JPH02203515A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法Info
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
アルミニウム電解コンデンサの小型化、容量増大を図る
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
には、その電極箔の表面積を拡大することが不可欠とさ
れている。これは通常電解エツチングによりなされる。
その方法には、大別して、直流電流による方法と交流電
流による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一
に微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチング
が有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウ
ムなどのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸など
の無機酸も−しくは有機酸などの添加物、液温。
流による方法とがあるが、低圧陽極用の場合には、均一
に微細な凹凸形状の得られる交流電流によるエツチング
が有効とされている。具体的には、塩酸、塩化ナトリウ
ムなどのエツチング液に対して硫酸、リン酸、硝酸など
の無機酸も−しくは有機酸などの添加物、液温。
交流電流密度などを巧みに組合せた種々のエツチング方
法が実施されている。
法が実施されている。
交流電流によるエツチング方法において、特にその周波
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因として
数多くの開発がなされ、例えば特公昭54−43177
号公報によると、商用周波数(So七。
数はエツチング倍率の大小を決定する重要な要因として
数多くの開発がなされ、例えば特公昭54−43177
号公報によると、商用周波数(So七。
60&)より低い周波数がエツチング倍率の拡大に有効
であると報告されでいる。また、J、Hleetroe
hem、Soe 128,300(1981)の文献に
は7交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に依
存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数が
低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
であると報告されでいる。また、J、Hleetroe
hem、Soe 128,300(1981)の文献に
は7交流エツチングで形成される凹凸形状は周波数に依
存し、周波数が高いとより微細な形状になり、周波数が
低くなるにつれて粗い形状になると記述されている。
以上のことから、従来では例えば50V以下の低い電圧
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
!81.50v以りの高い電圧で使用する電@箔は低い
周波数でエツチングするようにしている。しかしながら
、これによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設
備などを切替る必要があるとともに3、その電極箔を他
の使用電圧のものに使用できないという問題がある。も
っとも、低い周波数でエツチングした後、高い周波数で
エツチングすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔
が得ら九るのであるが、これには低い周波数によるエツ
チング工程と、高い周波数によるエツチング工程の2工
程が必要とされ、生産性の点で好ましくない。
で用いられる電極箔については高い周波数でエツチング
!81.50v以りの高い電圧で使用する電@箔は低い
周波数でエツチングするようにしている。しかしながら
、これによると電極箔の使用電圧に応じてエツチング設
備などを切替る必要があるとともに3、その電極箔を他
の使用電圧のものに使用できないという問題がある。も
っとも、低い周波数でエツチングした後、高い周波数で
エツチングすれば、使用電圧範囲が広い汎用性の電極箔
が得ら九るのであるが、これには低い周波数によるエツ
チング工程と、高い周波数によるエツチング工程の2工
程が必要とされ、生産性の点で好ましくない。
この発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、その
目的は2同一のエツチング工程において低い周波数によ
るエツチングと高い周波数によるエツチングとが行える
ようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチン
グ方法を提供することにある。
目的は2同一のエツチング工程において低い周波数によ
るエツチングと高い周波数によるエツチングとが行える
ようにした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチン
グ方法を提供することにある。
ト記]1的を達成するため5この発明においては。
アルミニウム箔をエツチング液内に浸漬し、交流電流を
印加してその表面をエツチングするにあたって、交流電
流どして、畠い周波数の一周期と低い周波数の半周期を
交ri +、、:繰り返す波形の交流電流を用いたこと
を特徴としている9なお、その波形と1.7ては正弦波
、@歯状波、矩形波、台形波などが適用できる5、 第1図にはその波形の−・例が示されている。すなわち
、同図においてHFは高い周波数、L Fは低い周波数
であり、これによれば高い周波数Hl”の−周期と低い
周波数L F”の半周期が交互にエツチング液を介して
アルミニウム箔に作用し、同電極箔のエツチングが行わ
れる。
印加してその表面をエツチングするにあたって、交流電
流どして、畠い周波数の一周期と低い周波数の半周期を
交ri +、、:繰り返す波形の交流電流を用いたこと
を特徴としている9なお、その波形と1.7ては正弦波
、@歯状波、矩形波、台形波などが適用できる5、 第1図にはその波形の−・例が示されている。すなわち
、同図においてHFは高い周波数、L Fは低い周波数
であり、これによれば高い周波数Hl”の−周期と低い
周波数L F”の半周期が交互にエツチング液を介して
