JPS6016428A - 化合物半導体のエツチング方法 - Google Patents
化合物半導体のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6016428A JPS6016428A JP12500183A JP12500183A JPS6016428A JP S6016428 A JPS6016428 A JP S6016428A JP 12500183 A JP12500183 A JP 12500183A JP 12500183 A JP12500183 A JP 12500183A JP S6016428 A JPS6016428 A JP S6016428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- substrate
- etching
- mixed solution
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩｎＧａＡｓ 、 ＩｎＧａＡｓＰ などの化
合物半導体のテーパーエツチング方法に関する。
合物半導体のテーパーエツチング方法に関する。
従来例の構成とその問題点
ＩｎＰ基板上に結晶成長したＩｎＧａＡｇ 、 ＩｎＧ
ａＡｓＰなどを用いて、受光素子と電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ）とを一体化した素子いわゆる光集積回路が
注目されている。この集積回路の形成には一般的に半絶
縁性基板が用いられ、基板上に結晶成長したＩｎＧａＡ
ｓ、 ＩｎＧａＡｇＰ、 ＩｎＰ などのエピタキシャ
ル層が素子の能動領域として用いられる。
ａＡｓＰなどを用いて、受光素子と電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ）とを一体化した素子いわゆる光集積回路が
注目されている。この集積回路の形成には一般的に半絶
縁性基板が用いられ、基板上に結晶成長したＩｎＧａＡ
ｓ、 ＩｎＧａＡｇＰ、 ＩｎＰ などのエピタキシャ
ル層が素子の能動領域として用いられる。
そして、各素子の分離は半絶縁１１基板に到達するまで
エピタキシャル層をエツチングすることにより行なわれ
る場合が多い。このエピタキシャル層のエツチングは従
来、第１図に示す方法により行なわれていた。第１図ａ
において、１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓ
エピタキシャル層である。
エピタキシャル層をエツチングすることにより行なわれ
る場合が多い。このエピタキシャル層のエツチングは従
来、第１図に示す方法により行なわれていた。第１図ａ
において、１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓ
エピタキシャル層である。
次に第１図すに示すようにエツチングマスクとなるフォ
トレジスト膜３を形成する。さらにこの基板をたとえば
硫酸：過酸化水素：水＝１：１：５（体積化）の混合液
でエツチングすると第１図Ｃに示すように素子間分離の
エツチングができる。
トレジスト膜３を形成する。さらにこの基板をたとえば
硫酸：過酸化水素：水＝１：１：５（体積化）の混合液
でエツチングすると第１図Ｃに示すように素子間分離の
エツチングができる。
第１図Ｃは基板表面の面方位が（１００）、断面の面方
位が（０１−＋）の場合のエツチング形状を示しである
。第１図ＣでＸで示した斜面は（１１１）Ａであり、基
板表面に対する傾斜角θは６４°である。断面の面方位
が（０１１）の場合は０は９００以上になり、第１図Ｃ
に示した面方位がθが最も小さい。このようにして分離
を行なった素子間の電気配線は、斜面Ｘを横切って行な
われることになるが、傾斜角が最も小さい第１図Ｃの場
合でもθは５４°であり通常の紫外線による露光法では
斜面Ｘにパターンを形成することはむずかしぐ斜面Ｘを
横切る電気配線が断線するという問題が生じていた。
位が（０１−＋）の場合のエツチング形状を示しである
。第１図ＣでＸで示した斜面は（１１１）Ａであり、基
板表面に対する傾斜角θは６４°である。断面の面方位
が（０１１）の場合は０は９００以上になり、第１図Ｃ
に示した面方位がθが最も小さい。このようにして分離
を行なった素子間の電気配線は、斜面Ｘを横切って行な
われることになるが、傾斜角が最も小さい第１図Ｃの場
合でもθは５４°であり通常の紫外線による露光法では
斜面Ｘにパターンを形成することはむずかしぐ斜面Ｘを
横切る電気配線が断線するという問題が生じていた。
発明の目的
本発明はこのような従来の素子間分離エツチングの問題
点にかんがみ、基板表面に対する傾斜角の小さいエツチ
ング方法を提供することを目的とする。
点にかんがみ、基板表面に対する傾斜角の小さいエツチ
ング方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明はエツチングマスクを形成する前に硫酸を含む混
合液でエピタキシャル層の表面を処理することによシ基
板表面に対する傾斜角の小さい斜面を得ることを可能に
するものである。
合液でエピタキシャル層の表面を処理することによシ基
板表面に対する傾斜角の小さい斜面を得ることを可能に
するものである。
実施例の説明
第２図に本発明の一実施例におけるテーパーエツチング
方法を示す。第２図ａで１１はＩｎＰ基板、１２はＩｎ
Ｐ基板１１の表面にエピタキシャル成長したたとえば厚
さ２μｍのＩｎＧａＡｓ層である。さらに、硫酸を含む
混合液たとえは硫酸：過酸化水素水：水＝＝１：１ ：
１２Ｂ（体積比）の混合液でＩｎＧａＡｓ層１２の表面
をたとえば５分間処理し、表面処理層１３を形成する。
方法を示す。第２図ａで１１はＩｎＰ基板、１２はＩｎ
Ｐ基板１１の表面にエピタキシャル成長したたとえば厚
さ２μｍのＩｎＧａＡｓ層である。さらに、硫酸を含む
混合液たとえは硫酸：過酸化水素水：水＝＝１：１ ：
１２Ｂ（体積比）の混合液でＩｎＧａＡｓ層１２の表面
をたとえば５分間処理し、表面処理層１３を形成する。
次に第２図すに示すようにエツチングマスクとなるたと
えばフォトレジスト１４を形成する。さらに、このフォ
トレジスト１４をマスクとして、たとえば硫酸：過酸化
水素水：水−１：１：、、５（体積比）でたとえば３分
間テーパーエツチングを行なうと、第２図Ｃに示すよう
にゆるやがな傾斜をもった斜面口が得られる。本実施例
の場合、基板表面の面方位が（１００）、断面の面方位
が（０１丁）であれば基板表面に対する斜面Ｙの傾斜角
θ′は約２６０ になり、断面の面方位が（０１１）で
あればθ′は約５ｏＯＫ＆る。つまり、本実施例では従
来に比べ非常にゆるやか彦斜面Ｙを得ることができ、ま
た従来傾斜角θが９０゜以上になっていた（０１１）断
面でもゆるやかな傾斜角が得られる。また、基板の面方
位が（１ｏｏ）以外の面方位であっても同様の斜面が得
