JPH02205312A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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- JPH02205312A JPH02205312A JP2508989A JP2508989A JPH02205312A JP H02205312 A JPH02205312 A JP H02205312A JP 2508989 A JP2508989 A JP 2508989A JP 2508989 A JP2508989 A JP 2508989A JP H02205312 A JPH02205312 A JP H02205312A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
アルミニウム電解コンデンサの小型化、容量増大を図る
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
その方法には、大別して直流電流による方法と交流電流
による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一に
微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチングが
有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウム
などのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸などの
無機酸もしくは有機酸などの添加物、液温、交流電流密
度などを巧みに組合せた種々のエツチング方法が実施さ
れている。
による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一に
微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチングが
有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウム
などのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸などの
無機酸もしくは有機酸などの添加物、液温、交流電流密
度などを巧みに組合せた種々のエツチング方法が実施さ
れている。
交流電流によるエツチング方法において、特にその周波
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因として
数多くの開発がなされ、例えば特公昭５４−４３１７７
号公報によると、商用周波数（５０Ｈｚ 。
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因として
数多くの開発がなされ、例えば特公昭５４−４３１７７
号公報によると、商用周波数（５０Ｈｚ 。
６ｏ＋ｈ）より低い周波数がエツチング倍率の拡大に有
効であると報告されている。また、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ １２８，３００（１９８１）の文献
には、交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に
依存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数
が低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
効であると報告されている。また、Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ １２８，３００（１９８１）の文献
には、交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に
依存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数
が低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
以上のことから、従来では例えば５０■以下の低い電圧
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
し、５０ｖ以上の高い電圧で使用する電極箔は低い周波
数でエツチングするようにしている。しかしながら、こ
れによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設備な
どを切替える必要があるとともに、その電極箔を他の使
用電圧のものに使用できないという問題がある。もつと
も。
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
し、５０ｖ以上の高い電圧で使用する電極箔は低い周波
数でエツチングするようにしている。しかしながら、こ
れによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設備な
どを切替える必要があるとともに、その電極箔を他の使
用電圧のものに使用できないという問題がある。もつと
も。
低い周波数でエツチングした後、高い周波数でエツチン
グすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔が得られ
るのであるが、これには低い周波数によるエツチング工
程と、高い周波数によるエツチング工程の２工程が必要
とされ、生産性の点で好ましくない。
グすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔が得られ
