源５の方向に回転させて
おいて、ＣＶＤ中に光源５より波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光６を４光学系４によりそのビーム径を
拡大して、このビーム径を拡大されたレーザ光７を基板
１０の表面に垂直に照射したところ、Ｗ膜の形成速度を
一桁程度速くすることができた。尚、レーザ光照射中は
パージガス供給系２よりＡｒガスを光導入用窓３の近傍
に導入して、窓内面に反応生成物が付着することを防い
だ。
おいて、ＣＶＤ中に光源５より波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光６を４光学系４によりそのビーム径を
拡大して、このビーム径を拡大されたレーザ光７を基板
１０の表面に垂直に照射したところ、Ｗ膜の形成速度を
一桁程度速くすることができた。尚、レーザ光照射中は
パージガス供給系２よりＡｒガスを光導入用窓３の近傍
に導入して、窓内面に反応生成物が付着することを防い
だ。
尚１本実施例においてイオン照射に代えて真空蒸着、あ
るいはスパッタリング法を用いてＴｉの薄膜を形成して
も同様のＷ膜形成が可能である。
るいはスパッタリング法を用いてＴｉの薄膜を形成して
も同様のＷ膜形成が可能である。
〈実施例２〉
本実施例は、ＴｉにかえてＮｉを触媒物質に用いたもの
であり、Ｎ １ （ＣＯ） ４をイオン源１２の原料ガ
スに用いる。
であり、Ｎ １ （ＣＯ） ４をイオン源１２の原料ガ
スに用いる。
まず実施例１と同様・、°ＮｉイオンをＳｉｎ、表面に
照射した。次に、光源５より波長１９３ｎｍのエキシマ
レーザ光６を光学系４によりシート状ビーム（ビーム断
面が一辺が長く他辺が短い矩形状のビーム）７に整形し
た後基板面の前方約１ｃｍを基板面と平行に通過するよ
うに照射しなからＣＶＤを行うことで、Ｓｉｎ、上にＷ
膜を形成でき、本発明においてもＮｉとＴｉと同様の作
用を示すことが確認された。尚、ＣＶＤの条件は実施例
１と同様である。
照射した。次に、光源５より波長１９３ｎｍのエキシマ
レーザ光６を光学系４によりシート状ビーム（ビーム断
面が一辺が長く他辺が短い矩形状のビーム）７に整形し
た後基板面の前方約１ｃｍを基板面と平行に通過するよ
うに照射しなからＣＶＤを行うことで、Ｓｉｎ、上にＷ
膜を形成でき、本発明においてもＮｉとＴｉと同様の作
用を示すことが確認された。尚、ＣＶＤの条件は実施例
１と同様である。
以上の実施例ではＴｉとＮｉを触媒物質に選んだが、こ
の他、Ｆｅ、Ｃｏ、白金族（Ｒｕ、Ｒ）１゜Ｐ ｄ ＋
Ｏｓ ｇ Ｉ ｒ ｐ Ｐ ｔ ）とイッた遷移金属
が同様の効果を呈するものとして挙げることができる。
の他、Ｆｅ、Ｃｏ、白金族（Ｒｕ、Ｒ）１゜Ｐ ｄ ＋
Ｏｓ ｇ Ｉ ｒ ｐ Ｐ ｔ ）とイッた遷移金属
が同様の効果を呈するものとして挙げることができる。
〈実施例３〉
本実施例では、イオンビーム照射をマスクを通して行う
ことでＳｉｎ、表面の一部にのみＴｉの薄い膜を形成し
て、その部分にのみＷ膜を形成するものである。
ことでＳｉｎ、表面の一部にのみＴｉの薄い膜を形成し
て、その部分にのみＷ膜を形成するものである。
まず、反応容器８内に設置された実施例１と同様の基板
１ｏの前に、第２図に示したようにマスク１６を置いて
おいて、Ｔｉのイオン照射を行った１次に基板１０を光
源５の方向に回転させ波長１９３ｎｍのエキシマレーザ
光を光学系４により拡大して基板１０の表面に垂直に照
射しながら。
１ｏの前に、第２図に示したようにマスク１６を置いて
おいて、Ｔｉのイオン照射を行った１次に基板１０を光
源５の方向に回転させ波長１９３ｎｍのエキシマレーザ
光を光学系４により拡大して基板１０の表面に垂直に照
射しながら。
原料ガス供給系１よりＷＦ、とＨ２を反応容器８内に導
入してＷ膜形成を１分間行った。この時の基板温度は３
００℃、ＷＦ、とＨ２とＡｒの流量比は１ ： １００
： １００で全圧はＱ、２Ｔｏｒｒとした。
入してＷ膜形成を１分間行った。この時の基板温度は３
００℃、ＷＦ、とＨ２とＡｒの流量比は１ ： １００
： １００で全圧はＱ、２Ｔｏｒｒとした。
この条件はＷのＣＶＤが表面反応で生じる条件である。
レーザ光の照射を停止した後基板温度を４００℃にあげ
、マスクパターンのとおりイオン照射部分１７にのみ選
択的にＷ膜が形成された。
、マスクパターンのとおりイオン照射部分１７にのみ選
択的にＷ膜が形成された。
尚、エキシマレーザ光の照射の時間を長くするとイオン
照射の行われなかった部分にもＷ膜が形成されることが
あった。しかし、エキシマレーザ光の波長を２４８ｎｍ
（ＫｒＦエキシマレーザ）とすればイオン照射の行わ
れなかった部分へのＷ膜の形成は殆ど認められなかった
。これは２４８ｎｍの波長の光がＴｉのイオン照射部分
１７に吸着したＷＦ、にのみ吸収された効果と考えられ
る。
照射の行われなかった部分にもＷ膜が形成されることが
あった。しかし、エキシマレーザ光の波長を２４８ｎｍ
（ＫｒＦエキシマレーザ）とすればイオン照射の行わ
れなかった部分へのＷ膜の形成は殆ど認められなかった
。これは２４８ｎｍの波長の光がＴｉのイオン照射部分
１７に吸着したＷＦ、にのみ吸収された効果と考えられ
る。
また、本実施例ではマスクを用いてＳｉｏ、表面に部分
的にＴｉイオンビームを照射したが、収束イオンビーム
を用いればサブミクロンのＷ配線パターンをマスクを用
いることなく容易に形成できる。
的にＴｉイオンビームを照射したが、収束イオンビーム
を用いればサブミクロンのＷ配線パターンをマスクを用
いることなく容易に形成できる。
〈実施例４〉
本実施例は、Ｈ２分子の解離触媒であるＴｉを固体の形
態で反応容器内に設置したものである。
態で反応容器内に設置したものである。
用いた装置の概略は第１図と同じであるが、イオン源は
利用しない。
利用しない。
第３図に示すように、Ｔｉメツシュ１８を実施例１と同
様の基板１０の上方約０．５ｃｎ＋の所に設置しておい
て、ＷＦ、をＨ２を反応容器８内に導入した。この時の
基板温度は４５０℃、ＷＦ、とＨ２とＡｒの流量比は１
０ ： １００ ： １００１？全圧は２０ Ｔｏｒｒ
としたにの圧力の条件では、Ｔｉメツシュ１８上で生成
されたＨ［子が気相中でＷＦ、を還元できるので、基板
１０のＳｉｎ、上にＷ膜を形成することができる。
様の基板１０の上方約０．５ｃｎ＋の所に設置しておい
て、ＷＦ、をＨ２を反応容器８内に導入した。この時の
基板温度は４５０℃、ＷＦ、とＨ２とＡｒの流量比は１
０ ： １００ ： １００１？全圧は２０ Ｔｏｒｒ
としたにの圧力の条件では、Ｔｉメツシュ１８上で生成
されたＨ［子が気相中でＷＦ、を還元できるので、基板
１０のＳｉｎ、上にＷ膜を形成することができる。
本実施例は実施例１よりも簡便である。気相反応を用い
ているので基板との接着性は多少劣るが、従来の減圧Ｃ
ＶＤ法に比べ低温で膜形成が可能である。
ているので基板との接着性は多少劣るが、従来の減圧Ｃ
ＶＤ法に比べ低温で膜形成が可能である。
〈実施例５〉
本実施例は、反応容器内の真空度が１０−”Ｐａと比較
的低くてもＴｉによるＨ２の解離触媒を利用したＣＶＤ
を可能にしたものである。
