JPH0219911A - 半導体デイスク装置 - Google Patents

半導体デイスク装置

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Publication number
JPH0219911A
JPH0219911A JP63170444A JP17044488A JPH0219911A JP H0219911 A JPH0219911 A JP H0219911A JP 63170444 A JP63170444 A JP 63170444A JP 17044488 A JP17044488 A JP 17044488A JP H0219911 A JPH0219911 A JP H0219911A
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JP
Japan
Prior art keywords
power supply
secondary battery
battery
backup
semiconductor memory
Prior art date
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Pending
Application number
JP63170444A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyoshi Hashi
重義 橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
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  • Power Sources (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は半導体メモI71.使用した情報処理システム
に関し、特にバッテリバックアップによって半導体メモ
リの記tit内容の保存を行なう半導体ディスク装置に
関する。
(従来の技術) 半導体メモリにバッテリバックアップをするように構成
した装置は、電源を切っても記憶内容が消失しない磁気
ディスク装置等の特長および磁気ディスク装置等よりア
クセスタイムが速いという特長を備えていることから半
導体ディスク装置と呼ばれている。
この半導体ディスク装置は、パッチ1月こよシバツクア
ッグを行なうことが可能な半導体メモリをバックアップ
する九めにバンクアップ用−次電池、もしくはバックア
ップ用二次電池t−一系統Mしていた。
(発明が製法しようとする課題) 上記バックアップ用電池のうち一次電池は。
バックアップによって消費され比電力を光電により補う
ことは不可能である。
近年の半導体ディスクの動向としては大容量化の方向に
あり、これに伴なって、バックアップ時の消費を力も増
加する几め、バックアップ用に−次電池を使用してい九
のでは、!池の寿命が極端に短くなり、ひいては、バッ
クアップ期間の大幅な減少となる。これを回避するには
−次′/IC池の数を増すことが考えられるが、大容量
の半導体メモリに対し、大量の一次電池という構成にな
ってし壇い、無用に装置が大形化するという欠点がある
一方、バックアップ用二次電池を有している場合ハ、バ
ックアップによって消費された電力を充電により補うこ
とがiiJ能であるため、半導体メモリの大容量化番こ
もある程度対応することができる。しかし、−日の使用
において、充電量よりも放tiの方が上オわるような条
件(充電全く放心量ンで使用される場合にμ、二次電池
の満充電時の最大バックアップ時間がバックアップ時間
に#tないばかりか、過放電の繰り返しに1つ′cに二
次電池の寿命?!−者しく短くしてしまうという欠点が
ある。
本発明の目的は上記欠点を簿決し九半導体ディスク装置
勿提供することにある。
(課題を悄決するtめの手段) 前記目的を達成するために本発明による半導体ディスク
装訛はAC[源が切断し友場合、半導体メモリに、バッ
テリによる電源バックアップを行なうようにtJ放した
半導体ディスク装置において、バックアップ用二次電池
および前記二次電池の充電制御を行な9充電制御部を少
なくとも2系統以上設け、前記半導体メモリバックアッ
プの際、バックアップ番こよる放電によりバックアップ
に用いている二次電池が過放電状態になる前に次のバッ
クアップ用二次電池に切替えるように構成しである。
(実施例) 以下1図面智参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第1図は本発明嘉こよる半導体ディスク装置の一実施例
?示すブロック図である。
この実施例はバンクアップ用二次電池およびその充電制
御部が2系統の例である。
半導体メモリ1はバッチ1月こよってバックアップがな
される。半導体メモリ1はアクセス制御部22iI−介
して図示しない上位装置に接続されている。アクセス制
御部2は上位装置からの指示により半導体メモリlに対
