JPS626654B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS626654B2 JPS626654B2 JP55006022A JP602280A JPS626654B2 JP S626654 B2 JPS626654 B2 JP S626654B2 JP 55006022 A JP55006022 A JP 55006022A JP 602280 A JP602280 A JP 602280A JP S626654 B2 JPS626654 B2 JP S626654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- crystal
- layer
- ingaas
- evaluating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体結晶、特にInGaAs半導体結晶
の評価方法に関する。
の評価方法に関する。
一般に半導体結晶の結晶欠陥の存在はこの結晶
を用いた受光素子の特性に対し、特に暗電流の増
加、リーク電流の発生等の悪影響を及ぼすことが
知られている。従つて受光素子の製造に際しては
半導体ウエハ中の結晶欠陥の種類や量を明確にし
ておくことは、完成した素子の不良の原因究明及
び性能向上に必要なことである。
を用いた受光素子の特性に対し、特に暗電流の増
加、リーク電流の発生等の悪影響を及ぼすことが
知られている。従つて受光素子の製造に際しては
半導体ウエハ中の結晶欠陥の種類や量を明確にし
ておくことは、完成した素子の不良の原因究明及
び性能向上に必要なことである。
本発明は、このような点に鑑みて成されたもの
であり、半導体結晶、特にInGaAs結晶の評価方
法を提示するものである。
であり、半導体結晶、特にInGaAs結晶の評価方
法を提示するものである。
かかる本発明の特徴は、評価すべき半導体結晶
をアンモニア水（NH4OH）と過酸化水素水
（H2O2）を含む混合液でエツチングすることにあ
る。
をアンモニア水（NH4OH）と過酸化水素水
（H2O2）を含む混合液でエツチングすることにあ
る。
以下、本発明について説明する。
いま、インジウム・リン（InP）基板の
（100）面上に格子整合する条件でIn0.53、
Ga0.47、As層を液桐エピタキシヤル成長法によ
り６μｍの厚さに成長した。
（100）面上に格子整合する条件でIn0.53、
Ga0.47、As層を液桐エピタキシヤル成長法によ
り６μｍの厚さに成長した。
このアズクロウンエピタキシヤルウエハを有機
溶剤で洗浄後、30％のアンモニア水
（NH4OH）：50％の過酸化水素水：純水＝１：
１：１（容積比）の液中で室温でかくはんしなが
ら８分間エツチングした。
溶剤で洗浄後、30％のアンモニア水
（NH4OH）：50％の過酸化水素水：純水＝１：
１：１（容積比）の液中で室温でかくはんしなが
ら８分間エツチングした。
この状態のウエハの顕微鏡観察を行なつたとこ
ろ、数μｍ程度の大きさの隋円錐状のくぼみ（エ
ツチピツトと称する）が観察された。
ろ、数μｍ程度の大きさの隋円錐状のくぼみ（エ
ツチピツトと称する）が観察された。
このエツチピツトが結晶の転位に対応している
事は次の様にして確認された。
事は次の様にして確認された。
即ち、第１図のように上記と同様InP基板１上
にIn0.53 Ga0.47 As層２をエピ成長させ
NH4OH：H2O2：H2O＝１：１：１（容積比）の
液を用いてエツチングを行うとエツチピツト３が
生ずる。ただし４は転位線を示す。
にIn0.53 Ga0.47 As層２をエピ成長させ
NH4OH：H2O2：H2O＝１：１：１（容積比）の
液を用いてエツチングを行うとエツチピツト３が
生ずる。ただし４は転位線を示す。
この状態で例えばウエハ上面から写真を撮影し
ておいた。
ておいた。
次にこのウエハのIn0.53 Ga0.47 As層２を弗
硝酸でエツチング除去した後、InP基板１を
HBr：HF＝１：５のエツチング液を用いてエツ
チングすると結晶の転位に対応して第２図に示す
ようにエツチピツト３′が生ずる。
硝酸でエツチング除去した後、InP基板１を
HBr：HF＝１：５のエツチング液を用いてエツ
チングすると結晶の転位に対応して第２図に示す
ようにエツチピツト３′が生ずる。
このエツチピツト３′と先に写真撮影したエツ
チピツト３を比較したところ極めて一致している
ことが確かめられた。
チピツト３を比較したところ極めて一致している
ことが確かめられた。
つまり、前記エツチング液を用いて生じた
In0.53 Ga0.47 As層上のエツチピツトはこのエ
ピ層中の転位をあらわしている。
In0.53 Ga0.47 As層上のエツチピツトはこのエ
ピ層中の転位をあらわしている。
尚、このエツチング液はＸ線トポグラフ像との
対応実験等から充分信頼性のあるものであること
が明らかとなつている。
対応実験等から充分信頼性のあるものであること
が明らかとなつている。
又、エツチング速度は0.4μｍ／minと比較的
遅く、制御も行いやすい。
遅く、制御も行いやすい。
一方、液の混合化については、NH4OH：
H2O：H2O＝１〜３：１：０〜３の範囲で容積比
を変化させてもエツチピツトの形成には大きな変
化は見られなかつたが、この範囲をはずれるとエ
ツチピツトが充分に形成されないことが確かめら
れた。
H2O：H2O＝１〜３：１：０〜３の範囲で容積比
を変化させてもエツチピツトの形成には大きな変
化は見られなかつたが、この範囲をはずれるとエ
ツチピツトが充分に形成されないことが確かめら
れた。
以上の通り、本発明によればInGaAsのエピタ
キシヤル層の結晶の転位密度を明確に評価するこ
とができるようになるため、結晶成長及び素子の
製造プロセスに有効なデータを提供することがで
きる。
キシヤル層の結晶の転位密度を明確に評価するこ
とができるようになるため、結晶成長及び素子の
製造プロセスに有効なデータを提供することがで
きる。
第１図及び第２図は本発明の評価方法を説明す
るための工程順断面図である。 図において、１はInP基板、２はInGaAs層、
３，３′はエツチピツト、４は転位線を示す。
るための工程順断面図である。 図において、１はInP基板、２はInGaAs層、
３，３′はエツチピツト、４は転位線を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InP結晶基板（100）面上にInGaAsエピタキ
シヤル層を有するエピタキシヤルウエハの該
InGaAsエピタキシヤル層を、アンモニア水：過
酸化水素水：純水＝１〜３：１：０〜３（容積
比）の混合液でエツチングし、エツチピツトを形
成する工程と、 該エツチピツトにより該InGaAsエピタキシヤ
