JPH0219911A - 半導体デイスク装置 - Google Patents
半導体デイスク装置Info
- Publication number
- JPH0219911A JPH0219911A JP63170444A JP17044488A JPH0219911A JP H0219911 A JPH0219911 A JP H0219911A JP 63170444 A JP63170444 A JP 63170444A JP 17044488 A JP17044488 A JP 17044488A JP H0219911 A JPH0219911 A JP H0219911A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- secondary battery
- battery
- backup
- semiconductor memory
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Power Sources (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は半導体メモI71.使用した情報処理システム
に関し、特にバッテリバックアップによって半導体メモ
リの記tit内容の保存を行なう半導体ディスク装置に
関する。
に関し、特にバッテリバックアップによって半導体メモ
リの記tit内容の保存を行なう半導体ディスク装置に
関する。
(従来の技術)
半導体メモリにバッテリバックアップをするように構成
した装置は、電源を切っても記憶内容が消失しない磁気
ディスク装置等の特長および磁気ディスク装置等よりア
クセスタイムが速いという特長を備えていることから半
導体ディスク装置と呼ばれている。
した装置は、電源を切っても記憶内容が消失しない磁気
ディスク装置等の特長および磁気ディスク装置等よりア
クセスタイムが速いという特長を備えていることから半
導体ディスク装置と呼ばれている。
この半導体ディスク装置は、パッチ1月こよシバツクア
ッグを行なうことが可能な半導体メモリをバックアップ
する九めにバンクアップ用−次電池、もしくはバックア
ップ用二次電池t−一系統Mしていた。
ッグを行なうことが可能な半導体メモリをバックアップ
する九めにバンクアップ用−次電池、もしくはバックア
ップ用二次電池t−一系統Mしていた。
(発明が製法しようとする課題)
上記バックアップ用電池のうち一次電池は。
バックアップによって消費され比電力を光電により補う
ことは不可能である。
ことは不可能である。
近年の半導体ディスクの動向としては大容量化の方向に
あり、これに伴なって、バックアップ時の消費を力も増
加する几め、バックアップ用に−次電池を使用してい九
のでは、!池の寿命が極端に短くなり、ひいては、バッ
クアップ期間の大幅な減少となる。これを回避するには
。
あり、これに伴なって、バックアップ時の消費を力も増
加する几め、バックアップ用に−次電池を使用してい九
のでは、!池の寿命が極端に短くなり、ひいては、バッ
クアップ期間の大幅な減少となる。これを回避するには
。
−次′/IC池の数を増すことが考えられるが、大容量
の半導体メモリに対し、大量の一次電池という構成にな
ってし壇い、無用に装置が大形化するという欠点がある
。
の半導体メモリに対し、大量の一次電池という構成にな
ってし壇い、無用に装置が大形化するという欠点がある
。
一方、バックアップ用二次電池を有している場合ハ、バ
ックアップによって消費された電力を充電により補うこ
とがiiJ能であるため、半導体メモリの大容量化番こ
もある程度対応することができる。しかし、−日の使用
において、充電量よりも放tiの方が上オわるような条
件(充電全く放心量ンで使用される場合にμ、二次電池
の満充電時の最大バックアップ時間がバックアップ時間
に#tないばかりか、過放電の繰り返しに1つ′cに二
次電池の寿命?!−者しく短くしてしまうという欠点が
ある。
ックアップによって消費された電力を充電により補うこ
とがiiJ能であるため、半導体メモリの大容量化番こ
もある程度対応することができる。しかし、−日の使用
において、充電量よりも放tiの方が上オわるような条
件(充電全く放心量ンで使用される場合にμ、二次電池
の満充電時の最大バックアップ時間がバックアップ時間
に#tないばかりか、過放電の繰り返しに1つ′cに二
次電池の寿命?!−者しく短くしてしまうという欠点が
ある。
本発明の目的は上記欠点を簿決し九半導体ディスク装置
勿提供することにある。
勿提供することにある。
(課題を悄決するtめの手段)
前記目的を達成するために本発明による半導体ディスク
装訛はAC[源が切断し友場合、半導体メモリに、バッ
テリによる電源バックアップを行なうようにtJ放した
半導体ディスク装置において、バックアップ用二次電池
および前記二次電池の充電制御を行な9充電制御部を少
なくとも2系統以上設け、前記半導体メモリバックアッ
プの際、バックアップ番こよる放電によりバックアップ
に用いている二次電池が過放電状態になる前に次のバッ
クアップ用二次電池に切替えるように構成しである。
装訛はAC[源が切断し友場合、半導体メモリに、バッ
テリによる電源バックアップを行なうようにtJ放した
半導体ディスク装置において、バックアップ用二次電池
