JPH0219912A - 半導体デイスク装置 - Google Patents

半導体デイスク装置

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Publication number
JPH0219912A
JPH0219912A JP63170445A JP17044588A JPH0219912A JP H0219912 A JPH0219912 A JP H0219912A JP 63170445 A JP63170445 A JP 63170445A JP 17044588 A JP17044588 A JP 17044588A JP H0219912 A JPH0219912 A JP H0219912A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
battery
power supply
secondary battery
backup
primary
Prior art date
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Pending
Application number
JP63170445A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Kikko
橘高 秀樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
Priority to JP63170445A priority Critical patent/JPH0219912A/ja
Publication of JPH0219912A publication Critical patent/JPH0219912A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Power Sources (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体メモIJ ’(r使用した情報処理シス
テム番こ関し、特番こバッテリバックアップによって半
導体メモリの記憶内容の保存を行なう半導体ディスク装
置に関する。
(従来の技術) 半導体メモリにバッテリバックアップをするよう−こ構
成し九装置は電源を切っても記憶内容が消失しない勝気
ディスク装置1等の特長および磁気ディスク装置等より
アクセスタイムが速いという特−長を備えていることか
ら半導体ディスク装置と呼ばれている。
この半導体ディスク装置は、半導体メモリケバツクアッ
プする友めにバックアップ用一次1池もしくンよバック
アップ用二次シ池?−系状有してい念。
(発明が牌決しようとする味題) 上記バックアップ用電池のうち、−久電池はバックアッ
プによって消費され7−c電力を充電により補うことは
不0T能である。
近年の半導体ディスクの動向としては大容量化の方向番
こあV、これに伴なって、バックアップ時の消費電力も
増加する几め、バックアップ用に−次電池のみを使用し
てい友のでは、!池の寿命が極端に短ぐなジ、ひいては
、バックアップ期間の大幅な減少となる。
これを回避するには、−次電池の敷金増加することが考
えられるが、大容量の半導体メモリに対し、大量の一次
電池という構成になる。その結果、外形が大きくなる1
重量が重くなる、コストがかかるなどの欠点がある。
一方、バックアップ用二次電池を有している場合は、バ
ックアップによって消費され九電力を充電により補うこ
とが可能である友め、半導体メモリの大容量化にもある
程度対応することができる。しかし−日の使用において
、充を量よりも放1!量の方が上まわるような条件(充
ttく放1!量)で使用される場合には二次電池の満充
電時の最大バックアップ時間がバックアップ時間に満之
ないばかりか、過放電の繰ジ返しによって、二次電池の
寿命?著しく短くしてしまいバックアップ保障時間が明
確でなくなるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点ヲ)奔決した半導体ディスク装
置全提供することにある。
(課題を解決する之めの手段) 前記目的を達成するために本発明による半導体ディスク
装置はAC電源が切断し九場合、半導体メモリに、バッ
チ1月こよる電源バックアップを行なうように構成し九
半導体ディスク装置において、バックアップ用二次電池
および前記二次電池を充電制御する充電制御部を1系統
以上ならびにバックアップ用一次電池i1系統以上設け
、前記半導体メモリバックアップの際、バックアップに
よる放電によりバックアップに用いている二次電池が過
放電状態になる前に。
次のバックアップ用一次ま穴は二次電池−こ切替えるよ
うに構成しである。
(実施例〕 以下1図面を参照して本発明tさらに詳しく説明する。
第1図は本発明による半導体ディスク装置の一実施例を
示すブロック図である。この実施例はバックアップ用二
次電池とその充電制御部が一系統およびバックアップ用
一次電池が一系統の例である。
半導体メモリ1は、バッテリによってバックアップがな
