JP2010170928A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板9を処理室3a内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室3a内の異常放電を検出する放電検出センサ23、処理室3a内を窓部2aを介して撮影して動画データを出力するカメラ26を備え、異常放電を検出した場合には異常放電の検出時点を含む時間帯に対応する動画データを記憶させ、異常放電を検出しない場合には正常な放電状態を示す動画または静止画のデータを、プラズマ処理が行われたことを示す正常履歴画像データとして記憶させる。これにより、異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができる。
【選択図】図1
Description
を取得するとともにトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
35、日時データ生成部36、ワーク情報記憶部37、運転条件パラメータ記憶部38、補助記憶部39、装置制御部40、履歴情報記憶部41、ファイル出力部42を備えている。
aで参照する判定しきい値や放電状態判定部34bによる異常放電の判定で参照する判定基準となる数値が記憶されている。次に、放電状態解析部34aの処理機能について説明する。
る。抽出するデータの範囲としては、少なくとも異常放電の発生時期を含む時間帯を含めばよく、本実施の形態では異常放電発生前から放電状態検出部34が異常放電を検出する検出時点までの時間帯に対応するデータ(異常放電の発生状況を示す電位変化データ)が抽出対象となる。すなわち電位変化データ抽出部35aは、放電状態検出部34が検出データ(イ)によって異常放電の発生を検出した場合に、少なくともその異常放電の発生状況を示す電位変化のデータを第3の記憶部である電位変化記憶部32から読み取って、第4の記憶部である履歴情報記憶部41に電位変化データ41aとして記憶させる処理を行う。
搬入開始時点など、異常放電の検出時点から所定時間だけ遡った遡及時点および異常放電の検出時点を含んで設定される抽出対象時間帯に対応する動画データを記憶させることにより、異常放電に起因する品質不良が発生した場合にはその異常放電が発生したときの状況を視覚的に把握することが可能になる。これにより、プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができる。
ジンにおける収納位置(段数)をカウントするためのカウント値)等から導出される。対象物特定データはデータ記録部35によって装置制御部40から読み取られて履歴情報記録部41に処理済ワーク情報41jとして記憶される。従って、装置制御部40は処理対象物を特定するための対象物特定データを出力する対象物特定データ出力部として機能する。
タ(異常時)41b、履歴画像データ41dとリンクさせた上で記録する。これにより、電位変化データ41aと動画データ(異常時)41b、履歴画像データ41dを、共通の日時データを介して関連づけることができる。すなわち第2の記憶部に記憶された動画データ(異常時)41b、履歴画像データ41dと第4の記憶部に記憶された電位変化データ41aには、両者を関連付けるための連結情報としての日時データが含まれた形態となっている。
大気開放が行われる。そして大気開放が完了して蓋部2が上昇したタイミングt4から基板搬出動作が開始され、タイミングt5にて基板搬出が終了することにより、プラズマ処理の1サイクルが完了する。
ミング[t3−Δt]におけるマシン出力データを一時記憶部35cに記憶されたデータの中から抽出して履歴情報記録部41のマシン出力データ41cに記憶する。タイミング[t3−Δt]におけるマシン出力データを記録する理由については、タイミングt3のマシン出力データはプラズマが消滅した後のプラズマ処理実行部の運転状況を示すデータであり、トレーサビリティ用のデータとして採用できないからである。そこで、プラズマ放電が安定していると思われるタイミングまで時間を遡ってマシン出力データを一時記憶部35cから抽出して履歴情報記録部41のマシン出力データ41cに記憶するようにしている。時間Δtは制御部の処理速度により異なるが、数十msから数百msの範囲で設定されるのが望ましい。また、データ記録部35は(S7)で記録した日時データを連結情報としてマシン出力データに組み込んで履歴情報記録部41のマシン出力データ41cに記憶する。日時データを連結情報として組み込む方法としては、ファイル名の一部に日時データを使用する方法でもよい。
って(S7)の日時データが連結情報として組み込まれる。また、履歴情報記憶部41に記憶される動画データにも画像データ抽出部35bによって(S7)の日時データが連結情報として組み込まれる。
に記録された処理済ワーク情報41jに相当するデータである。「運転条件パラメータ」61f、「マシン出力データ」61gは、それぞれ履歴情報記憶部41に記録された運転条件パラメータ41h、マシン出力データ41cに相当するデータである。「画像」61hには、当該基板9が正常にプラズマ処理されたことを証明するための履歴画像(動画または静止画)が、この画像を特定するデータ名称とともに出力される。
る。