的低くてもＴｉによるＨ２の解離触媒を利用したＣＶＤ
を可能にしたものである。
まず、実施例３と同様にＴｉイオンビームをマスク照射
して、一原子層程度の厚さのＴｉ膜のパターンを形成し
た。但し、１０−’Ｐａと低い真空度でイオン照射を行
ったため、残留している水分やＯ３によりＴｉ膜が酸化
されてしまい、このままではＴｉ膜がＨ２の解離吸着触
媒として働かなかった。
して、一原子層程度の厚さのＴｉ膜のパターンを形成し
た。但し、１０−’Ｐａと低い真空度でイオン照射を行
ったため、残留している水分やＯ３によりＴｉ膜が酸化
されてしまい、このままではＴｉ膜がＨ２の解離吸着触
媒として働かなかった。
そこで、Ｈ２とＡｒを反応容器８内に０．４Ｔｏｒｒま
で導入して基板の温度を２００’Ｃに保った状態で、波
長１９３ｎｍのエキシマレーザ光を光学系４により拡大
して基板］２０の表面に３０秒間照射した。その後、Ｗ
Ｆ、を反応容器８内に追加して１分間レーザＣＶＤを行
った。続いて、基板温度を４．５０ ’Ｃに、全体の圧
力を１．６Ｔｏｒｒにあげて熱ＣＶＤを５分間行ったと
ころ、イオン照射パターンどおりのＷ膜が形成できた。
で導入して基板の温度を２００’Ｃに保った状態で、波
長１９３ｎｍのエキシマレーザ光を光学系４により拡大
して基板］２０の表面に３０秒間照射した。その後、Ｗ
Ｆ、を反応容器８内に追加して１分間レーザＣＶＤを行
った。続いて、基板温度を４．５０ ’Ｃに、全体の圧
力を１．６Ｔｏｒｒにあげて熱ＣＶＤを５分間行ったと
ころ、イオン照射パターンどおりのＷ膜が形成できた。
本実施例では、Ｈ２雰囲気中で加熱・レーザ照射を行う
ことで酸化されていたＴｉの表面が還元され、Ｈ２解離
触媒として働くようになったものと考えられる。
ことで酸化されていたＴｉの表面が還元され、Ｈ２解離
触媒として働くようになったものと考えられる。
本発明によれば、ＷＦ、とＨ２を用いたＣＶＤ法により
Ｓ ｉｏ、上に接着性良くＷ膜を形成できる効果がある
。
Ｓ ｉｏ、上に接着性良くＷ膜を形成できる効果がある
。
第１図は、本発明の実施例に用いた装置の概略を示した
図である。 第２図は、実施例３において基板上にマスクを設置した
様子を示した図である。 第３図は、実施例４において基板上にＴｉメツシュを設
置した様子を示した図である。 １・・・原料ガス供給系、２・・・パージガス供給系、
３・・・光導入用窓、４・・・光学系、５・・・光源、
６・・・レーザ光、７・・・拡大されたレーザ光、８・
・・反応容器、９・・・ヒータ、１０・・・基板、１１
・・・ゲートバルブ、１２・・・イオン源、１３・・・
イオン源用原料ガス供給系、１４・・・高真空用排気系
、１５・・・低真空用排気系、１６・・マスク、１７・
・・イオン照射部分、１８・・・Ｔｉメツシュ。 第１図
図である。 第２図は、実施例３において基板上にマスクを設置した
様子を示した図である。 第３図は、実施例４において基板上にＴｉメツシュを設
置した様子を示した図である。 １・・・原料ガス供給系、２・・・パージガス供給系、
３・・・光導入用窓、４・・・光学系、５・・・光源、
６・・・レーザ光、７・・・拡大されたレーザ光、８・
・・反応容器、９・・・ヒータ、１０・・・基板、１１
・・・ゲートバルブ、１２・・・イオン源、１３・・・
イオン源用原料ガス供給系、１４・・・高真空用排気系
、１５・・・低真空用排気系、１６・・マスク、１７・
・・イオン照射部分、１８・・・Ｔｉメツシュ。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学的気相成長法により薄膜を形成する方法におい
て、触媒を用いることを特徴とする薄膜の形成方法。 ２、触媒、あるいはその化合物を気体の形態で反応容器
内に導入することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜の形成方法。 ３、触媒、あるいはその化合物を液体の形態で反応容器
内に導入、あるいは設置することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ４、触媒、あるいはその化合物を固体の形態で反応容器
内に導入、あるいは設置することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ５、化学的気相成長法による膜形成の前に、触媒、ある
いはその化合物の薄膜を、真空蒸着あるいはスパッタリ
ング法により、基板上に形成しておくことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ６、触媒、あるいはその化合物を膜形成前、あるいは膜
形成中に基板表面に中性ビーム、あるいはイオンビーム
の形態で基板表面に照射することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ７、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるいは
イオンビームを膜形成中に基板表面に直接当たらないよ
うに雰囲気中にのみ照射することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ８、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるいは
イオンビームが照射された基板表面に対して、光を照射
しながら化学的気相成長法により薄膜を形成することを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載の薄膜の形成方法
。 ９、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるいは
イオンビームが照射された基板表面に対して、光を照射
しながら化学的気相成長法により薄膜を形成した後、さ
らに同一条件、あるいは異なる条件で化学的気相成長法
により薄膜を形成することを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の薄膜の形成方法。 １０、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームが照射された基板表面に対して照射する
光が化学的気相成長に用いる原料ガスに吸収される波長
の光であることを特徴とする特許請求の範囲第８項また
は第９項記載の薄膜の形成方法。 １１、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームが照射された基板表面に対して照射する
光が基板上に吸着した化学的気相成長に用いる原料ガス
にのみ選択的に吸収される波長の光であることを特徴と
する特許請求の範囲第８項または第９項記載の薄膜の形
成方法。 １２、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームが照射された基板表面に直接当たらない
ように光を照射しながら化学的気相成長法により薄膜を
形成することを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
