JPH02210839A - 能動マトリクスディスプレイスクリーンおよびその製造方法 - Google Patents
能動マトリクスディスプレイスクリーンおよびその製造方法Info
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- JPH02210839A JPH02210839A JP1288941A JP28894189A JPH02210839A JP H02210839 A JPH02210839 A JP H02210839A JP 1288941 A JP1288941 A JP 1288941A JP 28894189 A JP28894189 A JP 28894189A JP H02210839 A JPH02210839 A JP H02210839A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、能動マトリクスディスプレイスクリーンおよ
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
薄層トランジスタ（ＴＬＴ ）ｔ−有する回路は王とし
て能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造に使用
される。この型のスクリーンにおいてスクリーンの表面
全体にわたって分布されるメモリ点から形成される電子
メモＩＪ Ｈ画像の存続時間の間中ビデオ信号を記憶す
る。光電変換器（例えば、液晶）は各メモリ点と接触し
かつ画像の存続時間の間中励起され、一方、電子メモリ
なしの装置において、変換器は行の存続時間の間中のみ
励起される。光学作用お↓び許可される複合率はしたが
って非常に顕著である。
て能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造に使用
される。この型のスクリーンにおいてスクリーンの表面
全体にわたって分布されるメモリ点から形成される電子
メモＩＪ Ｈ画像の存続時間の間中ビデオ信号を記憶す
る。光電変換器（例えば、液晶）は各メモリ点と接触し
かつ画像の存続時間の間中励起され、一方、電子メモリ
なしの装置において、変換器は行の存続時間の間中のみ
励起される。光学作用お↓び許可される複合率はしたが
って非常に顕著である。
ＴＬＴｉｊニガラス基板上へのかかる電子メモリの実現
を可能にする。各メモリ点は１つの行および１つの接続
列の交差点に置かれかつ２つの平行なトランジスタおよ
び１つのコンデンサから構成される。変換器が液晶であ
る場合にコンデンサの補強は液晶セルそれ自体の電極に
よって構成されることができ、る。メモリ点バカくシて
２個のＴＬＴおよび１個のコンデンサに戻され、前記コ
ンデンサの補強の１方にＴＩ、Ｔｉ含むセルの壁に配置
され之電極によって構成され、他方の補強はセルの他愛
に配置された対向電極によって構成される。
を可能にする。各メモリ点は１つの行および１つの接続
列の交差点に置かれかつ２つの平行なトランジスタおよ
び１つのコンデンサから構成される。変換器が液晶であ
る場合にコンデンサの補強は液晶セルそれ自体の電極に
よって構成されることができ、る。メモリ点バカくシて
２個のＴＬＴおよび１個のコンデンサに戻され、前記コ
ンデンサの補強の１方にＴＩ、Ｔｉ含むセルの壁に配置
され之電極によって構成され、他方の補強はセルの他愛
に配置された対向電極によって構成される。
このような構造は第１図に示される。第１図の部分へは
能動マトリクスの１点の上面図でかつ部分ｓＨ部分Ａの
線ｂ−ｂに沿つ断面図である。
能動マトリクスの１点の上面図でかつ部分ｓＨ部分Ａの
線ｂ−ｂに沿つ断面図である。
部分Ａに能動マドＩＪクスの点のアドレス列および行？
欅成する導１［、柱列２お工び導電性行４、並列の２つ
のＴＬＴ６お工び７、およびコンデンサの補強の１つま
たは能動マトリクスの基本デイスプレィ点ｙＩｒ構成す
る１つの透明−極８を示す。
欅成する導１［、柱列２お工び導電性行４、並列の２つ
のＴＬＴ６お工び７、およびコンデンサの補強の１つま
たは能動マトリクスの基本デイスプレィ点ｙＩｒ構成す
る１つの透明−極８を示す。
各列２は交差部１０をヵ為つ各Ｘ極８はフィンガ１２全
備えている。列２お工び交差部１０との行４の交差ｕ
Ｔ Ｌ ＴのドレインＤｉ画成しかつフィンガ１２との
行４の交差１ＴＬＴのソースＳ全画成する。列２と交差
部１０との間に置かれた行４０部分はでＬでのグリッド
