JPS61159576A - 紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法 - Google Patents
紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
１にＬ１
この発明は一般に集積回路膜に関し、特に、紫外光に対
し透明なシリコン窒化膜からなるパッシベーション層を
半導体集積回路上に形成する方法とこの方法によって形
成された最上層を有する集積回路装置とに関する。
し透明なシリコン窒化膜からなるパッシベーション層を
半導体集積回路上に形成する方法とこの方法によって形
成された最上層を有する集積回路装置とに関する。
１１匹１１
半導体集積回路の構成においては、いくつかの型の最上
層が現在一般に用いられている。この最上層の゛パッシ
ベーション層”は、下地の集積回路の回路部を腐蝕や電
気的短絡を生じさせる湿気および汚染物の両方から保護
するための絶縁バリアとして用いられる。
層が現在一般に用いられている。この最上層の゛パッシ
ベーション層”は、下地の集積回路の回路部を腐蝕や電
気的短絡を生じさせる湿気および汚染物の両方から保護
するための絶縁バリアとして用いられる。
メモリ型集積回路の初期の展開において、仕様書および
性能基準がしばしば変わるようなプロジェクトおよびプ
ログラムの開発に適用するために再プログラム可能なセ
ルに対する必要性が明らかになってきた。この必要性は
主に、紫外（ＵＶ）￥Ａによる書込消去が可能なリード
オンリメモリ（ＥＦＲＯＭ）集積回路によって満されて
きていた。
性能基準がしばしば変わるようなプロジェクトおよびプ
ログラムの開発に適用するために再プログラム可能なセ
ルに対する必要性が明らかになってきた。この必要性は
主に、紫外（ＵＶ）￥Ａによる書込消去が可能なリード
オンリメモリ（ＥＦＲＯＭ）集積回路によって満されて
きていた。
基本的には、消去特性は、紫外光を半導体チップ上に照
射することにより与えられる。これは、回路構造の７０
−ティングゲート領域に捕捉されていた電子を励起して
電子を７０−ティングゲートから立ち去らせる。 。
射することにより与えられる。これは、回路構造の７０
−ティングゲート領域に捕捉されていた電子を励起して
電子を７０−ティングゲートから立ち去らせる。 。
消去動作を確実に行なうためには、集積回路の最上層の
パッシベーション層は、捕捉された電子のエネルギー準
位を捕捉された電子がゲートから拡散して立ち去ること
ができる状態にまで上昇させるに十分な程度にまでＵＶ
光に対し透明でなければならないということは明らかで
ある。
パッシベーション層は、捕捉された電子のエネルギー準
位を捕捉された電子がゲートから拡散して立ち去ること
ができる状態にまで上昇させるに十分な程度にまでＵＶ
光に対し透明でなければならないということは明らかで
ある。
不幸にも、ゲートに捕捉された電子をＥＰＲＯＭメモリ
セルから除去する唯一の方法は、チップがマウントされ
るパッケージの一番上の比較的高価で清浄な水品ウィン
ドウまたは他のＵＶ光に対し透明な層を介して高強度の
ＵＶ線を照射することである。
セルから除去する唯一の方法は、チップがマウントされ
るパッケージの一番上の比較的高価で清浄な水品ウィン
ドウまたは他のＵＶ光に対し透明な層を介して高強度の
ＵＶ線を照射することである。
シリコン窒化物は、半導体集積回路上の絶縁物としての
バッジベージクン層どして用いる／Ｃめの最も良い化合
物のうちの１つであると考えられている。これは、回路
を破壊する湿気および水素の浸入に対し高い抵抗を有す
ることが知られている。
バッジベージクン層どして用いる／Ｃめの最も良い化合
物のうちの１つであると考えられている。これは、回路
を破壊する湿気および水素の浸入に対し高い抵抗を有す
ることが知られている。
さらに、ナトリウムのような様々な不純物の拡散性はシ
リコン窒化物においては、二酸化シリコンのような他の
絶縁物における場合よりもはるかに低い。したがって、
窒化シリコンパッシベーション層を用いて作成された集
積回路はイオン汚染問題に対しあまり影響を受けない。
リコン窒化物においては、二酸化シリコンのような他の
絶縁物における場合よりもはるかに低い。したがって、
窒化シリコンパッシベーション層を用いて作成された集
積回路はイオン汚染問題に対しあまり影響を受けない。
シリコン窒化物は、一般にシラン（Ｓｉ Ｈ，）とアン
モニア（ＮＨ３）とを以下の化学気相成長（ＣＶＤ）反
応によって化合させることにより形成される。
モニア（ＮＨ３）とを以下の化学気相成長（ＣＶＤ）反
応によって化合させることにより形成される。
３ Ｓ；Ｈａ、＋ ４−ＮＨ） −ｐ ＳｉＮ＋
＋ １２ ｔ’ｆ２この熱分解反応は、窒素（約６５
０℃）または水素〈約１０００℃）をキャリアガスとし
て用いて共に大気圧下で生じることができる。しかし、
これらの温度は最上層の膜を形成するためには実用的で
はない。
＋ １２ ｔ’ｆ２この熱分解反応は、窒素（約６５
０℃）または水素〈約１０００℃）をキャリアガスとし
て用いて共に大気圧下で生じることができる。しかし、
これらの温度は最上層の膜を形成するためには実用的で
はない。
プラズマ蒸若は、真空反応炉内での気体リアクタントを
使用することを含む。これらの気体リアクタントはＲＦ
グロー敢電により、極めて反応性に富む化学種に変換さ
れ、それにより所望の物質の気相成長をもたらす。した
がって、プラズマ蒸着法は、気体ガスプラズマが熱誘起
分解反応に２換わったＣＶＤ法の一変形である。最も重
要な相違は、プラズマ蒸着プロセスの低い処ｌ温度（約
２００ないし４５０℃）にある。これにより下地の金属
合金膜の相変化は生じず、またトランジスタの接合深さ
も変化しない。
使用することを含む。これらの気体リアクタントはＲＦ
グロー敢電により、極めて反応性に富む化学種に変換さ
れ、それにより所望の物質の気相成長をもたらす。した
がって、プラズマ蒸着法は、気体ガスプラズマが熱誘起
分解反応に２換わったＣＶＤ法の一変形である。最も重
要な相違は、プラズマ蒸着プロセスの低い処ｌ温度（約
