JPH02203514A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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- JPH02203514A JPH02203514A JP2325189A JP2325189A JPH02203514A JP H02203514 A JPH02203514 A JP H02203514A JP 2325189 A JP2325189 A JP 2325189A JP 2325189 A JP2325189 A JP 2325189A JP H02203514 A JPH02203514 A JP H02203514A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
アルミニウム電解コンデンサの小型化、容量増大を図る
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
その方法には、大別して直流量流による方法と交流電流
による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一に
微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチングが
有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウム
などのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸などの
無機酸もしくは有機酸などの添加物、液温、交流電流密
度などを巧みに組合せた種々のエツチング方法が実施さ
れている。
による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一に
微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチングが
有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウム
などのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸などの
無機酸もしくは有機酸などの添加物、液温、交流電流密
度などを巧みに組合せた種々のエツチング方法が実施さ
れている。
交流電流によるエツチング方法において、特にその周波
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因とじて
数多くの開発がなされ5例えば特公昭54−43177
号公報によると、商用周波数(50Hz。
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因とじて
数多くの開発がなされ5例えば特公昭54−43177
号公報によると、商用周波数(50Hz。
6(Hh)より低い周波数がエツチング倍率の拡大に有
効であると報告されている。また、J、ビiectro
ehem、Soe 128,300(1981)の文献
には、交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に
依存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数
が低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
効であると報告されている。また、J、ビiectro
ehem、Soe 128,300(1981)の文献
には、交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に
依存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数
が低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
以上のことから、従来では例えば50V以ドの低い電圧
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
し、50V以上の高い電圧で使用する電極箔は低い周波
数でエツチングするようにしでいる。しかしながら、こ
れによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設備な
どを切替る必要があるとともに、その電極箔を他の使用
電圧のものに使用できないという問題がある。もっとも
、低い周波数でエツチングした後、高い周波数でエツチ
ングすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔が得ら
九るのであるが7これには低い周波数によるエツチング
工程と、高い周波数によるエツチング工程の2工程が必
要とさハ、生産性の点で好ましくない。
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
し、50V以上の高い電圧で使用する電極箔は低い周波
数でエツチングするようにしでいる。しかしながら、こ
れによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設備な
どを切替る必要があるとともに、その電極箔を他の使用
電圧のものに使用できないという問題がある。もっとも
、低い周波数でエツチングした後、高い周波数でエツチ
ングすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔が得ら
九るのであるが7これには低い周波数によるエツチング
工程と、高い周波数によるエツチング工程の2工程が必
要とさハ、生産性の点で好ましくない。
この発明はL記従来の事情に鑑みなされたもので、その
t1的は、同一のエツチング工程において低い周波数に
よるエツチングと高い周波数によるエツチングとが行え
るようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法を提供することにある。
t1的は、同一のエツチング工程において低い周波数に
よるエツチングと高い周波数によるエツチングとが行え
るようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法を提供することにある。
筆記目的を達成するため、この発明においては。
アルミニウム箔をエツチング液内に浸漬し、交流電流を
印加してその表面をエツチングするにあたって、交流電
流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数が交互