Ｇを構成する。
備えている。列２お工び交差部１０との行４の交差ｕ
Ｔ Ｌ ＴのドレインＤｉ画成しかつフィンガ１２との
行４の交差１ＴＬＴのソースＳ全画成する。列２と交差
部１０との間に置かれた行４０部分はでＬでのグリッド
Ｇを構成する。
部分８は、まず、列２．基本デイスプレィ点のフィンガ
１２および交差点１０を支持する下方絶縁および透明壁
２０を示し、これらの導電性要素２．１０お工び１２は
水素化アモルファスシリコン層かつ次いで導電性行４を
支持する絶縁グリッド層２４によって被覆される。この
ユニットは光電材料２８（液晶）と接触するようになさ
れた自己整列（セル７アラインメント）層２６により被
覆される。
１２および交差点１０を支持する下方絶縁および透明壁
２０を示し、これらの導電性要素２．１０お工び１２は
水素化アモルファスシリコン層かつ次いで導電性行４を
支持する絶縁グリッド層２４によって被覆される。この
ユニットは光電材料２８（液晶）と接触するようになさ
れた自己整列（セル７アラインメント）層２６により被
覆される。
加、ｔて、デイスプレイスクリ−／は上方絶縁透明壁３
２に工って支持される透明対向１１［３０を含んでいる
。
２に工って支持される透明対向１１［３０を含んでいる
。
カラーデイスプレィに関しては、通常ｔｈぼ３個（赤、
青お工び緑）の着色フィルタ３４が対向電極３０上に設
けられかつ材料２８と接触する必要がある。
青お工び緑）の着色フィルタ３４が対向電極３０上に設
けられかつ材料２８と接触する必要がある。
能動マトリクスに次いで、他の回路がＴＬＴおよび例え
ばオフセットされるべきレジスタのすべてまたは一部を
備えて実現されることができる。
ばオフセットされるべきレジスタのすべてまたは一部を
備えて実現されることができる。
このスクリーンは螢光灯を備えた後部を経て照明される
工うになされかつデイスプレィは、第１図の部分ＢＩＣ
示されるように、下面を経て観察されるように設計され
る。グリッド金属、すなわち行４？＃成するものはデイ
スプレィスクリーンの後部光に対してＴＬＴ６の保ｆ４
ヲ保証する。他方において、ＴＩ、Ｔの「下１１１１
Ｊは周囲観察光ＶＣ露出される。この光が強いならば、
フォト電流がＩ。ｎ／” ｏ ｆ ｆ比が減少するとき
スクリーンのコントラストを減じるアモルファスシリコ
ン層２４に発生され、Ｉ およびＩ。ｆｆはそれぞれ１
つの表示点お工ｎ び１つの非表示点のトランジスタによって供給される電
流を示す。
工うになされかつデイスプレィは、第１図の部分ＢＩＣ
示されるように、下面を経て観察されるように設計され
る。グリッド金属、すなわち行４？＃成するものはデイ
スプレィスクリーンの後部光に対してＴＬＴ６の保ｆ４
ヲ保証する。他方において、ＴＩ、Ｔの「下１１１１
Ｊは周囲観察光ＶＣ露出される。この光が強いならば、
フォト電流がＩ。ｎ／” ｏ ｆ ｆ比が減少するとき
スクリーンのコントラストを減じるアモルファスシリコ
ン層２４に発生され、Ｉ およびＩ。ｆｆはそれぞれ１
つの表示点お工ｎ び１つの非表示点のトランジスタによって供給される電
流を示す。
厚さの薄い（＜ ５０ ｎ ｍ ）アモルファスシリコ
ン″ｆｒＩＬ！用することにより、このフォト電流は減
衰されるがそれにも拘らずコントラストラ減じるのに適
する。また、光学マスクは周囲光を有するスクリーンを
使用するようにトランジスタの下に設けられる必要があ
りかつしたがって一定の画像を保証する。
ン″ｆｒＩＬ！用することにより、このフォト電流は減
衰されるがそれにも拘らずコントラストラ減じるのに適
する。また、光学マスクは周囲光を有するスクリーンを
使用するようにトランジスタの下に設けられる必要があ
りかつしたがって一定の画像を保証する。
ＴＬＴＯ下の光音吸収する光学マスクを作るために、エ
ツチングされる金属が一般に使用される。
ツチングされる金属が一般に使用される。
光学マスクが導体であるとき、パッシベーション層が要
求される。このような構造に、１９８３年の「ジャパン
・デイスプレィ」の第２）１頁のキャノンによる論文に
記載されている。
求される。このような構造に、１９８３年の「ジャパン
・デイスプレィ」の第２）１頁のキャノンによる論文に
記載されている。
この技術に比較的押えている真空下の２つの堆積の使用
、ならびにトランジスタの下の光学マスクの形状および
配置を画成するように特別なマスキングレベルの使用を
必要とする。この追加のマスキングレベルにトランジス
タのソースおよびドレイン接点に関連してこのマスクの