２００ないし４５０℃）にある。これにより下地の金属
合金膜の相変化は生じず、またトランジスタの接合深さ
も変化しない。
しかし、プラズマ技法を用いて形成されたシリコン窒化
物は２５３７オングストロームのＵＶ光（ＥＰＲＯＭ装
置を消去するために用いられる水銀ＵＶ光の波長）に対
し不透明であると通常信じられている。たとえば１９８
４年のラスベガスにおけるＩ ＥＥＥインターナショナ
ル・リライヤビリティ・フィンパックスシンポジウムで
のに、アレキサンダー等による゛プラスチック封止ＥＰ
ＲＯＭのための耐湿性があり、ＵＶ光に透明なパッシベ
ーションＩＪ （Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅ５ｉｓｔｉｖ
ｅ、 Ｕ、 Ｖ。
物は２５３７オングストロームのＵＶ光（ＥＰＲＯＭ装
置を消去するために用いられる水銀ＵＶ光の波長）に対
し不透明であると通常信じられている。たとえば１９８
４年のラスベガスにおけるＩ ＥＥＥインターナショナ
ル・リライヤビリティ・フィンパックスシンポジウムで
のに、アレキサンダー等による゛プラスチック封止ＥＰ
ＲＯＭのための耐湿性があり、ＵＶ光に透明なパッシベ
ーションＩＪ （Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅ５ｉｓｔｉｖ
ｅ、 Ｕ、 Ｖ。
Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ
ｆｏｒ Ｐｌａｓｔｉｃ Ｅｎｃａｐｓｕｌａ
ｔｅｄ Ｅ Ｐ ＲＯＭ Ｄ ｅＶｉｃｅｓ＞”：電
気化学学会アブストラクト集報（Ｅ ｘｔ、△ｂｓｔｒ
、 ）の第８３−２巻アブストラクト番号３２１．１９
８３年のＪ、に、チュウ（Ｃｈ、）等による゛絶縁およ
びパッシベーション膜としてのプラズマＣＶＤ酸化窒化
物（Ｐ ｌａｓｍａ ＣＶ Ｄ ＯｘＶｎｉｔｒｉｄ
ｅ ａｓ ａ［）ｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎｄ １）ａ
ｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ ）”；電気化学学会
誌第１２５巻、１．９９号、１９７８年７７）Ｍ、Ｊ、
ランド（Ｒａｎｄ）およびり、Ｒ，ワンシドラ−（Ｗｏ
ｎｓｉｄｌｅｒ）による°“プラズマ窒化シリコン膜形
成のための制御テストとしての光学吸収（Ｏｐｔｉｃａ
ｌ Ａ ｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ａｓ ａ Ｃｏｎｔ
ｒｏｌＴｅｓｔ ｆｏｒ ｐｌａｓｍａ ３ｉ１ｉｃｏ
ｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ［）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）
”を参照されたい。
ｆｏｒ Ｐｌａｓｔｉｃ Ｅｎｃａｐｓｕｌａ
ｔｅｄ Ｅ Ｐ ＲＯＭ Ｄ ｅＶｉｃｅｓ＞”：電
気化学学会アブストラクト集報（Ｅ ｘｔ、△ｂｓｔｒ
、 ）の第８３−２巻アブストラクト番号３２１．１９
８３年のＪ、に、チュウ（Ｃｈ、）等による゛絶縁およ
びパッシベーション膜としてのプラズマＣＶＤ酸化窒化
物（Ｐ ｌａｓｍａ ＣＶ Ｄ ＯｘＶｎｉｔｒｉｄ
ｅ ａｓ ａ［）ｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎｄ １）ａ
ｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ ）”；電気化学学会
誌第１２５巻、１．９９号、１９７８年７７）Ｍ、Ｊ、
ランド（Ｒａｎｄ）およびり、Ｒ，ワンシドラ−（Ｗｏ
ｎｓｉｄｌｅｒ）による°“プラズマ窒化シリコン膜形
成のための制御テストとしての光学吸収（Ｏｐｔｉｃａ
ｌ Ａ ｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ａｓ ａ Ｃｏｎｔ
ｒｏｌＴｅｓｔ ｆｏｒ ｐｌａｓｍａ ３ｉ１ｉｃｏ
ｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ［）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）
”を参照されたい。
それゆえ、シリコン窒化物はＵＶ ＥＰＲＯＭ装置上
のパッシベーション層として用いるには不適当であると
考えられていた。
のパッシベーション層として用いるには不適当であると
考えられていた。
特に、プラズマ蒸着された窒化シリコン膜に関して最近
、窒化シリコン膜の屈折率が反応室内で生成されるシリ
コン対窒素比に対してのみ相Ｉ３ｏｍ係があり、シラン
対アンモニア比と屈折率との間には良い相関関係が存在
しないということが報告されている。Ｔ、Ｅ、ナギ（Ｎ
ａ（Ｊ’ｌ）等による、電気化学学会プロシーディング
第８３−８５号１９８３年の゛°窒化シリコン絶縁薄膜
（ＳｉｌｉｃｏｎＮ １ｔｒｉｄｅ Ｔｈ１ｎ Ｉ
ｎｓｕｌａｔｉｎｇ Ｆ ｉｌａ＋ ） ”これらの要
因に基づいて、１．８０より低い屈折率を有する酸化窒
化シリコン膜が、ＥＰＯＭ実装のための特に浸れたパッ
シベーション層膜であると広く考えられている。約１．
７０±０．１の屈折率を有する酸化窒化膜を形成するた
めに様々な処理方法が開発されてきている。しかし、い
くつかの容易に手に入るプラズマ蒸着装置で作成された
膜の消去時間は他のものよりはるかに短いことが見出さ
れていた。膜の完全性に関するデータとともにこの結果
は、成膜条件が強く膜の特性に影響を及ぼすということ
を示唆している。反応に携わる各ガスの流量、温度、圧
力、ＲＦパワーおよび周波数を含む成膜パラメータを広
い範囲にわたって様々な装置の幾何学的配置とともに研
究することによりこの発明が１ｇられた。
、窒化シリコン膜の屈折率が反応室内で生成されるシリ
コン対窒素比に対してのみ相Ｉ３ｏｍ係があり、シラン
対アンモニア比と屈折率との間には良い相関関係が存在
しないということが報告されている。Ｔ、Ｅ、ナギ（Ｎ