アルミニウム箔に作用し、同電極箔のエツチングが行わ
れる。
この場合において、低い周波数は7〜20Hzの範囲で
、高い周波数は35〜80Hzの範囲であることが好ま
しい。また、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流
密度の最適範囲は0゜3以下(ただし、0は含まない)
が好ましい、 〔作 用〕 これによれば、低い周波数により粗いエツチングがなさ
れ、それと同時にその凹凸部の表面が高い周波数により
微細にエツチングされることになる。
、高い周波数は35〜80Hzの範囲であることが好ま
しい。また、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流
密度の最適範囲は0゜3以下(ただし、0は含まない)
が好ましい、 〔作 用〕 これによれば、低い周波数により粗いエツチングがなさ
れ、それと同時にその凹凸部の表面が高い周波数により
微細にエツチングされることになる。
まず、この工1ツヂング方法における■低い周波数の電
流密度に対する高い周波数の電流密度の比における静電
容量変化、■高い周波数の周波数範囲による静電容量変
化および■低い周波数の周波数範囲による静電容量変化
について、その実験データに基づく特性グラフを参照し
ながら説明する。
流密度に対する高い周波数の電流密度の比における静電
容量変化、■高い周波数の周波数範囲による静電容量変
化および■低い周波数の周波数範囲による静電容量変化
について、その実験データに基づく特性グラフを参照し
ながら説明する。
なお、これらの実験では、厚み90#m、純度99.9
8%以先のアルミニウム箔と、 HCIが10%it%
、H3PO4が2、Ovt%、HNO3が1 、0%l
t%、 11. So、が0.1vt%のエツチング液
を使用した。この場合、液温は30℃とした。
8%以先のアルミニウム箔と、 HCIが10%it%
、H3PO4が2、Ovt%、HNO3が1 、0%l
t%、 11. So、が0.1vt%のエツチング液
を使用した。この場合、液温は30℃とした。
なお、エツチング液の組成はこの例に限定されることな
く、種々の組成のエツチング液が使用できる。
く、種々の組成のエツチング液が使用できる。
■低い周波数の電流密度と高い周波数の電流密度との関
係について。
係について。
低い周波数を151(E、高い周波数を501(z、ま
た、低い周波数の電流密度を400誼A/1−fflと
し、これらを一定として、高い周波数の電流密度/低い
周波数の電流密度をO〜1.0まで変化させてエツチン
グを行い、その50V化成容量(μF/cd)をtI1
1定したグラフを第2図に示す。これによると、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度の最適範囲は、
0.3以下(ただし、Oは含まない)の範囲が好まし1
X、l ■高い周波数の周波数範囲について。
た、低い周波数の電流密度を400誼A/1−fflと
し、これらを一定として、高い周波数の電流密度/低い
周波数の電流密度をO〜1.0まで変化させてエツチン
グを行い、その50V化成容量(μF/cd)をtI1
1定したグラフを第2図に示す。これによると、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度の最適範囲は、
0.3以下(ただし、Oは含まない)の範囲が好まし1
X、l ■高い周波数の周波数範囲について。
低い周波数を15&、その電流密度を400mA/a!
。
。
高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.5
とし、これらを一定として、高い周波数を20〜100
&まで変化させてエツチングを行い、その50V化威容
量(μF/aJ)を測定したグラフを第3図に示す、こ
れによると、高い周波数の最適範囲は35〜80Hzの
範囲となる。
とし、これらを一定として、高い周波数を20〜100
&まで変化させてエツチングを行い、その50V化威容
量(μF/aJ)を測定したグラフを第3図に示す、こ
れによると、高い周波数の最適範囲は35〜80Hzの
範囲となる。
■低い周波数の周波数範囲について。
高い周波数を30七、低い周波数の電流密度を400■
Add、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度
を0.5とし、これらを一定として、低い周波数を5〜
30七まで変化させてエツチングを行い、その50V化
威容量(μF/ad)を測定したグラフを第4図に示す
、これによると、低い周波数の最適範囲は7〜25七の
範囲となる。
Add、高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度
を0.5とし、これらを一定として、低い周波数を5〜
30七まで変化させてエツチングを行い、その50V化
威容量(μF/ad)を測定したグラフを第4図に示す
、これによると、低い周波数の最適範囲は7〜25七の
範囲となる。
(実施例1)アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、低い周波数を15七、高い周波数を50Hz
、低い周波数の電流密度を400mA/ aJ、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.1として
、エツチングした。なお、この場合の液温は35℃であ
り、また、電気量は2500mA・win/dとした。
験と同じ、低い周波数を15七、高い周波数を50Hz
、低い周波数の電流密度を400mA/ aJ、高い周
波数の電流密度/低い周波数の電流密度を0.1として
、エツチングした。なお、この場合の液温は35℃であ
り、また、電気量は2500mA・win/dとした。
〈従来例1〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を15七、その電流密度を
400鳳A/csfとして、エツチングした。なお、エ
ツチング液の温度は40℃とした。電気量は実施例1と
同じ。
験と同じ、交流電流の周波数を15七、その電流密度を
400鳳A/csfとして、エツチングした。なお、エ
ツチング液の温度は40℃とした。電気量は実施例1と
同じ。
〈従来例2〉アルミニウム箔とエツチング液は上記の実
験と同じ、交流電流の周波数を25七、その電流密度を