される。半導体メモリ1はアクセス制御部2?介して図
示しない上位装置に接続されている。アクセス制御部2
は上位装置2からの指示により半導体メモリ1に対し読
出し書込みを行なう。
一方、Ae電源にはAC電源からDC電源全作る正電連
部3が接続されている。電源監視部4は圧電源の電源切
断を監視している。
圧電連部3には二次電池の光1!を制御する充電制御部
5が接続されており、さら番こ充電制御部5には二次電
池6が接続されている。−次電池7には一次電池の使用
状態を表示する一次電池状態表示s9が接続されている
。を源切替制御部8はこれら主電源部3.二次電池6お
よび一次電池7の出力の切替を行なう制N部である。
AC電源が平常通り入力されているときは。
主を連部3は正常なりC[源?出力する。この几め、電
源監視部4は正常状態を示す信号をアクセス制(財)部
2および電源切替制御部8に送り、その旨?知らせる。
このような状態lこおいて、アクセス制御部2は上位装
置から要求あると。
半導体メモリ1に対し挽出しま几は畜込みアクセスを行
ない、電源切替制御部8は圧電連部3からのDCC電源
中導体メモリ1に供給する。
また、充電制御部5は二次t660充′9L?行なう。
A C’1lN−65切uサレル、!:、王を源m3 
ノD C電源小出力徐々に低下していく。
IdL僚監祝邸4はこのDC電蔚低下ケ検出すると、ア
クセス制wJ部2にアクセス中止信号?、電源切替制御
部8に正電源切断信号tそれぞれ送出する。これによっ
て、アクセス制御′m2は直ち番こ上位装置からの読出
しま友は省込みアクセス制御止することIこより、半導
体メモリ1の内容に保護する。
一万、ηL源切替制御部8は圧電連部3から半導体メモ
リ1へ供給されてい[DC電源を、二次電池6から供給
するように切替える。そして二次電池6の出力状態を監
視し、もし、二次電池6の出力が不足してき次ならば、
電源切替制御部8は一次電池7から供給するようζこ切
替えるとともに、−次電池70使用を表わす信号’t 
−次電池状態表示部9に送る。この切替えによって、二
次電池6を過放電から保護することができる。−次電池
状態表示部9は、−次電池7の使用を表わす信号−こエ
ク、−次電池7の便用?示す表示を行なう。
ま友、−次電池状態表示部9は常番こ一次電池7の電圧
を検出し、残ik表示する。
AC[源が入力されると、王を法部3のDC′+a源出
力は徐々lこ上昇していく。電源監視部4はこのDCt
ぶが使用ciJ能電圧電圧し友ことケ検出すると、アク
セス制御部2にアクセス許可信号ヶ、を源切替制御部8
に正電源許可信号をそれぞn送出する。これによってア
クセス制御部2は上位装置から半導体メモリ1への絖出
し書込みアクセスを再開することができる。ま定電源切
替制御部8は主電源部3から半導体メモリ1へのDC電
源供給に切替える。二次電池6は七の出力が切離される
と、充電制御部5によって充電さ几る。
一次電池状wA表示部9が、−次電池7が使用状態でな
く、残を表示が少ないことを示してい友場合には、速や
かに一次電池7を交換する。
(発明の効果) 以上、説明したようlこ本発明は、バックアップ用二次
!池およびその充電制御部を一系統以上ならびにバック
アップ用−矢電池を一系統以上設け、バックアップ状態
になつtときバックアップしている二次!池が過放電番
こなる前に0次の二次1を池または一次′屯池に切替え
るように構成されているので従来番こ比較し、バックア
ップ時間を引き延ばすことができるとともlこ二次電池
の過放i!l−減少し、二次電池の寿命を砥ばす効果が
あジ、さら番こ非常時の最低バックアップ保障時間ケ確
保できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明tこよる半導体ディスク獲置の一実施例
ケ示すブロック図である。 1・・・半導体メモリ  2・・・アクセス制御部3・
・・主電源部    4・・・’4源監視部5・・・充
電制御部   6・・・二次?IC池7・・・−次電池
    8・・・電源切替制御部9・・・−次電池状態
表示部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. AC電源が切断した場合、半導体メモリに、バッテリに
    よる電源バックアップを行なうように構成した半導体デ
    ィスク装置において、バックアップ用二次電池および前
    記二次電池を充電制御する充電制御部を1系統以上なら
    びにバックアップ用一次電池を1系統以上設け、前記半
    導体メモリバックアップの際、バックアップによる放電
    によりバックアップに用いている二次電池が過放電状態
    になる前に次のバックアップ用一次または二次電池に切
    替えるように構成したことを特徴とする半導体ディスク
    装置。
JP63170445A 1988-07-08 1988-07-08 半導体デイスク装置 Pending JPH0219912A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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