ａ（Ｊ’ｌ）等による、電気化学学会プロシーディング
第８３−８５号１９８３年の゛°窒化シリコン絶縁薄膜
（ＳｉｌｉｃｏｎＮ １ｔｒｉｄｅ Ｔｈ１ｎ Ｉ
ｎｓｕｌａｔｉｎｇ Ｆ ｉｌａ＋ ） ”これらの要
因に基づいて、１．８０より低い屈折率を有する酸化窒
化シリコン膜が、ＥＰＯＭ実装のための特に浸れたパッ
シベーション層膜であると広く考えられている。約１．
７０±０．１の屈折率を有する酸化窒化膜を形成するた
めに様々な処理方法が開発されてきている。しかし、い
くつかの容易に手に入るプラズマ蒸着装置で作成された
膜の消去時間は他のものよりはるかに短いことが見出さ
れていた。膜の完全性に関するデータとともにこの結果
は、成膜条件が強く膜の特性に影響を及ぼすということ
を示唆している。反応に携わる各ガスの流量、温度、圧
力、ＲＦパワーおよび周波数を含む成膜パラメータを広
い範囲にわたって様々な装置の幾何学的配置とともに研
究することによりこの発明が１ｇられた。
それゆえ、この発明の目的は、紫外光に対し透明な窒化
シリコン膜を形成する方法を提供することである。
シリコン膜を形成する方法を提供することである。
この発明の他の目的は、半導体集積回路の製造において
用いるために窒化シリコン膜を形成するプラズマ蒸着法
を提供することである。
用いるために窒化シリコン膜を形成するプラズマ蒸着法
を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、ＥＰＲＯＭ集積回路のだ
めの窒化シリコンパッシベーション層の改良を提供する
ことである。
めの窒化シリコンパッシベーション層の改良を提供する
ことである。
この発明のさらに他の目的は、ＥＰＲＯＭ半導体集積回
路上にＵｖ光に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方
法を提供することである。
路上にＵｖ光に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方
法を提供することである。
１ｉ１Ｌ
この発明は、その広い観点においては、実質的に小さな
シラン対アンモニア比と比較的高温との条件下で膜を形
成することによって紫外線に対し透明な窒化シリコン膜
を形成する方法を提供する。
シラン対アンモニア比と比較的高温との条件下で膜を形
成することによって紫外線に対し透明な窒化シリコン膜
を形成する方法を提供する。
上述の条件を用いで作成されたシリコン窒化物の吸収係
数および屈折率は、その層が紫外光に対し透明であるよ
うなしのである。
数および屈折率は、その層が紫外光に対し透明であるよ
うなしのである。
一般に、このような股は、薄膜を形成するために、特に
プラズマにより強化された蒸着を行なうために設計され
た反応室内で作成される。
プラズマにより強化された蒸着を行なうために設計され
た反応室内で作成される。
さらに、この発明はＥＰＲＯＭ集積回路装置上に紫外光
に対し透明な窒化シリコンパッシベーション層を作成す
るための方法を提供する。
に対し透明な窒化シリコンパッシベーション層を作成す
るための方法を提供する。
この発明の他の目的、特徴および利点は同様の参照番号
が同様の部分を示している添付の図面と以下の詳細な説
明とを考察することにより明らかとなろう。
が同様の部分を示している添付の図面と以下の詳細な説
明とを考察することにより明らかとなろう。
発 の１細な１
第１図を参照すると、典型的なＥＰＲＯＭ構造が参照番
号２で一般的に示される。ＥＰＲＯＭ集積回路の動作は
この技術分野においてよく知られている。この発明に関
しては、矢印４で示される入射Ｕ■光がポリシリコンフ
ローティングゲート６に捕捉された電子をある程度まで
励起して、それにより捕捉された電子がフローティング
ゲート６から引１友かれ、絶縁層８を介してコントロー
ルゲート５および基板７へと移動し、その結果蓄積され
たメモリデータビットが゛′消去”されるということを
理解すればよい。ＵＶ光４がゲート６へ到達する（直接
または基板７の境界面１０によって反射されるかのどち
らかにより）ためには、パッシベーション層９は約２５
３７オングストロームの紫外波長内にある光に対し太き
（透明でなければならない。
号２で一般的に示される。ＥＰＲＯＭ集積回路の動作は
この技術分野においてよく知られている。この発明に関
しては、矢印４で示される入射Ｕ■光がポリシリコンフ
ローティングゲート６に捕捉された電子をある程度まで
励起して、それにより捕捉された電子がフローティング
ゲート６から引１友かれ、絶縁層８を介してコントロー
ルゲート５および基板７へと移動し、その結果蓄積され
たメモリデータビットが゛′消去”されるということを
理解すればよい。ＵＶ光４がゲート６へ到達する（直接
または基板７の境界面１０によって反射されるかのどち
らかにより）ためには、パッシベーション層９は約２５
３７オングストロームの紫外波長内にある光に対し太き
（透明でなければならない。
多ａＳ膜の光学特性を説明するために理論的モデルが既
に展開されている。計算を実行するために、反射率およ
び透過率に対する理論式が、多重反射、入射角および光
の偏向を考慮している最も一般的かつ完全な形で採用さ
れる。これらの公式の明快な形式は薄膜光学に関する古
典的な教科書に与えられている。膜の光学定数のエネル
ギー依存性が研究の焦点となっていた。
に展開されている。計算を実行するために、反射率およ
び透過率に対する理論式が、多重反射、入射角および光
の偏向を考慮している最も一般的かつ完全な形で採用さ
れる。これらの公式の明快な形式は薄膜光学に関する古
典的な教科書に与えられている。膜の光学定数のエネル
ギー依存性が研究の焦点となっていた。
成る際質の光学特性は複素屈折率Ｎ＝ｎ −１ｋ（但し
ｉは−１の平方根）によって最ちよく説明される。屈折
率ｎおよび消衰係数には入射光の波長に従って変化する
。
ｉは−１の平方根）によって最ちよく説明される。屈折
率ｎおよび消衰係数には入射光の波長に従って変化する
。
波長の関数として示しＩＣ熱分解シリコン窒化１１７！
の屈折率ｎｘ （λ）は、以下の関係に従うことが知
られている。