自己整合精度を厳密ＶＣ要求する。したがって、この技
術は複雑で力為り繊細である。
、ならびにトランジスタの下の光学マスクの形状および
配置を画成するように特別なマスキングレベルの使用を
必要とする。この追加のマスキングレベルにトランジス
タのソースおよびドレイン接点に関連してこのマスクの
自己整合精度を厳密ＶＣ要求する。したがって、この技
術は複雑で力為り繊細である。
それゆえ、本発明の目的に、能動マトリクスを有するト
ランジスタの「下側」の光学マスク金膜ケル一方マスキ
ングレベルの数を減少しかつトランジスタのソースおよ
びドレインに関連してこれらの光学マスクの自己位置決
め（セルフボジショニング〕を保証することによりこれ
らの欠点を克服することにある。
ランジスタの「下側」の光学マスク金膜ケル一方マスキ
ングレベルの数を減少しかつトランジスタのソースおよ
びドレインに関連してこれらの光学マスクの自己位置決
め（セルフボジショニング〕を保証することによりこれ
らの欠点を克服することにある。
本発明の目的に、光学マスクを備えている薄層トランジ
スタおよびコンデンサを基礎にしている能動マトリクス
ディスプレイスクリーンの製造方法全提供することにあ
る。本発明はと＜ｖｃ液晶表示囲路の実現に適用し得る
。
スタおよびコンデンサを基礎にしている能動マトリクス
ディスプレイスクリーンの製造方法全提供することにあ
る。本発明はと＜ｖｃ液晶表示囲路の実現に適用し得る
。
したがって１本発明の目的は、薄層トランジスタおよび
コンデンサによって各々構成される点力為ら形成されて
λつ読点をアドレスするための導電性行および列からな
り、ａ）電気絶縁基板上に可視光を吸収しかつポジの感
光性樹脂の現像液に溶解可能な第１電気ｅ縁材料からな
る層を堆積し、ｂ〕第１電気絶縁材料層上に感光性樹脂
層を堆積し、Ｃノ実現されるべきトランジスタのチャン
ネルをマスクする負のマスクにより感光性樹脂層を絶縁
し、。
コンデンサによって各々構成される点力為ら形成されて
λつ読点をアドレスするための導電性行および列からな
り、ａ）電気絶縁基板上に可視光を吸収しかつポジの感
光性樹脂の現像液に溶解可能な第１電気ｅ縁材料からな
る層を堆積し、ｂ〕第１電気絶縁材料層上に感光性樹脂
層を堆積し、Ｃノ実現されるべきトランジスタのチャン
ネルをマスクする負のマスクにより感光性樹脂層を絶縁
し、。
ｄ）感光性樹脂層の絶縁領域および第１電気絶縁材料層
の副隣接領域を現像液によって除去し、ｅ）ユニット上
に第１透明導電材料層を堆積し、 ｆ）第１透明導電
材料層上にトランジスタのソースおよびドレインを形成
するＬうに感光性樹脂の残部および該感光性樹脂を被覆
する第１透明導電材料層全除去し、ｇ）ユニット上に水
素化アモルファスシリコン層を堆積し、ｈ）該水素化ア
モルファスシリコンノー上に第２電気杷縁材料１を堆積
し、１）該第２絶縁材料層上に第２導電材料層Ｉ全堆積
し、ｊ）該第２導電材料層、第２絶縁材料層および水素
化アモルファスシリコン層によって形成され九積重ねを
トランジスタのグリッド金形成するようにフォトエツチ
ングし、ｋ）第５％気絶縁材料Ｉｖ全堆積することによ
りユニットを不動にすることからなる能動マトリクスデ
ィスプレイスクリーンの製造方法を提供することにある
。
の副隣接領域を現像液によって除去し、ｅ）ユニット上
に第１透明導電材料層を堆積し、 ｆ）第１透明導電
材料層上にトランジスタのソースおよびドレインを形成
するＬうに感光性樹脂の残部および該感光性樹脂を被覆
する第１透明導電材料層全除去し、ｇ）ユニット上に水
素化アモルファスシリコン層を堆積し、ｈ）該水素化ア
モルファスシリコンノー上に第２電気杷縁材料１を堆積
し、１）該第２絶縁材料層上に第２導電材料層Ｉ全堆積
し、ｊ）該第２導電材料層、第２絶縁材料層および水素
化アモルファスシリコン層によって形成され九積重ねを
トランジスタのグリッド金形成するようにフォトエツチ
ングし、ｋ）第５％気絶縁材料Ｉｖ全堆積することによ
りユニットを不動にすることからなる能動マトリクスデ
ィスプレイスクリーンの製造方法を提供することにある
。
本発明の方法は不安定な工程金倉まずかつ単に２つのマ
スキングレベルを含んでいる。それはデイスプレィスク
リーンの周囲照明のよる薄層トランジスタのフォト電流
の抑制を可能にする。
スキングレベルを含んでいる。それはデイスプレィスク
リーンの周囲照明のよる薄層トランジスタのフォト電流
の抑制を可能にする。