薄膜の形成方法。 １３、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームが照射された基板表面に直接当たらない
ように光を照射しながら化学的気相成長法により薄膜を
形成した後、さらに同一条件、あるいは異なる条件で化
学的気相成長法により薄膜を形成することを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の薄膜の形成方法。 １４、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームが照射された基板表面に直接当たらない
ように照射する光が化学的気相成長法に用いる原料ガス
に吸収される波長の光であることを特徴とする特許請求
の範囲第１２項または第１３項記載の薄膜の形成方法。 １５、触媒、あるいはその化合物の中性ビーム、あるい
はイオンビームの照射を、マスクを通して行い、該照射
部にのみ選択的に膜形成を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第６項、第８項、第９項、第１０項、第１１項
、第１２項、第１３項、第１４項のいずれかに記載の薄
膜の形成方法。 １６、触媒、あるいはその化合物のイオンビームの照射
を、収束イオンビームを用いて行い、該照射部にのみ選
択的に膜形成を行うことを特徴とする特許請求の範囲第
６項、第８項、第９項、第１０項、第１１項、第１２項
、第１３項、第１４項のいずれかに記載の薄膜の形成方
法。 １７、触媒とする物質が遷移金属であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 １８、触媒とする物質がＴｉであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 １９、用いる光が波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレー
ザ光であることを特徴とする特許請求の範囲第８項、第
９項、第１０項、第１２項、第１３項、第１４項のいず
れかに記載の薄膜の形成方法。 ２０、用いる光が波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレー
ザ光であることを特徴とする特許請求の範囲第１１項記
載の薄膜の形成方法。 ２１、化学的気相成長法で形成する薄膜がＷであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項〜第２０項のいずれ
かに記載の薄膜の形成方法。 ２２、反応容器と反応容器内を排気する排気系からなる
化学的気相成長装置において、触媒、あるいはその化合
物を気体の形態で反応容器内に導入する手段を設けたこ
とを特徴とする薄膜の形成装置。 ２３、反応容器と反応容器内を排気する排気系からなる
化学的気相成長装置において、触媒、あるいはその化合
物を液体の形態で反応容器内に導入する手段を設けたこ
とを特徴とする薄膜の形成装置。 ２４、反応容器と反応容器内を排気する排気系からなる
化学的気相成長装置において、触媒、あるいはその化合
物を固体の形態で反応容器内に導入する手段を設けたこ
とを特徴とする薄膜の形成装置。 ２５、反応容器と反応容器内を排気する排気系からなる
化学的気相成長装置において、触媒、あるいはその化合
物の中性ビーム、あるいはイオンビームを照射する手段
を設けたことを特徴とする薄膜の形成装置。 ２６、反応容器内に光を照射する手段を設けたことを特
徴とする特許請求範囲第２２〜第２５項のいずれかに記
載の薄膜の形成装置。 ２７、基板表面の触媒物質、あるいはその化合物、ある
いはそれらと反応容器内の残留成分と反応して形成され
た化合物を還元する工程を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第５項、第６項、第８項、第９項、第１０項、
第１１項、第１２項、第１３項、第１４項、第１５項、
第１６項のいずれかに記載の薄膜の形成方法。 ２８、上記の還元する工程が水素を含む雰囲気中で基板
を加熱することであることを特徴とする特許請求の範囲
第２７項に記載の薄膜の形成方法。 ２９、上記の還元する工程が水素を含む雰囲気中で光を
照射しながら基板を加熱することであることを特徴とす
る特許請求の範囲第２７項に記載の薄膜の形成方法。 ３０、上記の照射する光として、基板表面の触媒物質、
あるいはその化合物、あるいはそれらと反応容器内の残
留成分と反応して形成された化合物に吸収される波長の
光を用いることを特徴とする特許請求の範囲第２９項に
記載の薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036125A JPH0645893B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036125A JPH0645893B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217469A true JPH02217469A (ja) | 1990-08-30 |
| JPH0645893B2 JPH0645893B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=12461062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036125A Expired - Lifetime JPH0645893B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645893B2 (ja) |
Cited By (282)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998028783A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | Symbios, Inc. | Method of nucleation used in semiconductor devices |
| JP2007123923A (ja) * | 1999-12-15 | 2007-05-17 | Asm Genitech Korea Ltd | 触媒及び化学気相蒸着法を用いて銅配線及び薄膜を形成する方法 |
| JP2007224417A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2010144250A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Fei Co | 基板上に微細構造を作製する方法 |
| US9082927B1 (en) | 2013-12-20 | 2015-07-14 | Intermolecular, Inc. | Catalytic growth of Josephson junction tunnel barrier |