の屈折率ｎｘ （λ）は、以下の関係に従うことが知
られている。
この研究においては、波長の関数として示したプラズマ
窒化物の屈折率ｎ （λ）は次式で表わすことができる
と仮定される。
窒化物の屈折率ｎ （λ）は次式で表わすことができる
と仮定される。
ｒｕｚ） ＝ ｎｕ Ｃλ） 十ｎｇ −ｎＮ（λ−）
但しｎあは波長λｍでの膜の屈折率の測定値でありｎＮ
（λ…）は／ｌ−でのｎｙ （／ｌ）の計棹値を示
す。
但しｎあは波長λｍでの膜の屈折率の測定値でありｎＮ
（λ…）は／ｌ−でのｎｙ （／ｌ）の計棹値を示
す。
消衰係１３！には吸収係数αに対しα＝４πにλにより
関係づけられる。非晶質誘電体の吸収係数はα〉α、に
対してα＝Ａ （Ｅ−Ｅ（＋ ）’ ／Ｅ、およびαく
α、に対してα＝Ｂｅｘｐ （Ｅ、／ｒ）で与えられ
る。但し、Ｅはフォトンのエネルギーであり、Ｅ９は誘
電体のバンドギャップエネルギーであり、△および「は
非晶質膜の性質に依存する定数であり、ＢはＥり、Ａ、
「およびαの境界値ずなわちαＣがそれぞれ与えられた
場合に計算される定数である。フォトンエネルギーと入
射光線の波長との閤の関係はＥ＝ｈｃ７λによって与え
られる。但しｈはブランク定数でありＣは真空中での光
の速度である。
関係づけられる。非晶質誘電体の吸収係数はα〉α、に
対してα＝Ａ （Ｅ−Ｅ（＋ ）’ ／Ｅ、およびαく
α、に対してα＝Ｂｅｘｐ （Ｅ、／ｒ）で与えられ
る。但し、Ｅはフォトンのエネルギーであり、Ｅ９は誘
電体のバンドギャップエネルギーであり、△および「は
非晶質膜の性質に依存する定数であり、ＢはＥり、Ａ、
「およびαの境界値ずなわちαＣがそれぞれ与えられた
場合に計算される定数である。フォトンエネルギーと入
射光線の波長との閤の関係はＥ＝ｈｃ７λによって与え
られる。但しｈはブランク定数でありＣは真空中での光
の速度である。
実験モデルのために、ｓｒ Ｈ４、ＮＨ３みよびＮ２ガ
スを用いて、シラン対アンモニアガス流番比を変化させ
かつ全体のガス流量を一定にしてプラズマ反応炉内で露
出したシリコン単結晶基板上に窒化シリコン欣を形成す
る。形成した膜の屈折率は、６３２．８ｎＩ１１（ヘリ
ウム−ネオンレーザ波長）でルドルフエリプソメータを
用いて測定した。
スを用いて、シラン対アンモニアガス流番比を変化させ
かつ全体のガス流量を一定にしてプラズマ反応炉内で露
出したシリコン単結晶基板上に窒化シリコン欣を形成す
る。形成した膜の屈折率は、６３２．８ｎＩ１１（ヘリ
ウム−ネオンレーザ波長）でルドルフエリプソメータを
用いて測定した。
形成した膜の膜厚は、それらの屈折率の情報とともに用
いてナノスペック（Ｎ ａｎｏｓＤｅｃ ） ＩＩ厚ゲ
ージにより測定した。ＨＰ分光光度計を用いて、入射光
波長２００ｎｍないし８００ ｒｌｌｌｌの範囲にわた
って反射率と入射光波長との関係を得た。入射角は３０
０に固定された。
いてナノスペック（Ｎ ａｎｏｓＤｅｃ ） ＩＩ厚ゲ
ージにより測定した。ＨＰ分光光度計を用いて、入射光
波長２００ｎｍないし８００ ｒｌｌｌｌの範囲にわた
って反射率と入射光波長との関係を得た。入射角は３０
０に固定された。
第２Ａ図、第２Ｂ図および第３Ａ図、第３Ｂ図はそれぞ
れ“大きいＪ３よび小さい°”５ｉｔ−１４対ＮＨ，比
をもって形成されたシリコン窒化物から得られた理論的
および実験的な反射率対波長の関係を示ず図である。“
大きい°°および“小さい°゛比の膜の屈折率の測定値
はそれぞれ２．１４および１．９３である。対応する膜
厚の測定値はそれぞれ７６５ ｎａ＋および７７０ｎｍ
である。シミュレーションのために用いられた様々な他
のパラメータの値は図面内の説明文に与えられている。
れ“大きいＪ３よび小さい°”５ｉｔ−１４対ＮＨ，比
をもって形成されたシリコン窒化物から得られた理論的
および実験的な反射率対波長の関係を示ず図である。“
大きい°°および“小さい°゛比の膜の屈折率の測定値
はそれぞれ２．１４および１．９３である。対応する膜
厚の測定値はそれぞれ７６５ ｎａ＋および７７０ｎｍ
である。シミュレーションのために用いられた様々な他
のパラメータの値は図面内の説明文に与えられている。
これらの値は図面に示される実験スペクトルおよび理論
スペクトルとの間に素晴らしい一致を与える。
スペクトルとの間に素晴らしい一致を与える。
これらの膜の透過率はそれらの光学定数を知ることによ
り計碑することができる。計弾によれば、化学理論的組
成を有するシリコン窒化物においてわずかなパーセント
の過剰なシリコンが透過率Ｔを１桁は減少させることを
示している。石英基板上の膜厚１μｍの膜に対する結果
が第４図に示される表にまとめられている。但し、λ−
６３２８Ａは、屈折率を測定するために用いられた可視
へリウムーネオンレーデ光の波長である。任意の媒質に
対する屈折率Ｎと吸収係数αは、エネルギーに依存し、
したがって入射光線の波長に依存する。
り計碑することができる。計弾によれば、化学理論的組
成を有するシリコン窒化物においてわずかなパーセント
の過剰なシリコンが透過率Ｔを１桁は減少させることを
示している。石英基板上の膜厚１μｍの膜に対する結果
が第４図に示される表にまとめられている。但し、λ−
６３２８Ａは、屈折率を測定するために用いられた可視
へリウムーネオンレーデ光の波長である。任意の媒質に
対する屈折率Ｎと吸収係数αは、エネルギーに依存し、
したがって入射光線の波長に依存する。
吸収係数は吸収率の良い尺度である。事実、吸収率は
ａ）膜厚を一定にして吸収係数を増大させる、 ｂ）吸
収係数を一定にして膜厚を増大させることにより指数関
数的に増大する。この表においては、非晶質３ｉ同様シ
リコン窒化物に対するｎおよびαの値はよく知られたデ
ータからとられている。過剰Ｓｉを有するシリコン窒化
物に対するｎｉよびαの値はシリコン窒化物と３ｉの機
械的な混合を仮定した単純な構造モデルに基づいて推定
さ、れている。プラズマ蒸着された窒化物の微視的なｍ
造は、膜に通常含まれる大１ （２０％）の水素により
複雑であり、これはｎおよびαを減少させる傾向がある
。しかし、結論は同じである：プラズマ成膜反応におけ
る過剰のシリコンはＵＶ光に対し不透明な窒化シリコン