および前記二次電池の充電制御を行な9充電制御部を少
なくとも2系統以上設け、前記半導体メモリバックアッ
プの際、バックアップ番こよる放電によりバックアップ
に用いている二次電池が過放電状態になる前に次のバッ
クアップ用二次電池に切替えるように構成しである。
(実施例)
以下1図面智参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第1図は本発明嘉こよる半導体ディスク装置の一実施例
?示すブロック図である。
?示すブロック図である。
この実施例はバンクアップ用二次電池およびその充電制
御部が2系統の例である。
御部が2系統の例である。
半導体メモリ1はバッチ1月こよってバックアップがな
される。半導体メモリ1はアクセス制御部22iI−介
して図示しない上位装置に接続されている。アクセス制
御部2は上位装置からの指示により半導体メモリlに対
し、′IIt出し曹込みt行7につ。一方、A(、:g
源にはAelll源からDC電源を作る主電源部3が接
続されている。電源監視11s4は圧電源の電源切断を
監視している。
される。半導体メモリ1はアクセス制御部22iI−介
して図示しない上位装置に接続されている。アクセス制
御部2は上位装置からの指示により半導体メモリlに対
し、′IIt出し曹込みt行7につ。一方、A(、:g
源にはAelll源からDC電源を作る主電源部3が接
続されている。電源監視11s4は圧電源の電源切断を
監視している。
主電源部3には二次電池の光電を制御する充電制御部A
5とB7とが接続されてお9.さらにこれら充電制御部
A5とB7には二次電池A6とB8がそれぞれ接続され
ている。
5とB7とが接続されてお9.さらにこれら充電制御部
A5とB7には二次電池A6とB8がそれぞれ接続され
ている。
電源切替制御部9はこれら主電源部3.二次電池人およ
びBの出力の切替を行なう制御部である。
びBの出力の切替を行なう制御部である。
AC%源が平常通り入力されているときは。
主電源部3は正常7!DC電源を出力する。この几め%
電線監視部4は正常状態を示す信号をアクセス制御部2
および電源切替制御部9に送りその旨を知らせる。
電線監視部4は正常状態を示す信号をアクセス制御部2
および電源切替制御部9に送りその旨を知らせる。
このような状態番こおいて、アクセス制御部2は上位装
置から要求があると、半導体メモIJ lに対し読出し
ま几は書込みアクセスを行ない、電源切替制御部9は主
電源部3からのDCt源を半導体メモリ1に供給する。
置から要求があると、半導体メモIJ lに対し読出し
ま几は書込みアクセスを行ない、電源切替制御部9は主
電源部3からのDCt源を半導体メモリ1に供給する。
また、充電制御部A5および充電制御部B7はそれぞれ
二次電池へ6および二次電池B8の充電?I−行なう。
二次電池へ6および二次電池B8の充電?I−行なう。
AC電源が切断されると、主電源lB3のDC電源出力
は徐々に低下していく。電源監視m4は、このDCtC
低源を検出すると、アクセス制御Lt1部2にアクセス
中止信号t、を源切替制御部9に正電源切断信号をそれ
ぞれ送出する。これによってアクセス制御部2は直ちに
上位装置からの読出しま几は讐込みアクセスを中止する
ことにより、半導体メモリ1の内容を保護する。
は徐々に低下していく。電源監視m4は、このDCtC
低源を検出すると、アクセス制御Lt1部2にアクセス
中止信号t、を源切替制御部9に正電源切断信号をそれ
ぞれ送出する。これによってアクセス制御部2は直ちに
上位装置からの読出しま几は讐込みアクセスを中止する
ことにより、半導体メモリ1の内容を保護する。
一方、電源切替制御部9は主電源部3から半導体メモI
J 1へ供給されていfiDct源を、二次電池A6か
ら供給するように切替える。そして二次電池A6の出力
状態を監視し、もし、二次電池へ6の出力が不足してき
たならは、電源切替制御部9は二次電池B8から供給す
るように切替える。
J 1へ供給されていfiDct源を、二次電池A6か
ら供給するように切替える。そして二次電池A6の出力
状態を監視し、もし、二次電池へ6の出力が不足してき
たならは、電源切替制御部9は二次電池B8から供給す
るように切替える。
この切替えによって、二次電池A6を過放電から保護す
ることができる。
ることができる。
ACt源が入力されると、主電源部3のDC電源出力は
徐々に上昇していく。電源監視部4はこのDCt源が使
用可能電圧に違し九ことを検出すると、アクセス制御部
2にアクセス許可信号を、を源切替制御部9に主電源許
可信号音それぞれ送出する。これによってアクセス制御
部2は上位装置から半導体メモリ1への読出し曹込みア
クセス?再開することができる。また。
徐々に上昇していく。電源監視部4はこのDCt源が使
用可能電圧に違し九ことを検出すると、アクセス制御部
2にアクセス許可信号を、を源切替制御部9に主電源許
可信号音それぞれ送出する。これによってアクセス制御
部2は上位装置から半導体メモリ1への読出し曹込みア
クセス?再開することができる。また。
電源切替制御pH59は主電源部3から半導体メモリ1
へのDC[源供給に切替える。二次電池A6および二次
電池B8はその出力が切離されると充電制御部A5およ
び充電制御部B7によって充電される。
へのDC[源供給に切替える。二次電池A6および二次
電池B8はその出力が切離されると充電制御部A5およ