本発明の方法はまた。エリ改良され几材料およびより小
さい不安定な厚さの特別な制（２）を提供する比較的厚
い（＞ ２００ ｎ ｒｎ ）アモルファスシリコン鳩
の使用を可能にする。
さい不安定な厚さの特別な制（２）を提供する比較的厚
い（＞ ２００ ｎ ｒｎ ）アモルファスシリコン鳩
の使用を可能にする。
加えて、トランジスタのチャンネルはま几ノ（ツシペー
シ目ン材料として使用する吸収および電気絶縁材料ブロ
ック上に置で為れる。これは絶縁基板がガラスから作ら
れるときとくに有利である。事実上、基板のガラスに含
有されるイオンによるアモルファスシリコンの汚染の危
険はもはやない。
シ目ン材料として使用する吸収および電気絶縁材料ブロ
ック上に置で為れる。これは絶縁基板がガラスから作ら
れるときとくに有利である。事実上、基板のガラスに含
有されるイオンによるアモルファスシリコンの汚染の危
険はもはやない。
したがって、石灰／ナトリウムガラスのごとき低価格の
ガラスが使用されることができ、カくシてデイスプレィ
スクリーンのコストを低減する。
ガラスが使用されることができ、カくシてデイスプレィ
スクリーンのコストを低減する。
好都合には、吸収（第１電気絶縁〕材料は不透明な着色
を含んでいる重合可能な樹脂であり、この樹脂の重合化
はとくに水素化アモルファスシリコン層を堆積する直前
に行なわれる。
を含んでいる重合可能な樹脂であり、この樹脂の重合化
はとくに水素化アモルファスシリコン層を堆積する直前
に行なわれる。
本発明の目的はま几前述された方法に工って得られる能
動マトリクスディスプレイスクリーンを提供することに
ある。本発明によれば、このマトリクスは電気絶縁基板
上に形成されかつ複数の点および故点をアドレスするた
めの複数の導電性行お工び列η島らなり、各点が電気絶
縁材料から作られる光学マスクを主として含んでいるコ
ンデンサお工び＊ｎトランジスタＶＣよって構成され、
前記点がトランジスタのチャンネルの下にかつ基板上に
直接位置され、ソースおよびドレインが光学マスクに関
連してかつ基板と直接接触して自己位置決めされ、なら
びにグリッドは光学マスクの上に置きかつ該光学マスク
から積み重ねられた水素化アモルファスシリコンおよび
電気絶縁材料によって分離され、アモルファスシリコン
がソースおよびドレインと接触している。
動マトリクスディスプレイスクリーンを提供することに
ある。本発明によれば、このマトリクスは電気絶縁基板
上に形成されかつ複数の点および故点をアドレスするた
めの複数の導電性行お工び列η島らなり、各点が電気絶
縁材料から作られる光学マスクを主として含んでいるコ
ンデンサお工び＊ｎトランジスタＶＣよって構成され、
前記点がトランジスタのチャンネルの下にかつ基板上に
直接位置され、ソースおよびドレインが光学マスクに関
連してかつ基板と直接接触して自己位置決めされ、なら
びにグリッドは光学マスクの上に置きかつ該光学マスク
から積み重ねられた水素化アモルファスシリコンおよび
電気絶縁材料によって分離され、アモルファスシリコン
がソースおよびドレインと接触している。
「リフトオフ」技術として知られる、本発明の方法にお
けるソースお工びドレイン製造技術はトランジスタの光
学マスクに関連してトランジスタのソースおよびドレイ
ンの自己位置決めを保址する。さら［、吸収材料および
トランジスタのソースおよびドレインが画成される第１
導電材料の厚さが慎重にかつ正しく選択されるならばＳ
＃４造は平らな水素化アモルファスシリコンの下に得ら
れそれは段のない構造であり、段の通路がトランジスタ
におけるかつアドレス行および列の環境ＶＣよる欠陥の
源であるかも知れないことは公知の事実である。
けるソースお工びドレイン製造技術はトランジスタの光
学マスクに関連してトランジスタのソースおよびドレイ
ンの自己位置決めを保址する。さら［、吸収材料および
トランジスタのソースおよびドレインが画成される第１
導電材料の厚さが慎重にかつ正しく選択されるならばＳ
＃４造は平らな水素化アモルファスシリコンの下に得ら
れそれは段のない構造であり、段の通路がトランジスタ
におけるかつアドレス行および列の環境ＶＣよる欠陥の
源であるかも知れないことは公知の事実である。
本発明の他の特徴お工び利点に、添付図面に関連して、
説明のためのみでたつ非限定的な方法で付与される以下
の説明を読むことによってエリ容易に明らかとなる。
説明のためのみでたつ非限定的な方法で付与される以下
の説明を読むことによってエリ容易に明らかとなる。