層をもたらす。
ａ）膜厚を一定にして吸収係数を増大させる、 ｂ）吸
収係数を一定にして膜厚を増大させることにより指数関
数的に増大する。この表においては、非晶質３ｉ同様シ
リコン窒化物に対するｎおよびαの値はよく知られたデ
ータからとられている。過剰Ｓｉを有するシリコン窒化
物に対するｎｉよびαの値はシリコン窒化物と３ｉの機
械的な混合を仮定した単純な構造モデルに基づいて推定
さ、れている。プラズマ蒸着された窒化物の微視的なｍ
造は、膜に通常含まれる大１ （２０％）の水素により
複雑であり、これはｎおよびαを減少させる傾向がある
。しかし、結論は同じである：プラズマ成膜反応におけ
る過剰のシリコンはＵＶ光に対し不透明な窒化シリコン
層をもたらす。
化学型論的な組成を有するシリコン窒化物の屈折率およ
びバンドギャップエネルギーはそれぞれ１．９６および
５．２８Ｖｒある。
びバンドギャップエネルギーはそれぞれ１．９６および
５．２８Ｖｒある。
第２Ａ図、第２Ｂ図および第３Ａ図、第３Ｂ図に示され
るように、５ｉＨ，： ＮＨ３比を増大させると、屈折
率は１．９３から２．１４へと増大し、バンドギャップ
エネルギーＥ（ｌは５．２ｅＶから３．ＯｅＶへと変化
する。それゆえ、“小さな”比の膜の組成比は化学型論
的な組成の５ｉｓＮ４に近く、かつ゛大きな′°比の膜
は過剰の８１を含有している。“大きな比の膜における
過剰のシリコンは約８％と評価される。
るように、５ｉＨ，： ＮＨ３比を増大させると、屈折
率は１．９３から２．１４へと増大し、バンドギャップ
エネルギーＥ（ｌは５．２ｅＶから３．ＯｅＶへと変化
する。それゆえ、“小さな”比の膜の組成比は化学型論
的な組成の５ｉｓＮ４に近く、かつ゛大きな′°比の膜
は過剰の８１を含有している。“大きな比の膜における
過剰のシリコンは約８％と評価される。
屈折率２．１４の膜は事実上ＵＶ光に対し不透明である
。しかし、屈折率１．９３の膜の膜厚１μｍを通過する
波長２５３．７ｎａ＋の水銀ＵＶ光の透過率の計Ｗ値は
６５％に等しい（これは消衰係数Ｏの石英基板を仮定し
ている）。
。しかし、屈折率１．９３の膜の膜厚１μｍを通過する
波長２５３．７ｎａ＋の水銀ＵＶ光の透過率の計Ｗ値は
６５％に等しい（これは消衰係数Ｏの石英基板を仮定し
ている）。
したがって、窒化シリコン膜をＵＶ ＥＰＲＯＭに対
し不適当なＵＶ光に不透明な相に変態させているのは過
剰なシリコンであるということが結論される。プラズマ
蒸着技術は半導体集積回路の製造分野においてよく知ら
れている。したがって、この発明の処理工程は、様々な
容易に手に入る装置を用いて実行することができる。ア
ドバンスト・セミコンダクター・マテリアルズ・アメリ
カ・インコーホレーテッド〈△ＳＭ）により！ｙＪ造さ
れたプラズマ強化型化学気相成長（ＰＥＣＶＤ装置）お
よびアプライド・マテリアルズ・コーポレーションによ
って製造されたＡＭＳ３３００とを用いて行なった２つ
の実施例について以下に詳細に説明する。処理工程のた
めのパラメータの変更は、半導体基板または半導体装置
上に窒化シリコン膜を成膜するために用いられる特定的
なプラズマ蒸着装置の幾何的配置形状および動作仕様に
従って変化するということは理解されるであろう。
し不適当なＵＶ光に不透明な相に変態させているのは過
剰なシリコンであるということが結論される。プラズマ
蒸着技術は半導体集積回路の製造分野においてよく知ら
れている。したがって、この発明の処理工程は、様々な
容易に手に入る装置を用いて実行することができる。ア
ドバンスト・セミコンダクター・マテリアルズ・アメリ
カ・インコーホレーテッド〈△ＳＭ）により！ｙＪ造さ
れたプラズマ強化型化学気相成長（ＰＥＣＶＤ装置）お
よびアプライド・マテリアルズ・コーポレーションによ
って製造されたＡＭＳ３３００とを用いて行なった２つ
の実施例について以下に詳細に説明する。処理工程のた
めのパラメータの変更は、半導体基板または半導体装置
上に窒化シリコン膜を成膜するために用いられる特定的
なプラズマ蒸着装置の幾何的配置形状および動作仕様に
従って変化するということは理解されるであろう。
この発明の１つの応用例においては、ＡＳＭ装置が用い
られる。以下の製造工程は、装置の製造者によって推奨
される所定の技法に従って行なわれたものである。たと
えばその上にＥＰＲＯＭ回路が形成されているようなウ
ェハである半導体装置が蒸着装置の反応室内に配置され
る。反応室の推奨される動作温度は３８０℃である。第
２に、反応室は真空にひかれ、かつガス導入管ＪＸＩよ
び排出管が清浄にされて装置から不所望の汚染物を除去
する。
られる。以下の製造工程は、装置の製造者によって推奨
される所定の技法に従って行なわれたものである。たと
えばその上にＥＰＲＯＭ回路が形成されているようなウ
ェハである半導体装置が蒸着装置の反応室内に配置され
る。反応室の推奨される動作温度は３８０℃である。第
２に、反応室は真空にひかれ、かつガス導入管ＪＸＩよ
び排出管が清浄にされて装置から不所望の汚染物を除去
する。
次の工程は、ウェハ上にわたって均一な流量を確立する
ためにリアクタントであるシランおよびアンモニラを反
応室内へ導入して、一定の圧力を確立することである。
ためにリアクタントであるシランおよびアンモニラを反
応室内へ導入して、一定の圧力を確立することである。
ＡＳＭ動作パラメータでは、シラン６００ＳＣＣＭ （
分あたりの標準立法センナメートル）対４５００ＳＣＣ
Ｍのアンモニアの流量比、すなわち２：１５の流量比が
必要である。
分あたりの標準立法センナメートル）対４５００ＳＣＣ
Ｍのアンモニアの流量比、すなわち２：１５の流量比が
必要である。
反応室の雰囲気は断続的に５０ｋＨｚのＲＦで照射され
、プラズマ環境に（反応室内のガス粒子をイオン化し、
シランの分解を生じさせることにより）触媒作用を及ぼ
し、それがアンモニアと反応することができるようにす
る。
、プラズマ環境に（反応室内のガス粒子をイオン化し、
シランの分解を生じさせることにより）触媒作用を及ぼ
し、それがアンモニアと反応することができるようにす
る。
しかし、上述のパラメータを用いることは、上で説明し