| US9324767B1 (en) | 2013-12-31 | 2016-04-26 | Intermolecular, Inc. | Superconducting junctions |
| JP2018059182A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-04-12 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | タングステンの選択堆積 |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US12131885B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
| US12129545B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Precursor capsule, a vessel and a method |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| US12154824B2 (en) | 2020-08-14 | 2024-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US12173402B2 (en) | 2018-02-15 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| US12195852B2 (en) | 2020-11-23 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus with an injector |
| US12209308B2 (en) | 2020-11-12 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor and related methods |
| US12211742B2 (en) | 2020-09-10 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluid |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| US12221357B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US12243742B2 (en) | 2020-04-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for processing a substrate |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
| US12240760B2 (en) | 2016-03-18 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US12243747B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers |
| US12243757B2 (en) | 2020-05-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Flange and apparatus for processing substrates |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12266524B2 (en) | 2020-06-16 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron containing silicon germanium layers |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| US12278129B2 (en) | 2020-03-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Alignment fixture for a reactor system |
| US12288710B2 (en) | 2020-12-18 | 2025-04-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer processing apparatus with a rotatable table |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US12406846B2 (en) | 2020-05-26 | 2025-09-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers |
| US12410515B2 (en) | 2020-01-29 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Contaminant trap system for a reactor system |
| US12428726B2 (en) | 2019-10-08 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas injection system and reactor system including same |
| US12431334B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution assembly |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| US12442082B2 (en) | 2020-05-07 | 2025-10-14 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system comprising a tuning circuit |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US12454755B2 (en) | 2014-07-28 | 2025-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US12518970B2 (en) | 2020-08-11 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures |
| US12532674B2 (en) | 2019-09-03 | 2026-01-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film |