第２図に関連してデイスプレィスクリーンの本発明によ
る製造に詞する説明全簡単化するために第２図はこのデ
イスプレィスクリーンの能動マトリクスの１つの点の薄
層トランジスタの製造のためにのみ付与される。
る製造に詞する説明全簡単化するために第２図はこのデ
イスプレィスクリーンの能動マトリクスの１つの点の薄
層トランジスタの製造のためにのみ付与される。
光学的にマスクされｆｃ＃層トランジスタ１！−製造す
る第１工程は、第２図の部分Ａに示されるごとく、プレ
ート回転器に工９石灰／ナトリウム型ガラス基板１００
上にポリイミド層を不透明にするようにアンスラキノン
、アゾ化合物および７タロシアニンの族からの着色を含
んでいるポリイミド層１０２を堆積し力為り次いでポリ
イミドｊｆＩｔ−１５０℃で３０分間重合することから
なる。ポリイミドは好ましくは、アメリカ合衆国、ＭＯ
６５４０１、ピーψオー〇ボックス・ジー・ローラのプ
リニワー嗜サイエンスに１って市販されたものである。
る第１工程は、第２図の部分Ａに示されるごとく、プレ
ート回転器に工９石灰／ナトリウム型ガラス基板１００
上にポリイミド層を不透明にするようにアンスラキノン
、アゾ化合物および７タロシアニンの族からの着色を含
んでいるポリイミド層１０２を堆積し力為り次いでポリ
イミドｊｆＩｔ−１５０℃で３０分間重合することから
なる。ポリイミドは好ましくは、アメリカ合衆国、ＭＯ
６５４０１、ピーψオー〇ボックス・ジー・ローラのプ
リニワー嗜サイエンスに１って市販されたものである。
次いで黒いポリイミド層上には、ポジの感光性樹脂が堆
積され、それに、例えば、タラプリー１３５０Ｈ型であ
り、１００℃で３０分間乾燥される。この樹脂は次いで
実現されるべきトランジスタのチャンネルのマスキング
金保証する負のマスク１０５によって絶縁され、この絶
縁は紫外線に工９行なわれる。次いで、露出された樹脂
が現像され、この目的は露出された樹脂を除去しかつ露
出された樹脂によって保護されないポリイミドを溶解す
ることにある。得られた構造は部分Ｂに示されるもので
ある。し几がって、トランジスタの将来のチャンネルは
境界を定められた。使用される現像液は、例えば、シラ
プリー・ＭＦ３１２現像液である。
積され、それに、例えば、タラプリー１３５０Ｈ型であ
り、１００℃で３０分間乾燥される。この樹脂は次いで
実現されるべきトランジスタのチャンネルのマスキング
金保証する負のマスク１０５によって絶縁され、この絶
縁は紫外線に工９行なわれる。次いで、露出された樹脂
が現像され、この目的は露出された樹脂を除去しかつ露
出された樹脂によって保護されないポリイミドを溶解す
ることにある。得られた構造は部分Ｂに示されるもので
ある。し几がって、トランジスタの将来のチャンネルは
境界を定められた。使用される現像液は、例えば、シラ
プリー・ＭＦ３１２現像液である。
未だ所定位置にある樹脂マスク１０４にエリ。
透明導電増１０６は蒸着によって堆積され、かかる層に
１例えば、スズおよびインジウム酸化物でありかつ好ま
しくは、結果として平面構造（部分Ｏ〕のレベル１を得
るように、クロムのごとき金属１０８である。このため
に、層１０６および１１０８の全体的な厚さにポリイミ
ド＃１０２の厚さに等しいことが必要である。例えば、
層１０２は１０００ｎ ｍの厚さ、１＠１０６は７００
ｎｍの厚さお工び層１０８は３ＱＱｎｍの厚さを有する
。
１例えば、スズおよびインジウム酸化物でありかつ好ま
しくは、結果として平面構造（部分Ｏ〕のレベル１を得
るように、クロムのごとき金属１０８である。このため
に、層１０６および１１０８の全体的な厚さにポリイミ
ド＃１０２の厚さに等しいことが必要である。例えば、
層１０２は１０００ｎ ｍの厚さ、１＠１０６は７００
ｎｍの厚さお工び層１０８は３ＱＱｎｍの厚さを有する
。
層１０６おＬび１０８は構造のユニット上に。
すなわち構造１００の露出された部分上にかつ残りの樹
脂１０４上に堆積される。
脂１０４上に堆積される。
次いで樹脂１０３はブリュワー轡サイエンスの剥離剤Ｋ
かいて溶解され、したがって樹脂上に堆積された金属１
０６お工び１０８を除去する。したがって、薄膚トラン
ジスタのそれぞれのソースおよびドレイン接点８お工び
Ｏは、第２図の部分りに示されるように、露出される。
かいて溶解され、したがって樹脂上に堆積された金属１
０６お工び１０８を除去する。したがって、薄膚トラン
ジスタのそれぞれのソースおよびドレイン接点８お工び
Ｏは、第２図の部分りに示されるように、露出される。
