JPH02203514A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents

電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法

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JPH02203514A
JPH02203514A JP2325189A JP2325189A JPH02203514A JP H02203514 A JPH02203514 A JP H02203514A JP 2325189 A JP2325189 A JP 2325189A JP 2325189 A JP2325189 A JP 2325189A JP H02203514 A JPH02203514 A JP H02203514A
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aluminum foil
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小池 厚
Ryuji Kawasaki
川崎 龍二
Akira Yoshii
章 吉井
Manabu Kazuhara
学 数原
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Elna Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法に関するものである。
〔従来の技術〕
アルミニウム電解コンデンサの小型化、容量増大を図る
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
その方法には、大別して直流量流による方法と交流電流
による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一に
微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチングが
有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウム
などのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸などの
無機酸もしくは有機酸などの添加物、液温、交流電流密
度などを巧みに組合せた種々のエツチング方法が実施さ
れている。
〔発明が解決しようとする課題〕
交流電流によるエツチング方法において、特にその周波
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因とじて
数多くの開発がなされ5例えば特公昭54−43177
号公報によると、商用周波数(50Hz。
6(Hh)より低い周波数がエツチング倍率の拡大に有
効であると報告されている。また、J、ビiectro
ehem、Soe 128,300(1981)の文献
には、交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に
依存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数
が低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
以上のことから、従来では例えば50V以ドの低い電圧
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
し、50V以上の高い電圧で使用する電極箔は低い周波
数でエツチングするようにしでいる。しかしながら、こ
れによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設備な
どを切替る必要があるとともに、その電極箔を他の使用
電圧のものに使用できないという問題がある。もっとも
、低い周波数でエツチングした後、高い周波数でエツチ
ングすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔が得ら
九るのであるが7これには低い周波数によるエツチング
工程と、高い周波数によるエツチング工程の2工程が必
要とさハ、生産性の点で好ましくない。
この発明はL記従来の事情に鑑みなされたもので、その
t1的は、同一のエツチング工程において低い周波数に
よるエツチングと高い周波数によるエツチングとが行え
るようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法を提供することにある。
〔il&!題を解決するための手段〕
筆記目的を達成するため、この発明においては。
アルミニウム箔をエツチング液内に浸漬し、交流電流を
印加してその表面をエツチングするにあたって、交流電
流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数が交互
に繰り返す波形の交流電流を用いたことを特徴としてい
る。なお、その波形としては正弦波、鋸歯状波、矩形波
1台形波などが適用できる。
第1v4にはその波形の一例が示されている。すなわち
、同図においてLFは低い周波数、HFは高い周波数で
あり、これらが一周期ごとに交互にエツチング液を介し
てアルミニウム箔に作用し、同電極箔のエツチングが行
われる。
この場合において、低い周波数は7〜20Hzの範囲で
、高い周波数は15〜60亀の範囲であることが好まし
い。また、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度の最適範囲は0.8以下(ただし、0は含まない)、
特には0.2=0.7が好ましい。
〔作   用〕
これによれば、低い周波数により粗いエツチングがなさ
れ、それと同時にその凹凸部の表面が高い周波数により
微細にエツチングされることになる。
〔実 施 例〕
まず、このエツチング方法における■低い周波数の電流
密度に対する高い周波数の電流密度の比における静電容
量変化、■高い周波数の周波数範囲による静電容量変化
および■低い周波数の周波数範囲による静電容量変化に
ついて、その実験データに基づく特性グラフを参照しな
がら説明する。
なお、これらの実験では、厚み9011111純度99
゜98%以」−のアルミニウム箔と、HCIが10wt
%、1.+3PO,が2、Ovt%、HNO3が1.0
wt%、 H,SO2が0.1%lt%のエツチング液
を使用した9この場合、液温は30℃とした。
なお、エツチング液の組成はこの例に限定されることな
く1種々の組成のエツチング液が使用できるわ ■低い周波数の電流密度と高い周波数の電流密度との関
係について。
低い周波数を15)h、高い周波数を30Hz、また、
低い周波数の電流密度を400mA/ cslとし、こ
れらを一定として、高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度を0〜1.0まで変化させてエツチングを行
い、その50V化成容短(μF/cd)を測定したグラ
フを第2図に示す。これによると、高い周波数の電流密
度/低い周波数の電流密度の最適範囲は、0゜8以下(
ただし.0は含まない)、特には0゜2〜0.7の範囲
が好ましい。
■高い周波数の周波数範囲について。
低い周波数を15七、その電流密度を400mA/ c
d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0
.5とし、これらを一定として、高い周波数を15〜1
00&まで変化させてエツチングを行い、その50■化
威容量(μF/d)を測定したグラフを第3図に示す、
これによると、高い周波数の最適範囲は15〜60七の
範囲となる。
■低い周波数の周波数範囲について。
高い周波数を30&、低い周波数の電流密度を400m
A/ d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度を0.5とし、これらを一定として、低い周波数を3
〜25七まで変化させてエツチングを行い、その50V
化成容fit(μF/aJ)を測定したグラフを第4図
に示す、これによると、低い周波数の最適範囲は7〜2
0Hzの範囲となる。
(実施例1)アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、低い周波数を15凧、高い周波数を30&、
低い周波数の電流密度を400IsA/ ai、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.5として
、エツチングした。なお、この場合の液温は35℃であ
り、また、電気量は2500mA・min/dとした。
(従来例1〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を15Hz、その電流密度
を400mA/ alとして、エツチングした。なお、
エツチング液の温度は40℃とした。電気量は実施例1
と同じ。
〈従来例2〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を25&、その電流密度を
300鵬A/aJとして、エツチングした。なお。
エチング液の温度および電気量はともに実施例1と同じ
上記実施例1および従来例1,2について、15V化成
電圧時の静電容i(μFoal)、80V化成電圧時の
静電容量(μl//aJ)および折曲強度を測定した結
果を次表に示す、また、化成電圧−#F1重容量特性グ
ラフを第5図に示す。
この表から明らかなように、この発明のエツチング方法
によれば、特に15V化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第5図のグラフから、1種
類のアルミニウム箔で120Vまで使用することができ
ることが理解されよう。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、エツチングの
交流電流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数
が交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことにより、
低い周波数により粗いエツチングがなされ、それと同時
にその凹凸部の表面が高い周波数により微細にエツチン
グされるため、従来の一定周波数に比べて約35%のエ
ツチング倍率の拡大が図れる。また、生産設備の合理化
および生産性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
図はいずれもこの発明に関するもので、第1図はこの発
明のエツチング方法に使用される交流電流の一例を示し
た波形図、第2図は高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度−50V化威容量の特性グラフ、第3図は高
い周波数−50V化成容景の特性グラフ、第4図は低い
周波数−50V化威容量の特性グラフ、第5図は化成電
圧−静電容量特性グラフである。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アルミニウム箔をエッチング液内に浸漬し、交流
    電流を印加してその表面をエッチングする電解コンデン
    サ用アルミニウム箔のエッチング方法において、 上記交流電流として、一周期ごとに低い周波数と高い周
    波数が交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことを特
    徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング
    方法。
  2. (2)低い周波数は7〜20Hzの範囲で、高い周波数
    は15〜60Hzの範囲である請求項1記載の電解コン
    デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。
  3. (3)高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度が
    0.8以下(ただし.0は含まない)である請求項1も
    しくは2記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッ
    チング方法。
JP2325189A 1989-02-01 1989-02-01 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 Granted JPH02203514A (ja)

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