300閣A/aJとして、エツチングした。なお。
験と同じ、交流電流の周波数を25七、その電流密度を
300閣A/aJとして、エツチングした。なお。
エチング液の温度および電気量はともに実施例1と同じ
。
。
上記実施例1および従来例1,2について、lsV化成
電圧時の静電容量(μF/d)、80V化成電圧時の静
電容量(μF/csf)および折曲強度を測定した結果
を次表に示す、また、化成電圧−静電容量特性グラフを
第5図に示す。
電圧時の静電容量(μF/d)、80V化成電圧時の静
電容量(μF/csf)および折曲強度を測定した結果
を次表に示す、また、化成電圧−静電容量特性グラフを
第5図に示す。
この表から明らかなように、この発明のエツチング方法
によれば、特に15V化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第5図のグラフから、1種
類のアルミニウム箔で120vまで使用することができ
ることが理解されよう。
によれば、特に15V化成電圧時において飛躍的に高い
静電容量が得られた。また、第5図のグラフから、1種
類のアルミニウム箔で120vまで使用することができ
ることが理解されよう。
以上説明したように、この発明によれば、エツチングの
交流電流として、高い周波数の一周期と低い周波数の半
周期を交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことによ
り、低い周波数により粗いエツチングがなされ、それと
同時にその凹凸部の表面が高い周波数により微細にエツ
チングされるため、従来の一定周波数に比べて約30%
のエツチング倍率の拡大が図れる。また、生産設備の合
理化および生産性の向上が図れる。
交流電流として、高い周波数の一周期と低い周波数の半
周期を交互に繰り返す波形の交流電流を用いたことによ
り、低い周波数により粗いエツチングがなされ、それと
同時にその凹凸部の表面が高い周波数により微細にエツ
チングされるため、従来の一定周波数に比べて約30%
のエツチング倍率の拡大が図れる。また、生産設備の合
理化および生産性の向上が図れる。
図はいずれもこの発明に関するもので、第1図はこの発
明のエツチング方法に使用される交流電流の一例を示し
た波形図、第2図は高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度−50v化成容量の特性グラフ、第3図は高
い周波数−50v化威容量の特性グラフ、第4図は低い
周波数−50v化威容量の特性グラフ、第5図は化成電
圧−静電容量特性グラフである。
明のエツチング方法に使用される交流電流の一例を示し
た波形図、第2図は高い周波数の電流密度/低い周波数
の電流密度−50v化成容量の特性グラフ、第3図は高
い周波数−50v化威容量の特性グラフ、第4図は低い
周波数−50v化威容量の特性グラフ、第5図は化成電
圧−静電容量特性グラフである。
Claims (3)
- (1)アルミニウム箔をエッチング液内に浸漬し、交流
電流を印加してその表面をエッチングする電解コンデン
サ用アルミニウム箔のエッチング方法において、 上記交流電流として、高い周波数の一周期と低い周波数
の半周期を交互に繰り返す波形の交流電流を用いたこと
を特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチ
ング方法。 - (2)低い周波数は7〜25Hzの範囲で、高い周波数
は35〜80Hzの範囲である請求項1記載の電解コン
デンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。 - (3)高い周波数の電流密度/低い周波数の電流密度が
0.3以下(ただし、0は含まない)である請求項1も
しくは2記載の電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2325289A JPH02203515A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2325289A JPH02203515A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02203515A true JPH02203515A (ja) | 1990-08-13 |
JPH0561768B2 JPH0561768B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=12105409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2325289A Granted JPH02203515A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02203515A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0661390A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Nihon Chikudenki Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of etching aluminum foil for electrolytic condensor |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP2325289A patent/JPH02203515A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0661390A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Nihon Chikudenki Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of etching aluminum foil for electrolytic condensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0561768B2 (ja) | 1993-09-07 |
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