るのであるが、これには低い周波数によるエツチング工
程と、高い周波数によるエツチング工程の２工程が必要
とされ、生産性の点で好ましくない。
この発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、その
目的は、同一のエツチング工程において低い周波数によ
るエツチングと高い周波数によるエツチングとが行える
ようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチン
グ方法を提供することにある。
目的は、同一のエツチング工程において低い周波数によ
るエツチングと高い周波数によるエツチングとが行える
ようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチン
グ方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、この発明においては、アルミ
ニウム箔をエツチング液内に浸漬し、交流電流を印加し
てその表面をエツチングするにあたって、交流電流とし
て、仮想の原波形の半周期中にそれと極性が同一の複数
の半波を含む交流電流を用いたことを特徴としている。
ニウム箔をエツチング液内に浸漬し、交流電流を印加し
てその表面をエツチングするにあたって、交流電流とし
て、仮想の原波形の半周期中にそれと極性が同一の複数
の半波を含む交流電流を用いたことを特徴としている。
なお、その波形としては正弦波、矩形波、鋸歯状波、台
形波などが適用できる。
形波などが適用できる。
第１図にはその波形の一例が示されている。同図（イ）
を仮想の原波形Ｆとすると、この発明による交流信号は
同図（ロ）に示されているように、その原波形Ｆの半周
期中Ｔ１にそれと極性が同一の複数１例えば２つの半波
ｆ、、 ｆ、が現われる交流信号からなる。この各半波
ｆ１． ｆ、は好ましくはそのピーク値およびその時間
Ｔ、も等しく、例えばＴ、＝Ｔ、／２とされる。
を仮想の原波形Ｆとすると、この発明による交流信号は
同図（ロ）に示されているように、その原波形Ｆの半周
期中Ｔ１にそれと極性が同一の複数１例えば２つの半波
ｆ、、 ｆ、が現われる交流信号からなる。この各半波
ｆ１． ｆ、は好ましくはそのピーク値およびその時間
Ｔ、も等しく、例えばＴ、＝Ｔ、／２とされる。
すなわち、図面に即して説明すれば、原波形の半周期１
゛、中に例えば２つの正の半波ｆ□ｔ ｆｌが現われ、
次の半周期Ｔ１中に２つの負の半波ｆ １゜ｆ□が現わ
れ、これが繰り返される。
゛、中に例えば２つの正の半波ｆ□ｔ ｆｌが現われ、
次の半周期Ｔ１中に２つの負の半波ｆ １゜ｆ□が現わ
れ、これが繰り返される。
この場合において、エツチング周波数（−周期＝’ｒ！
Ｘ４）は６〜２８）１ｚの範囲であることが好ましい。
Ｘ４）は６〜２８）１ｚの範囲であることが好ましい。
これによれば、全体のエツチング周波数は低いが、個々
の半波はその周波数の例えば２倍相当の高い周波数とな
るため、これがエツチング液を介してアルミニウム箔に
作用し、そのエツチングによる凹凸形状は微細形状と粗
い形状とが混在することになる。
の半波はその周波数の例えば２倍相当の高い周波数とな
るため、これがエツチング液を介してアルミニウム箔に
作用し、そのエツチングによる凹凸形状は微細形状と粗
い形状とが混在することになる。
まず、第１図（ロ）に示したこの発明の交流電流による
エツチング周波数（−周期＝Ｔ、Ｘ４）を２．５〜３５
七まで変化させ、それに伴う５０Ｖ化成容量（μＦｅｄ
）の変化を測定した特性グラフを第２図に示す、これに
使用したアルミニウム箔は厚み９０＃ｍ。
エツチング周波数（−周期＝Ｔ、Ｘ４）を２．５〜３５
七まで変化させ、それに伴う５０Ｖ化成容量（μＦｅｄ
）の変化を測定した特性グラフを第２図に示す、これに
使用したアルミニウム箔は厚み９０＃ｍ。
純度９９．９８％以上のものであり、また、エツチング
液の組成はＨＣＩが１０ｗｔ％、 Ｈ，ＰＯ４が２．Ｏ
ｖｔ％、ｌｌＮ０．が１、Ｏｖｔ％、ＩＩｔＳＯ＊が０
．１ｖｔ％で、その液温は４０℃とした。
液の組成はＨＣＩが１０ｗｔ％、 Ｈ，ＰＯ４が２．Ｏ
ｖｔ％、ｌｌＮ０．が１、Ｏｖｔ％、ＩＩｔＳＯ＊が０
．１ｖｔ％で、その液温は４０℃とした。
また、電流密度は４００＋＊Ａ／ａ＃で、電気量は２５
００１１Ａ・ｗｉｎ／ｄとした。なお、エツチング液の
組成はこの例に限定されることなく、種々の組成のエツ
チング液が使用できる。
００１１Ａ・ｗｉｎ／ｄとした。なお、エツチング液の
組成はこの例に限定されることなく、種々の組成のエツ
チング液が使用できる。
この周波数−化成容量のグラフによると、エツチング周
波数の最適範囲は約６〜２８七とされる。
波数の最適範囲は約６〜２８七とされる。
（実施例１）使用したアルミニウム箔；厚み９０μ鳳。
純度９９．９８％以上、エツチング液の組成； ＨＣｌ
が１０ｗｔ％、 ）ｌ、 ＰＯ４が２．Ｏｖｔ％、ＨＮ
Ｏ，が１．Ｏｖｔ％、１１２Ｓｏ４が０，１ｗｔ％。
が１０ｗｔ％、 ）ｌ、 ＰＯ４が２．Ｏｖｔ％、ＨＮ
Ｏ，が１．Ｏｖｔ％、１１２Ｓｏ４が０，１ｗｔ％。
液温；４０℃、電流密度；４００■Ａ／ａｉ１．電気量
；２５００ｍＡ・ｗｉｎ／ａｇｅこの条件で、第１図（
ロ）に示す交流電流のエツチング周波数（−周期＝Ｔ、
Ｘ４）を１５七としてエツチングを行った。
；２５００ｍＡ・ｗｉｎ／ａｇｅこの条件で、第１図（
ロ）に示す交流電流のエツチング周波数（−周期＝Ｔ、
Ｘ４）を１５七としてエツチングを行った。
〈従来例１〉アルミニウム箔、エツチング液、その液温
、電流密度および電気量を上記実施例１と同じにして１
周波数１５七の第１図（イ）に示すような正弦波交流電
流にてエツチングした。
、電流密度および電気量を上記実施例１と同じにして１