次いで、真空下のアニーリングはこの材料の吸収の顕著
な損失を結果として生じることなしに残りのすべての黒
いポリイミド１０２を重合化するように約４００℃の温
度にまで実施される。
な損失を結果として生じることなしに残りのすべての黒
いポリイミド１０２を重合化するように約４００℃の温
度にまで実施される。
トランジスタの製造は、＠２図の部分Ｂに示されるよう
に、水素化アモルファスシリコン／ｑＬｔＯ。
に、水素化アモルファスシリコン／ｑＬｔＯ。
シリコンチツ化物層１１２および最後に構造のユニット
上のアルミニウム／ｉ＃１１４ｔ−堆積することにより
継続される。層１１０および１１２ＩＩ′ｉプラズマ補
助の気相化学成長（ｐｇｃｖＤ）によって得られ、アル
ミニウム１１１１４は蒸着または噴霧によって堆積され
る。次いで、エツチングはトランジスタのグリッドを画
成する工うに通常の手段によって層ｆ１４，１１２，１
１０および１０８積ノーから実施される。
上のアルミニウム／ｉ＃１１４ｔ−堆積することにより
継続される。層１１０および１１２ＩＩ′ｉプラズマ補
助の気相化学成長（ｐｇｃｖＤ）によって得られ、アル
ミニウム１１１１４は蒸着または噴霧によって堆積され
る。次いで、エツチングはトランジスタのグリッドを画
成する工うに通常の手段によって層ｆ１４，１１２，１
１０および１０８積ノーから実施される。
本方法の最終工程はシリコンチツ化物からなる層１１６
を堆積することにより構造のユニットを不動にすること
からなる。
を堆積することにより構造のユニットを不動にすること
からなる。
第２図に関連して説明された方法はヨーロッパ特許出願
第１０５ 、５２３号およびフランス特許出願第２．５
７１，８９３号に記載され比能動マトリクスディスプレ
イスクリーンの製造方法と両立できる。
第１０５ 、５２３号およびフランス特許出願第２．５
７１，８９３号に記載され比能動マトリクスディスプレ
イスクリーンの製造方法と両立できる。
完全なデイスプレィスクリーンの製造の間中、トランジ
スタのチャンネルをマスクするのに使用される負のマス
ク１ＯＳａまたコンデンサの補強０１り、ならびに実現
されるべきデイスプレィスクリーンの導電性列をマスク
するのＴ／ｃ使用される。
スタのチャンネルをマスクするのに使用される負のマス
ク１ＯＳａまたコンデンサの補強０１り、ならびに実現
されるべきデイスプレィスクリーンの導電性列をマスク
するのＴ／ｃ使用される。
これらの補強８および列２（第１図、第５図〕は次いで
「リフトオフ」技術によってトランジスタのソースおよ
びドレインと同時に形成される。加エテ、ディスプレイ
スクリースのアドレス行４は導［１１１１４のトランジ
スタのグリッドにおいて同時に形成、される。
「リフトオフ」技術によってトランジスタのソースおよ
びドレインと同時に形成される。加エテ、ディスプレイ
スクリースのアドレス行４は導［１１１１４のトランジ
スタのグリッドにおいて同時に形成、される。
このために、第５図は本発明の方法によって得られたデ
イスプレィスクリーンの一部の前面の上面図を示す。こ
の図はまたアドレス列２．Ｉ’Ｉ’０透明電極８、列２
と一体の交差部１０％および電極８と一体の表示点のフ
ィンガ１２を示す。
イスプレィスクリーンの一部の前面の上面図を示す。こ
の図はまたアドレス列２．Ｉ’Ｉ’０透明電極８、列２
と一体の交差部１０％および電極８と一体の表示点のフ
ィンガ１２を示す。
本発明の方法は、黒いポリイミド１０２によるそれぞれ
交差部１０およびフィンガ１２を備えた！ｆｆ１８およ
び列２を取り囲むすべての領域の被援を可能にする。そ
の場合に、能動マトリクスに関連して対向電極３０の不
安定な整合を結果として生じることなしに列２より僅か
に幅広の対向電極３０（第１図〕上に、第５図に鎖線で
示されη為り符号１２０を有する光学マスクを堆積する
ことができ、その結果基本表示点８が光を伝達する。
交差部１０およびフィンガ１２を備えた！ｆｆ１８およ
び列２を取り囲むすべての領域の被援を可能にする。そ
の場合に、能動マトリクスに関連して対向電極３０の不
安定な整合を結果として生じることなしに列２より僅か
に幅広の対向電極３０（第１図〕上に、第５図に鎖線で
示されη為り符号１２０を有する光学マスクを堆積する
ことができ、その結果基本表示点８が光を伝達する。
光伝達率に対応するデイスプレィスクリーンの開放率は
合計スクリーン面上に表示するような実際の有効表面積
の比である。本発明の方法によって、有効表面積１２）