し、′IIt出し曹込みt行7につ。一方、A(、:g
源にはAelll源からDC電源を作る主電源部3が接
続されている。電源監視11s4は圧電源の電源切断を
監視している。
主電源部3には二次電池の光電を制御する充電制御部A
5とB7とが接続されてお9.さらにこれら充電制御部
A5とB7には二次電池A6とB8がそれぞれ接続され
ている。
電源切替制御部9はこれら主電源部3.二次電池人およ
びBの出力の切替を行なう制御部である。
AC%源が平常通り入力されているときは。
主電源部3は正常7!DC電源を出力する。この几め%
電線監視部4は正常状態を示す信号をアクセス制御部2
および電源切替制御部9に送りその旨を知らせる。
このような状態番こおいて、アクセス制御部2は上位装
置から要求があると、半導体メモIJ lに対し読出し
ま几は書込みアクセスを行ない、電源切替制御部9は主
電源部3からのDCt源を半導体メモリ1に供給する。
また、充電制御部A5および充電制御部B7はそれぞれ
二次電池へ6および二次電池B8の充電?I−行なう。
AC電源が切断されると、主電源lB3のDC電源出力
は徐々に低下していく。電源監視m4は、このDCtC
低源を検出すると、アクセス制御Lt1部2にアクセス
中止信号t、を源切替制御部9に正電源切断信号をそれ
ぞれ送出する。これによってアクセス制御部2は直ちに
上位装置からの読出しま几は讐込みアクセスを中止する
ことにより、半導体メモリ1の内容を保護する。
一方、電源切替制御部9は主電源部3から半導体メモI
J 1へ供給されていfiDct源を、二次電池A6か
ら供給するように切替える。そして二次電池A6の出力
状態を監視し、もし、二次電池へ6の出力が不足してき
たならは、電源切替制御部9は二次電池B8から供給す
るように切替える。
この切替えによって、二次電池A6を過放電から保護す
ることができる。
ACt源が入力されると、主電源部3のDC電源出力は
徐々に上昇していく。電源監視部4はこのDCt源が使
用可能電圧に違し九ことを検出すると、アクセス制御部
2にアクセス許可信号を、を源切替制御部9に主電源許
可信号音それぞれ送出する。これによってアクセス制御
部2は上位装置から半導体メモリ1への読出し曹込みア
クセス?再開することができる。また。
電源切替制御pH59は主電源部3から半導体メモリ1
へのDC[源供給に切替える。二次電池A6および二次
電池B8はその出力が切離されると充電制御部A5およ
び充電制御部B7によって充電される。
(発明の効果〕 以上、説明し友ようfこ本発明は、バックアップ用二次
電池およびその充電制御部を少なくとも2系統以上設け
、バックアップ状態になつ穴とき、バックアップしてい
る二次電池が過放電になる前に次の二次電池に切替える
ように構成されているので、従来に比較し、バックアッ
プ時間を引き延ばすことができるとともに二次電池の過
放電を減少し、二次電池の寿命全延長できるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体ディスク装置の一実施例を
示すブロック図である。 l・・・半導体メモリ  2・・・アクセス制御部3・
・・主電源部    4・・・gL電源監視部・・・充
電制御部A  6・・・二次電池A7・・・充電制御部
B  8・・・二次電池B9・・・電源切替制御部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. AC電源が切断した場合、半導体メモリに、バッテリに
    よる電源バックアップを行なうように構成した半導体デ
    ィスク装置において、バックアップ用二次電池および前
    記二次電池の充電制御を行なう充電制御部を少なくとも
    2系統以上設け、前記半導体メモリバックアップの際、
    バックアップによる放電によりバックアップに用いてい
    る二次電池が過放電状態になる前に次のバックアップ用
    二次電池に切替えるように構成したことを特徴とする半
    導体ディスク装置。
JP63170444A 1988-07-08 1988-07-08 半導体デイスク装置 Pending JPH0219911A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03106847U (ja) * 1990-02-16 1991-11-05
US5424994A (en) * 1991-12-16 1995-06-13 Fujitsu Limited Semiconductor memory unit used as external storage
JPH0854967A (ja) * 1994-07-26 1996-02-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> コンピュータ用バッテリ接続装置及びバッテリの切換方法

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