データがリムーバブル記憶装置28に出力される。この出力操作は、上述のトラブル発生時において、電位変化データを波形として視覚的に確認する必要があると判断する場合に選択されるものである。
2a 窓部
3 真空チャンバ
3a 処理室
5 電極部
9 基板
15 圧力計
16 ガス供給部
17 真空ポンプ
18 整合器
19 高周波電源部
21 誘電体部材
22 プローブ電極ユニット
22b プローブ電極
23 放電検出センサ
26 カメラ
P プラズマ
Claims (2)
- 処理対象物を収容可能な処理室を形成する真空チャンバと、前記処理室を減圧した状態でこの処理室内にプラズマ発生用ガスを導入して高周波電圧を印加することにより前記プラズマ発生用ガスを励起させて前記処理室内に収容された処理対象物のプラズマ処理を実行するプラズマ処理実行部と、前記処理室内における異常放電を検出する放電状態検出手段を備えたプラズマ処理装置であって、
前記真空チャンバに設けた窓部と、前記窓部を介して前記真空チャンバの内部を撮影して動画データを出力するカメラと、前記カメラから出力された動画データを記憶する第1の記憶部と、前記第1の記憶部から抽出された動画データを記憶する第2の記憶部と、前記第1の記憶部から前記動画データを抽出して前記第2の記憶部に記憶させる処理を行う画像データ抽出手段とを備え、
前記画像データ抽出手段は、前記放電状態検出手段が異常放電を検出した場合には、少なくとも異常放電の発生状況を示す動画データを前記第1の記憶部から抽出して前記第2の記憶部に記憶させ、
異常放電を検出することなくプラズマ処理が終了した場合には、予め決められた特定時期の動画データもしくは前記第1の記憶部の動画データから派生する特定時期の静止画データを前記第1の記憶部から抽出して前記第2の記憶部に記憶させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記窓部は、一方の面が前記処理室内に発生した前記プラズマに対向するように前記真空チャンバに装着された板状の誘電体部材であり、
前記放電状態検出手段は、前記誘電体部材の他方の面に設けた透明電極と、前記透明電極に前記プラズマの変化に応じて誘発される電位変化を受信して異常放電の発生を検出する放電状態解析部を備えたことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013993A JP5353266B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | プラズマ処理装置 |
PCT/JP2010/000404 WO2010084778A1 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-25 | プラズマ処理装置 |
CN201080005409.2A CN102293064B (zh) | 2009-01-26 | 2010-01-25 | 等离子体处理装置 |
US13/145,960 US8450933B2 (en) | 2009-01-26 | 2010-01-25 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013993A JP5353266B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010170928A true JP2010170928A (ja) | 2010-08-05 |
JP5353266B2 JP5353266B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=42355833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009013993A Active JP5353266B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8450933B2 (ja) |
JP (1) | JP5353266B2 (ja) |
CN (1) | CN102293064B (ja) |
WO (1) | WO2010084778A1 (ja) |
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- 2010-01-25 US US13/145,960 patent/US8450933B2/en active Active
- 2010-01-25 CN CN201080005409.2A patent/CN102293064B/zh active Active
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CN102293064B (zh) | 2014-06-11 |
JP5353266B2 (ja) | 2013-11-27 |
US8450933B2 (en) | 2013-05-28 |
CN102293064A (zh) | 2011-12-21 |
WO2010084778A1 (ja) | 2010-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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