たように堆Ｍ膜に過剰のシリコンが導入され、波長２５
３７オングストロームの紫外線に対し不透明な、屈折率
２．０５±０．０５の窒化膜をもたらす。
たように堆Ｍ膜に過剰のシリコンが導入され、波長２５
３７オングストロームの紫外線に対し不透明な、屈折率
２．０５±０．０５の窒化膜をもたらす。
この発明に従えば、反応室の温度は４００℃に上昇させ
られる（アルミニウム以外の金属配線を用いた装置にお
いては、この温度は適当により高くされるであろう）。
られる（アルミニウム以外の金属配線を用いた装置にお
いては、この温度は適当により高くされるであろう）。
最も重要なことは、ＡＳＭ装置に対しては、シラン対ア
ンモニアの流量比を約５０％だけ小さくして、３００Ｓ
ＣＣＭシラン対４５００ＳＣＣＭアンモニアすなわち１
：１５にしなければならないことである。そうすること
により、形成された窒化シリコン膜の屈折率は１．９３
±０．０３まで低下する。この膜は実質的に紫外光に対
し透明である。従来の技法のパラメータとこの発明の動
作パラメータとの比較が第５図に示される。
ンモニアの流量比を約５０％だけ小さくして、３００Ｓ
ＣＣＭシラン対４５００ＳＣＣＭアンモニアすなわち１
：１５にしなければならないことである。そうすること
により、形成された窒化シリコン膜の屈折率は１．９３
±０．０３まで低下する。この膜は実質的に紫外光に対
し透明である。従来の技法のパラメータとこの発明の動
作パラメータとの比較が第５図に示される。
この発明の他の実施例においては、窒化シリコンバッシ
ベーシコン芒を形成゛りるためにＡＭＳ３３００装置が
用いられる。ＡＭＳ３３００装置のプラズマ蒸着におい
ては、その上に窒化シリコン層が形成されるべきウェハ
の表面にわたってシランおよびアンモニア流を導入する
ためのキャリアガスとして窒素が用いられる。ＡＭ３３
３００Ｈ置においては、反応室温度は３５０℃の実用上
限を有している。キャリアガスは形成される層の均一性
を改善するために用いられる。純粋な窒素が存在すれば
、シラン対アンモニアの比が推奨値の１６：２１か５７
＝２１へと低下し、窒素の流量は約１１％だけ増加する
。そうすることにより、屈折率１．９３±０．０３を有
する窒化シリコン膜が得られる。
ベーシコン芒を形成゛りるためにＡＭＳ３３００装置が
用いられる。ＡＭＳ３３００装置のプラズマ蒸着におい
ては、その上に窒化シリコン層が形成されるべきウェハ
の表面にわたってシランおよびアンモニア流を導入する
ためのキャリアガスとして窒素が用いられる。ＡＭ３３
３００Ｈ置においては、反応室温度は３５０℃の実用上
限を有している。キャリアガスは形成される層の均一性
を改善するために用いられる。純粋な窒素が存在すれば
、シラン対アンモニアの比が推奨値の１６：２１か５７
＝２１へと低下し、窒素の流量は約１１％だけ増加する
。そうすることにより、屈折率１．９３±０．０３を有
する窒化シリコン膜が得られる。
キャリアガスとして窒素を用いたプラズマ蒸着のための
ＡＭＳ３３００装置における従来の技法の動作パラメー
タとこの発明の動作パラメータとの比較は第６図に示さ
れる。窒化シリコンパッシベーション層に対して受入れ
られる膜厚は約１ミクロンである。蒸着速度はまた蒸着
８置の幾何学的配置形状に従って変化する。たとえば、
ＡＳＭ装置は毎分２５０オングストロームの蒸着速度を
有する。受入れられる層を得るためには、少なくとも４
０分間プラズマ蒸着を続けなければならない。反応時間
を長くすることによりより厚い層を形成することができ
る。
ＡＭＳ３３００装置における従来の技法の動作パラメー
タとこの発明の動作パラメータとの比較は第６図に示さ
れる。窒化シリコンパッシベーション層に対して受入れ
られる膜厚は約１ミクロンである。蒸着速度はまた蒸着
８置の幾何学的配置形状に従って変化する。たとえば、
ＡＳＭ装置は毎分２５０オングストロームの蒸着速度を
有する。受入れられる層を得るためには、少なくとも４
０分間プラズマ蒸着を続けなければならない。反応時間
を長くすることによりより厚い層を形成することができ
る。
実質的に、この発明により教示された方法を実行する際
に用いられる蒸着装置の機栴に関わりなく、シラン対ア
ンモニアの比は注意深く調整されなければならないし、
また温度も十分に１胃させなければならない。それによ
り、化学量論的に純粋なシリコン窒化物に存在するレベ
ルを超えた過剰シリコンが最小化され、形成された層が
紫外光に対して透明どなることができる。
に用いられる蒸着装置の機栴に関わりなく、シラン対ア
ンモニアの比は注意深く調整されなければならないし、
また温度も十分に１胃させなければならない。それによ
り、化学量論的に純粋なシリコン窒化物に存在するレベ
ルを超えた過剰シリコンが最小化され、形成された層が
紫外光に対して透明どなることができる。
シリコン窒化物の優れたパッシベーション層を有するＥ
ＰＲＯＭをこのようにして作成することができる。
ＰＲＯＭをこのようにして作成することができる。
上述の技法に従って形成された紫外光に対し透明な窒化
シリコン膜により、ＥＰＲＯＭを３ないし３０分の範囲
内で消去することが可能となる。
シリコン膜により、ＥＰＲＯＭを３ないし３０分の範囲
内で消去することが可能となる。
この発明の詳細な説明から、この発明の好ましい実施例
が開示されてきた。他の設計変形および変更はこの発明
の範囲内にあるということは理解されるべきである。
が開示されてきた。他の設計変形および変更はこの発明
の範囲内にあるということは理解されるべきである。
第１図はこの発明に従って形成されたパッシベーション
層を有するすｌ！を的なＥＰＲＰＯＭ半導体集積回路装
置の構造の概略断面図である。 第２Ａ図は蒸着反応にＪ３いて用いられたシラン対アン
モニア比が比較的大きい場合における窒化シリコン薄膜
の反射率と入射光の波長との関係を計算により求めた結
果を示す図である。 第２Ｂ図は、蒸着反応に用いられたシラン対アンモニア
比が比較的大ぎい場合における窒化シリコン薄膜の反射
率と入射光波長との関係を測定した結果を示す図である
。 第３Ａ図は蒸着反応において用いられたシラン対アンモ