に繰り返す波形の交流電流を用いたことを特徴としてい
る。なお、その波形としては正弦波、鋸歯状波、矩形波
1台形波などが適用できる。
印加してその表面をエツチングするにあたって、交流電
流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数が交互
に繰り返す波形の交流電流を用いたことを特徴としてい
る。なお、その波形としては正弦波、鋸歯状波、矩形波
1台形波などが適用できる。
第1v4にはその波形の一例が示されている。すなわち
、同図においてLFは低い周波数、HFは高い周波数で
あり、これらが一周期ごとに交互にエツチング液を介し
てアルミニウム箔に作用し、同電極箔のエツチングが行
われる。
、同図においてLFは低い周波数、HFは高い周波数で
あり、これらが一周期ごとに交互にエツチング液を介し
てアルミニウム箔に作用し、同電極箔のエツチングが行
われる。
この場合において、低い周波数は7〜20Hzの範囲で
、高い周波数は15〜60亀の範囲であることが好まし
い。また、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度の最適範囲は0.8以下(ただし、0は含まない)、
特には0.2=0.7が好ましい。
、高い周波数は15〜60亀の範囲であることが好まし
い。また、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度の最適範囲は0.8以下(ただし、0は含まない)、
特には0.2=0.7が好ましい。
これによれば、低い周波数により粗いエツチングがなさ
れ、それと同時にその凹凸部の表面が高い周波数により
微細にエツチングされることになる。
れ、それと同時にその凹凸部の表面が高い周波数により
微細にエツチングされることになる。
まず、このエツチング方法における■低い周波数の電流
密度に対する高い周波数の電流密度の比における静電容
量変化、■高い周波数の周波数範囲による静電容量変化
および■低い周波数の周波数範囲による静電容量変化に
ついて、その実験データに基づく特性グラフを参照しな
がら説明する。
密度に対する高い周波数の電流密度の比における静電容
量変化、■高い周波数の周波数範囲による静電容量変化
および■低い周波数の周波数範囲による静電容量変化に
ついて、その実験データに基づく特性グラフを参照しな
がら説明する。
なお、これらの実験では、厚み9011111純度99
゜98%以」−のアルミニウム箔と、HCIが10wt
%、1.+3PO,が2、Ovt%、HNO3が1.0
wt%、 H,SO2が0.1%lt%のエツチング液
を使用した9この場合、液温は30℃とした。
゜98%以」−のアルミニウム箔と、HCIが10wt
%、1.+3PO,が2、Ovt%、HNO3が1.0
wt%、 H,SO2が0.1%lt%のエツチング液
を使用した9この場合、液温は30℃とした。
なお、エツチング液の組成はこの例に限定されることな
く1種々の組成のエツチング液が使用できるわ ■低い周波数の電流密度と高い周波数の電流密度との関
係について。
く1種々の組成のエツチング液が使用できるわ ■低い周波数の電流密度と高い周波数の電流密度との関
係について。
低い周波数を15)h、高い周波数を30Hz、また、
低い周波数の電流密度を400mA/ cslとし、こ
れらを一定として、高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度を0〜1.0まで変化させてエツチングを行
い、その50V化成容短(μF/cd)を測定したグラ
フを第2図に示す。これによると、高い周波数の電流密
度/低い周波数の電流密度の最適範囲は、0゜8以下(
ただし.0は含まない)、特には0゜2〜0.7の範囲
が好ましい。
低い周波数の電流密度を400mA/ cslとし、こ
れらを一定として、高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度を0〜1.0まで変化させてエツチングを行
い、その50V化成容短(μF/cd)を測定したグラ
フを第2図に示す。これによると、高い周波数の電流密
度/低い周波数の電流密度の最適範囲は、0゜8以下(
ただし.0は含まない)、特には0゜2〜0.7の範囲
が好ましい。
■高い周波数の周波数範囲について。
低い周波数を15七、その電流密度を400mA/ c
d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0
.5とし、これらを一定として、高い周波数を15〜1
00&まで変化させてエツチングを行い、その50■化
威容量(μF/d)を測定したグラフを第3図に示す、
これによると、高い周波数の最適範囲は15〜60七の
範囲となる。
d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0
.5とし、これらを一定として、高い周波数を15〜1
00&まで変化させてエツチングを行い、その50■化
威容量(μF/d)を測定したグラフを第3図に示す、
これによると、高い周波数の最適範囲は15〜60七の
範囲となる。
■低い周波数の周波数範囲について。
高い周波数を30&、低い周波数の電流密度を400m
A/ d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度を0.5とし、これらを一定として、低い周波数を3
〜25七まで変化させてエツチングを行い、その50V
化成容fit(μF/aJ)を測定したグラフを第4図
に示す、これによると、低い周波数の最適範囲は7〜2
0Hzの範囲となる。
A/ d、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密
度を0.5とし、これらを一定として、低い周波数を3
〜25七まで変化させてエツチングを行い、その50V
化成容fit(μF/aJ)を測定したグラフを第4図
に示す、これによると、低い周波数の最適範囲は7〜2
0Hzの範囲となる。
(実施例1)アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、低い周波数を15凧、高い周波数を30&、
低い周波数の電流密度を400IsA/ ai、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.5として
、エツチングした。なお、この場合の液温は35℃であ
り、また、電気量は2500mA・min/dとした。
験と同じ、低い周波数を15凧、高い周波数を30&、
低い周波数の電流密度を400IsA/ ai、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.5として