は電極８の表面に等しい。
合計スクリーン面上に表示するような実際の有効表面積
の比である。本発明の方法によって、有効表面積１２）
は電極８の表面に等しい。
この場合に、開放率は７１％である。
第１図に示した従来の場合において、基本表示点のまわ
りに黒いポリイミドがない。また、対向電極３０上に鎖
線によって示された元手マスク１２０ａを設ける必要が
あり、前記マスクは、第４図に示されるように、列２エ
リ幅広であり、実際には約１０ミクロンの厚さｅｌｃよ
りｔ４８かつしたがって基本表示点を、対向′ＩＬ極と
能動マトリクスとの間のｕ自許容誤層にエリ被榎する。
りに黒いポリイミドがない。また、対向電極３０上に鎖
線によって示された元手マスク１２０ａを設ける必要が
あり、前記マスクは、第４図に示されるように、列２エ
リ幅広であり、実際には約１０ミクロンの厚さｅｌｃよ
りｔ４８かつしたがって基本表示点を、対向′ＩＬ極と
能動マトリクスとの間のｕ自許容誤層にエリ被榎する。
この被Ｓ−に次いで基本表示点の有効表面積１２３を減
じる。この場合に、スクリーンの開放率は６３チである
。
じる。この場合に、スクリーンの開放率は６３チである
。
第１図は従来構造を示し、その部分Ａは上面図でかつ部
分８は部分Ａの線ｂ−ｂに沿う断面図、第２図は液晶デ
イスプレィスクリーンの製造に適用される本発明方法の
種々の工程を示す断面図。 第５図は本発明方法によって得られたデイスプレィスク
リーンの前端を示す上面図。 第４図は従来技術ＶＣよる方法によって得られ次デイス
プレィスクリーンの前端を示す上面図である。 図中、符号２は列、４は行、１００はガラス基板、１０
２は第１電気絶縁材料層、１０４は樹脂マスク、１０５
は負のマスク％ １０６は第１導′亀材料層、１０８は
金属＃、１１０に水素化アモルファスシリコンｆｆｉ！
、１１２＃１シリコンチッ化物層、１１４はアルミニウ
ム層％ １２０は光学マスクである。
分８は部分Ａの線ｂ−ｂに沿う断面図、第２図は液晶デ
イスプレィスクリーンの製造に適用される本発明方法の
種々の工程を示す断面図。 第５図は本発明方法によって得られたデイスプレィスク
リーンの前端を示す上面図。 第４図は従来技術ＶＣよる方法によって得られ次デイス
プレィスクリーンの前端を示す上面図である。 図中、符号２は列、４は行、１００はガラス基板、１０
２は第１電気絶縁材料層、１０４は樹脂マスク、１０５
は負のマスク％ １０６は第１導′亀材料層、１０８は
金属＃、１１０に水素化アモルファスシリコンｆｆｉ！
、１１２＃１シリコンチッ化物層、１１４はアルミニウ
ム層％ １２０は光学マスクである。
Claims (8)
- （１）薄層トランジスタおよびコンデンサによって各々
構成される点から形成されかつ該点をアドレスするため
の導電性の行および列からなる能動マトリクスディスプ
レイスクリーンの製造方法において、 ａ）電気絶縁基板上に可視光を吸収しかつポジの感光性
樹脂の現像液に溶解可能な第１電気絶縁材料からなる層
を堆積し、 ｂ）前記第１電気絶縁材料層上に前記感光性樹脂層を堆
積し、 ｃ）実現されるべきトランジスタのチャンネルをマスク
する負のマスクにより前記感光性樹脂層を絶縁し、 ｄ）前記感光性樹脂層の絶縁領域および前記第１電気絶
縁材料層の副隣接領域を前記現像液によって除去し、 ｅ）前記ユニット上に第１透明導電材料層を堆積し、 ｆ）前記第１透明導電材料層上に前記トランジスタのソ
ースおよびドレインを形成するように前記感光性樹脂の
残部および該感光性樹脂を被覆する前記第１透明導電材
料層を除去し、 ｇ）前記ユニット上に水素化アモルファスシリコン層を
堆積し、 ｈ）前記水素化アモルファスシリコン層上に第２電気絶
縁材料層を堆積し、 ｉ）前記第２絶縁材料層上に第２導電材料層を堆積し、 ｊ）前記第２導電材料層、前記第２絶縁材料層および前
記水素化アモルファスシリコン層によって形成された積
重ねを前記トランジスタのグリッドを形成するようにフ
ォトエッチングし、 ｋ）第５電気絶縁材料層を堆積することにより前記ユニ
ットを不動にすることからなることを特徴とする能動マ
トリクスディスプレイスクリーンの製造方法。 - （２）前記第１電気絶縁材料層は不透明着色を含有する
重合可能な樹脂であることを特徴とする請求項、に記載
の能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造方法。 - （３）前記ユニットは前記樹脂を重合するように工程ｆ
