JPS5942450B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5942450B2 JPS5942450B2 JP55186864A JP18686480A JPS5942450B2 JP S5942450 B2 JPS5942450 B2 JP S5942450B2 JP 55186864 A JP55186864 A JP 55186864A JP 18686480 A JP18686480 A JP 18686480A JP S5942450 B2 JPS5942450 B2 JP S5942450B2
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- crystal
- inp
- manufacturing
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液相エピタキシャル成長における基板の前処
理工程に係り、特に基板、又はエピタキシャル結晶がス
トライプ加工されている場合、この部分に歩留り良く結
晶を成長させる方法に関する。
理工程に係り、特に基板、又はエピタキシャル結晶がス
トライプ加工されている場合、この部分に歩留り良く結
晶を成長させる方法に関する。
従来は、ストライプ加工された基板の前処理工程として
は、有機溶剤による超音波洗浄をした後に、所定のエッ
チャントでエッチング処理をしていた。
は、有機溶剤による超音波洗浄をした後に、所定のエッ
チャントでエッチング処理をしていた。
有機物を使用した後の基板又はエピタキシャル結晶は、
トリクレン、アセトン等による洗浄の後でも、微量の有
機物が残つている。この状態でエッチングした場合、エ
ッチャントとのぬれが不十分でエッチされない部分もあ
る。特にストライフ溝造となつている部分は、エッチン
グされていない場合が多く、結晶成長時に、メルトとの
ぬれが悪くなり成長しない部分が生ずる。このため、歩
留りがかなり低下していた。
トリクレン、アセトン等による洗浄の後でも、微量の有
機物が残つている。この状態でエッチングした場合、エ
ッチャントとのぬれが不十分でエッチされない部分もあ
る。特にストライフ溝造となつている部分は、エッチン
グされていない場合が多く、結晶成長時に、メルトとの
ぬれが悪くなり成長しない部分が生ずる。このため、歩
留りがかなり低下していた。
エピタキシャル結晶界面の状態が良好ではなく、デバイ
スの特性が向上しない原因にもなつていた。これを改善
するため、エッチングの前に濃硫酸で処理したところ、
完全に有機物が除去されることが判つた。即ち本発明は
半導体基板又は、エピタキシャル結晶上に穴加工又は溝
加工を施してこの上に液相エピタキシャル成長する場合
、前処理として濃硫酸で処理することにより、微量な有
機物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法を提供するものである。
スの特性が向上しない原因にもなつていた。これを改善
するため、エッチングの前に濃硫酸で処理したところ、
完全に有機物が除去されることが判つた。即ち本発明は
半導体基板又は、エピタキシャル結晶上に穴加工又は溝
加工を施してこの上に液相エピタキシャル成長する場合
、前処理として濃硫酸で処理することにより、微量な有
機物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法を提供するものである。
以下本発明を、ＩｎＰ基板上にＩｎＰ、
ＩｎＧａＡｓＰを成長させ、４元系結晶をメサストライ
プ構造とした上に２回目の結晶成長でＩｎＰを成長させ
た実施例を参照して説明する。
プ構造とした上に２回目の結晶成長でＩｎＰを成長させ
た実施例を参照して説明する。
第１図はＩｎＰ基板１上にＩｎＰバッファ層２及びＩｎ
ＧａＡｓＰ層３を順次エピタキシャル成長した後、ＣＤ
Ｄ法によりＳｉＯ２膜を形成した基板上にレジストを塗
布し、フォトエッチングによりＳｉＯ２膜をパターニン
グし、ＳｉＯ２膜をマスクしてエッチャントしてＨ２Ｓ
Ｏ４−Ｈ２Ｏ２膜Ｈ２Ｏを用いて、不要部分のＩｎＧａ
ＡｓＰ層を選択的に工ツチオフし、溝４を形成し、マス
クとして用いたＳｉＯ２膜を除去した基板である。
ＧａＡｓＰ層３を順次エピタキシャル成長した後、ＣＤ
Ｄ法によりＳｉＯ２膜を形成した基板上にレジストを塗
布し、フォトエッチングによりＳｉＯ２膜をパターニン
グし、ＳｉＯ２膜をマスクしてエッチャントしてＨ２Ｓ
Ｏ４−Ｈ２Ｏ２膜Ｈ２Ｏを用いて、不要部分のＩｎＧａ
ＡｓＰ層を選択的に工ツチオフし、溝４を形成し、マス
クとして用いたＳｉＯ２膜を除去した基板である。
第２図は第２回目のエピタキシャル成長する前に、上記
基板をトソクレンにより超音波洗浄を行ない、次いでメ
チルアルコールにより超音波洗浄を行ない、次いで所定
のエッチャント例えばＨ２ＳＯ４−Ｈ２０２−Ｈ２Ｏで
軽くエッチング処理した基板上に、ＩｎＰ層５をエピタ
キシャル成長したものである。
基板をトソクレンにより超音波洗浄を行ない、次いでメ
チルアルコールにより超音波洗浄を行ない、次いで所定
のエッチャント例えばＨ２ＳＯ４−Ｈ２０２−Ｈ２Ｏで
軽くエッチング処理した基板上に、ＩｎＰ層５をエピタ
キシャル成長したものである。
この方法ではＩｎＧａＡｓＰ層のメサ部分４でメルトと
のぬれが悪く、第２図ａ或はｂのように溝部４のＩｎＰ
バッファ層２上にＩｎＰ層５が成長しない場合も生じた
。一方、ＳｉＯ２膜を除去した第１図に示す基板をトリ
クレン洗浄を行ない、メチルアルコール置換洗浄した後
、濃硫酸で処理し、次いで所定のエツチヤントでエツチ
ングを行なつた基板を用いて、第２回目のエピタキシヤ
ル成長によりＩｎＰ層を工ピ成長させた場合には第３図
に示すように４元結晶１ｎＧａＡｓＰ層のメサ部分でも
メルトとのぬれが良くなり再現性よくＩｎＰバツフア層
２上にＩｎＰ層５をエピタキシヤル成長することができ
た。
のぬれが悪く、第２図ａ或はｂのように溝部４のＩｎＰ
バッファ層２上にＩｎＰ層５が成長しない場合も生じた
。一方、ＳｉＯ２膜を除去した第１図に示す基板をトリ
クレン洗浄を行ない、メチルアルコール置換洗浄した後