、エツチングした。なお、この場合の液温は35℃であ
り、また、電気量は2500mA・min/dとした。
(従来例1〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を15Hz、その電流密度
を400mA/ alとして、エツチングした。なお、
エツチング液の温度は40℃とした。電気量は実施例1
と同じ。
験と同じ、交流電流の周波数を15Hz、その電流密度
を400mA/ alとして、エツチングした。なお、
エツチング液の温度は40℃とした。電気量は実施例1
と同じ。
〈従来例2〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を25&、その電流密度を
300鵬A/aJとして、エツチングした。なお。
験と同じ、交流電流の周波数を25&、その電流密度を
300鵬A/aJとして、エツチングした。なお。
エチング液の温度および電気量はともに実施例1と同じ
。
。
上記実施例1および従来例1,2について、15V化成
電圧時の静電容i(μFoal)、80V化成電圧時の
静電容量(μl//aJ)および折曲強度を測定した結
果を次表に示す、また、化成電圧−#F1重容量特性グ
ラフを第5図に示す。
電圧時の静電容i(μFoal)、80V化成電圧時の
静電容量(μl//aJ)および折曲強度を測定した結
果を次表に示す、また、化成電圧−#F1重容量特性グ
ラフを第5図に示す。
この表から明らかなように、この発明のエツチング方法
によれば、特に15V化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第5図のグラフから、1種
類のアルミニウム箔で120Vまで使用することができ
ることが理解されよう。
によれば、特に15V化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第5図のグラフから、1種
類のアルミニウム箔で120Vまで使用することができ
ることが理解されよう。
以上説明したように、この発明によれば、エツチングの
交流電流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数
が交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことにより、
低い周波数により粗いエツチングがなされ、それと同時
にその凹凸部の表面が高い周波数により微細にエツチン
グされるため、従来の一定周波数に比べて約35%のエ
ツチング倍率の拡大が図れる。また、生産設備の合理化
および生産性の向上が図れる。
交流電流として、一周期ごとに低い周波数と高い周波数
が交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことにより、
低い周波数により粗いエツチングがなされ、それと同時
にその凹凸部の表面が高い周波数により微細にエツチン
グされるため、従来の一定周波数に比べて約35%のエ
ツチング倍率の拡大が図れる。また、生産設備の合理化
および生産性の向上が図れる。
図はいずれもこの発明に関するもので、第1図はこの発
明のエツチング方法に使用される交流電流の一例を示し
た波形図、第2図は高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度−50V化威容量の特性グラフ、第3図は高
い周波数−50V化成容景の特性グラフ、第4図は低い
周波数−50V化威容量の特性グラフ、第5図は化成電
圧−静電容量特性グラフである。
明のエツチング方法に使用される交流電流の一例を示し
た波形図、第2図は高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度−50V化威容量の特性グラフ、第3図は高
い周波数−50V化成容景の特性グラフ、第4図は低い
周波数−50V化威容量の特性グラフ、第5図は化成電
圧−静電容量特性グラフである。
Claims (3)
- (1)アルミニウム箔をエッチング液内に浸漬し、交流
電流を印加してその表面をエッチングする電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法において、 上記交流電流として、一周期ごとに低い周波数と高い周
波数が交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことを特
徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング
方法。 - (2)低い周波数は7〜20Hzの範囲で、高い周波数
は15〜60Hzの範囲である請求項1記載の電解コン
デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - (3)高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度が
0.8以下(ただし.0は含まない)である請求項1も
しくは2記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2325189A JPH02203514A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2325189A JPH02203514A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02203514A true JPH02203514A (ja) | 1990-08-13 |
JPH0561767B2 JPH0561767B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=12105381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2325189A Granted JPH02203514A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02203514A (ja) |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP2325189A patent/JPH02203514A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0561767B2 (ja) | 1993-09-07 |
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