ニア比が比較的小さい場合における窒化シリコン薄膜の
反射率と入射光波長との関係を計算により求めた結果を
示す図である。 第３Ｂ図は蒸Ｊ反応において用いられたシラン対アンモ
ニア比が比較的小さい場合における、窒化シリコン薄膜
の反射率と入射光波長との関係を測定した結果を示す図
である。 第４図は化学量論的なシリコン窒化物よりもシリコンを
過剰にした場合における、窒化シリコン膜の透過特性の
変化の計惇結果を一覧にした図である。 第５図はキャリアガスを用いない装置における窒化シリ
コン膜をプラズマ蒸着するための動作パラメータを比較
するために一覧にした図である。 第６図は窒素をキャリアガスとして用いた装置における
シリコン窒化物をプラズマ蒸着するための動作パラメー
タの比較を一覧にした図である。 図において、２はＥＰＲＯＭ素子、４は紫外線、５はコ
ントロールゲート、６は７０−ティングゲート、７は半
導体基板、９は窒化シリコンパッシベーション層である
。 なお、図中、同符号は同一または相当部分を示す。
層を有するすｌ！を的なＥＰＲＰＯＭ半導体集積回路装
置の構造の概略断面図である。 第２Ａ図は蒸着反応にＪ３いて用いられたシラン対アン
モニア比が比較的大きい場合における窒化シリコン薄膜
の反射率と入射光の波長との関係を計算により求めた結
果を示す図である。 第２Ｂ図は、蒸着反応に用いられたシラン対アンモニア
比が比較的大ぎい場合における窒化シリコン薄膜の反射
率と入射光波長との関係を測定した結果を示す図である
。 第３Ａ図は蒸着反応において用いられたシラン対アンモ
ニア比が比較的小さい場合における窒化シリコン薄膜の
反射率と入射光波長との関係を計算により求めた結果を
示す図である。 第３Ｂ図は蒸Ｊ反応において用いられたシラン対アンモ
ニア比が比較的小さい場合における、窒化シリコン薄膜
の反射率と入射光波長との関係を測定した結果を示す図
である。 第４図は化学量論的なシリコン窒化物よりもシリコンを
過剰にした場合における、窒化シリコン膜の透過特性の
変化の計惇結果を一覧にした図である。 第５図はキャリアガスを用いない装置における窒化シリ
コン膜をプラズマ蒸着するための動作パラメータを比較
するために一覧にした図である。 第６図は窒素をキャリアガスとして用いた装置における
シリコン窒化物をプラズマ蒸着するための動作パラメー
タの比較を一覧にした図である。 図において、２はＥＰＲＯＭ素子、４は紫外線、５はコ
ントロールゲート、６は７０−ティングゲート、７は半
導体基板、９は窒化シリコンパッシベーション層である
。 なお、図中、同符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を基板上に形
成する方法であって、 反応室を加熱するステップと、 前記基板を前記反応室内へ配置するステップと、前記反
応室を真空にするステップと、 シラン対アンモニアの実質的に小さな比の雰囲気が前記
反応室内に確立されるようにシランおよびアンモニアの
流束量を確立するステップと、前記基板上にわたつて前
記流束を通過させるステップと、 前記シランと前記アンモニアとが反応して前記基板上に
紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成するように前
記雰囲気に触媒作用を及ぼすステップとを備える、紫外
線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法。 （２）前記加熱ステップはさらに、 前記反応室を約４００℃にまで加熱するステップを備え
る、特許請求の範囲第１項記載の紫外線に対し透明な窒
化シリコン膜を形成する方法。（３）シラン対アンモニ
アの前記比は約１：１５である、特許請求の範囲第２項
記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方
法。（４）前記流束量比を確立するステップはさらに、 シランを前記反応室内へ約３００ＳＣＣＭの割合で導入
するステップと、 アンモニアを前記反応室内へ約４５００ＳＣＣＭの割合
で導入するステップとを備える、特許請求の範囲第２項
記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方
法。 （５）窒素をキャリアガスとしてシランおよびアンモニ
アの前記流束を前記基板上にわたって通過させるために
用いるステップをさらに備える、特許請求の範囲第１項
記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方
法。 （６）前記加熱ステップは、さらに、前記反応室を約３
５０℃にまで加熱するステップを備える、特許請求の範
囲第５項記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形
成する方法。 （７）シラン対アンモニアの前記比は約１：３である、
特許請求の範囲第６項記載の紫外線に対し透明な窒化シ
リコン膜を形成する方法。（８）前記流束量を確立する
ステップは、さらに シランを前記反応室内へ約７０ＳＣＣＭの割合で導入す
るステップと、 アンモニアを前記反応室内へ約２１０ＳＣＣＭの割合で
導入するステップと、 窒素を前記反応室内へ約９６０ＳＣＣＭの速度で導入す
るステップとを備える、特許請求の範囲第６項記載の紫
外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法。 （９）前記流束を前記基板上にわたって通過させる前記
ステップは、流束の圧力を約１．３Ｔｏｒｒに保つステ
ップを備える、特許請求の範囲第４項記載の紫外線に対
し透明な窒化シリコン膜を形成する方法。 （１０）前記基板上にわたつて前記流束を通過させる前
記ステップは、流束の圧力を約０．３Ｔｏｒｒに保つス
テップをさらに備える、特許請求の範囲第８項記載の紫
外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法。 （１１）前記シランおよびアンモニアは反応して十分な
膜厚の膜を形成し、半導体集積回路のためのパッシベー