られる。
えばフォトレジスト１４を形成する。さらに、このフォ
トレジスト１４をマスクとして、たとえば硫酸：過酸化
水素水：水−１：１：、、５（体積比）でたとえば３分
間テーパーエツチングを行なうと、第２図Ｃに示すよう
にゆるやがな傾斜をもった斜面口が得られる。本実施例
の場合、基板表面の面方位が（１００）、断面の面方位
が（０１丁）であれば基板表面に対する斜面Ｙの傾斜角
θ′は約２６０ になり、断面の面方位が（０１１）で
あればθ′は約５ｏＯＫ＆る。つまり、本実施例では従
来に比べ非常にゆるやか彦斜面Ｙを得ることができ、ま
た従来傾斜角θが９０゜以上になっていた（０１１）断
面でもゆるやかな傾斜角が得られる。また、基板の面方
位が（１ｏｏ）以外の面方位であっても同様の斜面が得
られる。
本発明のテーパーエツチングの特徴とするところは、エ
ツチングマスクを形成する前に表面処理層１３を形成し
ていることである。この表面処理層１３の形成は硫酸：
過酸化水素水：水＝１：１：１２６の混合液のほか、こ
れらの混合比を変えたものであってもよく、また硫酸、
過酸化水素水。
ツチングマスクを形成する前に表面処理層１３を形成し
ていることである。この表面処理層１３の形成は硫酸：
過酸化水素水：水＝１：１：１２６の混合液のほか、こ
れらの混合比を変えたものであってもよく、また硫酸、
過酸化水素水。
りん酸の混合液、硫酸、過酸化水素水、酢酸の混合液、
硫酸、水の混合液、硫酸、過酸化水素水の混合液など、
硫酸を含む混合液でも同様の効果が得られる。なお、形
成された表面処理層１３はたとえば窒素雰囲気中では３
００℃以上の熱処理により変質してしまい、テーノく一
工・ンチングの効果がなくなるので注意を要する。ただ
し、３００℃以下の熱処理ではテーパーエ・ノチングを
折々うととができる。たとえばエツチングマスクとして
フォトレジストを用いるとこのような熱処理はない。
硫酸、水の混合液、硫酸、過酸化水素水の混合液など、
硫酸を含む混合液でも同様の効果が得られる。なお、形
成された表面処理層１３はたとえば窒素雰囲気中では３
００℃以上の熱処理により変質してしまい、テーノく一
工・ンチングの効果がなくなるので注意を要する。ただ
し、３００℃以下の熱処理ではテーパーエ・ノチングを
折々うととができる。たとえばエツチングマスクとして
フォトレジストを用いるとこのような熱処理はない。
なお本発明の詳細な説明において、基板としてＩｎＰを
用いたが他の基板たとえばＧａＡｓなどでも良い。また
エピタキシャル層はＩｎＧａＡｓを例にとって説明した
がＩｎＧａＡｓＰ であっても同様であることはいう捷
でもない。また、上記実施例ではテーパーエ・ノチング
の際の工７チンダ液として硫 ゝ酸：過酸化水素水：水
＝＝１．：１：５の混合液を用いたが、これらの混合比
を変えたものでを）つても良く、硫酸を含むエツチング
ｔｉ、たとえばりん酸。
用いたが他の基板たとえばＧａＡｓなどでも良い。また
エピタキシャル層はＩｎＧａＡｓを例にとって説明した
がＩｎＧａＡｓＰ であっても同様であることはいう捷
でもない。また、上記実施例ではテーパーエ・ノチング
の際の工７チンダ液として硫 ゝ酸：過酸化水素水：水
＝＝１．：１：５の混合液を用いたが、これらの混合比
を変えたものでを）つても良く、硫酸を含むエツチング
ｔｉ、たとえばりん酸。
酢酸などの混合液であれは良い。
発明の詳細
な説明したように、本発明は工、７チングマスクを形成
する前に硫酸を含む混合液でエピタキシャル層の表面を
処理することにより基板表面に対する傾余１角の小さい
斜面が容易に得られるもので、光集積回路の素子間分離
エツチングに本発明を応用した場合、素子間の電気配線
の断線がないなどの効果を有し、光集積回路の形成にお
いて有用である。
する前に硫酸を含む混合液でエピタキシャル層の表面を
処理することにより基板表面に対する傾余１角の小さい
斜面が容易に得られるもので、光集積回路の素子間分離
エツチングに本発明を応用した場合、素子間の電気配線
の断線がないなどの効果を有し、光集積回路の形成にお
いて有用である。
第１図ａ、 −Ｃは従来のエツチング方法を示す工程図
、第２図ａ −Ｃは本発明の一実施例のテーパーエツチ
ング方法を示す工程図である。 １１−−−− ＩｎＰ基板、１２−−−− ＩｎＧａＡ
ｓ層、１３・・・・・・表面処理層、１４・・・・・フ
ォトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
、第２図ａ −Ｃは本発明の一実施例のテーパーエツチ
ング方法を示す工程図である。 １１−−−− ＩｎＰ基板、１２−−−− ＩｎＧａＡ
ｓ層、１３・・・・・・表面処理層、１４・・・・・フ
ォトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (3)
- （１）硫酸を含む第１の混合液で化合物半導体の表面に
表面処理層を形成する工程、エツチングマスクを形成す
る工程、硫酸を含む第２の混合液で上記化合物半導体を
エツチングする工程を備えたことを特徴とする化合物半
導体のエツチング方法。 - （２） エツチングマスクがフォトレジストであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体
のエツチング方法。 - （３）化合物半導体が半絶縁性半導体基板上に結晶成長
したエピタキシャル層であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の化合物半導体のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12500183A JPS6016428A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 化合物半導体のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12500183A JPS6016428A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 化合物半導体のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016428A true JPS6016428A (ja) | 1985-01-28 |
| JPH0213926B2 JPH0213926B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=14899421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12500183A Granted JPS6016428A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 化合物半導体のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04348030A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-12-03 | Gold Star Co Ltd | 傾斜エッチング法 |