び充電制御部B7によって充電される。
(発明の効果〕
以上、説明し友ようfこ本発明は、バックアップ用二次
電池およびその充電制御部を少なくとも2系統以上設け
、バックアップ状態になつ穴とき、バックアップしてい
る二次電池が過放電になる前に次の二次電池に切替える
ように構成されているので、従来に比較し、バックアッ
プ時間を引き延ばすことができるとともに二次電池の過
放電を減少し、二次電池の寿命全延長できるという効果
がある。
電池およびその充電制御部を少なくとも2系統以上設け
、バックアップ状態になつ穴とき、バックアップしてい
る二次電池が過放電になる前に次の二次電池に切替える
ように構成されているので、従来に比較し、バックアッ
プ時間を引き延ばすことができるとともに二次電池の過
放電を減少し、二次電池の寿命全延長できるという効果
がある。
第1図は本発明による半導体ディスク装置の一実施例を
示すブロック図である。 l・・・半導体メモリ 2・・・アクセス制御部3・
・・主電源部 4・・・gL電源監視部・・・充
電制御部A 6・・・二次電池A7・・・充電制御部
B 8・・・二次電池B9・・・電源切替制御部
示すブロック図である。 l・・・半導体メモリ 2・・・アクセス制御部3・
・・主電源部 4・・・gL電源監視部・・・充
電制御部A 6・・・二次電池A7・・・充電制御部
B 8・・・二次電池B9・・・電源切替制御部
Claims (1)
- AC電源が切断した場合、半導体メモリに、バッテリに
よる電源バックアップを行なうように構成した半導体デ
ィスク装置において、バックアップ用二次電池および前
記二次電池の充電制御を行なう充電制御部を少なくとも
2系統以上設け、前記半導体メモリバックアップの際、
バックアップによる放電によりバックアップに用いてい
る二次電池が過放電状態になる前に次のバックアップ用
二次電池に切替えるように構成したことを特徴とする半
導体ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63170444A JPH0219911A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63170444A JPH0219911A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体デイスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0219911A true JPH0219911A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15905040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63170444A Pending JPH0219911A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 半導体デイスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0219911A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03106847U (ja) * | 1990-02-16 | 1991-11-05 | ||
US5424994A (en) * | 1991-12-16 | 1995-06-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory unit used as external storage |
JPH0854967A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | コンピュータ用バッテリ接続装置及びバッテリの切換方法 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP63170444A patent/JPH0219911A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03106847U (ja) * | 1990-02-16 | 1991-11-05 | ||
US5424994A (en) * | 1991-12-16 | 1995-06-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory unit used as external storage |
JPH0854967A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | コンピュータ用バッテリ接続装置及びバッテリの切換方法 |
US5784626A (en) * | 1994-07-26 | 1998-07-21 | International Business Machines | Battery connecting device for a computer system and a method of switching batteries |
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