ション層を形成する、特許請求の範囲第９項または第１
０項に記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成
する方法。 （１２）前記雰囲気に触媒作用を及ぼす前記ステップは
、前記雰囲気にラジオ周波数エネルギーを照射するステ
ップをさらに備える、特許請求の範囲第９項または第１
０項に記載の紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成
する方法。 （１３）前記膜厚は少なくとも１ミクロンである、特許
請求の範囲第１１項記載の紫外線に対し透明な窒化シリ
コン膜を形成する方法。 （１４）特許請求の範囲第１項または第５項に記載の方
法で形成された紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を有
する集積回路。 （１５）半導体集積回路装置上に紫外光に対し透明な窒
化シリコンパッシベーション層をプラズマ蒸着するため
の方法であつて、 反応室を加熱するステップと、 前記回路装置を前記反応室内へ配置するステップと、 前記反応室を真空化するステップと、 前記反応室内にシラン対アンモニアの実質的に小さな比
の雰囲気が確立されるように、シランおよびアンモニア
の流束量を確定するステップと、前記流束を前記回路装
置上にわたって通過させるステップと、 前記シランと前記アンモニアが反応して前記回路装置上
に紫外光に対し透明な窒化シリコンパッシベーション層
を形成するように、前記雰囲気にラジオ周波数エネルギ
ーを照射するステップとを備える、窒化シリコンパッシ
ベーション層をプラズマ蒸着する方法。 （１６）シラン対アンモニアの前記比は約１：１５であ
る、特許請求の範囲第１５項記載の窒化シリコンパッシ
ベーシヨン層をプラズマ蒸着する方法。 （１７）シランおよびアンモニアの前記流束を前記回路
装置上にわたつて通過させるためにキャリアガスとして
窒素を用いるステップをさらに備える、特許請求の範囲
第１５項記載の窒化シリコンパッシベーション層をプラ
ズマ蒸着する方法。（１８）シラン対アンモニアの前記
比は約１：３である、特許請求の範囲第１７項記載の窒
化シリコンパッシベーション層をプラズマ蒸着する方法
。 （１９）特許請求の範囲第１項または第１５項に記載さ
れた方法で形成された紫外線に対し透明な窒化シリコン
膜を有する書込消去が可能なプログラマブル読出専用記
憶装置。 （２０）従来のプラズマ蒸着反応室を用いて形成された
窒化シリコンパツシベーシヨン層を有する半導体装置を
形成するための改良された方法であつて、 シラン対アンモニア比の実質的に小さな比の雰囲気が前
記反応室内に与えられるように前記反応室内で前記半導
体装置上にシランおよびアンモニアを通過させ、それに
より前記半導体装置上に形成された窒化シリコンパッシ
ベーション層が紫外光に対し透明となることを特徴とす
る、改良された製造方法。 （２１）集積回路装置上に窒化シリコン膜のプラズマ蒸
着の行なうための改良された方法であって、前記改良方
法は、真空化されかつ加熱された反応室内でシランおよ
びアンモニアガスの流束を前記回路装置上にわたって通
過させるステップと前記ガスにラジオ周波数エネルギー
を照射してプラズマにより強化された反応が前記シラン
と前記アンモニアとの間で生じ、それにより前記回路装
置上にシリコン窒化物が形成されるステップとを含んで
おり、 前記窒化シリコン膜内に化学量論的なシリコン窒化物の
レベルよりも過剰なシリコンが実質的に存在しないよう
にシラン対アンモニアの比を確立するステップを備える
ことを特徴とする、プラズマ蒸着を行なうための改良さ
れた方法。 （２２）集積回路装置上に窒化シリコン膜をプラズマ蒸
着するための改良された方法であって、前記改良された
方法はシラン、アンモニアおよび窒素ガスの流束を前記
装置上に真空化されかつ加熱された反応室内で通過させ
るステップと、前記ガスにラジオ周波数エネルギーを照
射してプラズマにより強化された反応が前記シランと前
記アンモニアとの間に生じ、それにより前記回路装置上
にシリコン窒化物が形成されるステップとを含んでおり
、 化学量論的なシリコン窒化物のレベルを超えた過剰なシ
リコンが前記窒化シリコン膜内に実質的に存在しないよ
うにシラン対アンモニアの比を確定し、それにより前記
膜が紫外光に対し透明になることを特徴とする、プラズ
マ蒸着の改良された方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US684516 | 1984-12-21 | ||
| US06/684,516 US4618541A (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159576A true JPS61159576A (ja) | 1986-07-19 |
| JP2630355B2 JP2630355B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=24748354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289137A Expired - Lifetime JP2630355B2 (ja) | 1984-12-21 | 1985-12-20 | 紫外線に対し透明な窒化シリコン膜を形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4618541A (ja) |
| EP (1) | EP0186443B1 (ja) |
| JP (1) | JP2630355B2 (ja) |
| AT (1) | ATE55510T1 (ja) |
| DE (1) | DE3579137D1 (ja) |
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| DE3579137D1 (de) | 1990-09-13 |
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