ル層の結晶転位密度を評価する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体結晶の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP602280A JPS56103438A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Evaluation of semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP602280A JPS56103438A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Evaluation of semiconductor crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56103438A JPS56103438A (en) | 1981-08-18 |
| JPS626654B2 true JPS626654B2 (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=11627055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP602280A Granted JPS56103438A (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 | Evaluation of semiconductor crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56103438A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142474A (en) * | 1974-10-09 | 1976-04-10 | Hitachi Ltd | Kagobutsuhandotaino shorihoho |
-
1980
- 1980-01-22 JP JP602280A patent/JPS56103438A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5142474A (en) * | 1974-10-09 | 1976-04-10 | Hitachi Ltd | Kagobutsuhandotaino shorihoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56103438A (en) | 1981-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4224101A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices using laser beam cutting | |
| JPS58501014A (ja) | ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰヘテロ構造中の光学的平担面の選択性エツチング法 | |
| Chu et al. | New dislocation etchant for InP | |
| JP2001148349A (ja) | 第ｉｉｉ族の窒化物をベースとする半導体に対する選択的成長プロセス | |
| CA2283532A1 (en) | An epitaxial wafer, a manufacturing method of the epitaxial wafer, and a surface cleaning method for a compound semiconductor substrate used in the epitaxial wafer | |
| US3775201A (en) | Method for polishing semiconductor gallium phosphide planar surfaces | |
| JPS626654B2 (ja) | ||
| US5250471A (en) | Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light | |
| JPH0133933B2 (ja) | ||
| JP4308865B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置 | |
| JPH02196426A (ja) | ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 | |
| KR100359739B1 (ko) | 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법 | |
| JP3337735B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2711475B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長法 | |
| Ikossi‐Anastasiou et al. | Wet Chemical Etching with Lactic Acid Solutions for InP‐based Semiconductor Devices | |
| JPH0410739B2 (ja) | ||
| JP2714703B2 (ja) | 選択エピタキシャル成長法 | |
| JP3427466B2 (ja) | 半導体エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JPH044750B2 (ja) | ||
| JPH04312915A (ja) | ＧａＡｓ（１１１）Ａ面基板の表面処理方法 | |
| JPS5942450B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62186524A (ja) | エピタキシヤルウエハ | |
| JPS62234319A (ja) | ヘテロエピタキシヤル薄膜の形成方法 | |
| US20040253830A1 (en) | [method for removing silicon nitride film] | |
| JP2832770B2 (ja) | Ｓｉドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法 |