JPH02202019A - 半導体結晶の液相成長法 - Google Patents
半導体結晶の液相成長法Info
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- JPH02202019A JPH02202019A JP2242789A JP2242789A JPH02202019A JP H02202019 A JPH02202019 A JP H02202019A JP 2242789 A JP2242789 A JP 2242789A JP 2242789 A JP2242789 A JP 2242789A JP H02202019 A JPH02202019 A JP H02202019A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
この発明は、半導体結晶を液相成長させる場合、電極形
成面が残りかす除去液で侵されないようにした技術につ
いてのものであ、る。
成面が残りかす除去液で侵されないようにした技術につ
いてのものであ、る。
（ｂ）従来技術と問題点
次に、第４図を参照して従来技術による半導体結晶の液
相成長法を説明する。
相成長法を説明する。
第４図では、半導体基板としてＩｎＰ（インジュウム・
リン）系を例にして説明する。
リン）系を例にして説明する。
第４図の１はＩｎＰの基板、２は
ＩｎＧａＡｓＰ層の電極形成層、４は残りかすである。
第４図のように、基板１上に電極形成層２を成長させる
と、成長溶液の残りかす４が電極形成層２の上に残るこ
とがあり、この残りかす４を除去しなければならないと
いう問題がある。
と、成長溶液の残りかす４が電極形成層２の上に残るこ
とがあり、この残りかす４を除去しなければならないと
いう問題がある。
残りかす４は、ＨＮＯ３に溶けるので、ＨＮＯ３で残り
かす４を取り除くことができる。
かす４を取り除くことができる。
第５図は、第４図の残りかす４をＨＮＯ３で取り除いた
状態図である。
状態図である。
第５図から明らかなように、ＨＮＯ３で残りかす４を取
り除くと、電極形成層２もＨＮＯ，に溶けるので、電極
形成層２の表面が荒れてしまうという問題がある。
り除くと、電極形成層２もＨＮＯ，に溶けるので、電極
形成層２の表面が荒れてしまうという問題がある。
（Ｃ）発明の目的
この発明は、ＨＮＯ，に溶解しない保護層を電極形成層
２の上に成長させ、成長溶液の残りかす４をＨＮＯ，で
処理しても電極形成層２上を荒らすことがないようにし
、残りかす４を取り除いた後は、保護層だけを別の処理
溶液で溶かすようにした液相成長法の提供を目的とする
。
２の上に成長させ、成長溶液の残りかす４をＨＮＯ，で
処理しても電極形成層２上を荒らすことがないようにし
、残りかす４を取り除いた後は、保護層だけを別の処理
溶液で溶かすようにした液相成長法の提供を目的とする
。
（ｄ）発明の実施例
次に、この発明による実施例の構成図を第１図に示す。
第１図の３はＩｎＰで形成される保護層であり、その他
は第４図と同じである。
は第４図と同じである。
すなわち、第１図はＨＮＯ，には溶けないが、ＨＣＩに
は溶ける保護層３を第４図の電極形成層２の上に成長さ
せたものであり、残りかす４は保護層３の上に残る。
は溶ける保護層３を第４図の電極形成層２の上に成長さ
せたものであり、残りかす４は保護層３の上に残る。
次に、第１図をＨＮＯ３で処理した状態図を第２図に示
す。
す。
残りかす４はＨＮＯ，に溶けるので、第２図では第１図
の残りかす４は取り除かれる。しかし、保護層３はＨＮ
Ｏｓには溶解しないので、保護層３の部分はそのまま
残る。したがって、ＨＮＯ。
の残りかす４は取り除かれる。しかし、保護層３はＨＮ
Ｏｓには溶解しないので、保護層３の部分はそのまま
残る。したがって、ＨＮＯ。
に溶解する電極形成層２は、ＨＮＯ，に溶けない保護層
３に覆われているのでＨＮＯ３に侵されることなく、残
りかす４だけが取り除かれる。
３に覆われているのでＨＮＯ３に侵されることなく、残
りかす４だけが取り除かれる。
次に、第２図をＨ２ＳＯ４系溶液で処理した状態図を第
３図に示す。
３図に示す。
保護Ｎ３はＨ２ＳＯ４系溶液に溶けるので、第３図では
第２図のＩ ｎＰ３は取り除かれる。しかし、電極形成
層２はＨ２ＳＯ，系溶液に侵されないので、清浄な電極
形成層２の表面が残る。
第２図のＩ ｎＰ３は取り除かれる。しかし、電極形成
層２はＨ２ＳＯ，系溶液に侵されないので、清浄な電極
形成層２の表面が残る。
（ｅ）発明の効果
この発明によれば、ＨＮＯ，に溶解しない保護層を電極
形成層の上に成長させ、成長溶液の残りかすをＨＮＯ３
で処理しても電極形成層上を荒らすことがないようにし
てい゛るので、清浄で荒れのない表面が得られ、またエ
ツチング以外の洗浄工程を簡単にすることができる。
形成層の上に成長させ、成長溶液の残りかすをＨＮＯ３
で処理しても電極形成層上を荒らすことがないようにし
てい゛るので、清浄で荒れのない表面が得られ、またエ
ツチング以外の洗浄工程を簡単にすることができる。
第１図はこの発明による実施例の構成図、第２図は第１
図をＨＮＯ３で処理した状態図、第３図は第２図をＨ２
Ｓｏ、系溶液で処理した状態図、第４図は従来技術によ
る半導体結晶の液相成長法説明図、第５図は第４図の残
りかす４をＨＮＯ。 で取り除いた状態図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極形成層、３・
・・・・・保護層、４・・・・・・残りかす。 第 図 残りかす 第 図 殆りかず 第 図 基板 第 図 基板 基板
図をＨＮＯ３で処理した状態図、第３図は第２図をＨ２
Ｓｏ、系溶液で処理した状態図、第４図は従来技術によ
る半導体結晶の液相成長法説明図、第５図は第４図の残
りかす４をＨＮＯ。 で取り除いた状態図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極形成層、３・
・・・・・保護層、４・・・・・・残りかす。 第 図 残りかす 第 図 殆りかず 第 図 基板 第 図 基板 基板
Claims (1)
- １、基板（１）上に電極形成層（２）を成長させ、電極
形成層（２）上に残りかす除去液では侵されないが、保
護層除去液で取り除かれる保護層（３）を成長させるこ
とを特徴とする半導体結晶の液相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242789A JPH02202019A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体結晶の液相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242789A JPH02202019A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体結晶の液相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202019A true JPH02202019A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12082394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242789A Pending JPH02202019A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体結晶の液相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010084779A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2010084778A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2242789A patent/JPH02202019A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010084779A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2010084778A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2010171302A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2010170928A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| US8450933B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-05-28 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus |
| US8558460B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus |
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