とｇとの間でアニーリングされることを特徴とする請求
項２に記載の能動マトリクスディスプレイスクリーンの
製造方法。 - （４）前記重合可能な樹脂はポリイミドであることを特
徴とする請求項２に記載の能動マトリクスディスプレイ
スクリーンの製造方法。 - （５）第５導電材料層が工程ｅとｆとの間で堆積され、
その厚さは前記第１および第２導電材料の厚さが前記第
１電気絶縁材料層の厚さに等しいようになっていること
を特徴とする請求項１に記載の能動マトリクスディスプ
レイスクリーンの製造方法。 - （６）前記負のマスクは実現されるべきコンデンサの補
強ならびに実現されるべき列の１つをマスクするのに役
立ち、そしてこれらの補強およびコラムは工程ｆの間中
に形成されることを特徴とする請求項１に記載の能動マ
トリクスディスプレイスクリーンの製造方法。 - （７）前記行はまた工程ｊの間中に形成されることを特
徴とする請求項６に記載の能動マトリクスディスプレイ
スクリーンの製造方法。 - （８）電気絶縁基板に形成される能動マトリクスディス
プレイスクリーンにおいて、複数の点および該点をアド
レスするための複数の導電性行および列からなり、各点
が電気絶縁材料から作られる光学マスクを主として含ん
でいるコンデンサおよび薄層トランジスタによって構成
され、前記点が前記トランジスタのチャンネルの下にか
つ前記基板上に直接位置され、ソースおよびドレインが
前記光学マスクに関連してかつ前記基板と直接接触して
自己位置決めされ、ならびにグリッドは前記光学マスク
の上に置きかつ該光学マスクから積み重ねられた水素化
アモルファスシリコンおよび電気絶縁材料によって分離
され、前記アモルファスシリコンは前記ソースおよびド
レインと接触していることを特徴とする能動マトリクス
ディスプレイスクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8814562A FR2638880B1 (fr) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Procede de fabrication d'un ecran d'affichage a matrice de transistors pourvus d'un masque optique |
| FR8814562 | 1988-11-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210839A true JPH02210839A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=9371676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288941A Pending JPH02210839A (ja) | 1988-11-08 | 1989-11-08 | 能動マトリクスディスプレイスクリーンおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5081004A (ja) |
| EP (1) | EP0368733B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02210839A (ja) |
| CA (1) | CA2002305C (ja) |
| DE (1) | DE68909173T2 (ja) |
| FR (1) | FR2638880B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358810A (en) * | 1989-03-15 | 1994-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
| GB2265486A (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-29 | Marconi Gec Ltd | Display device fabrication |
| JP2878039B2 (ja) * | 1992-07-29 | 1999-04-05 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
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