、濃硫酸で処理し、次いで所定のエツチヤントでエツチ
ングを行なつた基板を用いて、第２回目のエピタキシヤ
ル成長によりＩｎＰ層を工ピ成長させた場合には第３図
に示すように４元結晶１ｎＧａＡｓＰ層のメサ部分でも
メルトとのぬれが良くなり再現性よくＩｎＰバツフア層
２上にＩｎＰ層５をエピタキシヤル成長することができ
た。
これは前述の如く、有機物を使用した後の基板上にはト
リクレン、アセトン等による洗浄の後でも微量の有機物
が残つていて、エツチング工程でエツチングされなかつ
た部分があつたのに、本発明では、残留した有機物を濃
硫酸で完全に除去した後にエツチングを行なうので、基
板表面が均一にエツチングされ第２回目の結晶成長時メ
ルトとのぬれが良くなつたものである。
リクレン、アセトン等による洗浄の後でも微量の有機物
が残つていて、エツチング工程でエツチングされなかつ
た部分があつたのに、本発明では、残留した有機物を濃
硫酸で完全に除去した後にエツチングを行なうので、基
板表面が均一にエツチングされ第２回目の結晶成長時メ
ルトとのぬれが良くなつたものである。
以上の説明から明らかな如く、基板結晶の前処理工程に
おいて、基板の表面や加工された部分に残留する有機物
を濃硫酸で処理することにより完全に除去した後、所定
のエツチヤントでエツチングを行ない、メルトとのぬれ
を良くする本発明によれば、メルトバツクしないで成長
を行う場合、メルト基板結晶とのぬれを良くすることが
できるので、結晶成長の歩留りを向上させることができ
るばかりでなく、結晶界面の状態も改善され、デバイス
の特性を向上させる効果がある。
おいて、基板の表面や加工された部分に残留する有機物
を濃硫酸で処理することにより完全に除去した後、所定
のエツチヤントでエツチングを行ない、メルトとのぬれ
を良くする本発明によれば、メルトバツクしないで成長
を行う場合、メルト基板結晶とのぬれを良くすることが
できるので、結晶成長の歩留りを向上させることができ
るばかりでなく、結晶界面の状態も改善され、デバイス
の特性を向上させる効果がある。
また本発明に用いる硫酸では基板やエピタキシヤル結晶
がエツチングされない為、後の工程で所定のエツチング
をするときにも大きな影響はない。こうすることにより
未成長部分による歩留りの低下を大きく改善できる。
がエツチングされない為、後の工程で所定のエツチング
をするときにも大きな影響はない。こうすることにより
未成長部分による歩留りの低下を大きく改善できる。
第１図はストライプ加工された基板の断面図、第２図は
従来法により第２回目のエピタキシヤル成長した基板の
断面図、第３図は本発明により第２回目のエピタキシヤ
ル成長した基板の断面図である。 １・・・・・・ＩｎＰ基板、２・・・・・・ＩｎＰバツ
フア層、３・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ層、４・・・・
・・溝部、５・・・・・・ＩｎＰ層。
従来法により第２回目のエピタキシヤル成長した基板の
断面図、第３図は本発明により第２回目のエピタキシヤ
ル成長した基板の断面図である。 １・・・・・・ＩｎＰ基板、２・・・・・・ＩｎＰバツ
フア層、３・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ層、４・・・・
・・溝部、５・・・・・・ＩｎＰ層。
Claims (1)
- １ 半導体基板又はエピタキシャル結晶上に穴加工又は
溝加工を施してこの上に液相エピタキシャル成長する場
合、前処理として濃硫酸で処理することにより、微量な
有機物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55186864A JPS5942450B2 (ja) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55186864A JPS5942450B2 (ja) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57109327A JPS57109327A (en) | 1982-07-07 |
| JPS5942450B2 true JPS5942450B2 (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=16195993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55186864A Expired JPS5942450B2 (ja) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942450B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016428A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のエツチング方法 |
| DE3677735D1 (de) * | 1985-12-17 | 1991-04-04 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren zur herstellung von halbleitersubstraten. |
| JP4619647B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-01-26 | シャープ株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法 |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP55186864A patent/JPS5942450B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57109327A (en) | 1982-07-07 |
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