| US12550644B2 (en) | 2020-10-06 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature |
| US12564871B2 (en) | 2020-12-02 | 2026-03-03 | Asm Ip Holding B.V. | Cleaning fixture for showerhead assemblies |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159576A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-19 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレーテッド | 紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法 |
| JPS61247020A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61276976A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Res Dev Corp Of Japan | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
| JPS62249415A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-30 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコン含有膜の形成方法 |
| JPS6425984A (en) * | 1987-03-23 | 1989-01-27 | Canon Kk | Formation of deposited film |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1036125A patent/JPH0645893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159576A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-19 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレーテッド | 紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法 |
| JPS61247020A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61276976A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Res Dev Corp Of Japan | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
| JPS62249415A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-30 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコン含有膜の形成方法 |
| JPS6425984A (en) * | 1987-03-23 | 1989-01-27 | Canon Kk | Formation of deposited film |
Cited By (337)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5963828A (en) * | 1996-12-23 | 1999-10-05 | Lsi Logic Corporation | Method for tungsten nucleation from WF6 using titanium as a reducing agent |
| WO1998028783A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | Symbios, Inc. | Method of nucleation used in semiconductor devices |
| JP2007123923A (ja) * | 1999-12-15 | 2007-05-17 | Asm Genitech Korea Ltd | 触媒及び化学気相蒸着法を用いて銅配線及び薄膜を形成する方法 |
| JP2007123924A (ja) * | 1999-12-15 | 2007-05-17 | Asm Genitech Korea Ltd | 触媒及び化学気相蒸着法を用いて銅配線及び薄膜を形成する方法 |
| JP2007224417A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2010144250A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Fei Co | 基板上に微細構造を作製する方法 |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US9082927B1 (en) | 2013-12-20 | 2015-07-14 | Intermolecular, Inc. | Catalytic growth of Josephson junction tunnel barrier |
| US9324767B1 (en) | 2013-12-31 | 2016-04-26 | Intermolecular, Inc. | Superconducting junctions |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US12454755B2 (en) | 2014-07-28 | 2025-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US12240760B2 (en) | 2016-03-18 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| JP2018059182A (ja) * | 2016-07-19 | 2018-04-12 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | タングステンの選択堆積 |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US12525449B2 (en) | 2016-07-28 | 2026-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US12363960B2 (en) | 2017-07-19 | 2025-07-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12173402B2 (en) | 2018-02-15 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US12516413B2 (en) | 2018-06-08 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US12448682B2 (en) | 2018-11-06 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12444599B2 (en) | 2018-11-30 | 2025-10-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US12176243B2 (en) | 2019-02-20 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US12410522B2 (en) | 2019-02-22 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US12195855B2 (en) | 2019-06-06 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system including a gas detector |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US12129548B2 (en) | 2019-07-18 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US12532674B2 (en) | 2019-09-03 | 2026-01-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12230497B2 (en) | 2019-10-02 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US12428726B2 (en) | 2019-10-08 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas injection system and reactor system including same |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US12266695B2 (en) | 2019-11-05 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US12410515B2 (en) | 2020-01-29 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Contaminant trap system for a reactor system |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| US12431334B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution assembly |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
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| US12278129B2 (en) | 2020-03-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Alignment fixture for a reactor system |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
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| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
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| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
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| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
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| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| US12518970B2 (en) | 2020-08-11 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures |
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| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
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| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
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| US12550644B2 (en) | 2020-10-06 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
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| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
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| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
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| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
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