| JPH05219759A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | インバータ制御装置 |
| KR100468667B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피공정에의한반도체장치의패턴형성방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091276A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
| JPS55124292A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS57109327A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5833840A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体表面を疎水性にするエツチング方法 |
| JPS5843523A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12500183A patent/JPS6016428A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091276A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
| JPS55124292A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JPS57109327A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5833840A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体表面を疎水性にするエツチング方法 |
| JPS5843523A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04348030A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-12-03 | Gold Star Co Ltd | 傾斜エッチング法 |
| JPH05219759A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | インバータ制御装置 |
| KR100468667B1 (ko) * | 1997-06-17 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피공정에의한반도체장치의패턴형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213926B2 (ja) | 1990-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05121317A (ja) | Ｓｏｉ構造形成方法 | |
| US4496403A (en) | Method of making a compound semiconductor laser | |
| JPH02283067A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPS6016428A (ja) | 化合物半導体のエツチング方法 | |
| US4631113A (en) | Method for manufacturing a narrow line of photosensitive material | |
| JPS6015155B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3752714A (en) | Method for selective epitaxial deposition of intermetallic semiconductor compounds | |
| JPS5923105B2 (ja) | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS616195A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH02283066A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JP2711475B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長法 | |
| JPH0320063B2 (ja) | ||
| JPS59167028A (ja) | 化合物半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS61161770A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5895827A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS5916340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61174635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62234333A (ja) | 微細溝加工用マスクの形成方法 | |
| JPH0217649A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2890527B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04263430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03129833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0547740A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6370539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6211236A (ja) | 化合物半導体の化学エツチング方法 |