周波数１５七の第１図（イ）に示すような正弦波交流電
流にてエツチングした。
〈従来例２）アルミニウム箔、エツチング液および電気
量は上記実施例１と同じであるが、エツチング液を３５
℃、電流密度を３００ｔａＡ／ ａｌとして、周波数２
５七の第１図（イ）に示すような正弦波交流電流にてエ
ツチングした。
量は上記実施例１と同じであるが、エツチング液を３５
℃、電流密度を３００ｔａＡ／ ａｌとして、周波数２
５七の第１図（イ）に示すような正弦波交流電流にてエ
ツチングした。
上記実施例１および従来例１，２について、１５Ｖ化成
電圧時の静電容量（μＦ／ａＪ）、８０Ｖ化成電圧時の
静電容量（μＦ／ａｌ）および折曲強度を測定した結果
を次表に示す、また、化成電圧−静電容量特性グラフを
第３図に示す。
電圧時の静電容量（μＦ／ａＪ）、８０Ｖ化成電圧時の
静電容量（μＦ／ａｌ）および折曲強度を測定した結果
を次表に示す、また、化成電圧−静電容量特性グラフを
第３図に示す。
この表から明らかなように、この発明のエツチング方法
によれば、特に１５Ｖ化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第３図のグラフから、１種
類のアルミニウム箔で１２０ｖまで使用することができ
ることが理解されよう。
によれば、特に１５Ｖ化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第３図のグラフから、１種
類のアルミニウム箔で１２０ｖまで使用することができ
ることが理解されよう。
なお、上記実施例は正弦波についてのものであるが、こ
れ以外の波形および原波形の半周期中に３つ以上の半波
を含ませた場合についても同様な傾向が見られた。
れ以外の波形および原波形の半周期中に３つ以上の半波
を含ませた場合についても同様な傾向が見られた。
以上説明したように、この発明によれば、エツチングの
交流電流として、仮想の原波形の半周期中にそれと極性
が同一の複数の半波１例えば２つの半波を含む交流電流
を用いたことにより、低い周波数による粗いエツチング
と高い周波数による微細なエツチングが同じに行われる
ため、従来の交流波形に比べて約２０％のエツチング倍
率の拡大が図れる。また、１種類の箔で例えば１２０ｖ
まで使用できるため、生産設備の合理化および生産性の
向上が図れる。
交流電流として、仮想の原波形の半周期中にそれと極性
が同一の複数の半波１例えば２つの半波を含む交流電流
を用いたことにより、低い周波数による粗いエツチング
と高い周波数による微細なエツチングが同じに行われる
ため、従来の交流波形に比べて約２０％のエツチング倍
率の拡大が図れる。また、１種類の箔で例えば１２０ｖ
まで使用できるため、生産設備の合理化および生産性の
向上が図れる。
第１図はこの発明のエツチング方法に使用される交流電
流を説明するためのもので、同図（イ）は仮想の原波形
の波形図、同図（ロ）はこの発明による交流電流の一実
施例に係る波形図、第２図はエツチング周波数−５０ｖ
化威容量の特性グラフ、第３図は化成電圧−静電容量特
性グラフである。
流を説明するためのもので、同図（イ）は仮想の原波形
の波形図、同図（ロ）はこの発明による交流電流の一実
施例に係る波形図、第２図はエツチング周波数−５０ｖ
化威容量の特性グラフ、第３図は化成電圧−静電容量特
性グラフである。
Claims (2)
- （１）アルミニウム箔をエッチング液内に浸漬し、交流
電流を印加してその表面をエッチングする電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法において、 上記交流電流として、仮想の原波形の半周期中にそれと
極性が同一の複数の半波を含む交流電流を用いたことを
特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチン
グ方法。 - （２）上記交流信号の周波数は６〜２８Ｈｚの範囲であ
る請求項１記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔のエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2508989A JPH02205312A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2508989A JPH02205312A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205312A true JPH02205312A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12156194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2508989A Pending JPH02205312A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205312A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198710A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP2508989A patent/JPH02205312A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198710A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 |
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